電子發(fā)燒友App

硬聲App

0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

電子發(fā)燒友網(wǎng)>新品快訊>十六die NAND閃存誕生:單顆容量64GB

十六die NAND閃存誕生:單顆容量64GB

收藏

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴

評(píng)論

查看更多

相關(guān)推薦

三星、海力士推出GDDR7顯存,最高時(shí)速48Gbps、64Gb

值得關(guān)注的是,新型GDDR7內(nèi)存提供的容量選項(xiàng)亦更加多樣化,本次展出的版本即包含16Gb與24Gb兩種款式,分別匹配2GB和3GB顯存容量。據(jù)JEDEC公布的數(shù)據(jù)顯示,未來(lái)GDDR7內(nèi)存的運(yùn)行速度有望提高到48Gbps
2024-03-21 15:35:4158

FSSE064GBE-M500

固態(tài)硬盤(SSD) FLASH - NAND(TLC) 64GB mSATA
2024-03-14 22:58:07

RP-TDUC64DA1

MEMORY CARD SDXC 64GB UHS
2024-03-14 22:14:45

SDIT/64GB

存儲(chǔ)卡 64GB
2024-03-14 21:30:11

DEMSR-64GDK1GW1SL

固態(tài)硬盤(SSD) FLASH - NAND(TLC) 64GB SATA III mSATA
2024-03-14 21:24:14

DEM24-64GDK1GW1SL

固態(tài)硬盤(SSD) FLASH - NAND(TLC) 64GB SATA III M.2 模塊 3.3V
2024-03-14 21:24:13

DEM28-64GDK1GW1SL

固態(tài)硬盤(SSD) FLASH - NAND(TLC) 64GB SATA III M.2 模塊 3.3V
2024-03-14 21:24:13

DESDC-64GS06GE1SL

存儲(chǔ)卡 SD? 64GB TLC
2024-03-14 21:24:12

DESDC-64GS06GW1SL

存儲(chǔ)卡 SD? 64GB TLC
2024-03-14 21:24:12

AF64GSD4-BBBIM

存儲(chǔ)卡 SDXC? 64GB 類 10,UHS 類 3 TLC
2024-03-14 20:43:26

AF64GSD4-BBBXM

存儲(chǔ)卡 SDXC? 64GB 類 10,UHS 類 3 TLC
2024-03-14 20:43:26

AF64GSD4A-BBBIM

存儲(chǔ)卡 SDXC? 64GB 類 10,UHS 類 3 pSLC
2024-03-14 20:43:26

AF64GUD4A-EBAIM

存儲(chǔ)卡 microSD? 64GB pSLC
2024-03-14 20:43:24

USB3FTVKEY6A64GCAPAPAUV

USB 閃存驅(qū)動(dòng)器 64GB USB 3.0
2024-03-14 20:42:17

USB3FTVKEY6A64ZNCAPAPAUV

USB 閃存驅(qū)動(dòng)器 64GB USB 3.0
2024-03-14 20:42:17

USB3FKEY64B

USB 閃存驅(qū)動(dòng)器 64GB USB 3.0
2024-03-14 20:42:16

SQF-SDMM4-64G-J6C

SSD 64GB MLC SATA DOM SATAIII
2024-03-14 20:38:17

SQF-SDMS4-64G-J6C

SSD 64GB SLC SATA DOM SATAIII
2024-03-14 20:38:17

SQF-SDMS4-64G-J6E

SSD 64GB SLC SATA DOM SATAIII
2024-03-14 20:38:17

AP64GSDHC10U1-R

MEMORY CARD SDHC 64GB UHS
2024-03-14 20:16:52

AP64GMCSX10U1-B

MEMORY CARD SDXC 64GB UHS
2024-03-14 20:16:51

AP64GMCSX10U4-B

MEMORY CARD SDXC 64GB UHS
2024-03-14 20:16:51

SQF-SDMM2-64G-S9C

SSD 64GB MLC SATA DOM SATAIII
2024-03-14 20:16:32

SQF-SDMM2-64G-S9E

SSD 64GB MLC SATA DOM SATAIII
2024-03-14 20:16:32

SQF-SDMU2-64G-S9C

SSD 64GB ULT MLC SATA DOM
2024-03-14 20:16:32

SQF-SDMU2-64G-S9E

SSD 64GB ULT MLC SATA DOM
2024-03-14 20:16:32

SQF-S10M2-64G-S9E

MEM CARD COMPACTFLASH 64GB MLC
2024-03-14 20:16:31

SQF-S10S4-64G-S9C

MEM CARD COMPACTFLASH 64GB SLC
2024-03-14 20:16:31

SQF-S25S8-64G-S8C

SSD 64GB SLC 2.5" SATAIII
2024-03-14 20:16:31

SQF-S25S8-64G-S8E

SSD 64GB SLC 2.5" SATAIII
2024-03-14 20:16:31

SQF-P25S4-64G-P9C

SSD 64GB SLC 2.5" 3.3V/5V
2024-03-14 20:16:30

SQF-P25S4-64G-P9E

SSD 64GB SLC 2.5" 3.3V/5V
