紫光的FPGA哪些系列支持高速接口？相關(guān)接口有哪些免費(fèi)的IP可以使用呢？性能怎么樣？
2024-03-20 16:58:29
在計(jì)算機(jī)中，CPU需要定期地從 RAM 存儲(chǔ)器中讀取數(shù)據(jù)和指令。隨著計(jì)算機(jī)應(yīng)用程序的不斷發(fā)展，RAM 存儲(chǔ)器的容量和速度不斷提高，以適應(yīng)計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的需要。
2024-03-04 17:30:07
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我們?cè)赑SoC? Creator 中有一個(gè) PSoC6 項(xiàng)目，并希望將 QSPI F-RAM?存儲(chǔ)器添加到TDA5235_868_5_BOARD中。我很難找到如何在F-RAM? PSoC
2024-03-01 12:14:13
通過多級(jí)存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)，存儲(chǔ)器層次結(jié)構(gòu)能夠在存儲(chǔ)容量和訪問速度之間找到一個(gè)平衡點(diǎn)。高速緩存存儲(chǔ)器和主存儲(chǔ)器提供了快速的訪問速度，而輔助存儲(chǔ)器則提供了大量的存儲(chǔ)空間。
2024-02-19 13:54:42121 
ram在計(jì)算機(jī)和數(shù)字系統(tǒng)中用來暫時(shí)存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和中間結(jié)果。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（ram）既可向指定單元存入信息又可從指定單元讀出信息。
2024-02-19 11:23:31568 
DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）存儲(chǔ)器主要通過電容來存儲(chǔ)信息。這些電容用于存儲(chǔ)電荷，而電荷的多寡則代表了一個(gè)二進(jìn)制位是1還是0。
2024-02-19 10:56:36264 
RAM（Random Access Memory）是一種計(jì)算機(jī)內(nèi)部存儲(chǔ)器，而ROM（Read-Only Memory）則是一種只讀存儲(chǔ)器。兩者在計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著不同的角色，起到不同的作用。本文
2024-02-04 17:05:16835 RAM（Random Access Memory）和ROM（Read-Only Memory）是計(jì)算機(jī)中兩種主要的存儲(chǔ)器件，它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)、功能以及與CPU之間的連接上有不同之處。RAM主要用于臨時(shí)存儲(chǔ)
2024-01-31 14:14:31478 1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪問
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
ROM（Read-Only Memory）是只讀存儲(chǔ)器，而RAM（Random Access Memory）是隨機(jī)存取存儲(chǔ)器。它們?cè)谟?jì)算機(jī)系統(tǒng)中扮演著不同的角色和功能。 ROM是一種非易失性存儲(chǔ)器
2024-01-25 10:46:28610 我想使用 DAP 協(xié)議對(duì) TC38x 系列 MCU 的 pFlash/DFlash 進(jìn)行編程。
是否有任何記錄了 DAP 協(xié)議詳細(xì)信息的相關(guān)文檔？ 如何通過 DAP 協(xié)議訪問內(nèi)部存儲(chǔ)器？
提前謝謝了！
2024-01-23 07:51:15
更改的。 數(shù)據(jù)可靠性：只讀存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)是在生產(chǎn)過程中進(jìn)行編程的，因此具有很高的可靠性。與可擦寫存儲(chǔ)器（如閃存）相比，ROM具有更低的故障率，并且不容易受到病毒或錯(cuò)誤操作的影響。 高速讀?。河捎谥蛔x存儲(chǔ)器中的數(shù)據(jù)是固定的，無需進(jìn)行寫
2024-01-17 14:17:39288 當(dāng)電源斷開時(shí)，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）中的數(shù)據(jù)通常會(huì)丟失。這是因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM是一種易失性存儲(chǔ)器，它必須以恒定的電源供應(yīng)來維持存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。在斷電時(shí)，RAM中的電荷會(huì)逐漸耗盡，導(dǎo)致其中的數(shù)據(jù)丟失。在這
