前段時間有朋友咨詢關(guān)于射頻開關(guān)相關(guān)的問題，今天在網(wǎng)站上搜到一份不錯的介紹資料，射頻學(xué)堂將其整理成中文分享給大家：Guide to Understanding and Developing an RF Switch Network，是NI的一份關(guān)于射頻開關(guān)白皮書。
2022-10-31 10:36:43
2813 SOI可以實現(xiàn)器件堆疊（device stacking），從而同時提高了功率與能效比；再次，RF SOI工藝采用的襯底降低了寄生效應(yīng)，這樣制造出來的射頻芯片品質(zhì)因數(shù)更高、損耗更低、噪聲系數(shù)更好，同時
2017-07-13 08:50:15
有人推薦一款射頻開關(guān)嗎？用來控制供電的
2016-01-03 15:33:35
射頻和微波開關(guān)可在傳輸路徑內(nèi)高效發(fā)送信號。此類開關(guān)的功能可由四個基本電氣參數(shù)加以表征。雖然多個參數(shù)與射頻和微波開關(guān)的性能相關(guān)，然而以下四個由于其相互間較強的相關(guān)性而被視為至關(guān)重要的參數(shù)：隔離度
2019-07-02 08:17:28
時 就需要特別注意射頻信號給板所帶來的影響。本射頻開關(guān)電路是由VXI總線控制的，在設(shè)計中為減少干擾，在總線接口電路部分與射頻開關(guān)功能電路間采用 排線連接，以下主要介紹射頻開關(guān)功能電路部分PCB板
2017-07-28 10:28:50
的射頻開關(guān)進行有效控制?！ ? 模塊功能電路板的設(shè)計 每個VXI總線器件都有一組“配置寄存器”，系統(tǒng)主控制器通過讀取這些寄存器的內(nèi)容來獲取VXI總線器件的一些基本配置信息，如器件類型、型號、生產(chǎn)廠家
2018-11-28 11:36:42
射頻開關(guān)：SPDT、級聯(lián)、樹形和矩陣開關(guān)一、射頻和微波開關(guān)鑒于通信行業(yè)的爆炸性增長，從射頻集成電路（RFIC）和微波單片集成電路（MMIC）等有源元件到完整的通信系統(tǒng)的各種組件需要大量測試。雖然這些
2021-10-29 06:30:52
請教大神在射頻電路中SPDT開關(guān)的工作原理
2019-07-02 15:00:59
機會用到射頻氮化鎵工藝。如今的手機射頻前端模組包括功率放大器、射頻開關(guān)及其他元器件（濾波器等）。用于放大輸入信號的功率放大器通常采用砷化鎵工藝。射頻開關(guān)用于選擇從功放到天線的信號路徑，通常采用RF SOI
2016-08-30 16:39:28
。AT2401C 是采用CMOS 工藝實現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開關(guān)控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。該芯片的常規(guī)應(yīng)用主要包括工業(yè)控制自動化
2018-07-28 15:18:34
什么是射頻天線開關(guān)？射頻天線開關(guān)的主要性能參數(shù)有哪些？射頻天線開關(guān)在WLAN和藍牙方面的應(yīng)用是什么？
2021-05-26 06:47:15
是德科技是全球射頻和微波開關(guān)產(chǎn)品市場上領(lǐng)先的設(shè)計和制造商，已具有60 多年歷史。在微波測試系統(tǒng)中，射頻和微波開關(guān)大量用于儀器和被測器件(DUT) 間的信號路由。把開關(guān)置入開關(guān)矩陣系統(tǒng)，就可把來自
2019-07-17 07:54:07
)有限公司(以下簡稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補了中國TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
采用CC1100的無線射頻模塊電路圖
