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dram

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DRAM(Dynamic Random Access Memory),即動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器,最為常見(jiàn)的系統(tǒng)內(nèi)存。DRAM 只能將數(shù)據(jù)保持很短的時(shí)間。為了保持?jǐn)?shù)據(jù),DRAM使用電容存儲(chǔ),所以必須隔一段時(shí)間刷新(refresh)一次,如果存儲(chǔ)單元沒(méi)有被刷新,存儲(chǔ)的信息就會(huì)丟失。 (關(guān)機(jī)就會(huì)丟失數(shù)據(jù))

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dram資訊

SK海力士、三星電子:HBM內(nèi)存供應(yīng)充足,明年HBM4將量產(chǎn)

這類(lèi)內(nèi)存的售價(jià)遠(yuǎn)高于主流 DRAM,而由于制作 TSV 工藝的良率問(wèn)題,對(duì)晶圓的消費(fèi)量更是達(dá)到普通內(nèi)存的 2-3 倍。因此,內(nèi)存廠(chǎng)商需提高 HBM 產(chǎn)量...

2024-05-14 標(biāo)簽:DRAM晶圓SK海力士 511 0

SK海力士HBM4E內(nèi)存2025年下半年采用32Gb DRAM裸片量產(chǎn)

值得注意的是,目前全球三大內(nèi)存制造商都還未開(kāi)始量產(chǎn)1c nm(第六代10+nm級(jí))制程DRAM內(nèi)存顆粒。早前報(bào)道,三星電子與SK海力士預(yù)計(jì)今年內(nèi)實(shí)現(xiàn)1c...

2024-05-14 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 429 0

美光LPDDR5內(nèi)存為汽車(chē)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)提供解決方案

美光LPDDR5內(nèi)存為汽車(chē)高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng)(ADAS)提供解決方案

長(zhǎng)期以來(lái),汽車(chē)功能安全主要由一級(jí)供應(yīng)商和汽車(chē)主機(jī)廠(chǎng)商(OEM) 負(fù)責(zé)。如今,隨著車(chē)輛系統(tǒng)復(fù)雜性的提升和車(chē)內(nèi)電子元件的不斷增加,功能安全正逐漸成為半導(dǎo)體廠(chǎng)...

2024-05-14 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAMADAS系統(tǒng) 1080 0

SK海力士加速HBM4E內(nèi)存研發(fā),預(yù)計(jì)2026年面市

HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場(chǎng)需求,SK海力士將提速研發(fā)進(jìn)程,預(yù)計(jì)最快在 2026 年推出 HBM4E 內(nèi)存在內(nèi)存帶寬上比 H...

2024-05-14 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 395 0

華邦傾力挺進(jìn)DDR3市場(chǎng),抓住轉(zhuǎn)單商機(jī)

華邦自DDR2時(shí)期就深入物聯(lián)網(wǎng)、汽車(chē)、工業(yè)、電信等高附加值領(lǐng)域,而隨著制程升級(jí)至DDR3階段,該公司開(kāi)始加大對(duì)DDR3產(chǎn)能建設(shè)的投資力度。高雄工廠(chǎng)今年引...

2024-05-13 標(biāo)簽:DRAM物聯(lián)網(wǎng)DDR2 439 0

全球芯片供應(yīng)鏈重構(gòu),美韓DRAM產(chǎn)能將擴(kuò)增

盡管韓國(guó)在邏輯芯片市場(chǎng)的地位有所下滑,但得益于AI芯片需求的激增,DRAM市場(chǎng)如高帶寬存儲(chǔ)器(HBM)等產(chǎn)品需求旺盛,韓國(guó)DRAM產(chǎn)能將從2022年的5...

2024-05-13 標(biāo)簽:DRAM邏輯芯片AI芯片 392 0

三星電子組建HBM4團(tuán)隊(duì),旨在縮短開(kāi)發(fā)周期,提升競(jìng)爭(zhēng)力

據(jù)此,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將主要負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的開(kāi)發(fā)和優(yōu)化,而今年三月份新設(shè)立的HBM產(chǎn)能與質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專(zhuān)攻下一代技術(shù)——HBM4。

2024-05-11 標(biāo)簽:DRAM三星電子HBM 1455 0

兆易創(chuàng)新:預(yù)計(jì)2024年DRAM業(yè)務(wù)持續(xù)增長(zhǎng)

兆易創(chuàng)新近日在業(yè)績(jī)說(shuō)明會(huì)上展望了公司未來(lái)的發(fā)展藍(lán)圖。公司高管表示,面對(duì)2024年?duì)I收目標(biāo)73億元的挑戰(zhàn),兆易創(chuàng)新將保持戰(zhàn)略定力,致力于擴(kuò)大市場(chǎng)占有率和提...

2024-05-11 標(biāo)簽:DRAM兆易創(chuàng)新 724 0

三星電子組建HBM4獨(dú)立團(tuán)隊(duì),力爭(zhēng)奪回HBM市場(chǎng)領(lǐng)導(dǎo)地位

具體而言,現(xiàn)有的DRAM設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)將負(fù)責(zé)HBM3E內(nèi)存的進(jìn)一步研發(fā),而三月份新成立的HBM產(chǎn)能質(zhì)量提升團(tuán)隊(duì)則專(zhuān)注于開(kāi)發(fā)下一代HBM內(nèi)存——HBM4。

2024-05-10 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 515 0

在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的AI時(shí)代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開(kāi)拓創(chuàng)新?

