盤古PGX-Mini 4K開發(fā)板，目前來說是一款性價比比較高的開發(fā)板，他用來入門FPGA怎么樣？
2024-03-16 07:17:45
**VBsemi 3LP01C-D-VB****詳細參數(shù)說明:**- 絲印: VB264K- 品牌: VBsemi- 封裝: SOT23- 類型: P—Channel溝道- 額定電壓: -60V-
2024-03-08 14:57:37
我將一個數(shù)組定義在SRAM2中，另一個數(shù)組定義在CCM中，我可以利用memcpy這個函數(shù)來將SRAM2里的數(shù)據(jù)拷貝到CCM中嗎。
因為我看總線矩陣圖，CCM的D-BUS和SRAM2并無交集，是不是也就意味著這兩塊內存互相無法進行交互呢？
2024-03-06 08:21:14
想入門盤古PGX-Mini 4K開發(fā)板，大佬可以分享一些學習資料嗎？
2024-03-04 12:51:51
盤古PGX-Mini 4K開發(fā)板，如何入門，教學資料在哪里下載
2024-03-03 08:27:37
SPI FLASH，希望有2K~4K Byte的空間可以存放User Data，
開機方式:boot from SPI FLASH
開發(fā)平臺使用的SPI FLASH為M25P40(共512KB)
我查詢過
2024-02-28 08:13:07
Cx3開發(fā)板（s）I2C最大速率可以設置到1MHz嗎？當前接口CyU3PMipicsiInitializeI2c 最大只能400K，有沒有其他接口實現(xiàn)提速的？
2024-02-28 06:10:09
如何利用coredump 進行調試
編譯時加入調試信息（(PC 機上)）
編譯參數(shù)為 -g
?loongarch64-linux-gnu-gcc -g 1.c
開啟core文件 （開發(fā)板上
2024-02-20 13:05:08
(2k)
UBIFS_OPTS -e = LEBSIZE = PAGESIZE * 62 = 0x1f000 (124k)
UBIFS_OPTS -c = 230M / LEBSIZE = 1900
2024-02-19 14:40:01
;” 設置時，I2C 可以正常工作。
它在漏極\"開路、低速行駛時不起作用的原因\"是什么？
設備：cyble-014008-00
I2C SDA：P3 [4]，上拉 4.7k，3.3V I2C SCL：P3 [5]，上拉 4.7k，3.3V VDD：3.3V
2024-01-24 06:27:47
當設置為 \" 開漏時，低速行駛 \" 沒有信號。
你知道這是什么原因嗎？
設備：cyble-014008-00
I2C CLK：100kHz I2C SDA：P3 [4
2024-01-22 06:14:17
紫光同創(chuàng)PG2L200H關鍵特性開發(fā)板/盤古200K開發(fā)板開箱教程！
盤古200K采用紫光同創(chuàng)28nm工藝Logos2系列芯片：PG2L200H-6IFBB484）；PG2L200H和DDR3之間
2023-12-28 15:26:19
購買了一塊EVAL-ADPD188BIZ-SK的開發(fā)板，用于同自己的MCU通過I2C方式數(shù)據(jù)通信，ADPD188BI芯片初始化失敗，經(jīng)測試發(fā)現(xiàn)I2C的通信存在問題，MCU給188BI發(fā)送完寫地址
2023-12-28 06:05:14
前文BUCK電路CCM與DCM的臨界條件是什么？中介紹了DCM與CCM的臨界條件。此文，介紹輕載條件下DCM與CCM的差異。
2023-12-12 15:37:59
675 
Boost電路的CCM模式與DCM模式
2023-11-24 15:44:422058 
Buck電路的CCM、DCM、BCM模式
2023-11-24 15:42:36333 
對cortex m系列開發(fā)來說，gnu系工具鏈和keil 相比有哪些優(yōu)缺點？
2023-10-20 06:28:27
DCM 與CCM PFC控制相比有何優(yōu)劣
2023-10-19 06:41:50
P1.5是否為0，把該值放入數(shù)組1
3.CRC校驗放入數(shù)組2，P5.4作為收發(fā)控制。把上述數(shù)組依次用串口發(fā)出，P3.0 P3.1作串口收發(fā)
4.當P1.2為0的值通過串口發(fā)到上位機后，上位機接通相應的繼電器后返回一值然后在P3.6輸出低電平
斷開相應的繼電器后返回一值然后在P3.6輸出高電平
2023-10-07 06:16:43
CPU
迅為LS2K0500開發(fā)板采用龍芯2K0500處理器，基于龍芯自主指令系統(tǒng) (LoongArch) 架構，片內集成64位LA264處理器核。實現(xiàn)ACPI、DVFS/DPM動態(tài)電源功耗管理等
2023-09-28 11:15:05
盤古1K/2K 開發(fā)套件是基于紫光同創(chuàng) FPGA 開發(fā)平臺的開發(fā)套件，以紫光同創(chuàng) Compa系列PGC1KG-LPG100 / PGC2KG-LPG100 器件為核心，預留豐富的擴展 IO
2023-09-22 15:03:53
請問怎么用KendryteIDE編譯c++開發(fā)k210？
2023-09-14 08:58:26
求K210開發(fā)C語言的API說明文檔
2023-09-13 06:03:03
存容量的需求，啟用了 STM32 的 CCM 存貯器，但啟用后發(fā)現(xiàn)以太網(wǎng)接口不能通信。所使用的開發(fā)工具為Keil MDK,相關的內存分配如表（一）：
2023-09-11 07:55:37
程序在CCM SRAM中才能完美發(fā)揮出STM32G4的性能MC SDK V5.4.3中STM32G4默認并未使用CCM SRAM
