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      標(biāo)簽　>　GaN技術(shù)

      GaN技術(shù)

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      gan技術(shù)技術(shù)

      如何使用GaN HEMT抽取Self-heating效應(yīng)和Trapping效應(yīng)模型參數(shù)？

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      氮化鎵(GaN)技術(shù)在5G基站、衛(wèi)星通信、國防系統(tǒng)和其他應(yīng)用中的迅速普及提高了晶體管建模的門檻。

      2024-05-19 標(biāo)簽：晶體管ASM氮化鎵 815 0

      一款集成E-GaN的高頻高性能準諧振模式交直流轉(zhuǎn)換功率開關(guān)—U8722

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      氮化鎵充電器是一種新型的快充技術(shù)，在充電速度、安全性做到了突破。

      2024-04-09 標(biāo)簽：充電器氮化鎵驅(qū)動電流 627 0

      高頻率高性能CCM同步整流芯片U7612介紹

      同步整流芯片U7612是一款高頻率、高性能、CCM 同步整流開關(guān)，可以在GaN系統(tǒng)中替代肖特基整流二極管以提高系統(tǒng)效率。

      2023-09-06 標(biāo)簽：MOSFET整流二極管肖特基二極管 1629 0

      激光功率對金剛石缺陷產(chǎn)生的原因及反應(yīng)機理簡析

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      具有通孔結(jié)構(gòu)的金剛石在高精度引線成型及高功率微波器件散熱領(lǐng)域， 具有良好的應(yīng)用前景。

      2023-08-12 標(biāo)簽：激光器XPS激光功率計 1901 0

      Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

      Si基GaN功率器件制備技術(shù)與集成

      寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。

      2023-08-09 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體碳化硅 804 0

      GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

      GaN與SiC功率器件的特點 GaN和SiC的技術(shù)挑戰(zhàn)

      　SiC和GaN被稱為“寬帶隙半導(dǎo)體”(WBG)，因為將這些材料的電子從價帶炸毀到導(dǎo)帶所需的能量：而在硅的情況下，該能量為1.1eV，SiC（碳化硅）為...

      2023-08-09 標(biāo)簽：驅(qū)動器SiC氮化鎵 922 0

      襯底工程對氮化物L(fēng)ED的影響研究

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      近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

      2023-08-08 標(biāo)簽：led激光器發(fā)光二極管 342 0

      基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

      基于ε-Ga2O3的日盲紫外探測器件研究

      一種能夠在日光下工作而不受可見光干擾的紫外光探測器。日盲紫外探測器對可見光具有很低的響應(yīng)，在環(huán)境監(jiān)測、太陽輻射測量、航天科學(xué)、太陽能電池優(yōu)化和軍事應(yīng)用等...

      2023-08-04 標(biāo)簽：太陽能電池探測器MOCVD 1725 0

      PI氮化鎵的質(zhì)量與可靠性介紹

      PI氮化鎵的質(zhì)量與可靠性介紹

      氮化鎵(GaN) 是一種寬禁帶的直接帶隙半導(dǎo)體，它有著很寬的直接帶隙，很高的擊穿場強，很高的熱導(dǎo)率和非常好的物理、化學(xué)穩(wěn)定性。正因其各方面都有著非常好的...

      2023-07-27 標(biāo)簽：氮化鎵半導(dǎo)體芯片GaN技術(shù) 1479 0

      表面終端金剛石場效應(yīng)晶體管的研究

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      金剛石不僅具有包括最高的硬度、極高的熱導(dǎo)率、達5.5eV的寬帶隙、極高的擊穿電場和高固有載流子遷移率等多種卓越性質(zhì)

      2023-07-25 標(biāo)簽：傳感器MOSFETFET 1174 0

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      gan技術(shù)資訊

      安建半導(dǎo)體獲得超過2億元人民幣的C1輪融資

      安建半導(dǎo)體C1輪融資圓滿收官，公司獲得超過2億元人民幣的融資。本輪融資由北京國管順禧基金及中航投資領(lǐng)投，龍鼎投資、一元航天及萬創(chuàng)投資跟投。

      2024-04-08 標(biāo)簽：MOSFET功率半導(dǎo)體GaN技術(shù) 483 0

      Allegro推出高帶寬電流傳感器技術(shù)，幫助實現(xiàn)高性能電源轉(zhuǎn)換

      為幫助業(yè)界更好地利用GaN和SiC等寬帶隙技術(shù)，在電動汽車、清潔能源解決方案和數(shù)據(jù)中心等應(yīng)用中實現(xiàn)更高性能電源轉(zhuǎn)換，Allegro宣布推出新型高帶寬電流...

      2024-03-04 標(biāo)簽：電源轉(zhuǎn)換allegroSNR 601 0

      垂直GaN技術(shù)新突破 新變局

      垂直GaN技術(shù)新突破 新變局

      目前，以傳統(tǒng)半導(dǎo)體硅（Si）為主要材料的半導(dǎo)體器件仍然主導(dǎo)著電力電子功率元件。

      2024-01-25 標(biāo)簽：led照明半導(dǎo)體氮化鎵 1067 0

      英飛凌聯(lián)手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術(shù)的V2X充電樁

      英飛凌聯(lián)手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術(shù)的V2X充電樁

      近日，英飛凌聯(lián)手日本歐姆龍推出了一款集成GaN技術(shù)的V2X 充電樁。

      2024-01-19 標(biāo)簽：英飛凌新能源汽車歐姆龍 1078 0

      深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究

      深紫外透明導(dǎo)電Si摻雜氧化鎵異質(zhì)外延薄膜研究

      近年來，氧化鎵（Ga2O3）半導(dǎo)體受到世界各國科研和產(chǎn)業(yè)界的普遍關(guān)注。氧化鎵具有4.9 eV的超寬禁帶，高于第三代半導(dǎo)體碳化硅（SiC）的3.2 eV和...