在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的AI時(shí)代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開(kāi)拓創(chuàng)新?

在機(jī)遇與挑戰(zhàn)并存的AI時(shí)代,三星如何在DRAM領(lǐng)域開(kāi)拓創(chuàng)新?

2024-05-09 標(biāo)簽:DRAM存儲(chǔ)AI 421 0

產(chǎn)能之外,HBM先進(jìn)封裝的競(jìng)爭(zhēng)

電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道(文/周凱揚(yáng))作為存儲(chǔ)行業(yè)當(dāng)下的新寵,HBM在AI的推動(dòng)下,已經(jīng)陷入了前所未有的市場(chǎng)狂熱。最大的噱頭自然是產(chǎn)能之爭(zhēng),比如SK海力士表示明...

2024-05-10 標(biāo)簽:DRAMHBM先進(jìn)封裝 2566 0

三星電子提前組建DRAM技術(shù)開(kāi)發(fā)團(tuán)隊(duì)

全球最大的三家DRAM制造商——三星電子、SK海力士以及美光,計(jì)劃在今年三季度到明年逐步實(shí)現(xiàn)1cnm的量產(chǎn)。然而,1dnm工藝則排在1cnm之后,預(yù)計(jì)量...

2024-05-09 標(biāo)簽:DRAM三星電子SK海力士 411 0

談?wù)凞DR5技術(shù)規(guī)格的那些事

談?wù)凞DR5技術(shù)規(guī)格的那些事

此文盡量排除高深莫測(cè)的DRAM相關(guān)技術(shù)名詞,讓各位迅速了解DDR5相對(duì)DDR4的優(yōu)勢(shì)與可能的影響,最后再同場(chǎng)加映英特爾Atomx6000系列引進(jìn)的「In...

2024-05-09 標(biāo)簽:DRAM儲(chǔ)存DDR5 781 0

芯金邦獲A+輪融資,系擁有自研內(nèi)存顆粒測(cè)試機(jī)的模組廠(chǎng)商

近日,國(guó)信弘盛旗下億合新興產(chǎn)業(yè)基金參與成都芯金邦科技有限公司A+輪融資。

2024-05-08 標(biāo)簽:半導(dǎo)體DRAM 545 0

AI浪潮拉動(dòng)DRAM與NAND閃存合約價(jià)飆升

首先來(lái)看DRAM內(nèi)存,TrendForce原本預(yù)測(cè)2024年第二季度的合約價(jià)會(huì)上漲3~8%,現(xiàn)在已調(diào)整為13~18%。至于NAND閃存,原預(yù)測(cè)漲幅為13...

2024-05-07 標(biāo)簽:DRAMNAND閃存DDR5 350 0

HBM供應(yīng)商議價(jià)提前,2025年HBM產(chǎn)能產(chǎn)值或超DRAM 3分

 至于為何供應(yīng)商提前議價(jià),吳雅婷解釋道,首先,HBM買(mǎi)家對(duì)于人工智能需求前景十分樂(lè)觀;其次,HBM3e的TSV良率目前只有40%-60%,買(mǎi)家期望獲得品...

2024-05-07 標(biāo)簽:DRAM人工智能HBM 295 0

現(xiàn)代DRAM內(nèi)存發(fā)明人羅伯特·登納德離世

一次偶然的機(jī)會(huì),登納德靈光一閃,想到利用單個(gè)晶體管中的電容正負(fù)極來(lái)記錄數(shù)據(jù),并通過(guò)反復(fù)充電實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)動(dòng)態(tài)刷新。這一創(chuàng)新理念奠定了 DRAM 內(nèi)存的基礎(chǔ)。

2024-05-06 標(biāo)簽:電容DRAM晶體管 411 0

SK海力士提前完成HBM4內(nèi)存量產(chǎn)計(jì)劃至2025年

SK海力士宣布,計(jì)劃于2025年下半年推出首款采用12層DRAM堆疊的HBM4產(chǎn)品,而16層堆疊版本的推出將會(huì)稍后。根據(jù)該公司上月與臺(tái)積電簽署的HBM基...

2024-05-06 標(biāo)簽:DRAMSK海力士HBM 409 0

HBM內(nèi)存市場(chǎng)旺盛,2025年產(chǎn)能與市場(chǎng)份額將攀升

該報(bào)告顯示,2023 年 HBM 在市場(chǎng)中的占比僅為 2%,但預(yù)計(jì)今年將增至 5%,明年則有望突破 10%;而在市場(chǎng)份額上,從去年的 8%上升至今年的 ...

2024-05-06 標(biāo)簽:DRAM內(nèi)存HBM 566 0

SK海力士考慮新建DRAM工廠(chǎng)

SK海力士,作為全球領(lǐng)先的內(nèi)存芯片制造商,正在積極考慮建設(shè)一家新的DRAM工廠(chǎng)。這一決策源于其現(xiàn)有的龍仁芯片集群投產(chǎn)計(jì)劃的推遲,以及對(duì)今年內(nèi)存芯片需求大...

2024-05-06 標(biāo)簽:DRAMSK海力士 517 0

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