2023-09-08 06:54:31
CS5366AN國產(chǎn)typec轉hdmi方案芯片，低成本替代GSV2201 2Lane 4K60 typec轉hdmi+pd+u3擴展方案設計電路參考附件。其優(yōu)勢：
低功耗的Type-C
2023-08-29 18:37:20
、 按鍵、LED 燈，為用戶提供基本的硬件環(huán)境。
盤古1K/2K產(chǎn)品詳情
01 產(chǎn)品概述
盤古1K、2K開發(fā)套件（MES1/2KG）是基于紫光同創(chuàng)FPGA 開發(fā)平臺的開發(fā)套件。以紫光同創(chuàng)Compa
2023-08-22 16:26:46
TTM Technologies 的 X4C55K1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 5 至 6.3 GHz，耦合 2 dB，耦合變化 ±0.35 dB，平均功率 10 W，插入損耗
2023-08-16 16:47:08
TTM Technologies 的 X4C35K1-02S 是一款定向耦合器，頻率為 3.1 至 3.8 GHz，耦合 2 dB，耦合變化 ±0.40 dB，平均功率 10 W，插入損耗 0.25
2023-08-16 15:21:17
，平均功率 25 W。標簽：表面貼裝。 產(chǎn)品詳情零件號X4C20K1-30S制造商迅達科技描述1.7 至 2.5 GHz、3
2023-08-15 17:40:57
±0.5 dB，方向性 20 dB。標簽：表面貼裝。 產(chǎn)品詳情零件號X4C20K1-20S制造商迅達科技描述定向耦合器2
2023-08-15 16:29:32
dB，耦合 3 dB。標簽：表面貼裝。 產(chǎn)品詳情零件號X4C35K1-03S制造商迅達科技描述3.1 至
2023-08-10 16:49:33
3 dB。標簽：表面貼裝。X4C30K1-03S 的更多詳細信息如下。 產(chǎn)品詳情零件號X4C30K1-03S制造商迅達科技描述2
2023-08-10 16:39:33
的Use current ESP-ID，使用本地SDK，也就是前面自定義IDF的路徑
4、如下圖創(chuàng)建工程
5、選擇芯片類型，我們需要選擇esp32-c2
6、使用usb數(shù)據(jù)線連接PC與開發(fā)板，選擇
2023-08-03 16:11:24
盤古1K/2K 開發(fā)套件是基于紫光同創(chuàng) FPGA 開發(fā)平臺的開發(fā)套件，以紫光同創(chuàng) Compa系列PGC1KG-LPG100 / PGC2KG-LPG100 器件為核心，預留豐富的擴展 IO 及數(shù)碼管
2023-08-02 14:20:11
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《X-NUCLEO-GFX01M1開發(fā)板的GUI開發(fā)流程介紹.pdf》資料免費下載
2023-08-01 15:51:38
0 HC89S105A 是一顆采用高速低功耗 CMOS 工藝設計開發(fā)的增強型 8 位單片機，內部最多 64K Bytes FLASH 程序存儲器，256 Bytes IRAM 和 4K Bytes
2023-07-28 15:11:21
手冊里面的SRAM-BANK3是不是SPIM專用的，我打開CCM，SPIM操作模式配置為IO模式，就算不操作SPIM，CCM區(qū)的內存數(shù)值也在變化；程序操作CCM會莫名金FaultHandler。
2023-06-27 07:07:03
準備
1.1硬件ESP32 C2開發(fā)板，如圖1-1所示
圖1-1 ESP32 C2開發(fā)板
1.2軟件
CozyLife APP可以在各大應用市場搜索下載，也可以掃描二維碼下載如圖1-2所示
2023-06-15 14:35:40
current ESP-ID，使用本地SDK，也就是前面自定義IDF的路徑
4、如下圖創(chuàng)建工程
5、選擇芯片類型，我們需要選擇esp32-c2
6、使用usb數(shù)據(jù)線連接PC與開發(fā)板，選擇
2023-06-09 13:34:38
套件。提供的功能包括：
◎ 紫光同創(chuàng) FPGA：PGC1K/PGC2K
· 啟動方式：支持內置 flash
◎ 外設/接口
· Type-c 口（電源接口）
· Jtag 接口（調試接口）
· 4 位 8
2023-05-29 17:43:09
我們正在使用 S32K3X4EVB-T172 評估板，我們正在嘗試將示例文件加載到 EVK 板中。
我安裝了 S32 Design studio 3.5、S32K3xx 開發(fā)
2023-05-24 06:40:25
準備
1.1硬件ESP32 C2開發(fā)板，如圖1-1所示
圖1-1 ESP32 C2開發(fā)板
1.2軟件
CozyLife APP可以在各大應用市場搜索下載，也可以掃描二維碼下載如圖1-2所示
2023-05-18 15:01:20
我們在產(chǎn)品開發(fā)中使用的是 S32K3X4EVB-Q172 EVK 板，最初它工作正常，但是當我們想在板上刷寫新代碼時，我們無法刷寫代碼。
EVK 板上的電源和 LED 燈完好無損。
2023-05-17 10:00:03
UF4C120070K4S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4C120070K4S 是一款 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路
2023-05-12 15:34:44
