我有一個 CYUSB3KIT-003。 我需要集成一個 NOR 閃存，我可以從中將固件讀取到 RAM，然后 NOR 閃存的一部分內(nèi)存應(yīng)該EVAL_2K4W_ACT_BRD_S7作為大容量存儲設(shè)備。
我應(yīng)該采取什么方法？
2024-03-05 07:23:50
芯片燒錄行業(yè)領(lǐng)導(dǎo)者-昂科技術(shù)近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中Macronix旺宏電子的256Mb位串行NOR閃存MX25L25673GM已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持。
2024-03-01 19:19:30
58 
與NAND Flash相比，NOR Flash具有較低的存儲密度和較高的成本，但具有較快的讀取速度、較低的讀取延遲和較好的隨機(jī)訪問性能。
2024-02-19 11:45:24641 
該方案是以 NXP S32K311 芯片為主控制器的評估板方案，S32K311 是基于 ARM Cortex-M7 的嵌入式應(yīng)用微控制器，有 64 KB 的 Dflash、1 MB 的 Pflash
2024-02-18 11:22:01
我希望使用 PDL 將 S25FL512SAGMFI010 閃存 IC 初始化并使用到 XIP 模式，供 QSPI 在 CY8C6145 MCU 上使用。
我對如何做到這一點(diǎn)的理解是 main 中
2024-01-22 06:55:15
對于 MB96F346RSBPMC，我不知道如何向閃存讀取/寫入數(shù)據(jù)。
有人可以指定用于讀/寫編程的編程引腳和接口嗎？
2024-01-19 06:27:39
NOR Flash是一種基于NOR門結(jié)構(gòu)的閃存，NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結(jié)構(gòu)，這意味著每個存儲單元都有一個地址，可以直接訪問任何存儲單元，這使NOR Flash具有快速的隨機(jī)訪問能力，適用于執(zhí)行代碼和讀取關(guān)鍵數(shù)據(jù)。
2023-12-27 14:37:05292 請問如何通過AD2S1210的A,B和NM信號來計(jì)算轉(zhuǎn)速
2023-12-15 07:54:43
AD2S1210讀取的速度計(jì)算：
1. rps是 “弧度每秒” 還是 ”轉(zhuǎn)每秒”？
2. 我的時(shí)鐘是由DSP給出的8MHz，分辨率是10-bit的情況下，最大值是不是代表3125rps/10.24MHz*8MHz=2441rps。
每LSB代表2441rps/512=4.7683rps?
2023-12-13 06:48:23
tempBuf1是0x7E，緊接著再讀取后tempBuf2就不是0x7E了，試了其它寄存器也一樣，只能讀取一次，第二次就返回默認(rèn)值了？
ad2s
2023-12-12 06:52:45
選擇Nor Flash作為存儲解決方案的一個主要原因就是Nor Flash的并行訪問結(jié)構(gòu)可實(shí)現(xiàn)快速讀取速度和低讀取延遲。
2023-12-05 14:32:31275 NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734 
讀取AD2S1210的速度寄存器，得到的速度值有±200rpm誤差，且呈正弦波動。旋轉(zhuǎn)變壓器設(shè)置為4對極，波形頻率為電機(jī)電流頻率的4倍。
由于采用的激勵不是AD芯片輸出，將鎖相范圍設(shè)置為了360
2023-11-30 06:56:38
閃速存儲器 （Flash Memory）簡稱閃存器或閃存，是一種非易失性存儲器(Non-volatile Memory， NVM)。目前常用的兩種閃存器是或非閃存器 (NOR Flash）和與非閃存
2023-11-23 09:36:17910 
使用AD2S1210并行讀取角度和速度，在普通模式下讀取位置和速度，出現(xiàn)如下問題：
1.位置讀取完全正確，在電機(jī)不轉(zhuǎn)時(shí)，速度寄存器的值卻在-1和768之間跳變。
請問這是怎么回事，位置讀取正確，速度卻出現(xiàn)問題？
2023-11-20 07:14:18
