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標(biāo)簽 > HEMT器件
HEMT,高電子遷移率晶體管。這是一種異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶體管,又稱為調(diào)制摻雜場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MODFET)、二維電子氣場(chǎng)效應(yīng)晶體管(2-DEGFET)、選擇摻雜異質(zhì)結(jié)晶體管 (SDHT)等。
HEMT這種器件及其集成電路都能夠工作于超高頻(毫米波)、超高速領(lǐng)域,原因就在于它是利用具有很高遷移率的所謂二維電子氣來工作的。
基于AlN單晶襯底的AlGaN溝道型MOSHFET功率最新進(jìn)展
近期,美國(guó)南卡羅來納大學(xué)報(bào)道了在AlN單晶襯底上通過MOCVD生長(zhǎng)的Al0.87Ga0.13N/Al0.64Ga0.36N金屬氧化物半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)場(chǎng)效應(yīng)晶...
2023-05-25 標(biāo)簽:充電器晶體管場(chǎng)效應(yīng)晶體管 958 0
首個(gè)在6英寸藍(lán)寶石襯底上的1700V GaN HEMTs器件發(fā)布
近日,廣東致能科技團(tuán)隊(duì)與西安電子科技大學(xué)廣州研究院/廣州第三代半導(dǎo)體創(chuàng)新中心郝躍院士、張進(jìn)成教授團(tuán)隊(duì)等等合作攻關(guān),通過采用廣東致能科技有限公司的薄緩沖層...
科銳采用安捷倫ADS系統(tǒng)升級(jí)工藝設(shè)計(jì)套件
科銳公司(Nasdaq: CREE)宣布升級(jí)一款先進(jìn)的工藝設(shè)計(jì)套件(PDK),該款 PDK 基于安捷倫公司的 Advanced Design Syste...
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