2024-01-16 16:30:19838 ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
隨著人們對(duì)計(jì)算機(jī)和電子設(shè)備的需求不斷增長，存儲(chǔ)器的種類也越來越多。其中，RAM（Random Access Memory，隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器）是計(jì)算機(jī)中最常用的一種存儲(chǔ)器。RAM可以分為兩種類型，一種
2024-01-12 17:27:15512 MRAM或磁性隨機(jī)存取存儲(chǔ)器使用具有鐵磁性材料的磁性“狀態(tài)”的1晶體管–1磁性隧道結(jié)（1T-1MTJ）體系結(jié)構(gòu)作為數(shù)據(jù)存儲(chǔ)元素。
2024-01-09 14:24:03208 
靠近 CPU 的小、快速的高速緩存存儲(chǔ)器（cache memory）做為一部分存儲(chǔ)在相對(duì)慢速的主存儲(chǔ)器（main memory）中數(shù)據(jù)和指令的緩沖區(qū)域。
2023-12-25 09:21:50241 
多彩生活，每份閃耀和美好都值得被記錄。就在今天，致態(tài)又上新了！長江存儲(chǔ)旗下唯一零售存儲(chǔ)品牌致態(tài)，為大家?guī)砹藘煽?b class="flag-6" style="color: red">全新存儲(chǔ)卡產(chǎn)品：致態(tài)PRO專業(yè)高速存儲(chǔ)卡（以下簡稱“高速卡”）和致態(tài)Endurance
2023-12-08 11:02:05335 在數(shù)字電子設(shè)備中，存儲(chǔ)器是至關(guān)重要的部分。它負(fù)責(zé)存儲(chǔ)和檢索數(shù)據(jù)，以支持各種計(jì)算和數(shù)據(jù)處理任務(wù)。在存儲(chǔ)器市場中，有兩種主要的類型：隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器 ( RAM ) 和只讀存儲(chǔ)器 ( ROM )。盡管都是存儲(chǔ)器，但它們之間存在一些關(guān)鍵區(qū)別。
2023-12-05 15:46:17731 
后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器分類 1、按功能分為 （1）隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）特點(diǎn)：包括DRAM（動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器）和SRAM（靜態(tài)隨
2023-11-15 10:20:01731 
單片機(jī)的存儲(chǔ)器主要有幾個(gè)物理存儲(chǔ)空間
2023-11-01 06:22:38
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
Cache是位于CPU與主存儲(chǔ)器即DRAM（Dynamic RAM，動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器）之間的少量超高速靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM（Static RAM）
2023-10-31 15:07:23346 
大家有誰知道AT89C52怎么選擇外部存儲(chǔ)器，我之前用的是P89V51，選擇外部存儲(chǔ)器是定義AUXR=0x02;，但是現(xiàn)在想用AT89C52單片了，程序該怎么改了??？？AT89C52手??冊(cè)上找不到怎么選擇外部存儲(chǔ)器說明，各位高手有誰知道啊 ？?
2023-10-26 06:11:25
本應(yīng)用筆記詳細(xì)描述了如何利用AT32系列MCU存儲(chǔ)器中的零等待區(qū)（ZW），實(shí)現(xiàn)在擦除或者編程過程中保證CPU重要內(nèi)容正常運(yùn)行，免受MCU失速影響。
2023-10-24 08:17:28
請(qǐng)問雙口RAM能用來進(jìn)行跨時(shí)鐘域傳輸數(shù)據(jù)嗎？ 雙口RAM是一種用于在兩個(gè)時(shí)鐘域之間傳輸數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，因此它確實(shí)可以用于跨時(shí)鐘域傳輸數(shù)據(jù)。在本篇文章中，我們將深入探討雙口RAM的工作原理以及如何利用
2023-10-18 15:24:01472 存儲(chǔ)領(lǐng)域發(fā)展至今，已有很多不同種類的存儲(chǔ)器產(chǎn)品。下面給大家介紹幾款常見的存儲(chǔ)器及其應(yīng)用。
2023-10-17 15:45:50521 
存儲(chǔ)器測試問題怎么才能穩(wěn)定