2019-10-16 09:11:43
的天線用射頻開關(guān)在Rx和Tx信道之間來回切換。由于這種切換，在GSM系統(tǒng)中，接收和發(fā)送的信號相對易于相互隔離。與GSM不同，CDMA和W-CDMA及第三代（UMTS）標(biāo)準都工作在全雙工模式，即電話同時
2019-06-21 08:02:22
十分重要的意義?！ ?b class="flag-6" style="color: red">射頻開關(guān)是用于控制射頻信號傳輸路徑的控制器件之一，在無線通信、電子對抗、雷達系統(tǒng)、自動測試設(shè)備等許多領(lǐng)域中有廣泛用途。隨著現(xiàn)代無線通信系統(tǒng)的發(fā)展，移動通信、雷達、衛(wèi)星通信等通信系統(tǒng)對收發(fā)切換開關(guān)的開關(guān)速度、功率容量、集成性等方面有了更高的要求。
2019-07-10 07:38:15
采用印刷臺手工印刷焊膏的工藝看完你就懂了
2021-04-25 07:06:44
ATR5179 是一款采用 pHEMT GaAs 工藝制作的單刀雙擲開關(guān)單芯片，芯片內(nèi)部電路結(jié)構(gòu)簡單，該芯片的推薦工作頻率為 20MHz-4GHz，開關(guān)芯片采用單電源供電控制，有非常低的電流功耗
2020-08-03 16:02:40
EPX Microwave Inc. 是一家總部位于美國硅谷的高科技公司, 在美國和亞洲設(shè)有辦事機構(gòu)和研發(fā)中心，主營同軸高頻開關(guān)、 微波小系統(tǒng)?？啥ㄗ龈鞣N工業(yè)和非工業(yè)級別射頻開關(guān)。交貨周期快。電話：***威信：***
2018-07-16 11:10:58
)-96RF系列是一款射頻式物位開關(guān)， 依據(jù)電容感應(yīng)原理，當(dāng)被測介質(zhì)浸汲測量電極的高度變 化時，引起其電容變化。特性標(biāo)定簡單: 可利用任意二點倉高一次性自動完成標(biāo)定。適應(yīng)性強: 采用的特殊抗沖擊、耐磨損
2021-01-21 11:02:54
KMB110F貼片整流橋引腳是采用什么材料制作工藝，ASEMI
2017-06-22 18:08:22
`PE423641是一款采用HaRP?技術(shù)增強的反射式SP4T射頻開關(guān)。它已獲得AEC-Q100 2級認證，并符合質(zhì)量和性能標(biāo)準，使其適合在惡劣的汽車環(huán)境中使用。它旨在涵蓋從50 MHz到3 GHz
2021-03-26 14:33:43
`PE42420E-Z 射頻開關(guān) 產(chǎn)品名稱：射頻開關(guān)PE42420E-Z 產(chǎn)品特征增強了HaRP技術(shù)無門和相位滯后插入損耗和相位無漂移高線性度IPI為65 dBm高隔離度@ 1 GHz時69
2019-05-08 17:59:53
`PE426482是一款采用HaRP?技術(shù)增強的吸收式SP8T RF開關(guān)，支持10 MHz至8 GHz的頻率范圍。 在–55°C至+125°C的工作溫度范圍內(nèi)，它具有低插入損耗，快速的RF TISE
2021-03-26 15:41:29
流射頻開關(guān)PE42820大功率射頻開關(guān)PE42821大功率射頻開關(guān)PE42822大功率射頻開關(guān)PE428232大功率射頻開關(guān)PE42850大功率射頻開關(guān)PE42851大功率射頻開關(guān)PE423641射頻
2021-03-26 15:28:48
Pcb的哪些工藝要求會影響射頻的發(fā)射距離
2019-09-28 21:39:45
性、回波損耗小、高平坦度、高功率等性能要求，而且盡量采用表貼式封裝，方便大批量的工業(yè)化生產(chǎn)與制造。研通高頻(Yantel Corporation)榮譽推出國際最高水平RFIC工藝制作的射頻性能最佳的3dB
2013-05-24 14:22:17
