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標(biāo)簽 > X-FAB
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是誰在拉動嵌入式存儲的技術(shù)革新和市場擴(kuò)張
近年來,受到全球半導(dǎo)體產(chǎn)能短缺、新冠疫情以及季節(jié)性需求等因素的影響,存儲器件的價(jià)格呈現(xiàn)出較大的波動態(tài)勢。
X-FAB宣布升級其襯底耦合分析工具,將BCD-on-SOI工藝納入其中
中國北京,2022年4月21日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,擴(kuò)展...
全球領(lǐng)先的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(簡稱“X-FAB”)宣布,在其專為光學(xué)傳感器優(yōu)化的180nm CMOS...
X-FAB推出新的XIPD工藝,實(shí)現(xiàn)全集成緊湊射頻系統(tǒng)設(shè)計(jì)
模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries公司宣布,新增集成無源器件(IPD)制造能力,最新推出XIPD工藝,進(jìn)一步增強(qiáng)其在...
2023-11-21 標(biāo)簽:晶圓射頻系統(tǒng)X-FAB 785 0
X-FAB推出針對近紅外應(yīng)用的新一代增強(qiáng)性能SPAD器件
x-fab推出了最新版本的產(chǎn)品,擴(kuò)大了spad產(chǎn)品的選擇范圍,提高了解決近紅外線功能重要的新應(yīng)用領(lǐng)域的能力。這些新應(yīng)用包括飛行時(shí)間感知、車輛lidar影...
X-FAB Silicon Foundries SE正在以進(jìn)一步實(shí)質(zhì)性的方式推進(jìn)其電流隔離技術(shù)。X-FAB在2018年推出的突破性工藝的基礎(chǔ)上,該工藝專...
X-FAB領(lǐng)導(dǎo)歐資聯(lián)盟助力歐洲硅光電子價(jià)值鏈產(chǎn)業(yè)化
來源:X-FAB PhotonixFab將為光電子產(chǎn)品的創(chuàng)新及商業(yè)化打通路徑,實(shí)現(xiàn)高產(chǎn)能制造 中國北京,2023年6月15日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混...
X-FAB宣布采用Cadence EMX Solver電磁仿真技術(shù),加速創(chuàng)新通信和車用射頻設(shè)計(jì)
中國北京,2022年5月25日——全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries(“X-FAB”)今日宣布,與E...
X-FAB增強(qiáng)其180nm高壓CMOS技術(shù)產(chǎn)品組合中的車用嵌入式閃存產(chǎn)品
X-FAB專有的XSTI嵌入式非易失性存儲器(NVM)IP測試接口也已包括在內(nèi),以達(dá)成對存儲器的完全串行接駁。
X-FAB增強(qiáng)工藝改進(jìn)顯著提升光電二極管響應(yīng)速度
透過該模塊,X-FAB現(xiàn)在可以為客戶帶來六種不同的光電二極管供選擇,覆蓋了從紫外線(UV)到近紅外(NIR)的波長;該系列光電二極管的不同工作參數(shù)意味著...
性能提升最明顯的領(lǐng)域之一是光子探測概率(PDP)。405nm波長入射光PDP數(shù)值為42%,而在近紅外(NIR)頻率上的改進(jìn)幅度更進(jìn)一步,高達(dá)150%;8...
X-Fab Silicon Foundries公司開發(fā)了一種基于硅的微流控原型平臺
設(shè)計(jì)人員將可以獲得開發(fā)基于芯片的微流控子系統(tǒng)所需的所有關(guān)鍵元素--使他們能夠更快地完成項(xiàng)目的原型設(shè)計(jì)階段,并達(dá)到可以開始考慮規(guī)模量產(chǎn)的程度。通過將眾多元...
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