2023-10-17 06:51:11
存儲(chǔ)器的種類很多，按其用途可分為主存儲(chǔ)器和輔助存儲(chǔ)器。主存儲(chǔ)器簡稱內(nèi)存，內(nèi)存在電腦中起著舉足輕重的作用，一般采用半導(dǎo)體存儲(chǔ)單元。因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">RAM是內(nèi)存其中最重要的存儲(chǔ)器，所以通常我們直接稱之為內(nèi)存。
2023-10-07 14:27:51470 怎么隨機(jī)存取存儲(chǔ)器ram中的存儲(chǔ)單元
2023-09-28 06:17:04
與EEPROM、FLASH等傳統(tǒng)的非易失性存儲(chǔ)器相比，具有優(yōu)越的高速寫入、高讀寫耐久性和低功耗性能。 由于車載電子控制系統(tǒng)對(duì)于存取各類傳感器資料的需求持
2023-09-27 10:00:51
如何檢測24c存儲(chǔ)器容量
2023-09-25 06:48:32
RAM中的一部分通常被用作緩存，用于存儲(chǔ)CPU經(jīng)常訪問的數(shù)據(jù)和指令，以提高計(jì)算機(jī)的性能。緩存能夠以較高的速度提供對(duì)這些數(shù)據(jù)的訪問，減少了對(duì)較慢的主存儲(chǔ)器（如硬盤）的訪問次數(shù)，從而加快了計(jì)算機(jī)系統(tǒng)的響應(yīng)速度。
2023-09-21 15:35:032395 存儲(chǔ)器可分為易失性存儲(chǔ)器和非易失性存儲(chǔ)器兩類，前者在掉電后會(huì)失去記憶的數(shù)據(jù)，后者即使在切斷電源也可以保持?jǐn)?shù)據(jù)。易失性存儲(chǔ)器又可分為 DRAM(Dynamic RAM)和SRAM(Static RAM
2023-09-15 15:59:02668 
DP32F003系列，DP32F0032系列和STM32F003一樣都是32位通用微控制器，最高工作頻率可達(dá) 48MHz，內(nèi)置高速存儲(chǔ)器，豐富的增強(qiáng)型 IO 端口和外設(shè)連接到總線。
DP32F
2023-09-14 11:07:38
空間
? 高達(dá)1M字節(jié)的片上閃存 ? 高達(dá)128K字節(jié)的內(nèi)嵌SRAM
? FSMC：靈活的高速外部存儲(chǔ)器接口
? 用于擴(kuò)展片外存儲(chǔ)器和外設(shè)
2023-09-13 08:27:23
系統(tǒng)架構(gòu)
? 多層AHB總線矩陣
? 存儲(chǔ)空間
? 存儲(chǔ)器映射
? 片上SRAM
? 位帶操作
? 片上閃存
? 自適應(yīng)閃存加速器（STM32F2新增）
? 啟動(dòng)模式
? 代碼空間的動(dòng)態(tài)重映射（STM32F2新增）
? 內(nèi)嵌bootloader
2023-09-13 06:20:58
在刪除和重新加載塊后，可能會(huì)在用戶存儲(chǔ)器(裝入和工作存儲(chǔ)器)中產(chǎn)生間隔，從而減少可使用的存儲(chǔ)器區(qū)域。使用壓縮功能，可將現(xiàn)有塊在用戶存儲(chǔ)器中無間隔地重新排列，并創(chuàng)建連續(xù)的空閑存儲(chǔ) 空間。
2023-09-11 17:35:43592 
存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)中的重要組成部分，用于存儲(chǔ)程序、數(shù)據(jù)和控制信息等。根據(jù)存儲(chǔ)信息的介質(zhì)和訪問方式的不同，存儲(chǔ)器可以分為隨機(jī)存儲(chǔ)器（RAM）、只讀存儲(chǔ)器（ROM）和硬盤存儲(chǔ)器等幾類。本文將介紹存儲(chǔ)器的工作原理、分類及結(jié)構(gòu)。
2023-09-09 16:18:272101 本文檔介紹了 STM32H7 系列微控制器上糾錯(cuò)碼（ECC）的管理和實(shí)現(xiàn)。本應(yīng)用筆記針對(duì)保護(hù)內(nèi)部存儲(chǔ)器內(nèi)容的 ECC 機(jī)制，描述了與之相關(guān)的硬件、軟件信息。除此之外，也可使用外部存儲(chǔ)器進(jìn)行 ECC
2023-09-08 07:31:20
本參考手冊(cè)面向應(yīng)用程序開發(fā)人員。它提供了關(guān)于如何使用STM32G4系列微控制器存儲(chǔ)器和外圍設(shè)備。
STM32G4系列是一系列具有不同內(nèi)存大小和封裝的微控制器以及外圍設(shè)備。
有關(guān)訂購信息、機(jī)械
2023-09-08 06:59:58
STM32 F7 概述? STM32總線架構(gòu)和存儲(chǔ)器映射? 總線架構(gòu)? 存儲(chǔ)器映射? Cache? STM32F7性能? Boot模式? 片上閃存(Flash)? 系統(tǒng)配置控制器(SYSCFG)? 復(fù)位和時(shí)鐘控制(RCC)? 電源管理(PWR)
2023-09-08 06:53:32
