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引言 近年來(lái),硅/硅鍺異質(zhì)結(jié)構(gòu)已成為新型電子和光電器件的熱門課題。因此,人們對(duì)硅/硅鍺體系的結(jié)構(gòu)制造和輸運(yùn)研究有相當(dāng)大的興趣。在定義Si/SiGe中的不...
基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片的介紹和應(yīng)用
最近合作伙伴發(fā)布了基于SiGe HBT工藝的240GHz芯片,在這里給大家介紹一下參數(shù)和指標(biāo),針對(duì)應(yīng)用會(huì)在文末給大家一些方向性參考。 雷達(dá)前端TRA?2...
來(lái)源:內(nèi)容來(lái)自「馭勢(shì)資本」,謝謝。 半導(dǎo)體封裝基礎(chǔ) 半導(dǎo)體制造工藝流程 半導(dǎo)體制造的工藝過程由晶圓制造(Wafer Fabr ication)、晶圓測(cè)試...
得捷新品Nexperia小型化高效SiGe整流器和PUI微型移動(dòng)揚(yáng)聲器介紹
本期Digi-Key Daily向大家推介兩款產(chǎn)品——Nexperia的CFP封裝SiGe整流器和PUI 12mm x 6mm移動(dòng)系列揚(yáng)聲器。 1 產(chǎn)品...
關(guān)于SiGe HBT 技術(shù)和應(yīng)用的未來(lái)分析和介紹
在雷達(dá)應(yīng)用這塊, 除了早已上市的77-78,79-81GHz雷達(dá),主用于ADAS。同時(shí)94GHz雷達(dá)應(yīng)用也已成熟,用于惡劣天氣,機(jī)場(chǎng)地面監(jiān)測(cè)等。 同時(shí)最...
格芯公布了針對(duì)一系列技術(shù)平臺(tái)而制訂的愿景和路線圖
格芯(GLOBALFOUNDRIES)公布了針對(duì)一系列技術(shù)平臺(tái)而制訂的愿景和路線圖,這些技術(shù)平臺(tái)旨在幫助客戶過渡到下一代5G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。格芯為多種5G應(yīng)用...
美高森美公司(Microsemi Corporation,紐約納斯達(dá)克交易所代號(hào):MSCC)日前推出世界首款單晶片硅鍺(SiGe)RF前端(FE)器件L...
據(jù)IEEE報(bào)道,來(lái)自IMEC的Hans Mertens研究小組,使用8納米寬的密集型納米線堆棧在傳統(tǒng)硅表面上成功制作了環(huán)柵式晶體管,未來(lái)經(jīng)過技術(shù)改進(jìn)有可...
格羅方德推出性能增強(qiáng)型130nm硅鍺射頻技術(shù),以促進(jìn)下一代無(wú)線網(wǎng)絡(luò)通信發(fā)展
格羅方德半導(dǎo)體(GlobalFoundries)于今日宣布針對(duì)硅鍺(SiGe)高性能技術(shù)組合,推出新一代射頻芯片解決方案。該項(xiàng)技術(shù)專為需要更優(yōu)性能解決方...
英飛凌推出面向毫米波無(wú)線回程傳輸?shù)腟iGe收發(fā)器系列
英飛凌科技股份公司(FSE: IFX/OTCQX: IFNNY)今日發(fā)布一個(gè)可取代十余個(gè)獨(dú)立器件從而簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)和生產(chǎn)工作的收發(fā)器產(chǎn)品線。由于功耗更低,...
眾所週知,恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors)是從荷蘭皇家飛利浦(Philips)獨(dú)立而出。而在歷經(jīng)多年的發(fā)展轉(zhuǎn)變后,今天的恩智浦,已經(jīng)...
恩智浦半導(dǎo)體推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA)
恩智浦半導(dǎo)體 NXP近日宣布推出SiGe:C低噪聲放大器(LNA),進(jìn)一步提高了GPS信號(hào)的線性度、噪聲系數(shù)以及GPS(包括GLONASS和伽利略衛(wèi)星定...
瑞薩電子推出新型SiGe:C異質(zhì)接面晶體管NESG7030M04
瑞薩電子宣布推出新款 SiGe :C異質(zhì)接面晶體管 (SiGe:C HBT, 注1)NESG7030M04,可作為低噪聲放大晶體管用于無(wú)線局域網(wǎng)絡(luò)系統(tǒng)、...
本文采用兩個(gè)晶體管構(gòu)成回轉(zhuǎn)器,利用晶體管內(nèi)部本征電容合成電感。設(shè)計(jì)了采用不同組態(tài)的四種有源電感電路結(jié)構(gòu),并就其中一個(gè)性能較好的電路做了詳細(xì)的討論
Maxim推出線性度最高的上/下變頻SiGe混頻器 Maxim推出業(yè)內(nèi)性能最佳的完全集成、2300MHz至4000MHz SiGe無(wú)源混頻器M...
SiGe全新高集成度前端模塊為WLAN產(chǎn)品載入集成PA選擇
SiGe全新高集成度前端模塊為WLAN產(chǎn)品載入集成PA選擇 SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 宣布擴(kuò)大其無(wú)線LAN和藍(lán)牙(...
SiGe半導(dǎo)體推出帶藍(lán)牙端口的單芯片集成式前端模塊
SiGe半導(dǎo)體推出帶藍(lán)牙端口的單芯片集成式前端模塊 SiGe半導(dǎo)體公司 (SiGe Semiconductor) 宣布擴(kuò)大其無(wú)線LAN和藍(lán)牙(Blue...
SiGe推出集成式前端模塊SE2600S SiGe半導(dǎo)體公司 宣布擴(kuò)大其無(wú)線LAN和藍(lán)牙(Bluetooth™) 產(chǎn)品系列,推出帶有藍(lán)牙端...
SiGe前端Wi-Fi /藍(lán)牙模組(SE2571U前端模組)
SiGe前端Wi-Fi /藍(lán)牙模組(SE2571U前端模組)輸出功率20dBm SiGe Semiconductor推出SE2571U前端模組,目標(biāo)是...
2009-07-01 標(biāo)簽:SiGe 1053 0
這篇應(yīng)用筆記描述了硅鍺技術(shù)是如何提高RF應(yīng)用中IC性能的。文中使用Giacoleto模型分析噪聲的影響。SiGe技術(shù)顯示出更寬的增益帶寬從而可以給出更小...
2006-05-07 標(biāo)簽:SiGe 822 0
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