我們使用微量序列 NOR MT25QL256ABA( 32MB) 鞭笞, 無法使用“ flexspi_ nor_flash_ page_ page_ progragram” API 程序到 16MB
2023-11-13 06:39:52
作為西門子性能最強(qiáng)的通用變頻器，原則上S120支持所有的電機(jī)；但是1FL6電機(jī)卻不在starter的配置范圍內(nèi)，無法選擇。是否意味著S120不能支持1FL6？如果非把1FL6當(dāng)成普通的第三方同步伺服電機(jī)來用，會遇到哪些問題還是可以直接使用
2023-11-09 07:54:53
目前，NOR FLASH和NAND FLASH是市場上主要的非易失性閃存技術(shù)，但是據(jù)我了解，還是有很多工程師分不清NAND FLASH與NOR FLASH。
2023-10-01 14:05:00468 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《使用STARTUPE3對并行NOR閃存進(jìn)行配置后訪問的UltraScale FPGA應(yīng)用說明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-14 15:18:20
1 點(diǎn)擊上方 藍(lán)字 關(guān)注我們 NOR閃存已作為FPGA（現(xiàn)場可編程門列陣）的配置器件被廣泛部署。其為FPGA帶來的低延遲和高數(shù)據(jù)吞吐量特性使得FPGA在工業(yè)、通信和汽車ADAS（高級駕駛輔助系統(tǒng)
2023-08-15 13:55:02330 
使用壽命。該芯片幾乎達(dá)到了協(xié)議的最高理論速度（25MB/s），連續(xù)讀取最高速度可以到達(dá)20.6MB/s,連續(xù)寫入最高速度可以達(dá)到19.4MB/s。
pSLC SD Nand在文件傳輸時(shí)無論是大文件還是
2023-08-11 10:48:34
NOR Flash的讀取和我們常見的SDRAM的讀取是一樣，即可以根據(jù)地址隨機(jī)讀寫，用戶可以直接運(yùn)行裝載在NOR FLASH里面的代碼，這樣可以減少SRAM的容量從而節(jié)約了成本。因?yàn)槠?b class="flag-6" style="color: red">讀取速度快，多用來存儲程序、操作系統(tǒng)等重要信息。
2023-08-07 09:47:03763 
制造商: Winbond 產(chǎn)品種類: NOR閃存
2023-08-04 12:46:29
聚辰半導(dǎo)體推出SPI NOR Flash產(chǎn)品，可以覆蓋從消費(fèi)級，到工業(yè)級，直至汽車級的所有應(yīng)用，產(chǎn)品在可靠性，功耗，溫度和速度等關(guān)鍵性能指標(biāo)方面達(dá)到國內(nèi)外前沿水準(zhǔn)。
2023-07-31 16:34:01339 Flash（閃存）是一種可擦除的只讀存儲器，按照實(shí)現(xiàn)方式和運(yùn)行特性Flash一般還會分為NOR和NAND兩種。其中NOR Flash支持隨機(jī)地址的讀取方式，在讀取操作上類似于RAM，比較適合程序
2023-07-24 10:00:281845 
基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個UFS 4.0移動存儲解決方案，采用了232層3D TLC NAND閃存；速度提升很大，可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864 [e2studio] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB 快速入門指南
2023-07-07 20:41:030 [CS+] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB 快速入門指南
2023-07-07 20:40:510 [e2studio] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Smart Configurator Tutorial 手冊