。它從DC到12 GHz，采用Qorvo的0.25um GaNonSiC生產(chǎn)工藝設(shè)計。該器件通常提供高達20 W輸入功率控制電壓為0 / 40 V。此開關(guān)保持低插入損耗1分貝和高隔離度35分貝典型
2018-07-03 14:06:57
TGS2353-2-SM射頻開關(guān)產(chǎn)品介紹TGS2353-2-SM報價TGS2353-2-SM代理TGS2353-2-SM咨詢熱線TGS2353-2-SM現(xiàn)貨,王先生*** 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司
2018-06-27 14:31:19
TGS2354射頻開關(guān)產(chǎn)品介紹TGS2354報價TGS2354代理TGS2354咨詢熱線TGS2354現(xiàn)貨,王先生 深圳市首質(zhì)誠科技有限公司是一個單刀雙擲（SPDT）開關(guān)單片。工作從0.5到6
2018-07-03 14:24:09
40dBm CW熱切換能力RF線上沒有外部隔直電容器多功能2.6-5.25V電源應(yīng)用領(lǐng)域私人手機公共安全手機蜂窩基礎(chǔ)設(shè)施小細胞LTE中繼和微小區(qū)衛(wèi)星終端相關(guān)型號TS7225FK射頻開關(guān)TS7529N射頻
2021-02-02 21:59:24
`目錄：1 范圍 2 規(guī)范性引用文件 3 術(shù)語和定義 4 印制板基板 5 PCB設(shè)計基本工藝要求 6 拼板設(shè)計 7 射頻元器件的選用原則 8 射頻板布局設(shè)計 9 射頻板布線設(shè)計 10 射頻PCB設(shè)計的EMC 11 射頻板ESD工藝 12 表面貼裝元件的焊盤設(shè)計 13 射頻板阻焊層設(shè)計 下載鏈接：`
2018-03-26 17:24:59
功率放大器模塊多采用將GSM和DCS兩個頻段的單頻射頻功率放大器管芯以及對應(yīng)的輸入輸出匹配網(wǎng)絡(luò)和CMOS控制器封裝至一個芯片模塊，從而實現(xiàn)雙頻工作。SP4T射頻開關(guān)模塊多采用將GSM/DCS雙頻濾波器
2019-07-08 08:21:18
吳軍民a, 湯學(xué)華b （上海電機學(xué)院a.汽車學(xué)院； b.機械學(xué)院，上海200245） 摘 要：研究了一種電磁型射頻（RF）微機電系統(tǒng)（MEMS）開關(guān)的軟磁懸臂梁的制備工藝。為了得到適合MEMS器件
2019-07-04 08:14:01
隨著射頻無線通信事業(yè)的發(fā)展和移動通訊技術(shù)的進步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點，市場對其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計的主要工藝選擇，對于模擬與射頻集成電路來說，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標(biāo)準CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
Abracon 射頻多層陶瓷電感中的“多層”參考了電感生產(chǎn)過程中將陶瓷材料各層疊壓在一起的生產(chǎn)工藝。多層陶瓷電感可以通過改變疊層工藝、端子加工工藝和導(dǎo)電圖案來優(yōu)化自諧振頻率（SRF）、Q值和DCR
2023-08-22 09:29:59
ADRF5024 是一款反射式、單刀雙擲(SPDT)開關(guān)，采用硅工藝制造。該開關(guān)的工作頻率范圍為 100 MHz 至 44 GHz，提供優(yōu)于 1.7 dB 的插入損耗和 35 dB 隔離性能。ADRF5024 的通過路徑和熱切換均具有 27 dBm 的射頻(RF)輸入功率處理能力。
2019-09-17 07:50:20
單線制射頻遙控開關(guān)
2012-08-17 16:15:16