2024-03-14 20:16:30

SQF-S10U2-64G-S9C

MEMORY CARD CFAST 64GB MLC
2024-03-14 20:16:30

SQF-S10U2-64G-S9E

MEMORY CARD CFAST 64GB MLC
2024-03-14 20:16:30

SQF-ISDM1-64G-82E

MEM CARD SDHC 64GB CLASS 10 MLC
2024-03-14 20:16:29

SQF-SMSS4-64G-S8C

SSD 64GB SLC MSATA SATAIII
2024-03-14 20:16:27

SQF-SMSS4-64G-S8E

SSD 64GB SLC MSATA SATAIII
2024-03-14 20:16:27

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20%

三星計(jì)劃NAND閃存價(jià)格談判 欲漲價(jià)15%—20% 三星認(rèn)為NAND Flash價(jià)格過(guò)低;在減產(chǎn)和獲利優(yōu)先政策的促使下三星計(jì)劃與客戶就NAND閃存價(jià)格重新談判,目標(biāo)價(jià)位是漲價(jià)15%—20%。
2024-03-14 15:35:22216

什么是NAND 型 Flash 存儲(chǔ)器?

Flash ROM NAND Flash ROM 應(yīng)該是目前最熱門的存儲(chǔ)芯片了。因?yàn)槲覀兩钪薪?jīng)常使用的電子產(chǎn)品都會(huì)涉及到它。比如你買手機(jī),肯定會(huì)考慮64GB,還是256GB?
2024-03-01 17:08:45158

美光預(yù)計(jì)2025年車均搭載16GB DRAM和204GB NAND

和204GBNAND閃存,相較于2021年的水平,分別增長(zhǎng)3倍和4倍。這意味著汽車行業(yè)對(duì)存儲(chǔ)需求的大幅增長(zhǎng),將進(jìn)一步推動(dòng)車用存儲(chǔ)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到100億美元,復(fù)合年增長(zhǎng)率高達(dá)28%。
2024-02-02 15:41:13241

江波龍首顆自研NAND閃存問(wèn)世

江波龍首顆自研32Gb 2D MLC NAND Flash于近日問(wèn)世。該產(chǎn)品采用BGA132封裝,支持Toggle DDR模式,數(shù)據(jù)訪問(wèn)帶寬可達(dá)400MB/s,將有望應(yīng)用于eMMC、SSD等產(chǎn)品上。
2024-02-01 15:08:48361

存儲(chǔ)市場(chǎng)風(fēng)云再起!關(guān)鍵閃存芯片緊缺,SSD價(jià)格大幅上漲

對(duì)于單面設(shè)計(jì)的M.2 2280 SSD,都需要四顆閃存封裝芯片,2TB、4TB這種越來(lái)越普及的容量就得用到關(guān)鍵的4-die、8-die封裝。
2024-01-31 14:51:30187

CS 創(chuàng)世SD NAND FLASH 存儲(chǔ)芯片,比TF卡更小巧輕便易用的大容量存儲(chǔ),TF卡替代方案

存儲(chǔ):與其他 NAND 閃存技術(shù)相比,SD NAND FLASH 具有更高的存儲(chǔ)密度,使其適用于需要大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用。   可移植性:SD NAND FLASH 卡通常以標(biāo)準(zhǔn)的 Secure
2024-01-24 18:30:00

美光推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊

美光科技近日宣布推出業(yè)界首款標(biāo)準(zhǔn)低功耗壓縮附加內(nèi)存模塊(LPCAMM2),這款產(chǎn)品提供了從16GB64GB容量選項(xiàng),旨在為PC提供更高性能、更低功耗、更緊湊的設(shè)計(jì)空間及模塊化設(shè)計(jì)。
2024-01-19 16:20:47262

什么是SD NAND存儲(chǔ)芯片?

標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)代碼,省去了驅(qū)動(dòng)代碼編程環(huán)節(jié)。支持TF卡啟動(dòng)的SOC都可以用SD NAND,提供STM32參考例程及原廠技術(shù)支持,主流容量:128MB/512MB/2GB/4GB/8GB,比TF卡穩(wěn)定,比
2024-01-05 17:54:39

DRAM、NAND閃存漲價(jià)意愿非常強(qiáng)烈

NAND產(chǎn)品中,同樣代表市場(chǎng)行情的256Gb TLC,第四季度單價(jià)為1.85美元左右,相比三季度上漲12%。
2023-12-26 13:54:3199

NAND Flash和NOR Flash的區(qū)別

NAND Flash和NOR Flash是兩種常見的閃存類型。
2023-11-30 13:53:20734

SDINBDA4-64G

其他存儲(chǔ)器 64GB 2.7V~3.6V
2023-11-17 14:41:09

三星計(jì)劃NAND閃存芯片每個(gè)季度漲價(jià)20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過(guò)此舉逆轉(zhuǎn)整個(gè)閃存市場(chǎng),穩(wěn)定NAND閃存價(jià)格,并實(shí)現(xiàn)明年上半年逆轉(zhuǎn)市場(chǎng)等目標(biāo)。
2023-11-03 17:21:111214

