2SC3422功率晶體管產(chǎn)品介紹2SC3422報價2SC3422代理2SC3422L咨詢熱線2SC3422L現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 2SC3422 2SC3422東芝是設(shè)計和制造高質(zhì)量
2018-07-24 18:05:11
25%● 線性效率顯著提高● 支持超過150 MHz的瞬時帶寬● 二代的塑封技術(shù)OMNI，更大功率的器件可以采用塑封技術(shù)，更優(yōu)的性價比。系統(tǒng)級的方案支持：配合DPD、APD，提供全鏈路的解決方案，為客戶降低研發(fā)周期。 Airfast射頻功率解決方案
2013-07-02 13:31:33
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-15 11:59:52
功率晶體管（GTR）具有控制方便、開關(guān)時間短、通態(tài)壓降低、高頻特性好、安全工作區(qū)寬等優(yōu)點。但存在二次擊穿問題和耐壓難以提高的缺點，阻礙它的進一步發(fā)展?！⒔Y(jié)構(gòu)特性1、結(jié)構(gòu)原理功率晶體管是雙極型大功率
2018-01-25 11:27:53
`功率場效應(yīng)晶體管(MOSFET)原理`
2012-08-20 09:10:49
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此?，F(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 06:13:27
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-04-09 21:27:24
是，最大輸出電流時產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場效應(yīng)管可以無需任何外接元件而直接并聯(lián)，因為其漏極電流具有負溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場效應(yīng)管無需任何外接
2024-01-26 23:07:21
判定前：晶體管的選定～貼裝的流程晶體管可否使用的判定方法1. 測定實際的電流、電壓波形2. 是否一直滿足絕對最大額定值？3. 是否在SOA范圍內(nèi)？4. 在使用環(huán)境溫度*1下是否在下降的SOA范圍內(nèi)
2019-04-15 06:20:06
及制造工藝分類 晶體管按其結(jié)構(gòu)及制造工藝可分為擴散型晶體管、合金型晶體管和平面型晶體管。 按電流容量分類 晶體管按電流容量可分為小功率晶體管、中功率晶體管和大功率晶體管按工作頻率分類 晶體管按
2010-08-12 13:59:33
` 《晶體管電路設(shè)計（下）》是“實用電子電路設(shè)計叢書”之一，共分上下二冊。本書作為下冊主要介紹晶體管／FET電路設(shè)計技術(shù)的基礎(chǔ)知識和基本實驗，內(nèi)容包括FET放大電路、源極跟隨器電路、功率
2019-03-06 17:29:48
的hFE檔測量。測量時，應(yīng)先將萬用表置于ADJ檔進行調(diào)零后，再撥至hFE檔，將被測晶體管的C、B、E三個引腳分別插入相應(yīng)的測試插孔中（采用TO-3封裝的大功率晶體管，可將其3個電極接出3根引線后，再分
2012-04-26 17:06:32
供應(yīng)晶圓芯片，型號有： 可控硅， 中、大功率晶體管，13000系列晶體管，達林頓晶體管，高頻小信號晶體管，開關(guān)二極管，肖特基二極管，穩(wěn)壓二極管等。有意都請聯(lián)系：沈女士***
2020-02-17 16:24:13
晶體管測量模塊的基本特性有哪些？晶體管測量模塊的基本功能有哪些？
2021-09-24 07:37:23
從事電子設(shè)計7年了，發(fā)覺這兩本書挺好的，發(fā)上來給大家分享一下附件晶體管電路設(shè)計（上）放大電路技術(shù)的實驗解析.pdf42.5 MB晶體管電路設(shè)計（下）FET_功率MOS_開關(guān)電路的實驗解析.rar.zip47.2 MB
2018-12-13 09:04:31
IC一般不能超出ICM。(3) 集電極最大允許功耗PCMPCM是指晶體管參數(shù)變化不超出規(guī)定允許值時的最大集電極耗散功率。使用晶體管時，實際功耗不允許超過PCM，通常還應(yīng)留有較大余量，因為功耗過大往往是
2018-06-13 09:12:21
晶體管的主要參數(shù)有哪些？晶體管的開關(guān)電路是怎樣的？
2021-06-07 06:25:09
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-04-10 06:20:24
本篇開始將為大家介紹“Si晶體管”。雖然統(tǒng)稱為“Si晶體管”，不過根據(jù)制造工藝和結(jié)構(gòu)，還可分為“雙極”、“MOSFET”等種類。另外，還可根據(jù)處理的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。下面以“功率元器件”為主
2018-11-28 14:29:28
的電流、電壓和應(yīng)用進行分類。 下面以“功率元器件”為主題，從眾多晶體管中選取功率類元器件展開說明。其中，將以近年來控制大功率的應(yīng)用中廣為采用的MOSFET為主來展開。 先來看一下晶體管的分類與特征
