耐壓30V降壓恒壓芯片的工作原理如下：
該芯片內(nèi)部集成了開關(guān)管和同步整流管，通過(guò)它們進(jìn)行電壓的轉(zhuǎn)換，將輸入的30V電壓降至所需的輸出電壓（如12V或5V）。在工作過(guò)程中，該芯片通過(guò)PWM
2024-03-22 11:31:10
電路和系統(tǒng)。
DC-DC30V降壓24V、12V、5V、3.3V/1A H4110降壓穩(wěn)壓芯片
產(chǎn)品描述
H4110是一種內(nèi)置30V耐壓MOS，并且能夠?qū)崿F(xiàn)精確恒壓以及恒流的異步降壓型 DC-DC
2024-03-19 10:28:19
服務(wù)范圍大規(guī)模集成電路芯片檢測(cè)標(biāo)準(zhǔn)●JESD22-A103/ A104/ A105/ A108/ A110●J-STD-020●JS-001/002●JESD78檢測(cè)項(xiàng)目（1）芯片級(jí)可靠性驗(yàn)證試驗(yàn)
2024-03-14 16:28:30
蘋果公司在官網(wǎng)推出了新款MacBook Air，搭載高性能M3芯片，提供13英寸和15英寸兩種尺寸選擇。新款MacBook Air不僅性能卓越，還擁有出色的電池續(xù)航，最長(zhǎng)可達(dá)18小時(shí)，滿足
2024-03-13 17:37:56
292 全球知名半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay日前宣布推出其最新型的多功能30V N溝道TrenchFET?第五代功率MOSFET——Vishay Siliconix SiSD5300DN。這款新型功率
2024-03-12 10:38:14102 在電子元件領(lǐng)域不斷創(chuàng)新的Vishay公司，近日宣布推出新系列的浪涌限流正溫度系數(shù)（PTC）熱敏電阻——Vishay BCcomponents PTCEL系列。這款新型熱敏電阻以其寬阻值范圍、高電壓處理能力和高能量吸收能力，為汽車和工業(yè)應(yīng)用中的有源充放電電路帶來(lái)了顯著的性能提升。
2024-03-12 10:34:11105 近日，全球知名的半導(dǎo)體解決方案供應(yīng)商Vishay宣布推出新型80V對(duì)稱雙通道N溝道功率MOSFET，型號(hào)為SiZF4800LDT。這款新產(chǎn)品將高邊和低邊TrenchFET? Gen IV
2024-03-12 10:32:0293 在全球電力電子領(lǐng)域，英飛凌科技以其卓越的技術(shù)創(chuàng)新能力和領(lǐng)先的產(chǎn)品質(zhì)量贏得了廣泛贊譽(yù)。近日，該公司宣布推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域邁入了新的發(fā)展階段。
2024-03-12 09:53:5297 在電力電子領(lǐng)域持續(xù)創(chuàng)新的英飛凌科技股份公司近日宣布，其已成功推出新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)——CoolSiC? MOSFET Generation 2。這一創(chuàng)新技術(shù)的推出，標(biāo)志著功率系統(tǒng)和能量轉(zhuǎn)換領(lǐng)域迎來(lái)了新的里程碑，為行業(yè)的低碳化進(jìn)程注入了強(qiáng)大動(dòng)力。
2024-03-12 09:43:29125 Vishay 推出多功能新型 30 V N 溝道 TrenchFET 第五代功率 MOSFET，進(jìn)一步提高工業(yè)、計(jì)算機(jī)、消費(fèi)電子和通信應(yīng)用的功率密度，增強(qiáng)熱性能。
2024-02-22 17:11:08353 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《20 V，雙N溝道溝槽MOSFET PMDPB30XNA數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-20 10:03:24
0 壓的應(yīng)用需求。
產(chǎn)品特性
l內(nèi)置30V耐壓MOS,支持2.5V-24V輸入
l低靜態(tài)電流：100uA
l輸出電流：16~2000mA
lPWM調(diào)光：最高頻率25KHz，分辨率可達(dá)1000：1
l輸出電流精度
2024-02-01 16:44:39
Vishay威世科技日前宣布，其光電子產(chǎn)品部推出了一款全集成超小型接近傳感器——VCNL36828P。這款傳感器專為提高消費(fèi)類電子應(yīng)用的效率和性能而設(shè)計(jì)。
2024-01-29 10:21:38283 Alpha and Omega Semiconductor Limited (AOS) 推出了一款 100V MOSFET——AONA66916，采用了創(chuàng)新的雙面散熱 DFN 5 x 6 封裝。這一創(chuàng)新型封裝為 AOS 產(chǎn)品賦予了卓越的散熱性能，使其在長(zhǎng)期惡劣的運(yùn)行條件下仍能保持穩(wěn)定的性能。
2024-01-26 18:25:151382 深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSM2016 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級(jí)電流傳感器，其主要應(yīng)用于對(duì)200A 以下的電流做隔離測(cè)量。 產(chǎn)品特性? 電流
2024-01-10 11:52:17
深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級(jí)電流傳感器，其主要應(yīng)用于對(duì)200A 以下的電流做隔離測(cè)量。 產(chǎn)品特性? 電流
2024-01-10 11:39:17