根據(jù)專利要點(diǎn)，提供本申請(qǐng)的一種存儲(chǔ)器是檢測方法及存儲(chǔ)半導(dǎo)體相關(guān)技術(shù)領(lǐng)域中存儲(chǔ)單位與上線之間漏電測定的復(fù)雜技術(shù)問題，該存儲(chǔ)器的檢測方法如下：選通字線，通過位線在所有存儲(chǔ)單元中寫設(shè)定存儲(chǔ)。
2023-09-07 14:27:24523 
全新高性價(jià)比STM32H5，引入STM32H5 MCU系列用于高性能設(shè)計(jì)，提高應(yīng)用程序性能，有靈活的電源模式，安全性可擴(kuò)展
2023-09-05 06:51:14
我們知道除了只讀存儲(chǔ)器外還有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器，這一篇將介紹另一種 存儲(chǔ)類IP核 ——RAM的使用方法。RAM是 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器 （Random Access Memory），是一個(gè)易失性存儲(chǔ)器，斷電丟失。RAM工作時(shí)可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定的地址寫入或讀出數(shù)據(jù)。
2023-08-29 16:46:071658 
庫的慢-慢工藝點(diǎn)對(duì)塊進(jìn)行合成，以200 MHz的目標(biāo)速度確認(rèn)時(shí)序特性。
接口存儲(chǔ)器端口上的信號(hào)符合RAM編譯器為TSMC CL013G工藝技術(shù)生產(chǎn)的單端口同步存儲(chǔ)器組件所要求的時(shí)序要求
2023-08-21 06:55:33
，英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進(jìn)一步擴(kuò)展其EXCELON? F-RAM存儲(chǔ)器產(chǎn)品，推出兩款分別具有1Mbit和4Mbit存儲(chǔ)密度的新型F-RAM存儲(chǔ)器。全新
2023-08-09 14:32:40397 
和數(shù)據(jù)緩存，包括具有
未命中（HUM）
?兩個(gè)緩存的64位接口
?可旁路寫入緩沖區(qū)
?一級(jí)緊密耦合存儲(chǔ)器（TCM），可用作本地RAM
?矢量浮點(diǎn)（VFP）協(xié)處理器
?跟蹤支持
?基于JTAG的調(diào)試
2023-08-02 09:15:45
一個(gè)可隨時(shí)存取數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器，即可讀(取)或?qū)?存)的存儲(chǔ)器，簡稱ram。
2023-07-25 15:28:37641 ADSP-21992進(jìn)一步擴(kuò)展了ADSP-2199x混合信號(hào)DSP產(chǎn)品系列的性能，可提供32K字程序存儲(chǔ)器RAM和16K字?jǐn)?shù)據(jù)存儲(chǔ)器RAM。此外，ADSP-21992還可提供片上CAN
2023-07-14 16:00:59
后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作易失存儲(chǔ)器（Volatile Memory），存儲(chǔ)內(nèi)容不會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱作非易失存儲(chǔ)器（Non-Volatile Memory）。 半導(dǎo)體存儲(chǔ)器的分類 * RAM
2023-07-12 17:01:131098 
可編程控制器的存儲(chǔ)器由只讀存儲(chǔ)器ROM、隨機(jī)存儲(chǔ)器RAM和可電擦寫的存儲(chǔ)器EEPROM三大部分構(gòu)成，主要用于存放系統(tǒng)程序、用戶程序及工作數(shù)據(jù)。
2023-07-11 14:26:421719 隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（RAM）用于實(shí)時(shí)存儲(chǔ)CPU正在使用的程序和數(shù)據(jù)。隨機(jī)存取存儲(chǔ)器上的數(shù)據(jù)可以被多次讀取、寫入和擦除。RAM是存儲(chǔ)當(dāng)前使用的數(shù)據(jù)的硬件元素。它是一種易失性存儲(chǔ)器。
2023-07-06 14:22:271948 鐵電存儲(chǔ)器(FRAM)具有非易失性，讀寫速度快，沒有寫等待時(shí)間等優(yōu)勢，能夠像RAM一樣操作，低功耗，擦寫使用壽命長，芯片的擦寫次數(shù)為100萬次，比一般的E2PROM存儲(chǔ)器高10倍。特別適合在為工業(yè)
2023-06-29 09:39:03382 易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程 繼續(xù)關(guān)于存儲(chǔ)器的發(fā)展回顧，上期我們回顧了非易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展史，本期內(nèi)容我們將回顧易失性存儲(chǔ)器的發(fā)展歷程。易失性存儲(chǔ)器在計(jì)算機(jī)開機(jī)時(shí)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，但在關(guān)閉時(shí)將其擦除，但是