2020-06-09 07:34:33
控制大功率現(xiàn)在的功率晶體管能控制數(shù)百千瓦的功率，使用功率晶體管作為開關(guān)有很多優(yōu)點，主要是；(1)容易關(guān)斷，所需要的輔助元器件少，(2)開關(guān)迅速，能在很高的頻率下工作，(3)可得到的器件耐壓范圍從
2018-10-25 16:01:51
發(fā)展。正因為它如此地豐富了人們的生活，就其貢獻度而言，作為發(fā)明者的3位物理學(xué)家--肖克萊博士、巴丁博士和布菜頓博士，當(dāng)之無愧地獲得了諾貝爾獎?？峙陆窈蟮陌l(fā)明都難以與晶體管的發(fā)明相提并論。總之，晶體管為
2019-05-05 00:52:40
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關(guān)系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導(dǎo)體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當(dāng)
2013-08-17 14:24:32
用3DG182J、2SC2229、2SC3942等型號的晶體管。 25英寸以上的大屏幕彩色電視機中使用的末級視放輸出管，其耗散功率應(yīng)大于或等于1.5W，最大集電極電流應(yīng)大于或等于50mA，最高反向電壓應(yīng)大于
2012-01-28 11:27:38
的B和C對稱、和E極同樣是N型。也就是說，逆接C、E也同樣有晶體管的功效。即電流由E→C流動。3. 逆向晶體管有如下特點。hFE低（正向約10%以下）耐壓低 (7 to 8Ｖ 與VEBO一樣低)↑通用
2019-05-09 23:12:18
晶體管 &
2010-08-12 13:57:39
電子，雷達和微波應(yīng)用生產(chǎn)全系列AM晶體管。 這些AM晶體管最初由Microwave Semiconductor Corp.和S.T.制造。 ASI的AM晶體管覆蓋60 MHz至3.0 GHz的范圍，功率
2018-07-17 15:08:03
是碳化硅（SiC）襯底上的氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）。這種GaN內(nèi)匹配（IM）場效應(yīng)晶體管與其他技術(shù)相比，提供了優(yōu)異的功率附加效率。GaN與硅或砷化鎵相比具有更高的性能，包括更高
2018-08-13 10:58:03
鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2840S產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2840S產(chǎn)品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)?DU2840S產(chǎn)品詳情
2018-08-09 10:16:17
公司提供采用硅、砷化鎵或砷化鋁鎵技術(shù)的這類二極管。產(chǎn)品型號：DU2880V產(chǎn)品名稱：射頻晶體管DU2880V產(chǎn)品特性N溝道增強型器件比雙極器件低的噪聲系數(shù)高飽和輸出功率寬帶操作的低電容DMOS結(jié)構(gòu)
2018-08-08 11:48:47
脈沖功率。 在沒有外部調(diào)諧的情況下，所有設(shè)備都在寬帶RF測試夾具中100％屏蔽了大信號RF參數(shù)。硅雙極匹配50歐姆210W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0607S10功率晶體管
2021-04-01 10:07:29
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IB0810M100功率晶體管IB0810M12功率晶體管IB0810M210功率晶體管IB0810M50功率晶體管IB0912L200功率
2021-04-01 09:41:49
匹配50歐姆600W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN2731M180功率晶體管IGN2731M200功率晶體管IGN2731M250功率晶體管IGN2731M5功率晶體管
2021-04-01 10:29:42
ILD1011L950HV功率晶體管ILD1011M1000HVE功率晶體管ILD1011M15HV功率晶體管ILD1011M160HV功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:11:46
ILD2731M60功率晶體管ILD2735M120功率晶體管IB2856S250功率晶體管IB2856S30功率晶體管IB2856S65功率晶體管IB2931MH155功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 09:48:36
于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS和雙極技術(shù)。產(chǎn)品型號
2019-05-14 11:00:13
和Si-VDMOS射頻和微波功率晶體管陣容包括各種傳統(tǒng)CW和脈沖雷達系統(tǒng)的難以找到的模型。 它們針對特定雷達應(yīng)用進行了優(yōu)化，其中需要對尺寸，重量，頻率和功率性能變量進行管理。 這些固態(tài)預(yù)匹配晶體管適用于高達