2023-07-07 20:40:380 [CS+] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Smart Configurator Tutorial 手冊
2023-07-07 20:40:240 [e2studio] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Tutorial 手冊
2023-07-07 20:40:130 [CS+] Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Tutorial 手冊
2023-07-07 20:40:020 Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB CPU Board 原理圖s
2023-07-07 20:01:330 Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB 用戶手冊
2023-07-07 19:49:520 PG-FP5 V2.17 閃存編程器用戶手冊 RH850, RX64x, RX65x, RX66x, RX71x
2023-07-06 18:53:110 將 AWS 云與 FreeRTOS 連接 Renesas Starter Kit+ for RX65N-2MB Rev.1.00 入門指南
2023-07-03 20:23:020 RYZ014A Pmod LTE 連接與 RSK-RX65N-2MB – 快速入門指南
2023-06-30 19:14:500 RYZ024A PMOD LTE 連接與 RSK-RX65N-2MB MCU 快速入門指南
2023-06-29 19:14:220 華邦電子在過去多年都以 W25QxxDV 系列產(chǎn)品支持客戶對 8Mb Serial Flash 的需求，應(yīng)用領(lǐng)域包括儀器儀表、聯(lián)網(wǎng)設(shè)備、PC、打印機(jī)、車用及游戲設(shè)備。如今，W25QxxRV 的推出
2023-06-15 15:25:00404 2023 年 6 月 15 日，中國，蘇州 —— 全球半導(dǎo)體存儲解決方案領(lǐng)導(dǎo)廠商華邦電子今日宣布推出Serial NOR Flash的首款產(chǎn)品 8Mb 3V W25Q80RV。該產(chǎn)品具備更強(qiáng)的讀取
2023-06-15 15:03:07475 
我正在使用 LPCXpresso55S16，我想從閃存中動態(tài)分配內(nèi)存，向其中寫入數(shù)據(jù)，從中讀取數(shù)據(jù)，并在需要時(shí)釋放它。是否有教程或任何人都可以幫助我嗎？
2023-06-09 06:57:01
我打算在我的項(xiàng)目中使用帶有 2MB 板載閃存的 ESP-WROOM-S2，但我似乎無法讓用戶代碼從板載閃存工作。
與其他模塊的不同之處在于，S2 已通過閃存連接到 HSPI（與 SPI 相對）。
我
2023-05-31 06:38:49
S32ds Studio 3.4 版是否支持 S32K388 或 S32K358 系列？
2023-05-30 08:08:10
（MicroSD）存儲卡U1 C10 A1至尊高速移動版內(nèi)存儲卡讀速140MB/s
并且我們安裝了sysbench并進(jìn)行了IO測試，只得到讀取速度14.7 M /s。我們還測試了隨機(jī)寫入速度，達(dá)到
2023-05-29 07:58:38
我正在使用 S32K312，我需要使用 RTD 連接 Spansion S25 閃存，我正在使用 Lpspi_Ip_SyncTransmit() 函數(shù)來傳輸和接收數(shù)據(jù)，但是函數(shù)描述告訴長度參數(shù)是要發(fā)送的字節(jié)數(shù)，但是我們?nèi)绾尾拍苁褂孟嗤暮瘮?shù)接收所需的字節(jié)數(shù)？
2023-05-29 06:05:57
當(dāng)我使用mtd_debug工具讀取nor flash的內(nèi)存時(shí)，輸出結(jié)果中每128字節(jié)的前7字節(jié)為0。
以下是mtd命令：
#mtd_debug 擦除/dev/mtd0 0x5a0000
2023-05-24 13:14:51
S9S12G128的wafer有多少nm？
