adg1233

adg1233簡介

　　ADG1233和ADG1234均為單芯片iCMOS?模擬開關(guān)，分別內(nèi)置三個/四個獨立可選的單刀雙擲SPDT開關(guān)。

　　所有通道均采用先開后合式開關(guān)，防止開關(guān)通道時發(fā)生瞬時短路。該器件提供overbar： EN輸入，用來使能或禁用器件。禁用時，所有通道均關(guān)斷。

　　iCMOS （工業(yè)CMOS）是一種模塊式制造工藝，集高電壓CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）與雙極性技術(shù)于一體。利用這種工藝，可以開發(fā)工作電壓達33 V的各種高性能模擬IC，并實現(xiàn)以往的高壓器件所無法實現(xiàn)的尺寸。

　　與采用傳統(tǒng)CMOS工藝的模擬IC不同，iCMOS器件不但可以承受高電源電壓，同時還能提升性能、大幅降低功耗并減小封裝尺寸。

　　這些多路復(fù)用器具有超低電容和電荷注入特性，因而是要求低突波和快速建立時間的數(shù)據(jù)采集與采樣保持應(yīng)用的理想解決方案。

　　較快的開關(guān)速度及高信號帶寬，使這些器件適合視頻信號切換應(yīng)用。iCMOS結(jié)構(gòu)可確保功耗極低，因而這些器件非常適合便攜式電池供電儀表。

　　產(chǎn)品特色

• 　　1.5 pF關(guān)斷電容（電源電壓：±15 V）。
• 　　電荷注入：0.5 pC。
• 　　3 V邏輯兼容數(shù)字輸入，VIH = 2.0 V，VIL = 0.8 V。
• 　　6引腳TSSOP、20引腳TSSOP和4 mm × 4 mm LFCSP封裝。