模式下有非常低的噪聲系數(shù)和非常強的功率處理能力· 非常低的直流靜態(tài)功耗· 發(fā)射模式下非常低的工作電流· 全集成射頻輸入輸出端口的阻抗匹配電路，電阻均為 50Ω· 只需要非常少的外圍器件· 僅使用了可靠的 CMOS 工藝制作· 采用 16 管腳的 QFN 封裝(3×3×0.55mm)
2023-02-02 15:16:19
電路部分與射頻開關(guān)功能電路間采用排線連接，以下主要介紹射頻開關(guān)功能電路部分PCB板的設(shè)計?！ ?.1 元器件的布局 電磁兼容性(EMC)是指電子系統(tǒng)在規(guī)定的電磁環(huán)境中按照設(shè)計要求能正常工作
2018-09-13 16:01:49
引言
隨著移動通信技術(shù)的發(fā)展，射頻(RF)電路的研究引起了廣泛的重視。采用標(biāo)準CMOS工藝實現(xiàn)壓控振蕩器(VCO)，是實現(xiàn)RF CMOS集成收發(fā)機的關(guān)鍵。過去的VCO電路大多采用反向偏壓
2019-06-27 06:58:23
本文采用0.18 μm CMOS工藝設(shè)計了一種適用于TI-ADC的高速、低功耗開環(huán)T&H電路。
2021-04-20 06:58:59
的負反饋的放大器來設(shè)計一個0～30 dB增益變化的中頻可變增益放大器，VGA的增益精度并不取決于工藝、電壓和溫度等因素對電阻、MOS管開關(guān)的影響，增益誤差在各個工藝角下都小于5％。
2019-07-08 06:26:37
作用是控制整個收發(fā)機芯片的接收與發(fā)射狀態(tài)的切換(如圖1所示)，它連接著收發(fā)天線、低噪聲放大器和 功率放大器，是收發(fā)芯片中的關(guān)鍵模塊。傳統(tǒng)射頻收發(fā)開關(guān)的制造工藝有很多，目前市場常見的產(chǎn)品絕大部分采用
2019-07-31 06:22:33
設(shè)備采用超外差時分雙工方式來完成設(shè)計,在符合WiMAX 標(biāo)準的射頻套片推出之前，成功選用SIGE 公司生產(chǎn)的中頻芯片SE7051L10 和Texasinstruments 公司生產(chǎn)的射頻芯片
2019-08-16 06:26:46
功率高線性度開關(guān)。與體硅不同，采用SOI工藝制作的RF開關(guān)，可將多個FET串聯(lián)來對付高電壓，就象GAAS開關(guān)一樣。盡管純硅的CMOS制程被認為僅適用于數(shù)字功能需求較多的設(shè)計，而不適用于以模擬電路為主
2016-09-15 11:28:41
近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標(biāo)準
2019-08-22 06:24:40
射頻/微波開關(guān)系統(tǒng)的技術(shù)特點是什么？怎么實現(xiàn)射頻與微波開關(guān)系統(tǒng)的設(shè)計？
2021-05-20 06:12:59
本文介紹的L波段收發(fā)射頻前端采用LTCC工藝，利用無源電路的三維疊層結(jié)構(gòu)，大大縮小了電路尺寸。在電路設(shè)計上，使用單節(jié)λ/4短截線收發(fā)開關(guān)電路，既保證了高收發(fā)隔離和低損耗接收的電路性能，又比傳統(tǒng)的并聯(lián)式開關(guān)電路節(jié)省了一節(jié)λ/4短截線占據(jù)的空間，縮小了電路尺寸。
2021-05-24 07:03:25
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu)，使用一個射頻功率放大器實現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時將此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開關(guān)集成至一個芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，其中射頻開關(guān)采用高隔離開關(guān)設(shè)計，使得諧波滿足通信系統(tǒng)要求。
2021-05-28 06:28:14