深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級(jí)電流傳感器，其主要應(yīng)用于對(duì)200A 以下的電流做隔離測(cè)量。產(chǎn)品特性? 電流量程多檔可選
2024-01-10 11:30:06
深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級(jí)電流傳感器，其主要應(yīng)用于對(duì)200A 以下的電流做隔離測(cè)量。 產(chǎn)品特性? 電流
2024-01-10 11:11:12
深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSM2013 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級(jí)電流傳感器，其主要應(yīng)用于對(duì)200A 以下的電流做隔離測(cè)量。產(chǎn)品特性? 電流量程多檔可選
2024-01-10 11:05:46
深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級(jí)電流傳感器，其主要應(yīng)用于對(duì)200A 以下的電流做隔離測(cè)量。產(chǎn)品特性? 電流量程多檔可選
2024-01-10 11:02:19
深圳市港禾科技有限公司產(chǎn)品描述NSM201x 系列是納芯微推出的200A 以下的芯片級(jí)電流傳感器，其主要應(yīng)用于對(duì)200A 以下的電流做隔離測(cè)量。產(chǎn)品特性? 電流量程多檔可選
2024-01-09 14:31:11
在雙電源±15
V的供電的狀態(tài)下，ADG1408的模擬通道能輸入
30V（相對(duì)GND）的模擬電壓?jiǎn)幔?/div>
2024-01-05 12:57:40
, 20Vgs (±V)- 閾值電壓：-1V- 封裝：SOT23**詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明：**RSR025P03TL-VB是一款P溝道MOSFET，最大耐壓為-30V，最大
2023-12-20 15:58:08
。- **工作電壓（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐壓上限，負(fù)值表示器件是P溝道。- **持續(xù)電流（ID）：** -7A，表示MOSFET可以承受的最大電流
2023-12-18 17:03:12
。- **工作電壓（VDS）：** -30V，表示MOSFET的耐壓上限，負(fù)值表示器件是P溝道。- **持續(xù)電流（ID）：** -6A，表示MOSFET可以承受的最
2023-12-18 10:18:54
集特推出新款龍芯主板GM9-3003
2023-12-14 16:03:07209 
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia（安世半導(dǎo)體）近日宣布推出新款 GaN FET 器件，該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和專有銅夾片 CCPAK 表面貼裝封裝，為工業(yè)和可再生能源應(yīng)用的設(shè)計(jì)人員提供更多選擇。
2023-12-13 10:38:17312 VBsemi推出絲印型號(hào)為VB2355的MOSFET型號(hào)AO3401。這款P溝道MOSFET適用于各種電路應(yīng)用。其主要特點(diǎn)包括高達(dá)-30V的高壓容忍度和-5.6A的電流處理能力，10V時(shí)的低導(dǎo)通電
2023-11-23 11:58:58
硬件面試中有遇到過(guò)這樣的事嗎？通常讓你畫一個(gè)增強(qiáng)型的MOSFET，或是N溝道MOSFET或是P溝道MOSFET
2023-11-21 15:05:31778 
N溝道MOSFET截止，電感電流下降，電感中的能量轉(zhuǎn)移到電池中。當(dāng)電感電流下降到外部電流檢測(cè)電阻設(shè)置的下限時(shí)，外置N溝道MOSFET再次導(dǎo)通，如此循環(huán)。當(dāng)BAT管腳電壓第一次達(dá)到內(nèi)部設(shè)置的8.4V
2023-11-21 12:14:43
利用AD5522怎么設(shè)計(jì)一個(gè)正負(fù)30V的PPMU? AD5522輸出電壓最大只能輸出正負(fù)11V左右。但我們客戶的需求是30V的。不知道用AD5522能否設(shè)計(jì)出30V的ppmu?。如果利用升壓電路可以解決，硬件的方案是如何的呢？
2023-11-16 07:09:56
如何設(shè)計(jì)一個(gè)高效率低功耗低噪聲的直流3V升壓到30V的電路？
電流1ma之內(nèi)即可。
2023-11-16 06:36:14
生成式AI火爆全球之后，英偉達(dá)的AI芯片一張難求，就在英偉達(dá)重量級(jí)選手H100 AI芯片目前依然是一貨難求的情況下，英偉達(dá)推出新款AI芯片H200。 H100目前算是算力市場(chǎng)硬通貨，而H200則更強(qiáng)
2023-11-14 16:45:50916 
東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）近日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備以及電池組保護(hù)。
2023-11-09 17:39:10459 ? 中國(guó)上海， 2023 年 11 月 7 日 ——東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布，推出“SSM10N961L”低導(dǎo)通電阻30V N溝道共漏極MOSFET，適用于帶有USB的設(shè)備
2023-11-09 15:19:57663 
