RFaxis第二代純CMOS單芯片/單硅片射頻前端集成電路的性能優(yōu)于基于砷化鎵/鍺硅的射頻前端解決方案
2012-09-27 09:17:24
2873 本文針對(duì)LTE引入后多模多頻段選擇對(duì)終端產(chǎn)品體積、成本、性能等方面所帶來(lái)的挑戰(zhàn)進(jìn)行了深入分析和研究，并給出了現(xiàn)階段解決上述挑戰(zhàn)的射頻芯片和射頻前端參考設(shè)計(jì)架構(gòu)。##為了提高多模多頻段終端產(chǎn)品的接收
2015-03-31 11:48:3418680 
4G到5G的升級(jí)，給射頻前端帶來(lái)了怎樣的挑戰(zhàn)射頻前端(RFFE) 是移動(dòng)電話的射頻收發(fā)器和天線之間的功能區(qū)域，主要由功率放大器 (PAs) 、低噪聲放大器 (LNAs) 、開(kāi)關(guān)、雙工器、濾波器和其他
2017-07-20 13:08:34
調(diào)諧器尤為明顯。射頻器件制造商及其代工合作伙伴繼續(xù)推出基于RF SOI工藝技術(shù)的傳統(tǒng)射頻開(kāi)關(guān)芯片和調(diào)諧器，用于當(dāng)今的4G無(wú)線網(wǎng)絡(luò)。最近，GlobalFoundries為未來(lái)的5G網(wǎng)絡(luò)推出了45nm
2017-07-13 08:50:15
多項(xiàng)關(guān)鍵技術(shù)直接推動(dòng)射頻前端芯片市場(chǎng)成長(zhǎng)。5G時(shí)代會(huì)有更多的頻段資源被投入使用，多模多頻使射頻前端芯片需求增加，同時(shí)Massive MIMO和波束成形、載波聚合、毫米波等關(guān)鍵技術(shù)將助長(zhǎng)這一趨勢(shì)。物聯(lián)網(wǎng)
2017-04-14 14:41:10
功率檢測(cè)器兼容低電壓（1.2V）CMOS控制邏輯或VDD級(jí)所有端口上的ESD保護(hù)電路直流去耦射頻端口所有VDD偏壓管腳上的內(nèi)部射頻去耦接收通道的低噪聲系數(shù)接收信號(hào)的高功率能力極低的直流功耗全片匹配去耦電路所需的最小外部組件50歐姆輸入/輸出匹配市場(chǎng)認(rèn)可的CMOS技術(shù)
2019-11-08 17:07:27
CMOS是一個(gè)簡(jiǎn)單的前道工藝，大家能說(shuō)說(shuō)具體process嗎
2024-01-12 14:55:10
近年來(lái)，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz，這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2021-07-29 07:00:00
傳統(tǒng)設(shè)計(jì)模式所應(yīng)對(duì)的挑戰(zhàn)是什么嵌入式系統(tǒng)開(kāi)發(fā)工具的發(fā)展趨勢(shì)是什么
2021-04-27 06:08:56
`2.4 GHz CMOS工藝 高效單芯片射頻前端集成芯片 產(chǎn)品介紹 AT2401C 是一款面向Zigbee，無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)以及其他2.4GHz 頻段無(wú)線系統(tǒng)的全集成射頻功能的射頻前端單芯片
2018-07-28 15:18:34
目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機(jī)端的功率放大器（PA）和低噪聲放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻（RF）開(kāi)關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-12-20 16:51:12