將一個產(chǎn)品從原理圖轉(zhuǎn)變?yōu)楫a(chǎn)品，那么它就具有了行業(yè)的競爭優(yōu)勢。雖然完善開發(fā)工藝往往需要企業(yè)進行變革，但工程師也可以采取一些實用的技巧來縮短產(chǎn)品上市時間。本文章不僅探討了如何通過簡單的設(shè)計選擇來實現(xiàn)更佳
2019-05-28 07:30:54
最頂尖的儀器技術(shù)來滿足射頻開關(guān)芯片的測試任務(wù)，包括頂尖的矢量信號收發(fā)儀VST，基于向量的數(shù)字儀器，高精度SMU源測量單元等高精度儀器?？筛采w從插入損耗、隔離度到諧波、IP3、開關(guān)時間等多種指標(biāo)測試，極大
2018-07-11 11:00:40
易譜科技有限公司代理 Radant MEMS 公司在中國區(qū)的產(chǎn)品銷售與技術(shù)支持服務(wù)。Radant 是一家專業(yè)設(shè)計、生產(chǎn)射頻/微波開關(guān)的廠商，目前產(chǎn)品已在美國以及亞洲市場有了廣泛的應(yīng)用，與無線通信
2014-10-24 11:36:26
求一種射頻開關(guān)的解決方案
2021-05-21 06:46:38
卡的關(guān)鍵技術(shù)之一，目前主要是通過電磁感應(yīng)原理和集成穩(wěn)壓電路來解決的。當(dāng)射頻卡進入閱讀器磁場時，通過電磁感應(yīng)從磁場中獲得能量，即在卡的線圈兩端感應(yīng)出交流電流，經(jīng)過整流穩(wěn)壓后可得到直流電壓。本文討論一種采用0.35um CMOS工藝專為射頻卡設(shè)計的自反饋開關(guān)式穩(wěn)壓電路。
2019-10-18 06:23:13
詳解射頻和微波開關(guān)的基本知識
2021-05-20 06:06:49
采用SRAM工藝的FPGA芯片的的配置方法有哪幾種？如何對SRAM工藝FPGA進行有效加密？如何利用單片機對SRAM工藝的FPGA進行加密？怎么用E2PROM工藝的CPLD實現(xiàn)FPGA加密？
2021-04-13 06:02:13
怎么設(shè)計一種新型射頻開關(guān)轉(zhuǎn)換電路？射頻開關(guān)轉(zhuǎn)換電路設(shè)計步驟有哪些？
2021-04-21 07:06:21
2023年1月13日，知名物理IP提供商 銳成芯微（Actt） 宣布在22nm工藝上推出雙模藍牙射頻IP。近年來，隨著藍牙芯片各類應(yīng)用對功耗、靈敏度、計算性能、協(xié)議支持、成本的要求越來越高，22nm
2023-02-15 17:09:56
采用SiGe：C BiCMOS工藝技術(shù)的射頻/微波產(chǎn)品
恩智浦將在2010年底前推出超過50種采用SiGe：C技術(shù)的產(chǎn)品，其QUBiC4 SiGe：C工藝技術(shù)可提供高功率增益和優(yōu)
2010-05-24 11:06:351367 射頻開關(guān)的失效主要是動作異常，而引起這一失效的主要因索有觸點材料、觸點表面處理工藝、觸點間隙、動作時間、動作頻率、動作電壓、電流、環(huán)境溫度等。其中環(huán)境溫度是影響射頻開關(guān)動作異常的一個重要因素。文中
2017-11-15 14:28:39
26 近年來，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過1GHz，這無疑推動了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個研究組已利用標(biāo)準
2017-11-25 11:07:014628 
現(xiàn)階段，無線連接市場發(fā)展迅速，市場規(guī)模不斷擴張，其中主要驅(qū)動力是移動設(shè)備以及物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用的爆發(fā)式增長。在無線連接中射頻前端芯片有著關(guān)鍵的作用，目前主要采用GaAs或SiGe工藝，但由于其材料的稀缺性
2018-04-13 12:16:004252 