2023-05-24 07:38:27
中找到 LUT 和 WRITE_REG 操作的圖像 (QSPI_IP_OP_TYPE_WRITE_REG.png)。
我需要這個 WriteRegiter 指令來設(shè)置 QUAD SPI S25FL
2023-05-24 07:34:42
記：S32G_QSPI_NOR_20211125_V3.pdf。不幸的是，在中文中，為 MT35XU256ABA1G12-0AAT 提供了 QSPI 重新配置數(shù)據(jù)，與我們的非常相似：
LUT@0x244（從閃存基地址 0
2023-05-22 09:35:01
我對從 S32G274A 控制 Micron MT35XU512ABA QSPI 串行 NOR 閃存感到頭疼。
該板是定制板（不是 NXP RDB2 或 EVP 之一）。
我使用 NXP
2023-05-18 08:48:37
我正在使用 S32G274A 板（不是 NXP 產(chǎn)品之一，它是由第三方制造的），它安裝了 Micron
MT35XU512ABA 八進(jìn)制串行 NOR 閃存。對于 M7_0，我必須調(diào)整 RTD
2023-05-16 06:04:49
RYZ024A PMOD LTE 連接與 RSK-RX65N-2MB MCU 快速入門指南
2023-05-12 19:22:390 BOOT_MODE[1:0]= x00 從保險(xiǎn)絲啟動后，嘗試通過 FLEXSPI NOR（次級引腳，見圖 2）連接到引導(dǎo)實(shí)用程序，但出現(xiàn)圖 1 中的錯誤。
設(shè)備類型：試過 QuadSPI SDR NOR 和 QuadSPI DDR NOR。
我們的閃存部件號：I S25LP080D-JNLE-TR
可能是什么問題？
2023-05-10 08:53:24
我正在為我們的原型使用 IMXRT1172xx 微控制器。因?yàn)槲覀冇?jì)劃將 LittleFS 與在 Ext 中運(yùn)行的應(yīng)用程序代碼一起使用。64MB的閃存。
出于測試目的，我能夠成功運(yùn)行 SDK 中提
2023-05-08 06:44:03
;;
compatible = \\\"spansion,s25fl256l\\\", \\\"jedec,spi-nor\\\"
2023-05-06 06:23:09
（1MB*2^2）
所有 OTP 保險(xiǎn)絲均為出廠結(jié)果
引導(dǎo)模式[0] = 0
引導(dǎo)模式 [1] = 1
引導(dǎo)模式 [2] = 1
引導(dǎo)模式 [3] = 0
當(dāng)我擦除 NOR 閃存的“boot0”分區(qū)
2023-05-05 10:40:17
從 NOR 閃存啟動時(shí)，Core0 如何獲取啟動代碼？
電路板設(shè)置 (T1024RDB) 是：
開關(guān)將 RCW_SRC 設(shè)置為 NOR 閃存
PBL/RCW 設(shè)置為 BOOT_LOC = NOR
2023-05-04 07:16:23
我查看了 S32DS IDE 中的現(xiàn)有示例 Fls_Example_S32K344，它可以與外部 NOR 閃存MX25L6433FM2I-08G 64Mb通信 。移植 Nand 閃存 ，其讀/寫協(xié)議
2023-04-28 08:29:07
（E/E）架構(gòu)。英飛凌 SEMPER? X1 LPDDR 閃存為汽車域和區(qū)域控制器提供至關(guān)重要的安全、可靠和實(shí)時(shí)的代碼執(zhí)行。該器件的性能是當(dāng)前NOR 閃存的8 倍，實(shí)時(shí)應(yīng)用程序的隨機(jī)讀取事務(wù)速度提高了 20
2023-04-26 11:10:57591 
我們將 S32G-VNP-RDB2 開發(fā)板與 S32G274 SoC 一起使用。我們的目標(biāo)是編寫我們自己的第一階段引導(dǎo)加載程序并運(yùn)行專有操作系統(tǒng)。如果我們讓 U-Boot 運(yùn)行并中斷 Linux
2023-04-19 09:23:38
ESP32-S2 和 SPI 閃存的 CS 線有一些奇怪的行為。我希望整個交易的 CS 線都較低。但它僅在非常短的周期和時(shí)鐘脈沖期間處于低電平。寫入和讀取閃存工作正常。但是我們時(shí)不時(shí)會出現(xiàn)閃電腐敗
