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標(biāo)簽 > JFET
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JFET(結(jié)型場效應(yīng)晶體管)與MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)在電子工程領(lǐng)域中都扮演著重要角色,盡管它們都屬于場效應(yīng)晶體管(FET)家族,但...
結(jié)型場效應(yīng)管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)的放大電路類型主要依據(jù)其連接方式和工作特點來劃分。在電子電...
2024-10-07 標(biāo)簽:放大電路JFET結(jié)型場效應(yīng)管 262 0
結(jié)型場效應(yīng)晶體管和N溝道場效應(yīng)晶體管有什么區(qū)別
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)和N溝道場效應(yīng)晶體管(N-Channel Field-...
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其工作原理和特...
2024-10-07 標(biāo)簽:JFET柵極場效應(yīng)晶體管 223 0
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件。它的核心特點在...
2024-10-07 標(biāo)簽:半導(dǎo)體JFET場效應(yīng)晶體管 349 0
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,簡稱JFET)是一種基于場效應(yīng)原理工作的三端有源器件,其特點在于通過...
結(jié)型場效應(yīng)管和絕緣柵型場效應(yīng)管的區(qū)分指南
JFET 和 MOSTFET 之間的主要區(qū)別在于,通過 JFET 的電流通過反向偏置 PN 結(jié)上的電場引導(dǎo),而在 MOSFET 中,導(dǎo)電性是由于嵌入在半...
2024-05-08 標(biāo)簽:場效應(yīng)管JFET并聯(lián)電容 1.0萬 0
場效應(yīng)晶體管是一種常用的半導(dǎo)體器件,用于控制電流的流動。
2024-02-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場效應(yīng)晶體管 1615 0
什么是場效應(yīng)管 MOS場效應(yīng)管的電路符號
場效應(yīng)管,即場效應(yīng)晶體管(簡稱FET),是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件。
2024-02-20 標(biāo)簽:場效應(yīng)管JFETFET 2258 0
使用高帶寬、精密JFET運(yùn)算放大器簡化跨阻應(yīng)用立即下載
類別:電子資料 2024-09-23 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器阻抗JFET 90 0
TL06xx低功耗JFET輸入運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-06-18 標(biāo)簽:運(yùn)算放大器JFETTL061 123 0
OPA164x-Q1 JFET輸入汽車級音頻運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-06-18 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器JFET 97 0
LF444QML四路低功耗JFET輸入運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-06-17 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器JFET 117 0
TLO82-N寬帶寬雙通道JFET輸入運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-06-17 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器JFET 125 0
LF412-N低失調(diào)、低漂移雙通道JFET輸入運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-06-15 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器JFET 163 0
LF147QML寬帶寬四路JFET輸入運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-06-15 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器JFET 131 0
LF411QML-SP低失調(diào)、低漂移JFET輸入運(yùn)算放大器數(shù)據(jù)表立即下載
類別:電子資料 2024-06-15 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器JFET 119 0
mosfet工作原理 jfet和mosfet的區(qū)別? MOSFET(金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管)是一種現(xiàn)代電子器件,常用于電子電路中的開關(guān)和放大器。它...
2023-11-22 標(biāo)簽:MOSFETJFET場效應(yīng)晶體管 2934 0
模擬開關(guān),是利用JFET或MOS的特性實現(xiàn)控制信號通路的開關(guān),主要用來完成信號鏈路連接或斷開的切換功能。由于它具有功耗低、速度快、無機(jī)械觸點、體積小和使...
2023-02-09 標(biāo)簽:JFET模擬開關(guān)MOS 3339 0
MOS管為什么會被靜電擊穿?靜電擊穿是指擊穿MOS管G極的那層絕緣層嗎?擊穿就一定短路了嗎?JFET管靜電擊穿又是怎么回事?
結(jié)型場效應(yīng)晶體管(Junction Field-Effect Transistor,JFET):JFET是由p-n結(jié)柵極(G)與源極(S)和漏極(D)構(gòu)...
2020-08-07 標(biāo)簽:JFET場效應(yīng)晶體管 8182 0
在高速應(yīng)用中使用JFET輸入放大器的優(yōu)勢
電壓反饋放大器可根據(jù)器件中的晶體管類型進(jìn)行分類:雙極互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)或是結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)。一些放大器同時使用這兩種晶體管,在...
JFET級聯(lián)實現(xiàn)恒定精確電流源的方法
很多工藝控制傳感器需要精確的偏置電流。增加一只電流設(shè)置電阻器R1后,電壓基準(zhǔn)電路IC1就可以構(gòu)成一個恒定和精確的電流源。但是,該電流源的誤差與R1和IC...
SemiSouth發(fā)布耐壓為650V和1700V的SiC制JFET
美國SemiSouth Laboratories公司發(fā)布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產(chǎn)品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產(chǎn)...
2012-05-21 標(biāo)簽:jfet半導(dǎo)體芯片to220封裝 2643 0
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