)有限公司(以下簡(jiǎn)稱“鼎芯”)都宣布推出采用CMOS工藝的TD-SCDMA射頻(RF)芯片，一舉彌補(bǔ)了中國(guó)TD-SCDMA產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的短板。隨后，銳迪科宣布“推出全球首顆支持HSDPA的TD-SCDMA
2019-07-05 08:33:25
產(chǎn)品介紹AT2401C 是一款面向Zigbee，無(wú)線傳感網(wǎng)絡(luò)以及其他2.4GHz 頻段無(wú)線系統(tǒng)的全集成射頻功能的射頻前端單芯片。AT2401C 是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成
2019-07-17 12:22:28
/家庭自動(dòng)化等市場(chǎng)批量生產(chǎn)七種新的CMOS射頻前端集成電路RFaxis董事長(zhǎng)兼首席執(zhí)行官M(fèi)ike Neshat表示：“RFaxis已經(jīng)打破了所有的技術(shù)障礙，這些障礙一度使得純CMOS無(wú)法超越GaAs
2018-07-09 15:16:33
AT2402E 是一款應(yīng)用于無(wú)線通信的集成收發(fā)功能的射頻前端單芯片，芯片內(nèi)部集成了所需要的射頻電路模塊，集成度非常高，主要包括功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，收發(fā)模式切換的開(kāi)關(guān)控制電路等
2020-08-03 11:22:26
高速模擬IO、甚至一些射頻電路集成在一起，只要它不會(huì)太復(fù)雜。 由于工藝技術(shù)的不兼容性，RF集成通常被認(rèn)為是一種基本上尚未解決的SoC挑戰(zhàn)。在數(shù)字裸片上集成RF電路會(huì)限制良品率或?qū)е赂甙旱臏y(cè)試成本，從而
2019-07-05 08:04:37
我們都知道處理器芯片， 是依靠不斷縮小制程實(shí)現(xiàn)技術(shù)升級(jí)，而作為模擬電路中應(yīng)用于高頻領(lǐng)域的一個(gè)重要分支，射頻電路的技術(shù)升級(jí)主要依靠新設(shè)計(jì)、新工藝和新材料的結(jié)合。大家都知道現(xiàn)在已經(jīng)進(jìn)入了5G時(shí)代，而射頻
2019-11-09 10:29:19
SoC測(cè)試技術(shù)傳統(tǒng)的測(cè)試方法和流程面臨的挑戰(zhàn)是什么？SoC測(cè)試技術(shù)一體化測(cè)試流程是怎樣的？基于光子探測(cè)的SoC測(cè)試技術(shù)是什么？有什么目的？
2021-04-15 06:16:53
AT2402E 采用 CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)，具有非常低的成本并且具有非 常好的射頻性能，比如發(fā)射模式時(shí)高的功率增益，發(fā)射線性度和發(fā)射效率，以及 接收模式下極低的噪聲系數(shù)。得益于 AT2402E 優(yōu)秀的性價(jià)比
2023-02-22 18:39:55
。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開(kāi)關(guān)控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-10-19 11:45:00
。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開(kāi)關(guān)控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-10-22 13:59:54
神器可以解決之。集成射頻前端芯片AT2401C。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開(kāi)關(guān)控制電路，輸入輸出匹配
2019-03-15 18:20:53
