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標(biāo)簽 > GaN轉(zhuǎn)換器
氮化鎵 (GaN)屬第三代半導(dǎo)體材料。禁帶寬度在T=300K時(shí)為3.2~3.3eV,晶格常數(shù)為0.452nm。轉(zhuǎn)換器是指將一種信號(hào)轉(zhuǎn)換成另一種信號(hào)的裝置。
氮化鎵 (GaN):推動(dòng)性能超越芯片界限,利用 TI 適用于所有功率級(jí)別的 GaN 器件產(chǎn)品系列最大限度地提高功率密度和可靠性。
轉(zhuǎn)換器是指將一種信號(hào)轉(zhuǎn)換成另一種信號(hào)的裝置。
相對(duì)于硅(Si)和碳化硅(SiC)而言,固有的GaN性能優(yōu)勢(shì)包括:
GaN具有優(yōu)異的材料性能。
GaN在所有功率轉(zhuǎn)換中提供了更高的效率和最低的損耗。
GaN可以在更高的頻率下工作。
借助高能效GaN轉(zhuǎn)換器,提高充電器和適配器設(shè)計(jì)的功率密度
本文闡述了如何將英飛凌的CoolGaN?集成功率級(jí)(IPS)技術(shù)應(yīng)用于有源鉗位反激式(ACF)、混合反激式(HFB)和LLC轉(zhuǎn)換器拓?fù)洹?/p>
2022-03-29 標(biāo)簽:充電器適配器LLC轉(zhuǎn)換器 2312 0
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