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標(biāo)簽 > mos
MOS管,是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,簡(jiǎn)稱金氧半場(chǎng)效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)。
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常用MOS電源開(kāi)關(guān)電路圖 NMOS、PMOS高低側(cè)電源開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
隨著對(duì)器件的控制需求提升,越來(lái)越多的電源開(kāi)關(guān)電路出現(xiàn)在設(shè)計(jì)中。這些設(shè)計(jì)的目的各有不同:有的需要快速開(kāi)通與關(guān)斷,有的需要低導(dǎo)通電阻+大電流,有的需要閑時(shí)0...
2023-08-23 標(biāo)簽:電源電路圖開(kāi)關(guān)電路 4.4萬(wàn) 0
半導(dǎo)體器件中材料、工藝結(jié)構(gòu)、模型之間的關(guān)系
為了延續(xù)傳統(tǒng)平面型晶體管制造技術(shù)的壽命,彌補(bǔ)關(guān)鍵尺寸縮小給傳統(tǒng)平面型晶體管帶來(lái)的負(fù)面效應(yīng),業(yè)界研究出了很多能夠改善傳統(tǒng)平面型晶體管性能的技術(shù)。
多個(gè)mos管并聯(lián)驅(qū)動(dòng)電路的作用是什么
當(dāng)在高速下控制高功率時(shí),有必要仔細(xì)考慮設(shè)備的選擇及其特性中可能變化的范圍。在進(jìn)行并行連接時(shí),最重要的是避免電流集中,包括過(guò)電流,并確保在所有可能的負(fù)載條...
MOS場(chǎng)效應(yīng)管的基礎(chǔ)知識(shí)
結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管柵極反偏但仍有電流,MOS場(chǎng)效應(yīng)管柵極絕緣,沒(méi)有電流。
2023-08-17 標(biāo)簽:MOSFET場(chǎng)效應(yīng)管JFET 1044 1
雷達(dá)點(diǎn)云動(dòng)態(tài)目標(biāo)分割算法研究分析
算法將雷達(dá)點(diǎn)云做為輸入,可以直接判定點(diǎn)是否屬于動(dòng)態(tài)物體。還能構(gòu)建Volumetric Belief地圖(可以理解為存儲(chǔ)每個(gè)點(diǎn)是否動(dòng)態(tài)的概率),構(gòu)建完地圖...
2023-08-16 標(biāo)簽:雷達(dá)MOS移動(dòng)機(jī)器人 777 0
直流電源開(kāi)關(guān)TMI6240I/6250I——解決分立MOS開(kāi)關(guān)易失效,安全更可靠
拓爾微自主研發(fā)一款可以應(yīng)用在各種需待機(jī)關(guān)斷功能模塊的PowerSwitch芯片——TMI6240I/6250I,具備高集成度、高穩(wěn)定性、高可靠性的優(yōu)勢(shì)。
2023-08-10 標(biāo)簽:芯片開(kāi)關(guān)電路MOS 1125 0
IU5706 12V升36V大功率同步升壓控制器IC解決方案
深圳市永阜康科技有限公司現(xiàn)在大力推廣一顆外置MOS,36V輸出大功率同步升壓控制器-IU5706. 4.5V 到30V寬范圍輸入,適用于不同類型的電池及...
電路在電子領(lǐng)域非常重要。從調(diào)節(jié)電流到應(yīng)用的優(yōu)良性能,電路對(duì)于我們常規(guī)電子產(chǎn)品的耐用性至關(guān)重要。其中,我們要討論的是穩(wěn)壓電路7805。
電機(jī)控制器中的功率MOS驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)
通用MCU或DSP的IO電壓通常是5V3.3V,IO的電流輸出能力在20MA以下,不足以直接驅(qū)動(dòng)功率MOSFET。所以使用通用MCU或DSP來(lái)設(shè)計(jì)電機(jī)驅(qū)...
2023-07-25 標(biāo)簽:mcuMOSFET驅(qū)動(dòng)器 1345 0
mos是什么電子元件 如何建立mos管和電路的關(guān)系
MOS(Metal-Oxide-Semiconductor)是一種常見(jiàn)的電子元件,特別是在集成電路中廣泛使用。MOS是一種半導(dǎo)體器件結(jié)構(gòu),其中包括一個(gè)金...
引言:在開(kāi)始講解MOS的減速加速電路之前,我們還是先來(lái)回顧MOS開(kāi)啟與關(guān)閉的根本機(jī)制。以NMOS為例,開(kāi)啟NMOS本質(zhì)是對(duì)G極進(jìn)行充電,至Cgs電荷充滿...
2023-07-23 標(biāo)簽:電路設(shè)計(jì)NMOSMOS 2509 0
森國(guó)科650V超結(jié)MOSFET系列產(chǎn)品的性能指標(biāo)
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后,2023年7月 森國(guó)科正式對(duì)外推出650V超結(jié)MOSFET系列新品 ,相較...
12V轉(zhuǎn)220V逆變器電路圖 12V轉(zhuǎn)交流220V逆變器的工作原理
今天我們來(lái)介紹一款逆變器(見(jiàn)圖1)主要由MOS場(chǎng)效應(yīng)管,普通電源變壓器構(gòu)成。其輸出功率取決于MOS場(chǎng)效應(yīng)管和電源變壓器的功率,免除了煩瑣的變壓器繞制,適...
2023-07-17 標(biāo)簽:變壓器場(chǎng)效應(yīng)管電源電路 8146 0
DIP-8封裝內(nèi)置4A MOS的電源芯片U6237D介紹
芯片封裝可以起到保護(hù)芯片的作用,相當(dāng)于是芯片的外殼,不僅能固定、密封芯片,還能增強(qiáng)其電熱性能。所以,封裝對(duì)CPU和其他大規(guī)模集成電路起著非常重要的作用。...
2023-07-14 標(biāo)簽:開(kāi)關(guān)電源封裝MOS 1146 0
FP6296異步升壓恒壓內(nèi)置MOS,讓你的電源設(shè)計(jì)更輕松!
FP6296是臺(tái)灣遠(yuǎn)翔設(shè)計(jì)生產(chǎn)的一顆異步升壓恒壓內(nèi)置MOS的轉(zhuǎn)換器,具有大功率的轉(zhuǎn)換效率,板子上周邊的元器件少,適合用在行動(dòng)裝置上。寬工作電壓是2.7V...
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