【非常牛逼資料分享】深入理解MOSFET規(guī)格書(shū)datasheet需要原版穩(wěn)定的朋友，請(qǐng)自行回帖下載。 [hide]https://pan.baidu.com/s/1o85LQWE[/hide] 文章比較長(zhǎng)，截了一部分資料的圖片如下
2017-10-24 16:45:30
對(duì)樣品的測(cè)試結(jié)果作了簡(jiǎn)單分析。隨著現(xiàn)代無(wú)線通訊技術(shù)的發(fā)展，射頻微波器件和功能模塊的小型化需求日益迫切。本文介紹的L波段收發(fā)射頻前端采用LTCC工藝，利用無(wú)源電路的三維疊層結(jié)構(gòu)，大大縮小了電路尺寸。在
2019-06-24 07:40:47
，同時(shí)此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開(kāi)關(guān)集成至一個(gè)芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，如圖1所示。 圖1 GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊示意圖。
2019-07-08 08:21:18
完全解決的。這些挑戰(zhàn)包括：多于10萬(wàn)個(gè)器件的設(shè)計(jì)復(fù)雜度、大于幾GHz的時(shí)鐘主頻、納米級(jí)的CMOS工藝技術(shù)、低功耗、工藝變化、非常明顯的非線性效應(yīng)、極度復(fù)雜的噪聲環(huán)境以及無(wú)線/有線通訊協(xié)議的支持問(wèn)題。
2019-10-11 06:39:24
隨著射頻無(wú)線通信事業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)通訊技術(shù)的進(jìn)步，射頻微波器件的性能與速度成為人們關(guān)注的重點(diǎn)，市場(chǎng)對(duì)其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的主要工藝選擇，對(duì)于模擬與射頻集成電路來(lái)說(shuō)，有哪些選擇途徑？為什么要選擇標(biāo)準(zhǔn)CMOS工藝集成肖特基二極管？
2019-08-01 08:18:10
隨著移動(dòng)行業(yè)向下一代網(wǎng)絡(luò)邁進(jìn)，整個(gè)行業(yè)將面臨射頻組件匹配，模塊架構(gòu)和電路設(shè)計(jì)上的挑戰(zhàn)。射頻前端的一體化設(shè)計(jì)對(duì)下一代移動(dòng)設(shè)備真的有影響嗎？
2019-08-01 07:23:17
進(jìn)入3G/4G/Pre-5G時(shí)代，射頻前端，一個(gè)手機(jī)SoC里不起眼的小角色，開(kāi)始在高端智能手機(jī)市場(chǎng)挑大梁。一旦連上移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)，任何一臺(tái)智能手機(jī)都能輕松刷朋友圈、看高清視頻、下載圖片、在線購(gòu)物，這完全是
2019-07-30 08:24:01
什么是量子點(diǎn)技術(shù)？量子點(diǎn)技術(shù)如何應(yīng)用于液晶面板的？量子點(diǎn)技術(shù)牛在哪？量子點(diǎn)技術(shù)的有什么特點(diǎn)？
2021-06-02 06:20:39
本文提出一種具有射頻監(jiān)測(cè)能力的雷達(dá)接收前端技術(shù)，解決了現(xiàn)有雷達(dá)及雷達(dá)測(cè)試系統(tǒng)無(wú)法在接收過(guò)程中對(duì)復(fù)雜電磁環(huán)境的影響效應(yīng)進(jìn)行有效分析和測(cè)量的問(wèn)題。該技術(shù)用于對(duì)多干擾源及多要素疊加的電磁環(huán)境作用下的接收機(jī)
2020-12-21 07:29:50
查詢了一些資料，知道了分頻器是鎖相環(huán)電路中的基本單元．是鎖相環(huán)中工作在最高頻率的單元電路。傳統(tǒng)分頻器常用先進(jìn)的高速工藝技術(shù)實(shí)現(xiàn)。如雙極、GaAs、SiGe工藝等。隨著CMOS器件的尺寸越來(lái)越小，可用
