rcd吸收電路

RCD吸收電路EMI影響與參數(shù)調(diào)整影響分析

當(dāng)開關(guān)管導(dǎo)通時(shí)，能量存儲在初級繞組的電感與漏感中，變壓器初級繞組電壓為上正下負(fù)，RCD吸收二極管陽極近似接地，RCD吸收二管反向截止。

2024-01-08 標(biāo)簽：變壓器RCD吸收電路二極管 5998 0

開關(guān)電源RCD吸收電路消除高頻干擾

開關(guān)電源中除了我們常規(guī)介紹的差模噪聲源和共模噪聲源，還存在一些其它的噪聲源也應(yīng)該解決，這些高頻噪聲源同樣會帶來電磁兼容問題，因此我們需要關(guān)注

2023-09-11 標(biāo)簽：RCD吸收電路開關(guān)電源整流二極管 3519 0

如何保證電源模塊的EMC性能呢？

眾所周知，EMC是指電磁兼容測試，指設(shè)備所產(chǎn)生的電磁能量既不對其它設(shè)備產(chǎn)生干擾，也不受其他設(shè)備的電磁能量干擾的能力。

2023-07-06 標(biāo)簽：RCD吸收電路PCB設(shè)計(jì)電源模塊 1165 0

反激式開關(guān)電源EMI理論基礎(chǔ)及整改措施

麥克斯韋方程組揭示了電場、磁場的來源及關(guān)系，并預(yù)言了電磁波的存在，奠定了經(jīng)典電磁場理論。

2023-07-04 標(biāo)簽：RCD吸收電路整流二極管電磁波 3012 0

反激開關(guān)電源：RCD吸收電路

反激開關(guān)電源在MOS管關(guān)斷時(shí)，變壓器初級繞組漏感存儲的能量無法向次級繞組傳遞，初級繞組的漏感和MOS管的寄生電容產(chǎn)生了諧振電壓波形。

2023-06-25 標(biāo)簽：RCD吸收電路MOS管電容充電 1.4萬 1

反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式穩(wěn)態(tài)時(shí)各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形

結(jié)合著原理圖，我試著解釋一下反激開關(guān)電源在不連續(xù)模式DCM穩(wěn)態(tài)時(shí)各關(guān)鍵點(diǎn)的電壓和電流的開關(guān)波形，不涉及具體元件參數(shù)數(shù)值。

2023-06-25 標(biāo)簽：RCD吸收電路MOS管鉗位電壓 3648 0

rcd吸收電路原理及設(shè)計(jì)詳解

本文為大家介紹rcd吸收電路原理及設(shè)計(jì)。

2018-01-22 標(biāo)簽：rcd吸收電路 7.3萬 0

rcd吸收電路有什么作用

RCD吸收電路它由電阻Rs、電容Cs和二極管VDs構(gòu)成。電阻Rs也可以與二極管VDs并聯(lián)連接。RCD吸收電路對過電壓的抑制要好于RC吸收電路，與RC電路...

2018-01-22 標(biāo)簽：rcd吸收電路 4.3萬 1

rcd吸收電路的參數(shù)設(shè)計(jì)介紹

rcd吸收電路的參數(shù)設(shè)計(jì)主要分三步：首先對mos管的VD進(jìn)行分段，對于主MOS管VD的幾部分進(jìn)行計(jì)算，試驗(yàn)調(diào)整VRCD值。

2018-01-22 標(biāo)簽：rcd吸收電路 2.9萬 0