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      標(biāo)簽　>　hbm芯片

      hbm芯片

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      hbm芯片資訊

      報(bào)告稱HBM芯片明年月產(chǎn)能突破54萬顆

      隨著全球算力市場(chǎng)對(duì)高性能計(jì)算需求的急劇攀升，特別是在人工智能（AI）應(yīng)用遍地開花與電子設(shè)備日益追求小型化、高效能的大背景下，高帶寬內(nèi)存（HBM）技術(shù)正迎...

      2024-07-11 標(biāo)簽：人工智能SK海力士HBM芯片 634 0

      三星否認(rèn)HBM3E通過英偉達(dá)測(cè)試傳聞

      近期，有媒體報(bào)道稱三星電子已成功通過英偉達(dá)（NVIDIA）的HBM3E（高帶寬內(nèi)存）質(zhì)量測(cè)試，并預(yù)計(jì)很快將啟動(dòng)量產(chǎn)流程，以滿足市場(chǎng)對(duì)高性能存儲(chǔ)解決方案的...

      2024-07-05 標(biāo)簽：三星電子英偉達(dá)HBM芯片 670 0

      SK海力士豪擲748億美元加碼存儲(chǔ)器芯片投資，聚焦HBM技術(shù)引領(lǐng)AI未來

      在全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與人工智能（AI）技術(shù)日新月異的今天，SK海力士以其前瞻性的戰(zhàn)略眼光和雄厚的資金實(shí)力，再次成為業(yè)界的焦點(diǎn)。據(jù)最新報(bào)道，SK海力士計(jì)劃在2...

      2024-07-04 標(biāo)簽：人工智能存儲(chǔ)器芯片SK海力士 386 0

      韓美半導(dǎo)體獲美光226億韓元的HBM設(shè)備訂單

      韓美半導(dǎo)體近日宣布獲得美光科技一筆價(jià)值226億韓元（當(dāng)前約1.21億元人民幣）的訂單，用于提供雙TC粘合設(shè)備以制造HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）芯片。

      2024-04-15 標(biāo)簽：半導(dǎo)體存儲(chǔ)器美光科技 601 0

      英偉達(dá)尋求從三星采購HBM芯片

      英偉達(dá)正在尋求與三星建立合作伙伴關(guān)系，計(jì)劃從后者采購高帶寬存儲(chǔ)（HBM）芯片。HBM作為人工智能（AI）芯片的核心組件，其重要性不言而喻。與此同時(shí)，三星...

      2024-03-25 標(biāo)簽：英偉達(dá)三星HBM芯片 680 0

      三星深入先進(jìn)封裝領(lǐng)域，2023年下半年投資成果將顯現(xiàn)

      他指出，三星計(jì)劃在其包括智能手機(jī)、可折疊設(shè)備、配件和擴(kuò)展現(xiàn)實(shí)（XR）在內(nèi)的所有產(chǎn)品中應(yīng)用人工智能（AI）技術(shù)，為消費(fèi)者帶來全新的使用體驗(yàn)，并聚焦網(wǎng)絡(luò)化A...

      2024-03-22 標(biāo)簽：人工智能三星HBM芯片 453 0

      受困于良率？三星否認(rèn)HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝

      受困于良率？三星否認(rèn)HBM芯片生產(chǎn)采用MR-MUF工藝

      ? 電子發(fā)燒友網(wǎng)報(bào)道（文/黃晶晶）據(jù)報(bào)道，三星電子在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域再次邁出重要步伐，計(jì)劃增加“MUF”芯片制造技術(shù)，用于生產(chǎn)HBM（高帶寬內(nèi)存）芯片。但...

      2024-03-14 標(biāo)簽：DRAMHBM三星 3817 0

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        VDD
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        　Vcc和Vdd是器件的電源端。Vcc是雙極器件的正，Vdd多半是單極器件的正。下標(biāo)可以理解為NPN晶體管的集電極C，和PMOS or NMOS場(chǎng)效應(yīng)管的漏極D。同樣你可在電路圖中看見Vee和Vss，含義一樣。因?yàn)橹髁餍酒Y(jié)構(gòu)是硅NPN所以Vcc通常是正。如果用PNP結(jié)構(gòu)Vcc就為負(fù)了。建議選用芯片時(shí)一定要看清電氣參數(shù)
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        功率放大器（英文名稱：power amplifier），簡(jiǎn)稱“功放”，是指在給定失真率條件下，能產(chǎn)生最大功率輸出以驅(qū)動(dòng)某一負(fù)載（例如揚(yáng)聲器）的放大器。
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