2021-04-07 06:17:39
產(chǎn)生的原理和固態(tài)射頻能量產(chǎn)生原理圖例，從中可以看出，傳統(tǒng)的射頻能量一般由磁控管產(chǎn)生，作用于物品或者工藝需要，固態(tài)射頻能量由射頻合成器產(chǎn)生，受控于射頻功率放大器的閉環(huán)控制調(diào)節(jié)，作用于物品或者工序需要
2018-08-21 10:57:30
模式下有非常低的噪聲系數(shù)和非常強(qiáng)的功率處理能力· 非常低的直流靜態(tài)功耗· 發(fā)射模式下非常低的工作電流· 全集成射頻輸入輸出端口的阻抗匹配電路，電阻均為 50Ω· 只需要非常少的外圍器件· 僅使用了可靠的 CMOS 工藝制作· 采用 16 管腳的 QFN 封裝(3×3×0.55mm)
2023-02-02 15:16:19
119%。高增長(zhǎng)的背后是射頻市場(chǎng)的機(jī)遇，但同時(shí)也是挑戰(zhàn)。如何解決5G通信高帶寬和大功率的射頻技術(shù)挑戰(zhàn)？就成了一個(gè)非常棘手的問(wèn)題。
2019-08-01 08:25:49
基本的NMOS管串聯(lián)結(jié)構(gòu)基礎(chǔ)上，采用深N阱工藝的NMOS器件，運(yùn)用一種改進(jìn)型的體懸浮(body-floating)技術(shù)，實(shí)現(xiàn)了 一個(gè)寬帶射頻收發(fā)開(kāi)關(guān)。與傳統(tǒng)的串并聯(lián)結(jié)構(gòu)開(kāi)關(guān)電路相比，該結(jié)構(gòu)具有更高的線性度
2019-07-31 06:22:33
直接影響著接收機(jī)的性能。另一方面，LNA的設(shè)計(jì)也是無(wú)線電設(shè)備相關(guān)電路設(shè)計(jì)中最具有挑戰(zhàn)性的內(nèi)容之一。這主要表現(xiàn)在它同時(shí)需要滿足高增益、低噪聲、良好的輸入輸出匹配和在盡可能小的工作電流時(shí)的無(wú)條件穩(wěn)定性。那么，大家知道我們?cè)撊绾卧O(shè)計(jì)CDMA射頻前端低噪聲放大器電路嗎？
2019-08-01 06:34:15
感覺(jué)這是個(gè)很牛逼的論壇 這輩子就他了， 技術(shù)宅屌絲就這樣過(guò)一生了 新人報(bào)道{:4_95:}
2014-07-14 23:30:04
嵌入式 超
牛逼 的語(yǔ)言 C++學(xué)習(xí)寶典！?。?/div>
2012-09-19 11:42:04
。老牌的飛利浦、FREESCALE、意法半導(dǎo)體和瑞薩仍然堅(jiān)持用傳統(tǒng)工藝，主要是SiGeBiCMOS工藝，諾基亞仍然大量使用意法半導(dǎo)體的射頻收發(fā)器。而歐美廠家對(duì)新產(chǎn)品一向保守，對(duì)RFCMOS缺乏信任
2016-09-15 11:28:41
即使是最自信的設(shè)計(jì)人員，對(duì)于射頻電路也往往望而卻步，因?yàn)樗鼤?huì)帶來(lái)巨大的設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)，并且需要專業(yè)的設(shè)計(jì)和分析工具。怎么優(yōu)化射頻和微波設(shè)計(jì)挑戰(zhàn)？來(lái)簡(jiǎn)化任何射頻PCB 設(shè)計(jì)任務(wù)和減輕工作壓力！這個(gè)問(wèn)題急需解決。
2019-08-21 06:38:27
本文介紹的L波段收發(fā)射頻前端采用LTCC工藝，利用無(wú)源電路的三維疊層結(jié)構(gòu)，大大縮小了電路尺寸。在電路設(shè)計(jì)上，使用單節(jié)λ/4短截線收發(fā)開(kāi)關(guān)電路，既保證了高收發(fā)隔離和低損耗接收的電路性能，又比傳統(tǒng)的并聯(lián)式開(kāi)關(guān)電路節(jié)省了一節(jié)λ/4短截線占據(jù)的空間，縮小了電路尺寸。