?Toshiba Electronic Devices & Storage Corporation ("Toshiba")日前推出了“SSM10N961L”。這是一款低導(dǎo)通電阻、30V N溝道共漏MOSFET，適用于帶USB的設(shè)備和電池組保護(hù)。產(chǎn)品發(fā)貨即日起開始。
2023-11-08 16:22:22319 型號(hào) 20P03絲印 VBE2338品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 26A 開通電阻（RDS(ON)） 33mΩ @ 10V, 46m
2023-11-06 11:24:18
型號(hào) AP6679GH絲印 VBE2309品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 60A 開通電阻（RDS(ON)） 9mΩ @ 10V, 12m
2023-11-06 09:41:12
型號(hào) SI2323DST1GE3絲印 VB2355品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 5.6A 導(dǎo)通電阻 47mΩ @10V, 56m
2023-11-06 09:17:31
新潔能NCE30P12S NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET新潔能NCE30P12S，一款卓越的P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET，采用前沿的溝槽技術(shù)，盡顯卓越性能。民信微其低RDS（ON）特性
2023-11-05 09:54:550 新潔能NCE30P30K NCE P通道增強(qiáng)模式電源MOSFET TO-252-2L新潔能NCE30P30K，全新升級(jí)，為您的高電流負(fù)載應(yīng)用提供強(qiáng)大支持！采用先進(jìn)的溝槽技術(shù)和設(shè)計(jì)，民信微我們
2023-11-03 20:39:340 型號(hào) AOD425A絲印 VBE2317品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 40A 導(dǎo)通電阻 18mΩ@10V, 25mΩ@4.5V
2023-11-03 14:34:40
型號(hào) FDS4435BZNL絲印 VBA2317品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 7A 導(dǎo)通電阻 23mΩ@10V, 29m
2023-11-03 14:04:50
型號(hào) FDD6637絲印 VBE2309品牌 VBsemi參數(shù)說(shuō)明 MOSFET類型 P溝道 額定電壓(VDS) 30V
2023-11-03 11:57:26
AO4409詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 11A 導(dǎo)通電阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 門源
2023-11-03 11:37:23
MT4606詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 極性 N+P溝道 額定電壓 ±30V 額定電流 9A (N溝道), 6A (P溝道) 導(dǎo)通電阻 15mΩ @ 10V (N溝道), 42mΩ @ 10V (P
2023-11-02 16:15:57
型號(hào) ME4925絲印 VBA4317品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 2個(gè)P溝道 額定電壓 30V 額定電流 8.5A RDS(ON) 21mΩ @ 10V，28mΩ @ 4.5V
2023-11-02 14:52:31
STM4639詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 極性 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 11A 導(dǎo)通電阻 11mΩ @ 10V, 15mΩ @ 4.5V 門源電壓 20Vgs (±V) 閾值電壓
2023-11-02 09:37:49
型號(hào) AO4425絲印 VBA2311品牌 VBsemi詳細(xì)參數(shù)說(shuō)明 類型 P溝道MOSFET 最大耐壓 30V 最大電流 11A 導(dǎo)通電阻 10mΩ @10V, 13mΩ @4.5V
2023-11-01 10:37:54
型號(hào) FDN304PNL絲印 VB2355品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V
2023-10-31 11:24:55
型號(hào) AP2303GN絲印 VB2355品牌 VBsemi參數(shù) 頻道類型 P溝道 額定電壓 30V 額定電流 5.6A RDS(ON) 47mΩ @ 10V，56mΩ @ 4.5V 門源
2023-10-30 11:14:23
VBsemi推出絲印型號(hào)為VB2355的MOSFET型號(hào)AO3401。這款P溝道MOSFET適用于各種電路應(yīng)用。其主要特點(diǎn)包括高達(dá)-30V的高壓容忍度和-5.6A的電流處理能力，10V時(shí)的低導(dǎo)通電
2023-10-26 16:21:10
Littelfuse 公司宣布推出CPC3981Z，一種800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET。
2023-10-18 09:13:28502 1~~2W的隔離電源。
VPS8701B內(nèi)部集成兩個(gè)N溝道功率MOSFET和兩個(gè)P溝道功率MOSFET，并組成橋式連接方式。芯片內(nèi)部集成振蕩器提供一對(duì)高精度互補(bǔ)信號(hào)，能有效確保兩路功率MOSFET驅(qū)動(dòng)
2023-10-12 10:04:51