      2023-09-11 標(biāo)簽：新能源汽車光電探測器碳化硅 592 0

      聚燦光電LED芯片龍頭廠商再度加碼MLED

      9月4日，聚燦光電公布向特定對象發(fā)行A股股票上市公告書，確定本次定增募資發(fā)行價格9.2元/股，發(fā)行股數(shù)1.18億股，募集資金總額約10.86億元。

      2023-09-11 標(biāo)簽：LED芯片GaN技術(shù)Micro LED 433 0

      泰高技術(shù)攜手鎵宏半導(dǎo)體簽署GaN領(lǐng)域的全面戰(zhàn)略合作協(xié)議

      近日，深圳市泰高技術(shù)與深圳鎵宏半導(dǎo)體有限公司達成了一項全面戰(zhàn)略合作協(xié)議，旨在增強企業(yè)的可持續(xù)發(fā)展能力，提升產(chǎn)品競爭力。

      2023-09-08 標(biāo)簽：半導(dǎo)體氮化鎵射頻芯片 1040 0

      功率器件的材料演進之路 氧化鎵商業(yè)化愈發(fā)臨近

      功率器件的材料演進之路 氧化鎵商業(yè)化愈發(fā)臨近

      如今，我們已經(jīng)無法想象沒有電的生活了。我們生活的各個方面越來越依賴于電力。而在電力的生產(chǎn)、分發(fā)和使用過程中，功率轉(zhuǎn)換起著至關(guān)重要的作用。

      2023-08-09 標(biāo)簽：探測器功率半導(dǎo)體碳化硅 387 0

      SNOM對GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征

      SNOM對GaN基發(fā)光芯片的高空間分辨光學(xué)表征

      近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

      2023-08-04 標(biāo)簽：耦合器LSPGaN技術(shù) 2046 0

      面向氧化鎵功率器件的大尺寸氧化鎵單晶材料技術(shù)介紹

      近日，“2023功率與光電半導(dǎo)體器件設(shè)計及集成應(yīng)用論壇”于西安召開。論壇由第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)技術(shù)創(chuàng)新戰(zhàn)略聯(lián)盟（CASA）指導(dǎo)，西安交通大學(xué)、極智半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)...

      2023-08-04 標(biāo)簽：MOSFETSBDSiC 584 0

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      gan技術(shù)數(shù)據(jù)手冊

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        +關(guān)注
        TRINAMIC總部位于德國漢堡，經(jīng)過近十幾年的發(fā)展在半導(dǎo)體行業(yè)被稱作是一個神話，主要致力與運動控制產(chǎn)品的設(shè)計與研發(fā)（步進和直流無刷系統(tǒng)）主要產(chǎn)品包括芯片，模塊和系統(tǒng)。
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        無線供電，是一種方便安全的新技術(shù)，無需任何物理上的連接，電能可以近距離無接觸地傳輸給負載。實際上近距離的無線供電技術(shù)早在一百多年前就已經(jīng)出現(xiàn)，而我們現(xiàn)在生活中的很多小東西，都已經(jīng)在使用無線供電。
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        ITECH 艾德克斯電子為專業(yè)的儀器制造商，致力于“功率電子”產(chǎn)品為核心的相關(guān)產(chǎn)業(yè)測試解決方案的研究，通過不斷深入了解各個行業(yè)的測試需求，持續(xù)提供給客戶具有競爭力的測試方案。
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        目前手機快速充電主要分為三大類：VOOC閃充快速充電技術(shù)、高通Quick Charge 2.0快速充電技術(shù)、聯(lián)發(fā)科Pump Express Plus快速充電技術(shù)。 另外在電動汽車領(lǐng)域快充也有很大的需求，電動車的續(xù)航需求不斷提高已經(jīng)讓“2小時快速充電”成為現(xiàn)實。
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        國際無線充電聯(lián)盟（Wireless Power Consortium，WPC）2010年8月31日上午在北京釣魚臺國賓館發(fā)布Qi無線充電國際標(biāo)準，將該標(biāo)準引入中國。
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        +關(guān)注
        Pebble，是一家智能手表廠商。2015年2 月底，智能手表廠商 Pebble 發(fā)起了新眾籌，上線不足 1 小時就籌到了 100 萬美元。
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        A4WP
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      • 電池系統(tǒng)
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        +關(guān)注
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        MAX660
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      • 智能變電站
        智能變電站
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      • USB PD
        USB PD
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      • 太陽能充電
        太陽能充電
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        PSR
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      • 光伏并網(wǎng)逆變器
        光伏并網(wǎng)逆變器
        +關(guān)注
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      • 浪涌抑制器
        浪涌抑制器
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      • USB-PD
        USB-PD
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        納微半導(dǎo)體
        +關(guān)注
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        PWM信號
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