2019-04-15 15:12:37
650W輸出功率經(jīng)過100％大功率射頻測試C級操作IGN3135L115功率晶體管IGN3135L12功率晶體管IGN3135M135功率晶體管IGN3135M250功率晶體管IGN5259M80R2功率
2021-04-01 10:03:31
什么是IGBT(絕緣柵雙極晶體管)？IGBT是 "Insulated Gate Bipolar Transistor"的首字母縮寫，也被稱作絕緣柵雙極晶體管。IGBT被歸類為功率
2019-05-06 05:00:17
IGN1011L1000R2功率晶體管深圳市立年電子科技有限公司 --射頻微波一站式采購產(chǎn)臺聯(lián)系人：王先生 ***QQ330538935`
2021-04-01 10:35:32
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2019-05-20 09:16:24
Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA）認證的制造商。 這些產(chǎn)品基于GaN HEMT和Si LDMOS，VDMOS
2018-11-12 11:14:03
`IGN2856S40是高功率脈沖晶體管，指定用于AB類操作下。 該晶體管提供2.856 GHz的工作頻率，最小40W的峰值脈沖功率，50V和3％的占空比。 該單元采用金線技術(shù)通過芯片和線材技術(shù)組裝
2021-04-01 09:57:55
IGT2731L120IGT2731L120現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司,Integra Technologies公司成立于1997年，是一家通過ISO 9001：2008認證的射頻功率晶體管，托盤和高功率放大器（HPA
2018-11-12 10:26:20
`MACOM以分立器件、模塊和單元的形式提供廣泛的射頻功率半導(dǎo)體產(chǎn)品，支持頻率從DC到6GHz。高功率晶體管完美匹配民用航空、通訊、網(wǎng)絡(luò)、雷達、廣播、工業(yè)、科研和醫(yī)療領(lǐng)域。MACOM的產(chǎn)品線借助于
2017-08-14 14:41:32
15989509955 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司MAPRST0912-50一個射頻功率晶體管。這些高功率晶體管是理想的航空電子，通信，雷達，以及工業(yè)，科學(xué)和醫(yī)療應(yīng)用。優(yōu)勢產(chǎn)品:MACOM放大器/QORVO放大器濾波器
2018-08-09 09:57:23
商業(yè)和軍事應(yīng)用的頻率為175兆赫。該裝置的高功率、高增益和寬帶性能使得FM廣播或電視頻道頻帶的固態(tài)發(fā)射機成為可能。產(chǎn)品型號：MRF151G產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF151G產(chǎn)品特性保證性能在175兆赫
2018-08-08 11:32:03
頻率范圍內(nèi)的線性大信號輸出級。產(chǎn)品型號：MRF154產(chǎn)品名稱：射頻晶體管MRF154產(chǎn)品特性N溝道增強型MOSFET指定的50伏特，30兆赫的特性-輸出功率＝600瓦，功率增益＝17分貝（Typ），效率
2018-08-07 17:17:34
NPT2020射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT2020報價NPT2020代理NPT2020咨詢熱線NPT2020現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)和衰減器專用PIN二極管
2018-09-26 09:04:23
NPT25100P射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPT25100P報價NPT25100P代理NPT25100P咨詢熱線NPT25100P現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司的開關(guān)
2018-09-26 08:54:30
NPTB00004D射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPTB00004D報價NPTB00004D代理NPTB00004D咨詢熱線NPTB00004D現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司
2018-09-26 09:31:14
NPTB00004D射頻晶體管產(chǎn)品介紹NPTB00004D報價NPTB00004D代理NPTB00004D咨詢熱線NPTB00004D現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司, MACOM公司
2018-09-26 09:31:14
`產(chǎn)品型號：NPTB00025B產(chǎn)品名稱: 射頻功率晶體管NPTB00025B 產(chǎn)品特性針對DC-4000MHz的寬帶運行進行了優(yōu)化散熱增強的行業(yè)標準包裝100％射頻測試具有高達32V的工作電壓
2019-11-01 10:46:19
`PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-05-21 15:49:50
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-07-13 14:16:37
`PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-07-06 09:46:43
`PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-07-06 09:47:57
PH1214-220M雷達脈沖功率晶體管產(chǎn)品介紹PH1214-220M現(xiàn)貨PH1214-220M中國代理PH1214-220M原廠直供PH1214-220M詢價熱線王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-11-12 11:02:34
QPD1020射頻功率晶體管產(chǎn)品介紹QPD1020報價QPD1020代理QPD1020咨詢熱線QPD1020現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司QPD1020是30 W（p3db），50歐姆輸入
2018-07-27 11:20:12
能夠在高輸出功率電平下承受嚴苛的負載失配狀況而不降低性能或造成器件故障。當(dāng)晶體管工作在負載失配狀態(tài)下時，它的輸出功率有很大一部分會被反射進器件，此時功率必須在晶體管中耗散掉。但在比較不同耐用性的晶體管時，重要的是檢查不同器件制造商達到其耐用性結(jié)果的條件，因為不同制造商的測試條件可能有很大變化。
2019-06-26 07:11:37
）= + 25°CSGN19H181M1H砷化鎵晶體管SGN19H240M1H砷化鎵晶體管SGN21H180M1H砷化鎵晶體管SGN21H121M1H砷化鎵晶體管SGN21H181M1H砷化鎵晶體管
2021-03-30 11:32:19
繼前篇內(nèi)容，繼續(xù)進行各功率晶體管的比較。本篇比較結(jié)構(gòu)和特征。功率晶體管的結(jié)構(gòu)與特征比較下圖是各功率晶體管的結(jié)構(gòu)、耐壓、導(dǎo)通電阻、開關(guān)速度的比較。使用的工藝技術(shù)不同結(jié)構(gòu)也不同，因而電氣特征也不同。補充
2018-11-30 11:35:30
電子設(shè)備和測試儀器。該設(shè)備可以支持脈沖和線性操作。產(chǎn)品型號:T2G6003028-FS產(chǎn)品名稱：射頻功率晶體管T2G6003028-FS產(chǎn)品特性頻率：直流至6千兆赫輸出功率（p3db）：30 W在6 GHz
2018-11-16 09:49:48
TIM8996-30 功率晶體管產(chǎn)品介紹TIM8996-30報價TIM8996-30代理TIM8996-30咨詢熱線TIM8996-30現(xiàn)貨,王先生深圳市首質(zhì)誠科技有限公司 TIM8996-30東芝
2018-07-25 15:39:20
晶體管（transistor）是一種固體半導(dǎo)體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關(guān)、穩(wěn)壓、信號調(diào)制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
multisim仿真中高頻晶體管BFG35能用哪個晶體管來代替，MFR151管子能用哪個來代替？或是誰有這兩個高頻管子的原件庫？求大神指教
2016-10-26 11:51:18
`內(nèi)容簡介《射頻微波功率場效應(yīng)管的建模與特征》首先回顧了一般商用微波射頻晶體管的種類和基本構(gòu)造，介紹了高功率場效應(yīng)管的集約模型的構(gòu)成；描述了功率管一般電氣參數(shù)的測量方法，著重討論對功率管的封裝法蘭
2018-01-15 17:57:06
放大電路的設(shè)計與制作，下冊則共分15章，主要介紹FET、功率MOS、開關(guān)電源電路等。《晶體管電路設(shè)計》(上)面向?qū)嶋H需要，理論聯(lián)系實際，通過大量具體的實驗，通俗易懂地介紹晶體管電路設(shè)計的基礎(chǔ)知識
2017-07-25 15:29:55
互補晶體管的匹配
2019-10-30 09:02:03
3MHZ的晶體管通常稱為低頻晶體管。fT大于或等于30MHZ的晶體管稱為高頻晶體管。fT大于3MHZ的晶體管和小于30MHZ的晶體管稱為中頻晶體管。4.5 最大頻率（fM）最大振蕩頻率是晶體管功率增益降低
2023-02-03 09:36:05
目前制造的大功率射頻晶體管比以往任何時候都更堅實耐用。針對特高耐用性設(shè)計的器件可以承受嚴重的失配，即使在滿輸出電平時也是如此。現(xiàn)在多家制造商可提供大功率硅橫向擴散金屬氧化物半導(dǎo)體(LDMOS)晶體管
2019-08-22 08:14:59
。達林頓通常用于需要低頻高增益的地方。常見應(yīng)用包括音頻放大器輸出級、功率調(diào)節(jié)器、電機控制器和顯示驅(qū)動器?！ ∵_林頓晶體管也被稱為達林頓對，由貝爾實驗室的西德尼達林頓于 1953 年發(fā)明。在 1950
2023-02-16 18:19:11
PNP晶體管在哪里使用？放大電路采用PNP晶體管。達林頓對電路采用PNP晶體管。機器人應(yīng)用利用了PNP晶體管。PNP 晶體管用于控制大功率應(yīng)用中的電流。如何控制PNP晶體管？首先，為了接通PNP
