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電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>Maxim推出集成MTP存儲(chǔ)器的10位gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)

Maxim推出集成MTP存儲(chǔ)器的10位gamma校準(zhǔn)基準(zhǔn)系統(tǒng)

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可編程增益放大器PGA308的變送器調(diào)試),請(qǐng)技術(shù)支持工程師幫我解答下面的問(wèn)題: 1、請(qǐng)問(wèn)該校準(zhǔn)系統(tǒng)可否用于校準(zhǔn)放大交流信號(hào),比如放大校準(zhǔn)壓電傳感的輸出信號(hào)(交流信號(hào))? 2、請(qǐng)問(wèn)校準(zhǔn)系統(tǒng)中的單片機(jī)
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MCS-單片機(jī)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器的組成(2)#單片機(jī)

存儲(chǔ)器程序mcs
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-08-01 00:46:31

存儲(chǔ)器綜合擴(kuò)展(1)#單片機(jī)

單片機(jī)存儲(chǔ)器
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-07-31 23:03:55

存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(2)#單片機(jī)

單片機(jī)存儲(chǔ)器
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-07-31 23:03:15

存儲(chǔ)器的結(jié)構(gòu)特點(diǎn)(1)#單片機(jī)

單片機(jī)存儲(chǔ)器
未來(lái)加油dz發(fā)布于 2023-07-31 23:02:49

DS1922L-F5#是一款存儲(chǔ)器

iButton?溫度記錄(DS1922L/T)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng),能夠測(cè)量溫度并將測(cè)量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄溫度的頻率由用戶(hù)定義??偣部梢员4?192個(gè)8數(shù)據(jù)記錄或4096個(gè)16
2023-07-14 09:24:23

DS1923-F5#是一款存儲(chǔ)器

iButton?溫度/濕度記錄(DS1923)是堅(jiān)固耐用的自供電系統(tǒng),能夠測(cè)量溫度與/或濕度,并將測(cè)量結(jié)果記錄在受保護(hù)的存儲(chǔ)器內(nèi)。記錄頻率由用戶(hù)定義??偣部梢员4?192個(gè)8讀數(shù)或4096個(gè)16
2023-07-14 09:18:41

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的介紹與分類(lèi)

何謂半導(dǎo)體存儲(chǔ)器? 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制,使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。 與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比,具有 數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快 存儲(chǔ)密度高 耗電量少 耐震 等特點(diǎn)。 關(guān)閉電源
2023-07-12 17:01:131098

PLC的存儲(chǔ)器、I/O單元、I/O擴(kuò)展接口、外設(shè)接口和電源簡(jiǎn)介

可編程控制器的存儲(chǔ)器由只讀存儲(chǔ)器ROM、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM和可電擦寫(xiě)的存儲(chǔ)器EEPROM三大部分構(gòu)成,主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶(hù)程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:421719

帶隙基準(zhǔn)電路集成有源器件仿真設(shè)計(jì)

帶隙基準(zhǔn)廣泛應(yīng)用于模擬集成電路中。帶隙基準(zhǔn)電路輸出的基準(zhǔn)電壓可以為模擬集成電路提供穩(wěn)定的參考電壓或參考電流
2023-07-06 10:45:02670

MAX9669ETI/V+T是一款驅(qū)動(dòng)

。VCOM基準(zhǔn)電壓具有其10DAC和放大器,確保在臨界電平和模板顯示時(shí)保持穩(wěn)定電壓。MAX9669具有集成的多次編程(MTP)存儲(chǔ)器,可用于片內(nèi)存儲(chǔ)gamma
2023-07-04 11:30:16

MAX9668ETP+T是一款驅(qū)動(dòng)

帶有10DAC和放大器,當(dāng)顯示關(guān)鍵電平和圖像時(shí)確保電壓穩(wěn)定。MAX9668集成了可多次編程(MTP)的存儲(chǔ)器,用于存儲(chǔ)gamma和VCOM值,省去了外部EEPRO
2023-07-04 11:28:05

鐵電存儲(chǔ)器PB85RS2MC在智能配電箱中的應(yīng)用

鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性,讀寫(xiě)速度快,沒(méi)有寫(xiě)等待時(shí)間等優(yōu)勢(shì),能夠像RAM一樣操作,低功耗,擦寫(xiě)使用壽命長(zhǎng),芯片的擦寫(xiě)次數(shù)為100萬(wàn)次,比一般的E2PROM存儲(chǔ)器10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382