2021-05-24 07:03:25
本文提出一種新穎的射頻功率放大器電路結(jié)構(gòu)，使用一個(gè)射頻功率放大器實(shí)現(xiàn)GSM/DCS雙頻段功率放大功能。同時(shí)將此結(jié)構(gòu)射頻功率放大器及輸出匹配網(wǎng)絡(luò)與CMOS控制器、射頻開(kāi)關(guān)集成至一個(gè)芯片模塊，組成GSM/DCS雙頻段射頻前端模塊，其中射頻開(kāi)關(guān)采用高隔離開(kāi)關(guān)設(shè)計(jì)，使得諧波滿足通信系統(tǒng)要求。
2021-05-28 06:28:14
近年來(lái)，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz，這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2019-08-22 06:24:40
射頻前端模塊性能關(guān)系到整個(gè)接收機(jī)的性能。本文通過(guò)對(duì)接收機(jī)進(jìn)行研究，分析了超外差接收機(jī)的特點(diǎn)，提出了一種采用PLL技術(shù)的接收機(jī)的射頻前端方案，及對(duì)射頻前端的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了分析。并通過(guò)軟硬件平臺(tái)進(jìn)行
2019-08-22 07:38:30
–4%的重量百分比范圍內(nèi)（wt%），同時(shí)擴(kuò)散通常是在低于1%的Tb或Dy的質(zhì)量分?jǐn)?shù)范圍內(nèi)進(jìn)行的。晶界擴(kuò)散技術(shù)可以使用1/3~1/2的傳統(tǒng)工藝使用的鏑或鋱的用量達(dá)到和傳統(tǒng)工藝磁體一樣高的剩磁(Br
2018-10-17 10:33:33
。 射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開(kāi)關(guān)控制電路，輸入輸出匹配電路以及諧波濾波電路。集成度超高，使用方便
2018-11-26 10:26:16
神器可以解決之。集成射頻前端芯片AT2401C。射頻前端芯片AT2401C是采用CMOS 工藝實(shí)現(xiàn)的單芯片器件，其內(nèi)部集成了功率放大器(PA)，低噪聲放大器(LNA)，芯片收發(fā)開(kāi)關(guān)控制電路，輸入輸出匹配
2018-11-09 10:18:57
隨著數(shù)字移動(dòng)電視不斷向移動(dòng)設(shè)備的應(yīng)用轉(zhuǎn)移，應(yīng)用和系統(tǒng)工程師正面臨著各種挑戰(zhàn)，比如外形尺寸的小型化、更低的功耗以及信號(hào)完整性。對(duì)現(xiàn)有移動(dòng)電視標(biāo)準(zhǔn)的研究重點(diǎn)將放在了DVB-H上。本文將從系統(tǒng)角度討論DVB-H接收器設(shè)計(jì)所面臨的機(jī)遇和挑戰(zhàn)，并重點(diǎn)介紹射頻前端。
2019-06-03 06:28:52
LTCC技術(shù)實(shí)現(xiàn)SIP的優(yōu)勢(shì)特點(diǎn)有哪些？怎樣去設(shè)計(jì)一種射頻接收前端SIP？
2021-04-26 06:05:40
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-7 11:21 編輯
釋放MEMS機(jī)械結(jié)構(gòu)的干法刻蝕技術(shù)濕法刻蝕是MEMS 器件去除犧牲材料的傳統(tǒng)工藝，總部位于蘇格蘭的Point 35
2013-11-04 11:51:00
高速ADC前端設(shè)計(jì)的挑戰(zhàn)和權(quán)衡因素
2021-04-06 07:18:55