近日，格芯宣布了其45納米射頻SOI（45RFSOI）產(chǎn)品的正式投放，使得格芯成為第一家為未來5G基站與智能手機，以及下一代毫米波波束賦形提供300毫米射頻硅設(shè)計方案的晶圓制造商。
2018-05-11 10:43:001910 微波射頻開關(guān)基于labview軟件平臺，由計算機提供給電壓控制信號。該控制信號是數(shù)字信號，只能提供高低電平，高電壓為5v，低電壓為0v，因此需要進行電壓轉(zhuǎn)換才能提供給開關(guān)電路。整個電路由兩部分
2018-06-04 10:53:002677 金屬連線間形成空氣隙的改進工藝研究孫玉紅摘要：在射頻開管器件中，導(dǎo)通電阻和關(guān)斷電容是衡量射頻開管器件優(yōu)良與否
2018-08-18 10:42:564595 為滿足下一代蜂窩電話設(shè)計對更多特性、多模式及工作頻率的需求，工程師們必須尋找提高射頻前端集成度的途徑。通過采用CMOS工藝的最新集成方案，他們找到了應(yīng)對這一挑戰(zhàn)的答案。 消費者對更小、更便宜手機
2018-09-17 00:56:01186 采用新一代TaRF5工藝打造，插入損耗堪稱業(yè)界最低，尺寸堪稱業(yè)界最小 東芝公司開發(fā)出一種帶MIPI RFFE接口的SP10T射頻天線開關(guān)，其插入損耗[3]堪稱智能手機市場業(yè)界最低，尺寸堪稱業(yè)界最小
2018-10-17 20:43:01167 采用硅(SOI)工藝的高功率開關(guān)簡介這些部件非常適用于大規(guī)模MIMO和類似的多通道系統(tǒng)，它們采用緊湊的SMT封裝，5 V單電源供電，具有低偏置電流，無需使用外部元件。
2019-06-06 06:05:002184 
在小功率無線產(chǎn)品射頻開關(guān)電路設(shè)計中，我們常常選用CMOS，GaAs，SOI等工藝的射頻器件，其外圍電路很簡單，通常只需要配合電阻電容就可以正常工作。但是在大功率場合，設(shè)計工作就變得復(fù)雜起來，通常需要使用PIN Diode射頻開關(guān)。
2019-05-26 09:16:224261 RF器件和制造工藝市場正在升溫，這種態(tài)勢對于智能手機中使用的兩個關(guān)鍵組件 - 射頻開關(guān)器件和天線調(diào)諧器尤為明顯。
2020-08-20 16:53:492824 
來源：RF技術(shù)社區(qū) 本文來自射頻半導(dǎo)體 RF器件和制造工藝市場正在升溫，這種態(tài)勢對于智能手機中使用的兩個關(guān)鍵組件 - 射頻開關(guān)器件和天線調(diào)諧器尤為明顯。 射頻器件制造商及其代工合作伙伴繼續(xù)推出
2022-12-08 10:46:201424 智能顯示型射頻電容物位開關(guān)是一款點式物位開關(guān)，為什么又叫智能型的呢，很多小伙伴應(yīng)該都不是很清楚，它是基于射頻導(dǎo)納測量原理基礎(chǔ)之上研發(fā)升級的物位產(chǎn)品。
2020-12-29 16:56:15808 射頻開關(guān)：SPDT、級聯(lián)、樹形和矩陣開關(guān)一、射頻和微波開關(guān)鑒于通信行業(yè)的爆炸性增長，從射頻集成電路（RFIC）和微波單片集成電路（MMIC）等有源元件到完整的通信系統(tǒng)的各種組件需要大量測試。雖然這些
2021-10-22 17:06:2317 什么是射頻微機電系統(tǒng)開關(guān)？ 射頻微機電系統(tǒng) （RF MEMS） 開關(guān)是低功耗小型微機械開關(guān)，可以使用傳統(tǒng)的MEMS制造技術(shù)生產(chǎn)。它們類似于房間中的電燈開關(guān)，通過觸點打開或關(guān)閉在開關(guān)中傳輸信號。在RF
2022-05-12 17:19:151832 
射頻導(dǎo)納料位開關(guān)與電容式物位開關(guān)是兩種常見的料位開關(guān)。我們知道，射頻導(dǎo)納料位開關(guān)從電容式物位開關(guān)發(fā)展而來，是一種防掛料、更可靠、適用性更廣的物位控制產(chǎn)品。但對于射頻導(dǎo)納料位開關(guān)與電容式物位開關(guān)有哪些不同，不少用戶卻不甚了了，很有介紹的必要。
