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      sic器件

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      sic器件技術(shù)

      系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC器件開關(guān)的影響分析

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      *本論文摘要由PCIM官方授權(quán)發(fā)布/摘要/本文分析了系統(tǒng)寄生參數(shù)對SiC(碳化硅)器件使用的影響。本文還研究了SiCMOS開關(guān)開通時的過流機(jī)理，以及開通...

      2024-08-30 標(biāo)簽：二極管MOSsic器件 340 0

      直流充電樁中“快準(zhǔn)穩(wěn)”的SiC器件

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      根據(jù)對電動汽車的充電方式，充電樁可分為交流充電樁和直流充電樁兩大類。直流充電樁具備直接給電池充電的能力，以三相四線制的方式連接電網(wǎng)，能夠提供充足的電力，...

      2023-06-02 標(biāo)簽：電動汽車PFC充電電源 654 0

      什么是碳化硅器件

      SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET，特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 ...

      2023-03-03 標(biāo)簽：芯片MOSFET半導(dǎo)體器件 4862 0

      碳化硅與碳化硅（SiC）功率器件

      在同樣的耐壓和電流條件下，SiC器件的漂移區(qū)電阻要比硅低200倍，即使高耐壓的SiC場效應(yīng)管的導(dǎo)通壓降，也比單極型、雙極型硅器件的低得多。而且，SiC器...

      2023-02-20 標(biāo)簽：場效應(yīng)管功率器件sic器件 1935 0

      碳化硅技術(shù)特性與應(yīng)用領(lǐng)域

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      2023-02-15 標(biāo)簽：碳化硅sic器件 2528 0

      碳化硅芯片供需失衡

      襯底作為SiC芯片發(fā)展的關(guān)鍵，占據(jù)著重要的地位。SiC襯底不僅在功率器件成本中所占比例很高，而且與產(chǎn)品質(zhì)量密切相關(guān)。如果說前幾年很多SiC器件廠商都是靠...

      2023-02-03 標(biāo)簽：芯片碳化硅sic器件 1197 0

      SiC肖特基二極管的常見問題

      肖特基二極管又稱熱載流子二極管，通過金屬和半導(dǎo)體觸點形成肖特基勢壘，實現(xiàn)整流。與普通PN結(jié)二極管相比，它的反向恢復(fù)慣性很低。因此，肖特基二極管適用于高頻...

      2022-10-25 標(biāo)簽：電阻肖特基二極管sic器件 2568 0

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      碳化硅 （SiC） 是一種下一代材料，計劃顯著降低功率損耗并實現(xiàn)更高的功率密度、電壓、溫度和頻率，同時減少散熱。高溫可操作性降低了冷卻系統(tǒng)的復(fù)雜性，從而...

      2022-08-16 標(biāo)簽：半導(dǎo)體器件sic器件電機(jī)驅(qū)動電路 1663 0

      使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路實用解決方案和指南

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      本SiC FET用戶指南介紹了使用含快速開關(guān)SiC器件的RC緩沖電路的實用解決方案和指南。該解決方案經(jīng)過實驗性雙脈沖測試（DPT）結(jié)果驗證。

      2022-05-05 標(biāo)簽：緩沖電路硬開關(guān)sic器件 2695 0

      可再生能源系統(tǒng)中的SiC實現(xiàn)更高效，更小且更具成本效益的電力方案

      風(fēng)能和太陽能等必不可少的可再生能源解決方案通常與能源存儲結(jié)合使用，是該行業(yè)增長最快的行業(yè)之一，寬帶隙碳化硅（SiC）技術(shù)是這些解決方案的核心。終端系統(tǒng)設(shè)...

      2021-03-12 標(biāo)簽：電容器升壓轉(zhuǎn)換器DCDC 4950 0

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      sic器件資訊

      昕感科技再添戰(zhàn)略股東，6英寸功率半導(dǎo)體制造項目今年投產(chǎn)

      近日，昕感科技官宣完成京能集團(tuán)旗下北京京能能源科技并購?fù)顿Y基金戰(zhàn)略入股。

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      模塊化碳化硅（SiC）器件評估的深入分析

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      碳化硅(SiC)的高性能能力正在改變功率電子領(lǐng)域的格局，帶來了諸如卓越的效率、增加的功率密度和提升的熱性能等好處。值得注意的是，汽車應(yīng)用正從SiC技術(shù)中...

      2024-05-06 標(biāo)簽：SiC模塊化碳化硅 955 0

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      SiC是一種寬帶隙半導(dǎo)體材料，相比傳統(tǒng)的硅(Si)材料，它具有更高的擊穿電場強(qiáng)度、更高的熱導(dǎo)率和更高的運載子遷移率。

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      ? 根據(jù)Wolfspeed的最新消息，隨著其在紐約州莫霍克谷工廠的投產(chǎn)，Wolfspeed已經(jīng)開始向中國終端客戶批量出貨碳化硅MOSFET，首批供應(yīng)的產(chǎn)...

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      KLA助力車規(guī)SiC器件良率及可靠性提升

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      隨著新能源汽車的滲透率節(jié)節(jié)攀升，充電樁行業(yè)也迎來了進(jìn)一步的發(fā)展和市場擴(kuò)張。充電樁市場目前還遠(yuǎn)未成熟，有著巨大的發(fā)展空間。

      2023-05-08 標(biāo)簽：新能源汽車充電樁碳化硅 610 0

      SiC工藝特點核心裝備發(fā)展現(xiàn)狀及趨勢

      器件性能和成本的持續(xù)倒逼和規(guī)?；a(chǎn)對裝備支撐能力不斷提出新要求， 比如要求大尺寸、高效率和高產(chǎn)能、低污染等。

      2023-03-07 標(biāo)簽：MOSFET功率器件sic器件 1185 0

      關(guān)于ESS產(chǎn)品中SiC器件的應(yīng)用

      富昌電子（Future Electronics）一直致力于以專業(yè)的技術(shù)服務(wù)，為客戶打造個性化的解決方案，并縮短產(chǎn)品設(shè)計周期。在第三代半導(dǎo)體的實際應(yīng)用領(lǐng)域...

      2022-09-28 標(biāo)簽：功率器件可再生能源sic器件 1046 0

      安森美提供高能效、高性能SiC方案 滿足不同應(yīng)用的需求

      由于SiC具有更快的開關(guān)速度，因此對于某些拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，可縮減無源元器件如電感器的尺寸以降低系統(tǒng)尺寸和成本

      2022-08-22 標(biāo)簽：安森美逆變器sic器件 389 0

      碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

      碳化硅功率器件面臨的挑戰(zhàn)

      碳化硅 （SiC） 器件與高功率應(yīng)用中常用的硅器件相比具有多項優(yōu)勢。SiC 功率器件仍然面臨一些大規(guī)模生產(chǎn)的挑戰(zhàn)，包括縮放的限制因素、與 SiC 器件較...

      2022-08-09 標(biāo)簽：功率器件碳化硅sic器件 1932 0

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