在研究移動(dòng)電視技術(shù)發(fā)展趨勢(shì)時(shí)需要區(qū)分產(chǎn)品功能組合、封裝、性能、采用的半導(dǎo)體工藝和最重要的射頻接收器性能。目前大多數(shù)單制式解調(diào)器都采用130納米至65納米CMOS工藝制造。多數(shù)情況下，它們與射頻接收器
2019-07-29 06:49:39
硅鍺技術(shù)改善射頻前端性能
2006-05-07 13:20:01
36 摘 要 無(wú)線通信系統(tǒng)的多功能、小型化、低成本的趨勢(shì)，對(duì)射頻前端模塊的設(shè)計(jì)提出了很大的挑戰(zhàn)。人們對(duì)濾波器、巴倫、藍(lán)牙模塊和功放模塊的設(shè)計(jì)已經(jīng)進(jìn)行過(guò)大量的研究。在這
2010-06-19 10:31:5248 多重標(biāo)準(zhǔn)射頻前端可能是獨(dú)立的集成電路，或是一個(gè)較大、且整合了射頻及調(diào)制解調(diào)器之芯片系統(tǒng)(SoC)解決方案的一部份。在這兩種情況中，射頻電路系統(tǒng)的關(guān)鍵設(shè)計(jì)需求基本上相同
2011-04-22 11:19:44650 專注于為無(wú)線連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)提供創(chuàng)新、下一代射頻解決方案的無(wú)廠半導(dǎo)體公司RFaxis宣布，該公司將在2012年臺(tái)北國(guó)際電腦展覽會(huì)上推出純CMOS、RFX5000射頻前端集成電路（RFeIC），該集
2012-05-14 08:49:42891 近年來(lái)，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz，這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利
2012-05-21 10:06:191850 
。 其中，通過(guò)無(wú)線網(wǎng)絡(luò)進(jìn)行連接已逐漸成為主流，但射頻前端芯片作為移動(dòng)網(wǎng)絡(luò)連接的關(guān)鍵部分，卻還是面臨著一些挑戰(zhàn)。目前，產(chǎn)業(yè)界在射頻前端芯片方面主要采用GaAs/SiGe技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)，但其工藝復(fù)雜，成本較高、產(chǎn)能低下，難以實(shí)現(xiàn)低成本的規(guī)
2017-11-09 16:28:0210 （硅鍺）BiCMOS工藝制造RF射頻前端的時(shí)代該結(jié)束了，純CMOS工藝RF前端 IC將在未來(lái)十年內(nèi)主宰移動(dòng)互聯(lián)網(wǎng)和物聯(lián)網(wǎng)時(shí)代。 業(yè)界對(duì)CMOS PA產(chǎn)品的熱情一直沒(méi)有減退。2014年6月，高通（Qualcomm）并購(gòu)CMOS PA供應(yīng)商Black Sand，借以強(qiáng)化其RF360方案競(jìng)爭(zhēng)力；而在2013
2017-11-09 16:35:510 硅是上帝送給人類的禮物。電路板中絕大多數(shù)器件都采用體硅CMOS工藝（硅 的原材料是沙子）制造，但有一個(gè)部分卻難以實(shí)現(xiàn)，那就是射頻前端。目前射頻前端主要采用GaAs或SiGe工藝制造，但由于材料
2017-11-14 10:06:384 作為接收機(jī)重要組成部分的接收機(jī)射頻前端是接收機(jī)動(dòng)態(tài)性能的關(guān)鍵部件，它工作于中頻放大器之前。諸如動(dòng)態(tài)范圍、互調(diào)失真、-1dB壓縮點(diǎn)和三階互調(diào)截獲點(diǎn)等，都與接收機(jī)前端的性能有直接關(guān)系。本文以下將介紹接收機(jī)中的射頻前端設(shè)計(jì)技術(shù)。
2017-11-23 16:30:536906 