2022-09-22 16:22:111090 射頻導(dǎo)納料位開關(guān)與電容式物位開關(guān)是兩種常見的料位開關(guān)。我們知道，射頻導(dǎo)納料位開關(guān)從電容式物位開關(guān)發(fā)展而來，是一種防掛料、更可靠、適用性更廣的物位控制產(chǎn)品。但對于射頻導(dǎo)納料位開關(guān)與電容式物位開關(guān)有哪些不同，不少用戶卻不甚了了，很有介紹的必要。
2022-10-26 17:17:56808 
一、概述 嘉可儀表射頻電容開關(guān)工作原理如下：電容液位開關(guān)采用先進的數(shù)字智能補償技術(shù)，將容器內(nèi)的液位變化量轉(zhuǎn)換成電容變化量。探極內(nèi)有兩個極板，介質(zhì)的變化改變電極間的介電常數(shù)，從而得到電容量的變化，通過
2023-01-06 09:25:26304 HMC232A是一款非反射式、SPDT、RF開關(guān)，采用砷化鎵(GaAs)工藝制造。
2023-01-31 16:50:48644 超高溫型射頻導(dǎo)納料位開關(guān)是射頻導(dǎo)納料位開關(guān)的一種，顧名思義，其主要用于高溫環(huán)境下料位的測量。那么，超高溫型射頻導(dǎo)納料位開關(guān)的原理、特點和應(yīng)用是怎樣的呢？
2023-04-19 16:53:25609 
射頻微波開關(guān)可在傳輸路徑內(nèi)高效發(fā)送信號，此類開關(guān)的功能可由四個基本電氣參數(shù)加以表征。
2023-05-22 10:11:35725 
開關(guān)是射頻通路中的常用器件。只要涉及到通路切換，都需要用到它。常見的射頻開關(guān)有電子開關(guān)，機械開關(guān)，PIN管開關(guān)。今天主要講講電子開關(guān)。
2023-05-23 14:42:131886 
在射頻模塊中射頻開關(guān)是許多信號鏈中的關(guān)鍵器件，主要用于通信、傳感和測試與測量應(yīng)用。開關(guān)是射頻通路中的常用器件，只要涉及到通路切換，都需要用到它。例如在雷達射頻前端(RFEE)中，在傳輸過程中需要
2023-05-23 14:44:30500 本文旨在介紹射頻開關(guān)網(wǎng)絡(luò)的一些基本參數(shù)，例如插損、駐波、特征阻抗，和上升時間等；此外，射頻開關(guān)的網(wǎng)絡(luò)設(shè)計，包括如何根據(jù)應(yīng)用選擇正確的拓撲結(jié)構(gòu)。提高其利用性能等；最后，關(guān)于部分開關(guān)網(wǎng)絡(luò)，例如線纜、連接器。
2023-05-23 14:55:031091 
在小功率無線產(chǎn)品射頻開關(guān)電路設(shè)計中，我們常常選用CMOS，GaAs，SOI等工藝的射頻器件，其外圍電路很簡單，通常只需要配合電阻電容就可以正常工作。
2023-07-04 15:02:181545 
射頻開關(guān)是一種用于控制射頻信號的開關(guān)設(shè)備。它的作用是在射頻電路中實現(xiàn)信號的開關(guān)功能，可以將射頻信號傳輸或阻斷。射頻開關(guān)通常由一對或多對開關(guān)元件組成，這些元件能夠在不同的狀態(tài)下改變信號的路徑。
2023-07-21 09:32:09622 隨著5G技術(shù)的不斷發(fā)展，終端設(shè)備廠商也在不斷加強智能化的產(chǎn)品設(shè)計開發(fā)，在射頻鏈路上對開關(guān)的要求也越來越高。AW135xxTQNR系列射頻開關(guān)采用了國產(chǎn)RF SOI工藝，具有低插損、高隔離及高功率的特點，適用于HPUE高功率用戶設(shè)備和5G射頻前端。
2024-01-09 09:28:10352 
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