2023-04-11 13:13:33
的普及應(yīng)用將大致分為兩個階段。第一階段,它將取代車載MCU中應(yīng)用的嵌入式存儲器，其后在第二階段,它將取代手機(jī)中的MCP以及獨(dú)立DRAM和獨(dú)立NOR閃存等。圖1 65nm產(chǎn)品會取代嵌入式存儲器，45nm
2023-04-07 16:41:05
系列，也沒有任何時(shí)間計(jì)劃。 S32K144 和 S32K144W 之間的閃存編程是否有編程工具必須注意的差異？還有哪些其他編程工具可用，哪些支持 S32K144W？
2023-04-07 12:35:09
我正在嘗試使用 S32K314 和 LpSpi 實(shí)現(xiàn) SPI 閃存。因?yàn)橛幸粋€函數(shù)“Lpspi_Ip_SyncTransmit”，我假設(shè)它可以寫入和讀取數(shù)據(jù)。在此函數(shù)中，有一個參數(shù) length
2023-04-04 09:04:28
在查看 S32DS 中 S32K 閃存分區(qū)的示例代碼時(shí)，我發(fā)現(xiàn)生成的配置文件 (peripherals_flash_FTFC.c) 存在問題。閃存配置生成如下：/* 閃存用戶配置 0
2023-03-30 07:47:57
客戶想使用S32FlashTool來操作“MX66UM1G45GXDQ00”Flash memory，而S32FlashTool只支持少數(shù)flash芯片，例如：MX25UM51245G.bin
2023-03-29 08:00:43
目前，我使用的是 S32R294。我想從 S32 Design Studio for Power Architecure 下載 S32R294 的外部閃存。據(jù)我所知，外部閃存的代碼在啟動時(shí)被復(fù)制到 SRAM 中，因?yàn)?s32r294 中沒有內(nèi)部閃存。你能告訴我上述兩項(xiàng)的文件嗎？
2023-03-29 07:34:28
目前，我使用的是 S32R294。我想從 S32 Design Studio for Power Architecture 下載 S32R294 的外部閃存。據(jù)我所知，外部閃存的代碼在啟動時(shí)被復(fù)制到 SRAM 中，因?yàn)?s32r294 中沒有內(nèi)部閃存。
2023-03-29 06:13:04
我正在使用 S32K148 EVB 測試閃存中的 EEPROM 仿真。我想使用 EEE Size = 1KB，那么如何在 FlexRAM 中配置這個大小。是否有任何示例代碼可用于分區(qū) D 閃存
2023-03-28 08:28:20
我正在使用 i.MXRT1176 并計(jì)劃使用 FlexSPI 模塊將固件更新寫入外部 NOR 閃存。該應(yīng)用程序?qū)耐煌獠看鎯ζ鬟\(yùn)行，但是，更新將寫入不同的部分。我以前沒有使用過帶有外部程序存儲器
2023-03-24 08:08:30
我有一個有趣的問題，我確定是配置問題。這是我第一次使用 QSPI 閃存設(shè)備和 i.MX 系列部件。我通常在 M4 或更小的機(jī)器上跑得慢很多。我有 2 個 NOR 閃存設(shè)備連接到 RT1062
2023-03-24 07:52:57
你好：我的板子用的是S29GL256S，配置是32x16x1。但是，我只能在flash programmer中選擇32x8x1。嘗試擦除具有 32x8x1 配置的閃存時(shí)，發(fā)生錯誤。錯誤信息如下：fl
2023-03-24 06:50:00
我正在嘗試使用 CodeWarrior（版本：11.5.5）來刻錄我的 QSPI 閃存（MT25QU256ABA），似乎我遇到了一些隨機(jī)超時(shí)問題，fl_erase 在小內(nèi)存范圍內(nèi)工作正常，但如果我
2023-03-24 06:46:12
我正在嘗試編寫代碼來測試 LPC54s018-EVK 上的串行閃存。我需要首先確認(rèn)逐個扇區(qū)擦除閃存是可行且有效的，然后繼續(xù)我測試的其他階段。（我不想一次擦除整個芯片，因?yàn)槲覀兊闹饕浖枰獜?b class="flag-6" style="color: red">閃存中
2023-03-23 06:06:43
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