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標(biāo)簽 > TFT-LCD
tft-lcd是薄膜晶體管液晶顯示器英文thin film transistor-liquid crystal display字頭的縮寫。 tft-lcd技術(shù)是微電子技術(shù)與液晶顯示器技術(shù)巧妙結(jié)合的一種技術(shù)。
tft-lcd是薄膜晶體管液晶顯示器英文thin film transistor-liquid crystal display字頭的縮寫。 tft-lcd技術(shù)是微電子技術(shù)與液晶顯示器技術(shù)巧妙結(jié)合的一種技術(shù)。人們利用在si上進(jìn)行微電子精細(xì)加工的技術(shù)，移植到在大面積玻璃上進(jìn)行tft陣列的加工，再將該陣列基板與另一片帶彩色濾色膜的基板，利用與業(yè)已成熟的lcd技術(shù)，形成一個液晶盒相結(jié)合，再經(jīng)過后工序如偏光片貼覆等過程，最后形成液晶顯示器。
tft-lcd是薄膜晶體管液晶顯示器英文thin film transistor-liquid crystal display字頭的縮寫。 tft-lcd技術(shù)是微電子技術(shù)與液晶顯示器技術(shù)巧妙結(jié)合的一種技術(shù)。人們利用在si上進(jìn)行微電子精細(xì)加工的技術(shù)，移植到在大面積玻璃上進(jìn)行tft陣列的加工，再將該陣列基板與另一片帶彩色濾色膜的基板，利用與業(yè)已成熟的lcd技術(shù)，形成一個液晶盒相結(jié)合，再經(jīng)過后工序如偏光片貼覆等過程，最后形成液晶顯示器。
tft-lcd的工作原理
大家知道crt的工作原理是通電后燈絲發(fā)熱，陰極被激發(fā)，發(fā)射出電子流，電子流受到帶有高電壓的內(nèi)部金屬層的加速，經(jīng)過透鏡聚焦形成極細(xì)的電子束，打在熒光屏上，使熒光粉發(fā)光。和crt的原理完全不同，lcd需要來自背后的光源，當(dāng)光束通過這層液晶時，液晶體會并排或呈不規(guī)則扭轉(zhuǎn)形狀，所以液晶更像是一個個閘門，選擇光線穿透與否，我們才能在屏幕看到深淺不一，錯落有致的圖像。
目前主流的液晶顯示器都是薄膜晶體管lcd（tftlcd），是由原有的液晶顯示技術(shù)發(fā)展擴(kuò)展而來的。tft液晶為每個像素都設(shè)有一個半導(dǎo)體開關(guān)，以此做到完全的單獨的控制一個像素點，液晶材料被夾在tft玻璃層和顏色過濾層之間，通過改變刺激液晶的電壓值就可以控制最后出現(xiàn)的光線強(qiáng)度與色彩。
一般情況下液晶是透明的，除非施加電壓。加壓后，一部分會發(fā)生變化，變得不透明。液晶的這個轉(zhuǎn)換速度通常很慢（后面會有詳細(xì)描述）。在1992年，emi宣布發(fā)明了一種新的液晶顯示技術(shù)鐵電液晶flcd（ferroelectriclcds）。鐵電液晶的優(yōu)點是響應(yīng)速度快，可達(dá)微秒級。而且無需更改電壓也可以保持當(dāng)前的狀態(tài)，也就是更省電，這對于筆記本電腦，pda等便攜設(shè)備而言是非常有意義的。flcd的優(yōu)點眾多，但目前市場上的產(chǎn)品卻很少，因為flcd對于震動非常敏感，很容易損傷晶體，但將來一定會有所改進(jìn)。
雖然鐵電液晶flcd的將來還是個未知數(shù)，但它還擁有高對比度和超大可視角度等優(yōu)點，對市場上主流的tft會造成一定的沖擊。
在正常的工作溫度下，flcd的反應(yīng)時間只有70us！這么短的時間幾乎可以忽略了。
TFT-LCD 為什么可以直接與 IPS 進(jìn)行比較
簡單說明吧;
IPS---In-Plane Switching 直譯的話，開關(guān)在一個平面，意譯的話：橫向電場液晶顯示技術(shù)。在LCD內(nèi)部是用電場控制液晶分子的姿態(tài)從而控制光是否旋光的，如果兩層面板各有一個電極，這種是縱向電場，如果電極在其中一層面板上，電場方向平行于面板平面，稱為橫向電場。
優(yōu)點是：色彩表現(xiàn)及可視角度好
按壓色差變化不大---就是稍微營銷宣傳的硬屏
缺點：反應(yīng)速度相對慢一些
容易漏光
TFT--Thin-Film Transistor 薄膜電晶體，一種場效應(yīng)管的特殊制程，大略的制作方式是在基板上沉積各種不同的薄膜，將半導(dǎo)體材料層積在基板上。在LCD和AMOLED上面都有應(yīng)用。簡單理解一下，就是面板上的線路和場效應(yīng)器件的制程工藝。其實與IPS還是非IPS沒有任何關(guān)系，LCD還是OLED沒有直接關(guān)系。
iPhone的屏其電場方向是IPS的，其基板上的場效應(yīng)管的工藝一樣也是TFT的。
所以，把兩個不同技術(shù)領(lǐng)域而且可以并存的放在一起比較是不對的。
至于你后面追問的問題里面的LTPS ---低溫多晶硅 是玻璃基板的一個退火工藝，在較低的溫度下，將玻璃面板從非晶硅結(jié)構(gòu)（a-Si）轉(zhuǎn)變?yōu)槎嗑Ч杞Y(jié)構(gòu)。其比較的對象的非晶硅或者高溫多晶硅等工藝。與IPS以及TFT沒有絕對的聯(lián)系。
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