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK4D50-30P P溝道溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 11:35:370 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《PSMN2R6-80YSF N溝道MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-27 09:32:500 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BUK6D16-30E N溝道溝槽式MOSFET手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2023-09-26 15:43:170 供應(yīng)AP3400A N溝道 30V 5.8A MOS場(chǎng)效應(yīng)管-mos3400規(guī)格參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供mos3400規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:28:260 供應(yīng)AP30N03K 低結(jié)電容 30V MOS-30N03K場(chǎng)效應(yīng)管參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30N03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 11:14:000 供應(yīng)AP30H80K 30V 80A N溝道MOS管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供30H80K規(guī)格書參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:52:000 供應(yīng)AP30H150KA 30V 150A N溝道MOS管-30h150場(chǎng)效應(yīng)管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP30H150KA規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-09-25 10:39:500 V Vishay?推出新型 6 A、20 A 和 25 A microBRICK 同步降壓穩(wěn)壓器，用來(lái)提高負(fù)載點(diǎn) (POL) 轉(zhuǎn)換器的功率密度和效率。 Vishay SiliconixSiC931
2023-09-15 10:41:09545 
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
12V升30V升壓芯片AH1160是一種電子元件，可以將電壓從12V升高到30V。此芯片內(nèi)置了60V NMOS升壓型LED驅(qū)動(dòng)器，可以有效地驅(qū)動(dòng)LED燈。該芯片的反饋電流采樣電壓為250mV，可以用來(lái)監(jiān)測(cè)LED驅(qū)動(dòng)器輸出電流的值。
2023-09-14 10:27:59509 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）宣布，推出兩款采用東芝新型S-TOGL（小型晶體管輪廓鷗翼式引腳）封裝與U-MOS IX-H工藝芯片的車載40V N溝道功率MOSFET——“XPJR6604PB”和“XPJ1R004PB”。兩款產(chǎn)品已于8月17日開始支持批量出貨。
2023-08-24 11:19:10600 
供應(yīng)AP90P03Q p溝道mos管 30v 60a絲印:90P03Q-銓力半導(dǎo)體代理，提供AP90P03Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:40:01
供應(yīng)AP50P03K 35a 30v p溝道增強(qiáng)型mos管絲印AP50P03，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP50P03K規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:31:063 供應(yīng)AP50P03K p溝道mos -30v -35a絲印:AP50P03 儲(chǔ)能、小家電mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP50P03K 規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:30:12
供應(yīng)AP18P30Q -20a -30v耐壓的p型mos 絲印:18P30Q參數(shù)，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP18P30Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:19:590 供應(yīng)AP18P30Q p溝道mos管 30v 20a 絲印:18P30Q，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP18P30Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:19:05
供應(yīng)AP15P03Q PDFN3*3 P溝道-30v -12A vbus開關(guān)mos管，是ALLPOWER銓力半導(dǎo)體代理商，提供AP15P03Q規(guī)格參數(shù)等，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-08-22 17:13:54