UF4C120070K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4C120070K3S 是一款 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 15:29:06
UF4C120053K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4C120053K4S 是一款 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 15:22:37
UF4C120053K3S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF4C120053K3S 是一款 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路
2023-05-12 15:16:27
UF3C170400K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:20:38
UF3C120400K3S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120400K3S 1200 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:11:46
UF3C120150K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-12 12:52:17
UF3C120080K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120080K4S 1200 V、80 mohm FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET
2023-05-12 12:35:06
UF3C120080K3S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET 器件基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 12:26:54
UF3C120040K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120040K4S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC 快速
2023-05-12 09:51:56
UF3C120040K3S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C120040K3S 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC
2023-05-12 09:42:48
Qorvo 的 UJ4C075060K3S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 09:38:53
Qorvo 的 UJ4C075044K3S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:26:11
UF3C065080K4S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 20:53:23
UF3C065080K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065080K3S 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨特的級聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-11 20:45:39
UF3C065040K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET
2023-05-11 20:00:05
UF3C065040K3S 產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC
2023-05-11 19:01:57
F3C065030K4S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065030K4S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 18:22:33
UF3C065030K3S產(chǎn)品簡介Qorvo 的 UF3C065030K3S 650 V、27 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-11 18:13:21
Qorvo 的 UJ4C075033K3S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:55:43
Qorvo 的 UJ4C075023K3S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:44:32
Qorvo 的 UJ4C075018K3S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:34:17
Qorvo 的 UJ3C120070K4S 是一款 1200 V、70 mohm Gen 3 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-11 17:24:08
Qorvo 的 UF4C120070K3S 是一款 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-11 16:41:41