回顧易失性存儲(chǔ)器發(fā)展史

易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧,上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史,本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開(kāi)機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù),但在關(guān)閉時(shí)將其擦除,但是
2023-06-28 09:05:28873

PLC系統(tǒng)存儲(chǔ)器分類(lèi)介紹

PLC系統(tǒng)中的存儲(chǔ)器主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶(hù)程序和工作狀態(tài)數(shù)據(jù)。PLC的存儲(chǔ)器包括系統(tǒng)存儲(chǔ)器和用戶(hù)存儲(chǔ)器。
2023-06-26 14:02:453771

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器簡(jiǎn)介

半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存,斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失,主要有
2023-06-25 14:30:181959

RAM/ROM存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)

隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù),也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫(xiě)入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785

存儲(chǔ)器集成電路測(cè)試

存儲(chǔ)器集成電路領(lǐng)域的通用器件,其市場(chǎng)用量巨大,從類(lèi)型上分為 ROMEPROM、E2PROM、SRAM、DRAM、FLASH 等。
2023-05-30 09:56:44251

SOC設(shè)計(jì)之外部存儲(chǔ)器

存儲(chǔ)器的主要技術(shù)指標(biāo) * **存儲(chǔ)容量** 存儲(chǔ)器可以容納的二進(jìn)制信息量(尋址空間,由CPU的地址線(xiàn)決定) * **實(shí)際存儲(chǔ)容量:** 在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中具體配置了多少內(nèi)存。 * **存取速度:** 存取時(shí)間是指從啟動(dòng)一次存儲(chǔ)器操作到完成該操作所經(jīng)歷的時(shí)間,也稱(chēng)為讀寫(xiě)周期;
2023-05-26 11:28:10822

什么是外部存儲(chǔ)器

磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器,它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來(lái)記錄信息的,載體和表面磁性材料統(tǒng)稱(chēng)為記錄介質(zhì)。 存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長(zhǎng)度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì):1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下:ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766

單板硬件設(shè)計(jì):存儲(chǔ)器( NAND FLASH)

在單板設(shè)計(jì)中,無(wú)論是涉及到一個(gè)簡(jiǎn)易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì),都離不開(kāi)存儲(chǔ)器設(shè)計(jì): 1、存儲(chǔ)器介紹 存儲(chǔ)器的分類(lèi)大致可以劃分如下: ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器,ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37

MAX17000A是一款存儲(chǔ)器

MAX17000A脈寬調(diào)制(PWM)控制為筆記本電腦的DDR、DDR2、DDR3存儲(chǔ)器提供完整的電源方案。該器件集成了一路降壓控制、一路可源出/吸入電流的LDO穩(wěn)壓以及一路基準(zhǔn)緩沖,能夠產(chǎn)生
2023-05-17 09:48:45

【OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)】修改屏幕 DPI(像素密度)

【OpenHarmony標(biāo)準(zhǔn)系統(tǒng)】修改屏幕 DPI(像素密度)
2023-05-16 10:21:261611

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線(xiàn)沖突呢?

單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線(xiàn)沖突呢?
2023-05-10 15:17:56

80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?

80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開(kāi)編址的嗎?求解答
2023-05-09 16:04:22

如何為RT1172選擇FLASH存儲(chǔ)器?

通過(guò)quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí),應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式?
2023-04-27 06:03:21

CH32V103基礎(chǔ)教程28-DMA (外設(shè)到存儲(chǔ)器

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章,已講解存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式,本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè),通過(guò)串口調(diào)試助手等向開(kāi)發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù),數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開(kāi)發(fā)板并通過(guò)串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41

CH32V103基礎(chǔ)教程27-DMA (存儲(chǔ)器到外設(shè))

關(guān)于DMA,具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式:存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。前面已講解過(guò)關(guān)于存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器數(shù)據(jù)傳輸方式,本章將講解存儲(chǔ)器到外設(shè)的傳輸方式以及在下一章將會(huì)講解外設(shè)到存儲(chǔ)器的傳輸方式
2023-04-20 16:35:13

一文了解新型存儲(chǔ)器MRAM

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫(xiě)入能力,以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462540

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?