倍加福推出新款 VOC工業(yè)事件相機(jī) ，再次擴(kuò)展工業(yè)視覺產(chǎn)品系列。該相機(jī)可以實(shí)現(xiàn) 在觸發(fā)信號(hào)前后長(zhǎng)達(dá) 60 秒、以事件為驅(qū)動(dòng)的視頻記錄 ，從而實(shí)現(xiàn)針對(duì)性的簡(jiǎn)單遠(yuǎn)程診斷以及 自動(dòng)文檔記錄 。
2023-07-28 14:10:23513 在H橋電路中實(shí)現(xiàn)P溝道MOSFET可能看起來(lái)既簡(jiǎn)單又誘人，但可能需要一些嚴(yán)格的計(jì)算和參數(shù)才能實(shí)現(xiàn)最佳響應(yīng)。
2023-06-29 15:28:02957 
在這個(gè)設(shè)計(jì)中，我們看到了使用N溝道MOSFET實(shí)現(xiàn)BPS電路的理想方法。
2023-06-27 17:29:31599 
一、22AP80或SS522V100是入門級(jí)DVR解決方案，能做到4路1080p@30fps編碼 +2路1080p@30fps解碼 +多路圖像分析方法智能算法；可以平替Hi3520DV510。
二
2023-06-17 18:57:03
供應(yīng)mos PTS4842 30V/7.7A雙n溝道mos管，提供4842雙mos管規(guī)格書及關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 14:46:251 供應(yīng)PTS4842 MOS場(chǎng)效應(yīng)管-30V/7.7A雙N溝道高級(jí)功率MOSFET，提供PTS4842雙mos管關(guān)鍵參數(shù) ，更多產(chǎn)品手冊(cè)、應(yīng)用料資請(qǐng)向深圳市驪微電子申請(qǐng)。>>
2023-06-10 14:45:17
Vishay VOMDA1271 器件通過(guò) AEC-Q102 認(rèn)證 開關(guān)速度和開路輸出電壓（8.5V）達(dá)到業(yè)內(nèi)先進(jìn)水平 Vishay? 推出一款業(yè)內(nèi)先進(jìn)的新型汽車級(jí)光伏 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器
2023-06-08 19:55:02374 
*附件：power1.pdf
遇到一個(gè)電源板無(wú)法供電故障，此電源電路采用P溝道MOS限流保護(hù)設(shè)計(jì)。正常啟動(dòng)時(shí)Q14柵極上電慢，低于源極，MOS管導(dǎo)通，經(jīng)過(guò)后級(jí)U9基準(zhǔn)和U27運(yùn)放組成恒壓源電路，限制
2023-06-05 22:50:12
亮鉆推出新款核心板Y-3566，其采用四核Cortex-A55內(nèi)核的瑞芯微RK3566處理器，主頻可達(dá)1.8GHz。郵票孔接口設(shè)計(jì)，支持8GB大內(nèi)存，集成最高1Tops AI算力的NPU，為用戶提供“嵌入式”+“AI”解決方案平臺(tái)。
2023-05-17 15:57:27965 
上海數(shù)明半導(dǎo)體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅(qū)動(dòng)器 SiLM27624 系列，支持高達(dá) 30V 的輸入電源供電，滿足更高的驅(qū)動(dòng)電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438 
請(qǐng)問(wèn)CANbus至RS232協(xié)議轉(zhuǎn)換器能夠用30V電壓的電源嗎？
2023-05-09 11:03:26
在本文中，我們將學(xué)習(xí)如何使用 P溝道和 N 溝道 MOSFET 構(gòu)建通用全橋或 H 橋 MOSFET 驅(qū)動(dòng)電路，該電路可用于制造電機(jī)、逆變器和許多不同的功率轉(zhuǎn)換器的高效驅(qū)動(dòng)電路。
2023-04-29 09:35:005288 
IU5180集成30V的OVP功能，3A充電電流1~4節(jié)鋰電池，升降壓充電芯片
2023-04-19 20:49:56630 
IU5180集成30V的OVP功能，3A充電電流1~4節(jié)鋰電池，升降壓充電芯片
2023-04-19 20:49:374 MOSFET是以金屬層（M）柵極隔著氧化層（O）利用電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制半導(dǎo)體（S）的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，其特點(diǎn)是用柵極電壓來(lái)控制漏極電流。根據(jù)其溝道的極性不同，MOSFET可分為電子占多數(shù)的N溝道型與空穴占多數(shù)的P溝道型，通常又稱為N型MOSFET（NMOSFET）和P型MOSFET（PMOSFET）。
2023-04-13 09:40:30691 LAMP INCAND S-6 BAYONET 30V
2023-03-28 20:26:17
LAMP INCAND 30V CANDELABRA SCRW
2023-03-28 20:23:07
-30V P溝道MOSFET
2023-03-28 12:55:19
30V P溝道MOSFET
2023-03-27 11:54:35
LTC7001 是一款快速、高壓側(cè) N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)器，選用高達(dá) 135V 的輸入電壓作業(yè)。該器材包括一個(gè)擔(dān)任全面增強(qiáng)外部 N 溝道 MOSFET 開關(guān)的內(nèi)部充電泵，因此使其可以無(wú)限期地堅(jiān)持導(dǎo)通。
2023-03-23 09:46:45514 
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