2023-06-28 09:05:28873 存儲(chǔ)器是用來進(jìn)行數(shù)據(jù)存儲(chǔ)的（指令也是一種數(shù)據(jù)），按使用類型可分為只讀存儲(chǔ)器ROM(Read Only Memory)和隨機(jī)訪問存儲(chǔ)器RAM(Random Access Memory)，RAM是其中最為常見的一種形式。
2023-06-27 16:45:30458 
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器一般可分為易失性(Volatile Memory)和非易失性存儲(chǔ)器(Non Volatile Memory)。易失性存儲(chǔ)器是指數(shù)據(jù)信息只有在通電條件下才能保存，斷電后數(shù)據(jù)會(huì)丟失，主要有
2023-06-25 14:30:181959 
8 存儲(chǔ)器 RA6 MCU支持4GB的線性地址空間，范圍為 0000 0000h 到 FFFF FFFFh ，其中包含程序、數(shù)據(jù)和外部存儲(chǔ)器總線。該系列的某些產(chǎn)品包括一個(gè)SDRAM控制器，可利用
2023-06-21 12:15:03421 
ROM中存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)在斷電后依然存在，不會(huì)丟失，因此也被稱為非易失性存儲(chǔ)器。而RAM是易失性存儲(chǔ)器，當(dāng)斷電時(shí)，其中的數(shù)據(jù)將會(huì)丟失。
2023-06-20 16:38:442014 隨機(jī)存儲(chǔ)器可以隨時(shí)從任何一個(gè)指定地址中讀出數(shù)據(jù)，也可以隨時(shí)將數(shù)據(jù)寫入任何一個(gè)指定的存儲(chǔ)單元中
2023-06-05 15:49:47785 
************************************************* *************************************
* 詳細(xì)說明：
* 這個(gè)例子的目的是展示如何保存數(shù)據(jù)在 SRAM 存儲(chǔ)器中通過
2023-06-05 09:47:48
作為一種非易失性存儲(chǔ)器，鐵電存儲(chǔ)器兼具動(dòng)態(tài)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器DRAM的高速度與可擦除存儲(chǔ)器EEPROM非易失性優(yōu)點(diǎn)，雖然容量和密度限制了其大規(guī)模應(yīng)用，但在要求高安全性與高可靠性等工業(yè)應(yīng)用場合，鐵電存儲(chǔ)器以幾乎無限的讀寫次數(shù)、超低及高抗干擾能力得到用戶的青睞。
2023-06-01 10:57:52134 
磁表面存儲(chǔ)器——磁表面存儲(chǔ)器，它們都是利用涂敷在載體表面薄層磁性材料來記錄信息的，載體和表面磁性材料統(tǒng)稱為記錄介質(zhì)。
存儲(chǔ)密度——磁表面存儲(chǔ)器單位長度或單位面積磁層表面所能存儲(chǔ)的二進(jìn)制信息量
2023-05-26 11:27:061409 在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：1、存儲(chǔ)器介紹存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)停止供電
2023-05-19 17:04:36766 
在單板設(shè)計(jì)中，無論是涉及到一個(gè)簡易的CPU、MCU小系統(tǒng)或者是復(fù)雜的單板設(shè)計(jì)，都離不開存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)：
1、存儲(chǔ)器介紹
存儲(chǔ)器的分類大致可以劃分如下：
ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器，ROM在系統(tǒng)
2023-05-19 15:59:37
單片機(jī)的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器共處同一地址空間為什么不會(huì)發(fā)生總線沖突呢？
2023-05-10 15:17:56
80C51單片機(jī)中存儲(chǔ)器是RAM和ROM分開編址的嗎？求解答
2023-05-09 16:04:22
下一階段，復(fù)旦微電全新FM24LN、FM24N系列EEPROM存儲(chǔ)器全系列產(chǎn)品將覆蓋64Kbit~2Mbit容量，F(xiàn)M25N將補(bǔ)全64Kbit~4Mbit全系列容量。
2023-05-05 11:23:26377 