2023-02-03 09:45:56
各位高手，小弟正在學(xué)習(xí)單結(jié)晶體管，按照網(wǎng)上的電路圖做的關(guān)于單結(jié)晶體管的仿真，大多數(shù)都不成功，請問誰有成功的單結(jié)晶體管的仿真仿真啊，可以分享下嗎。
2016-03-04 09:15:06
制作材料分，晶體管可分為鍺管和硅管兩種。 按極性分，三極管有PNP和NPN兩種，而二極管有P型和N型之分。多數(shù)國產(chǎn)管用xxx表示，其中每一位都有特定含義：如 3 A X 31，第一位3代表三極管，2
2012-07-11 11:36:52
）需要幾毫安才能上電，并且可以由邏輯門輸出驅(qū)動。然而，螺線管、燈和電機等大功率電子設(shè)備比邏輯門電源需要更多的電力。輸入晶體管開關(guān)。 晶體管開關(guān)操作和操作區(qū)域 圖 1 中圖表上的藍色陰影區(qū)域表示飽和
2023-02-20 16:35:09
什么是微波功率晶體管？如何提高微波功率晶體管可靠性？
2021-04-06 09:46:57
來至網(wǎng)友的提問：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
晶體管依照用途大致分為高頻與低頻，它們在型號上的大致區(qū)別是什么？例如《晶體管電路設(shè)計》中列舉的：高頻（2SA****，2SC*****）、低頻（2SB****，2SD****）?，F(xiàn)在產(chǎn)品設(shè)計中最常用的型號是哪些？
2017-10-11 23:53:40
晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故判斷為不合格。正確觀點A
2019-04-22 05:39:52
混淆VI(on): 數(shù)字晶體管為保持ON狀態(tài)的最低電壓、定義VI(on)為min錯誤觀點1：由0開始依次加入輸入電壓。2：達到1.8V時，數(shù)字晶體管啟動。3：因在規(guī)格書規(guī)定的3V(min) 以下，故
2019-04-09 21:49:36
的IC。2. 按功率分類主要以最大額定值的集電極功率PC進行區(qū)分的方法。大體分為小信號晶體管和功率晶體管，一般功率晶體管的功率超過1W。ROHM的小信號晶體管可以說是業(yè)界第一的。小信號晶體管最大
2019-05-05 01:31:57
轉(zhuǎn)換器在穩(wěn)態(tài)周期內(nèi)的工作和損耗擊穿3KW LLC 諧振轉(zhuǎn)換器根據(jù)上述損耗分析，可以對不同的初級晶體管和不同的開關(guān)頻率進行比較，以評估效率和功率密度的性能。設(shè)計了一個輸出為48V的3KW半橋LLC諧振
2023-02-27 09:37:29
我正在尋找摩托羅拉收音機 VHF 射頻末級中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
(MicrosemiCorporation)擴展其基于碳化硅襯底氮化鎵(GaNonSiC)技術(shù)的射頻(RF)晶體管系列，推出新型S波段500WRF器件2729GN-500，新器件瞄準大功率空中交通控制機場監(jiān)視雷達(ASR
2012-12-06 17:09:16
導(dǎo)讀：近日，英飛凌宣布推出700瓦L波段射頻功率晶體管。該晶體管具備業(yè)界最高的L波段輸出功率（700瓦），適用于工作頻率范圍為1200 MHz~1400 MHz的雷達系統(tǒng)。這種新型器件可通過減少
2018-11-29 11:38:26
你好。請問如何在ADS的庫中添加新的射頻晶體管（sp2和非線性模型）？編輯：vodepam2于2014年6月7日下午3:23 以上來自于谷歌翻譯 以下為原文Hi. Please how can i
2019-02-14 15:43:03
。還是回到這篇文章的主題，晶體管的使用心得。由于本人所從事行業(yè)的限制，基本沒有機會像《晶體管電路設(shè)計》書中那樣深入的使用晶體管來搭建電路，而更多的是使用晶體管來實現(xiàn)功率負載的控制，還有配合運放或者其它
2016-06-03 18:29:59
高頻中、大功率晶體管一般用于視頻放大電路、前置放大電路、互補驅(qū)動電路、高壓開關(guān)電路及行推動等電路。常用的國產(chǎn)高頻中、大功率晶體管有3DG41A~3DG41G、3DG83A~3DG83E、3
2013-08-17 14:26:19
日前，射頻功率技術(shù)領(lǐng)先供應(yīng)商飛思卡爾宣布為其Airfast RF功率解決方案推出最新成員：包括三個LDMOS功率晶體管與一個氮化鎵（GaN）晶體管，所有產(chǎn)品均超越地面移動市場要求。
2013-06-09 10:18:37
1842 Airfast GaN A3G26D055N是一款55W峰值GaN分立晶體管，采用緊湊型DFN 7 x 6.5 mm超模壓塑封。該器件具有優(yōu)異的輸出，可填充多個頻段，在48 V下運行時，能效提升超過50%，增益超過13 dB。
2023-05-25 10:04:49381 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:27:53
0 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書
2023-07-24 14:24:070
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