Qorvo 的 UF4C120053K3S 是一款 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-11 16:33:13
Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上
2023-05-11 15:25:03
Qorvo 的 UF3C120080K4S 1200 V、80 mohm FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一
2023-05-11 15:15:17
Qorvo 的 UF3C120040K4S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化
2023-05-11 14:57:06
Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上唯一
2023-05-11 14:50:32
Qorvo 的 UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET
2023-05-11 14:35:10
Qorvo 的 UF3C065030K4S 650 V、27 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當今市場上
2023-05-11 14:24:16
current ESP-ID，使用本地SDK，也就是前面自定義IDF的路徑
4、如下圖創(chuàng)建工程
5、選擇芯片類型，我們需要選擇esp32-c2
6、使用usb數(shù)據(jù)線連接PC與開發(fā)板，選擇
2023-05-08 18:29:03
current ESP-ID，使用本地SDK，也就是前面自定義IDF的路徑
4、如下圖創(chuàng)建工程
5、選擇芯片類型，我們需要選擇esp32-c2
6、使用usb數(shù)據(jù)線連接PC與開發(fā)板，選擇
2023-05-05 14:39:40
目前我們項目使用的是S32K3 RTD v2.0.3 + EB tresos v28.2。
由于針對 S32K3 RTD v3.0.0 P01 HF01 發(fā)布了更新，我們正在嘗試使用 EB
2023-05-05 12:43:17
廣東龍芯2K500先鋒板接口圖
廣東龍芯2K500先鋒板運行圖
廣東龍芯2K500開發(fā)板參數(shù)
類型
項目
參數(shù)
基本信息
CPU
龍芯2K500（LoongArch64 架構兼容）
CPU
2023-04-27 09:07:11
current ESP-ID，使用本地SDK，也就是前面自定義IDF的路徑
4、如下圖創(chuàng)建工程
5、選擇芯片類型，我們需要選擇esp32-c2
6、使用usb數(shù)據(jù)線連接PC與開發(fā)板，選擇
2023-04-26 14:35:47
我們有客戶反饋說Desfire EV3 2k和Desfire EV1 2k在燒寫過程中出現(xiàn)了一些編碼錯誤，無法判斷是芯片問題還是編碼問題。比如10個中有2個編碼不成功，提示內容如下圖。你能幫我們找出問題所在嗎？
2023-04-24 06:19:27
，是學習LoongArch架構的優(yōu)良平臺。龍芯2K500先鋒板集成LCD/以太網(wǎng)/USB等基本接口，擴展接口支持(插針形式)2個SPI，2個12C，6路串口，2路CAN，4路PWM,8個GPIO等。報告涵蓋
2023-04-22 21:26:25
，使用本地SDK，也就是前面自定義IDF的路徑4、如下圖創(chuàng)建工程5、選擇芯片類型，我們需要選擇esp32-c26、使用usb數(shù)據(jù)線連接PC與開發(fā)板，選擇串口7、開始編譯工程build,編譯過程可能需要幾分鐘8
2023-04-20 13:39:26
本文將為小伙伴們介紹紫光盤古系列1K2K（MES1/2KG）開發(fā)板，盤古1K2K開發(fā)板是一款高性能入門級FPGA開發(fā)板！盤古1K2K開發(fā)板以紫光Compact系列PGC1KG-LPG100
2023-04-18 16:00:01
我們想使用 S32K148 LPI2C 配置 ADI A2B 網(wǎng)絡，需要 I2C master 支持時鐘延展功能。S32K148 LPI2C主控如何支持時鐘延展功能？
2023-04-06 06:36:32
我打算通過 I2C 將其中一些 F9RGPS 分線板連接 到 S32K3-T-Box 開發(fā)板，但我不確定它是否可行。我正在瀏覽文檔，發(fā)現(xiàn) J44 引腳 (I2C) 用于 AVB 應用的外部音頻放大器。在購買此板之前，我想確定一下。
2023-04-03 06:17:21
N32G430C8L7_STB開發(fā)板用于32位MCU N32G430C8L7的開發(fā)
2023-03-31 12:05:12
高性能32位N32G4FRM系列芯片的樣片開發(fā)，開發(fā)板主MCU芯片型號N32G4FRMEL7
2023-03-31 12:05:12
，CG2 2：寫 MOD_EN_USDHC 到 CCM_CMEOR 3：寫 USDHC1_CLK_SEL 到 CCM_CSCMR1 4：寫 USDHC1_PODF 到 CCM_CSCDR1但是
2023-03-29 08:55:01
我想索取S32K3X4EVB-Q172開發(fā)板的3D模型。我已經(jīng)下載了硬件設計文件，但沒有包含 3D 模型。你能給我一份 .step 格式的嗎？
2023-03-24 07:12:57
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