通過quad SPI接口選擇FLASH存儲(chǔ)器與RT1172一起使用時(shí)，應(yīng)該將其設(shè)置為Buffer Read模式還是Continuous Read模式？
2023-04-27 06:03:21
RAM ：隨機(jī)存取存儲(chǔ)器（random access memory，RAM）又稱作“隨機(jī)存儲(chǔ)器”。
2023-04-25 15:58:205062 
關(guān)于DMA，具有三種數(shù)據(jù)傳輸方式：存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器、存儲(chǔ)器到外設(shè)、外設(shè)到存儲(chǔ)器。在第十三章以及第二十七章，已講解存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器傳輸方式以及存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，本章將講解DMA外設(shè)到存儲(chǔ)器傳輸方式。使用串口1作為外設(shè)，通過串口調(diào)試助手等向開發(fā)板發(fā)送數(shù)據(jù)，數(shù)據(jù)會(huì)被返回給開發(fā)板并通過串口調(diào)試助手顯示。
2023-04-20 16:37:41
。關(guān)于DMA存儲(chǔ)器到外設(shè)傳輸方式，程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH中，然后通過DMA的方式傳輸?shù)?b class="flag-6" style="color: red">串口的數(shù)據(jù)寄存器，然后通過串口把這些數(shù)據(jù)發(fā)送到電腦的上位機(jī)顯示出來。
2023-04-20 16:35:13
MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory)是一種新型的非揮發(fā)性的磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器。它擁有靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器(SRAM)的高速讀取寫入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器
2023-04-19 17:45:462540 本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
自旋注入MRAM在功能方面兼具了DRAM及NAND閃存等現(xiàn)有存儲(chǔ)器的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)在性能方面又超過了現(xiàn)有幾乎所有的存儲(chǔ)器，因此有可能會(huì)贏得巨大的市場(見表1)。具體在功能方面，自旋注入MRAM與閃存一樣
2023-04-07 16:41:05
這兩個(gè)存儲(chǔ)器，從而提高性能并允許在同一個(gè)周期訪問程序和數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器映射中包含片上RAM、外設(shè)I/O寄存器、程序ROM、數(shù)據(jù)閃存和外部存儲(chǔ)器區(qū)域。 圖13. RA2A1存儲(chǔ)器映射 7.1 SRAM
2023-04-06 16:45:03466 我們正在嘗試將內(nèi)部 ROM 閃存用作 LPC 1768、LPC 55S16 中的輔助存儲(chǔ)器（而不是 EEPROM）。是否可以將 FLASH 用作輔助存儲(chǔ)器，如果可能，我們?nèi)绾问褂?。?qǐng)指導(dǎo)我們實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)
2023-04-04 08:16:50
ROM和RAM的區(qū)別是什么？ROM和RAM都是一種存儲(chǔ)技術(shù)，只是兩者原理不同，RAM為隨機(jī)存儲(chǔ)，掉電不會(huì)保存數(shù)據(jù)，而ROM可以在掉電的情況下，依然保存原有的數(shù)據(jù)。ROM和RAM指的都是半導(dǎo)體存儲(chǔ)器
2023-03-30 14:53:271938 存儲(chǔ)器按存儲(chǔ)介質(zhì)特性來說，可以分為兩類，一類就是易失性存儲(chǔ)器，一類是非易失性存儲(chǔ)器。從計(jì)算機(jī)角度上看，易失性存儲(chǔ)器可以理解為內(nèi)存，而非易性存儲(chǔ)器可以理解為硬盤。
2023-03-30 14:22:431551 
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器（RAM）：單片機(jī)中的RAM用于存儲(chǔ)程序的變量和中間結(jié)果，它是易失性存儲(chǔ)器，需要外部電源供電。
2023-03-28 18:21:489294
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