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標(biāo)簽 > MAX17601
MAX17601–MAX17605為高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器,可吸入/源出4A峰值電流,提供不同的反相輸出和同相輸出器件,靈活用于MOSFET驅(qū)動(dòng)。
MAX17601–MAX17605為高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器,可吸入/源出4A峰值電流,提供不同的反相輸出和同相輸出器件,靈活用于MOSFET驅(qū)動(dòng)。器件內(nèi)部的邏輯電路防止輸出狀態(tài)變化時(shí)的穿通現(xiàn)象。邏輯輸入端提供高達(dá)+14V的尖峰電壓保護(hù),與VDD電壓無(wú)關(guān)。器件具有極低的傳輸延遲時(shí)間,并保持兩個(gè)通道之間的傳輸延時(shí)匹配。器件提供快速切換,結(jié)合極短的傳輸延時(shí)(典型值12ns),使其非常適合高頻電路設(shè)計(jì)。器件采用+4V至+14V單電源供電,典型電流損耗為1mA。MAX17601/MAX17602采用標(biāo)準(zhǔn)的TTL輸入邏輯電平,MAX17603/MAX17604/MAX17605則采用具有較高噪聲容限(HNM)的類CMOS輸入邏輯電平;MAX17603為雙通道反相輸入驅(qū)動(dòng)器,MAX17601/MAX17604則為雙通道同相輸入驅(qū)動(dòng)器,MAX17602/MAX17605提供一路同相輸入和一路反相輸入。為了更好地控制驅(qū)動(dòng)器工作,器件還提供使能引腳(ENA、ENB)。
器件提供8引腳(3mm x 3mm) TDFN封裝和8引腳SO封裝,工作在-40°C至+125°C溫度范圍。
關(guān)鍵特性
帶有使能控制的雙通道驅(qū)動(dòng)器
+4V至+14V單電源供電
4A吸入/源出峰值電流
輸入可承受+14V高壓,不受VDD電壓限制
12ns超低傳輸延時(shí)
1nF負(fù)載下,具有6ns典型上升時(shí)間和5ns典型下降時(shí)間
通道之間提供嚴(yán)格的延時(shí)匹配
為了提供更大驅(qū)動(dòng)電流,兩路輸出可并行工作
TTL或具有噪聲抑制的HNM邏輯電平輸入
低輸入電容:10pF (典型值)
熱關(guān)斷保護(hù)
提供TDFN和SO封裝
-40°C至+125°C工作溫度范圍
MAX17601–MAX17605 high-speed MOSFET drivers立即下載
類別:IC datasheet pdf 2012-01-31 標(biāo)簽:MOSFETMAX17601MAX17605 537 0
MAX17600,MAX17601雙通道MOSFET驅(qū)動(dòng)器
MAX17601–MAX17605為高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器,可吸入/源出4A峰值電流,提供不同的反相輸出和同相輸出器件,靈活用于MOSFET驅(qū)動(dòng)。
2012-07-03 標(biāo)簽:MOSFET驅(qū)動(dòng)器MAX17601MAX17600 1812 0
MAX17601-MAX17605 Dual MOSFET Drivers
MAX17601 - MAX17605設(shè)備高速M(fèi)OSFET驅(qū)動(dòng)器的漏/源4A的峰值電流的能力。該設(shè)備具有不同的反相和同相部分選項(xiàng)提供更大的靈活性,控制M...
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