近年來(lái)，有關(guān)將CMOS工藝在射頻（RF）技術(shù)中應(yīng)用的可能性的研究大量增多。深亞微米技術(shù)允許CMOS電路的工作頻率超過(guò)1GHz，這無(wú)疑推動(dòng)了集成CMOS射頻電路的發(fā)展。目前，幾個(gè)研究組已利用標(biāo)準(zhǔn)
2017-11-25 11:07:014628 
供應(yīng)商，漢天下計(jì)劃使用其提供的RFSOI工藝設(shè)計(jì)和制造用于射頻前端（FEM）和天線開(kāi)關(guān)模塊（ASM）中的開(kāi)關(guān)芯片。相比傳統(tǒng)的GaAs和SOS工藝，RFSOI可以同時(shí)提供優(yōu)良的性能和低廉的成本。 RFSOI工藝非常適合用來(lái)做射頻開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)，基于這種先進(jìn)的工藝，我們可以將MI
2017-12-05 13:22:37557 加州歐文--(美國(guó)商業(yè)資訊)--專注于為無(wú)線連接和蜂窩移動(dòng)市場(chǎng)提供創(chuàng)新型新一代射頻解決方案的無(wú)晶圓半導(dǎo)體公司RFaxis宣布發(fā)布射頻前端技術(shù)白皮書(shū)《面向移動(dòng)手持設(shè)備應(yīng)用的CMOS Wi-Fi射頻前端
2019-03-18 12:30:07728 簡(jiǎn)單來(lái)說(shuō)就是上面這張圖，把PA、LNA、開(kāi)關(guān)和外部元件都集成到單一的CMOS工藝的芯片中去。目前該公司推出單芯片射頻前端可用于WLAN（2.4G和5G）、藍(lán)牙、802.11n/MMO、WHDI及ZigBee等無(wú)線傳輸設(shè)備上。
2018-05-11 09:16:004828 為滿足下一代蜂窩電話設(shè)計(jì)對(duì)更多特性、多模式及工作頻率的需求，工程師們必須尋找提高射頻前端集成度的途徑。通過(guò)采用CMOS工藝的最新集成方案，他們找到了應(yīng)對(duì)這一挑戰(zhàn)的答案。 消費(fèi)者對(duì)更小、更便宜手機(jī)
2018-09-17 00:56:01186 本文檔的主要內(nèi)容詳細(xì)介紹的是鋰電池的傳統(tǒng)工藝詳細(xì)資料介紹主要包括了：配料，涂布，制片，極耳焊接，卷繞，短路檢驗(yàn)，入殼，滾槽，注液，封口，密封性檢驗(yàn)，化成，分容，外包裝，出廠檢驗(yàn)
2018-12-03 08:00:0030 在很多分析師和廠商看來(lái)，2019年將會(huì)是5G元年，但這個(gè)高速、低延遲和廣泛覆蓋網(wǎng)絡(luò)到來(lái)，除了在應(yīng)用方面帶來(lái)了變革的機(jī)會(huì)，給上游供應(yīng)商也帶來(lái)了不小的挑戰(zhàn)，尤其是射頻前端方面。
2019-05-02 17:32:003495 
隨著射頻無(wú)線通信事業(yè)的發(fā)展和移動(dòng)通訊技術(shù)的進(jìn)步，射頻的性能與速度成為人們關(guān)注的重點(diǎn)，市場(chǎng)對(duì)其的需求也日益增多。目前，CMOS工藝是數(shù)字集成電路設(shè)計(jì)的主要工藝選擇，對(duì)于模擬與射頻集成電路來(lái)說(shuō)，選擇
2020-09-25 10:44:002 射頻前端模塊性能關(guān)系到整個(gè)接收機(jī)的性能。本文通過(guò)對(duì)接收機(jī)進(jìn)行研究，分析了超外差接收機(jī)的特點(diǎn)，提出了一種采用PLL 技術(shù)的接收機(jī)的射頻前端方案，及對(duì)射頻前端的關(guān)鍵技術(shù)指標(biāo)進(jìn)行了分析。并通過(guò)軟硬件平臺(tái)
2020-09-23 10:45:003 CMOS器件是在硅材料上逐層制作而成的。雖然蝕刻和沉積是標(biāo)準(zhǔn)工藝，但它們主要使用光刻和等離子蝕刻在裸片上創(chuàng)建圖案。另一方面，MEMS是采用體硅加工工藝嵌入到硅中，或通過(guò)表面微加工技術(shù)在硅的頂部形成。