51單片機(jī)外擴(kuò)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器最大的容量是多少?可以達(dá)到50MB嗎?用的是什么芯片?
2023-04-19 16:34:36

CH32V103基礎(chǔ)教程13-DMA(存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器

本章教程講解DMA存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中,首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù),存放在內(nèi)部 FLASH,然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上(內(nèi)部SRAM),最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù),判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08

非易失性存儲(chǔ)器Flash和EEPROM之間的差異與優(yōu)缺點(diǎn)

在嵌入式系統(tǒng)中,F(xiàn)lash和EEPROM能夠存儲(chǔ)可用于通信或執(zhí)行某些功能的數(shù)據(jù)。它們可以通過(guò)多種不同的串行協(xié)議(包括SPI或串行外圍設(shè)備接口)來(lái)連接存儲(chǔ)設(shè)備。在單片機(jī)中也集成了多種不同類(lèi)型的SPI
2023-04-07 16:42:42

MRAM實(shí)現(xiàn)對(duì)車(chē)載MCU中嵌入式存儲(chǔ)器的取代

產(chǎn)品會(huì)取代獨(dú)立存儲(chǔ)器目前各廠(chǎng)商已經(jīng)基本掌握了用于實(shí)現(xiàn)第一階段應(yīng)用的關(guān)鍵技術(shù)。在車(chē)載MCU中,通常是將設(shè)備工作時(shí)使用的sram存儲(chǔ)器和用于存放程序的閃存集成在同一塊芯片上。如果能夠?qū)⒆孕⑷隡RAM集成
2023-04-07 16:41:05

非易失性存儲(chǔ)器FM33256B-G特征介紹

FM33256B-G器件將FRAM存儲(chǔ)器與基于處理系統(tǒng)最常用的功能集成在一起,主要功能包括非易失性存儲(chǔ)器,實(shí)時(shí)時(shí)鐘,低VDD復(fù)位,看門(mén)狗定時(shí),非易失性事件計(jì)數(shù),可鎖定的64序列號(hào)區(qū)域以及
2023-04-07 16:23:11

應(yīng)用案例 I 人體及醫(yī)用紅外熱像儀檢測(cè)校準(zhǔn)系統(tǒng)方案

明策科技MTC人體及醫(yī)用紅外熱像儀檢測(cè)校準(zhǔn)系統(tǒng)方案醫(yī)療紅外檢定智能化方案符合GB/T19665-2005電子紅外成像人體表面測(cè)溫儀規(guī)范GB/T19146-2010紅外人體表面溫度快速篩檢儀矩形
2023-04-04 10:00:57536

是否可以將FLASH用作輔助存儲(chǔ)器

我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器(而不是 EEPROM)。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器,如果可能,我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50

計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的組成之存儲(chǔ)器

我們知道計(jì)算機(jī)只有CPU是不能工作的,那理論上除了CPU還需要什么硬件呢?答:還需要 存儲(chǔ)器 。 那什么是存儲(chǔ)呢?在電子計(jì)算機(jī)中,用來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和指令等的記憶部件,叫做存儲(chǔ)器。 存儲(chǔ)器是由一些編號(hào)的單元所組成。 單元的編號(hào)叫做地址。
2023-03-30 14:41:501662

我們常用存儲(chǔ)器知道有哪些嘛

存儲(chǔ)器存儲(chǔ)介質(zhì)特性來(lái)說(shuō),可以分為兩類(lèi),一類(lèi)就是易失性存儲(chǔ)器,一類(lèi)是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看,易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存,而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤(pán)。
2023-03-30 14:22:431551

頻譜分析儀安立MS2692A_26.5G_2P無(wú)法進(jìn)入校準(zhǔn)系統(tǒng)最新維修

近日成都某院校送修安立頻譜分析儀MS2692A_26.5G_2P,客戶(hù)反饋無(wú)法進(jìn)入校準(zhǔn)系統(tǒng)。安泰維修檢測(cè)與客戶(hù)描述故障一致,本期將為大家分享本維修案例。 下面就是
2023-03-27 17:13:53433

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