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標(biāo)簽 > pecvd
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PECVD工藝中RF射頻功率對(duì)μc-Si:H薄膜各項(xiàng)參數(shù)影響
HJT太陽(yáng)能電池已經(jīng)在正、背表面實(shí)現(xiàn)了鈍化接觸,因此獲得了較高的開(kāi)路電壓,明顯高于TOPCon電池和PERC電池。但正表面的非晶硅層存在較為嚴(yán)重的寄生吸...
2024-07-23 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池測(cè)試儀激光器 382 0
LPCVD和PECVD制備摻雜多晶硅層中的問(wèn)題及解決方案
高質(zhì)量的p型隧道氧化物鈍化觸點(diǎn)(p型TOPCon)是進(jìn)一步提高TOPCon硅太陽(yáng)能電池效率的可行技術(shù)方案。化學(xué)氣相沉積技術(shù)路線可以制備摻雜多晶硅層,成為...
2024-01-18 標(biāo)簽:太陽(yáng)能電池晶硅PECVD 2103 0
氮化硅LPCVD工藝及快速加熱工藝(RTP)系統(tǒng)詳解
銅金屬化過(guò)程中,氮化硅薄層通常作為金屬層間電介質(zhì)層(IMD)的密封層和刻蝕停止層。而厚的氮化硅則用于作為IC芯片的鈍化保護(hù)電介質(zhì)層(Passivatio...
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