2020-09-01 11:21:323490 射頻（RF）前端與鏈路是雷達(dá)、通信、電子戰(zhàn)等系統(tǒng)中的核心功能模塊。新一代智能無(wú)線系統(tǒng)的大帶寬、多頻段、可重構(gòu)信號(hào)處理與傳輸需求對(duì)RF 前端與鏈路的研發(fā)提出一系列挑戰(zhàn)。
2020-09-08 11:32:344680 
刀剪生產(chǎn)自動(dòng)化，科技力量打磨傳統(tǒng)工藝 在刀剪制造領(lǐng)域，珞石機(jī)器人經(jīng)過(guò)多年工藝、技術(shù)積累，憑借機(jī)器人產(chǎn)品高精高速的運(yùn)動(dòng)性能，融合豐富的自動(dòng)化產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗(yàn)，成功的實(shí)現(xiàn)了機(jī)器人開(kāi)刃、水磨等關(guān)鍵核心生產(chǎn)技術(shù)
2020-09-09 09:16:222005 不久前，MEMS 蝕刻和表面涂層方面的領(lǐng)先企業(yè) memsstar 向《電子產(chǎn)品世界》介紹了 MEMS 與傳統(tǒng) CMOS 刻蝕與沉積工藝的關(guān)系，對(duì)中國(guó)本土 MEMS 制造工廠和實(shí)驗(yàn)室的建議
2022-12-13 11:42:001674 5G作為移動(dòng)通信領(lǐng)域的重大變革點(diǎn)，是當(dāng)前新基建的領(lǐng)銜領(lǐng)域。在5G的影響下，射頻前端器件正發(fā)生什么樣的變化？近日在中國(guó)MEMS制造大會(huì)上，左藍(lán)微電子創(chuàng)始人、總經(jīng)理張博士以5G時(shí)代射頻前端的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
2020-11-11 15:33:553043 射頻前端模組之濾波器技術(shù)簡(jiǎn)要分類
2020-12-02 16:33:101860 DB HiTek已宣布通過(guò)基于130/110納米技術(shù)的射頻絕緣體上硅(RF SOI)和射頻高電阻率襯底(RF HRS)工藝來(lái)拓展射頻前端業(yè)務(wù)。 射頻前端是無(wú)線通信的必備器件，其負(fù)責(zé)IT設(shè)備之間的發(fā)射
2022-01-13 09:35:294114 ，對(duì)后張法預(yù)應(yīng)力孔道壓漿的質(zhì)量檢測(cè)，確保有效預(yù)應(yīng)力體系的建立，是保證橋梁達(dá)到設(shè)計(jì)要求，滿足使用耐久性的一個(gè)重要環(huán)節(jié)。 一、傳統(tǒng)壓漿工藝存在問(wèn)題 1、水泥漿液的配制 水泥漿液的配制存在很大的人為性因素，配制漿液的設(shè)備也不標(biāo)準(zhǔn)，
2022-10-21 15:26:39327 
一體成型電感工藝流程，PIM繞線代替傳統(tǒng)工藝 一體成型電感傳統(tǒng)工藝流程： 繞線：將銅線依規(guī)定要求繞至固定形狀尺寸。 點(diǎn)焊：將繞至好的線圈使用電流熔焊接到料片腳上。 成型：將點(diǎn)焊好料片放入模具使用液壓
2023-07-09 14:55:45644 
和天線技術(shù)的集成電路，主要實(shí)現(xiàn)處理射頻信號(hào)的功能。下面詳細(xì)講解射頻前端和射頻芯片的關(guān)系。 首先，射頻前端是指從天線開(kāi)始到最后一級(jí)放大器之間的電路系統(tǒng)。射頻前端包括天線、跨越器、調(diào)節(jié)器、偏置器、放大器和濾波器等
2023-09-05 09:19:141805 最近十幾年中，射頻前端方案快速演進(jìn)。“模組化”是射頻前端演進(jìn)的重要方向。
2023-11-08 09:24:00535 
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