中芯國(guó)際“NAND閃存器件及其形成方法”專利獲授權(quán)

中芯國(guó)際方面表示:“nand閃存憑借較高的單元密度和存儲(chǔ)器密度、快速使用和刪除速度等優(yōu)點(diǎn),已成為廣泛使用在閃存上的結(jié)構(gòu)。”目前主要用于數(shù)碼相機(jī)等的閃存卡和mp3播放器。
2023-10-17 09:46:07265

CS SD NAND在STM32精英V2開發(fā)板的測(cè)試-是時(shí)候?qū)F卡換為SD NAND

地址http://longsto.com/product/list-39.html,有1Gb,4Gb,32Gb,64Gb容量可選,我這里申請(qǐng)到的是兩片32Gb的芯片和測(cè)試板. 焊接后如下: 測(cè)試
2023-09-26 17:40:35

NAND Flash 原理深度解析(下)

Flash來(lái)看,NAND Flash的容量結(jié)構(gòu)為: 一個(gè)封裝好的顆粒一般有多個(gè)片選信號(hào),即NAND CE#,代表獨(dú)立的Chip Enable片選信號(hào)。 一個(gè)Target下有一個(gè)或多個(gè)Die/LUN
2023-09-22 18:10:02752

NAND Flash 原理深度解析(上)

Nand Flash存儲(chǔ)器是Flash存儲(chǔ)器的一種,其內(nèi)部采用非線性宏單元模式,為固態(tài)大容量內(nèi)存的實(shí)現(xiàn)提供了高性價(jià)比、高性能的解決方案。Nand Flash存儲(chǔ)器具有容量較大、改寫速度快等優(yōu)點(diǎn)
2023-09-05 18:10:011621

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存

三星24年生產(chǎn)第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產(chǎn)三層堆棧架構(gòu)321層NAND閃存 存儲(chǔ)領(lǐng)域的競(jìng)爭(zhēng)愈加激烈,三星電子計(jì)劃在2023年正式生產(chǎn)第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53281

三星計(jì)劃暫停平澤工廠部分NAND閃存生產(chǎn)

三星已經(jīng)減少了主要nand閃存生產(chǎn)基地的晶圓投入額。這就是韓國(guó)的平澤、華城和中國(guó)的西安。業(yè)內(nèi)人士認(rèn)為,三星的nand閃存產(chǎn)量可能會(huì)減少10%左右。但在今年4月公布的2023年q1業(yè)績(jī)中,由于市場(chǎng)持續(xù)低迷,三星電子正式公布了存儲(chǔ)器減產(chǎn)計(jì)劃。
2023-08-16 10:23:58423

支持思科MDS 9000系列24端口和48端口64Gb/s光纖通道交換機(jī)發(fā)行說(shuō)明

電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《支持思科MDS 9000系列24端口和48端口64Gb/s光纖通道交換機(jī)發(fā)行說(shuō)明.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-08-15 15:02:150

CSNP64GCR01-AOW

FLASH存儲(chǔ)器 64Gb SD NAND 2.7V~3.6V 50MHz
2023-08-12 10:44:27

SD NAND FLASH : 什么是pSLC?

景 CS創(chuàng)世推出的2GB pSLC SD Nand,尺寸為6.2*8mm,使用標(biāo)準(zhǔn)SD2.0協(xié)議,可以無(wú)需修改軟件直接替換SD卡和TF卡,采用了貼片式SD NAND后能使您的產(chǎn)品更穩(wěn)定更安全同時(shí)有效增加
2023-08-11 10:48:34

SK海力士發(fā)布全球首款321層NAND!

SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存,成為業(yè)界首家開發(fā)出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品,并介紹了開發(fā)進(jìn)展情況。
2023-08-10 16:01:47704

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報(bào)價(jià) 漲幅為15%

據(jù)《電子時(shí)報(bào)》報(bào)道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價(jià)為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫(kù)存緩慢,很難說(shuō)服上調(diào)價(jià)格。
2023-08-02 11:56:24762

全球第一SSD誕生:QLC閃存70年寫不死

SK海力士收購(gòu)Intel NAND閃存業(yè)務(wù)重新組建的Solidigm公司非?;钴S,最近披露了其近期NAND、SSD規(guī)劃路線圖,預(yù)計(jì)2023年上半年陸續(xù)落地。
2023-07-24 17:06:29902

芯科普 | 一文了解 NAND 閃存技術(shù)的發(fā)展演變

對(duì) NAND 存儲(chǔ)器的需求也大幅增加。從移動(dòng)或便攜式固態(tài)硬盤到數(shù)據(jù)中心,從企業(yè)固態(tài)硬盤再到汽車配件, NAND 閃存的應(yīng)用領(lǐng)域和使用場(chǎng)景愈發(fā)多樣化,各種要求也隨之出現(xiàn),常見的譬如更高的讀寫速度、最大化的存儲(chǔ)容量、更低的功耗和更低的成本等等
2023-07-24 14:45:03424

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25%

基于232層3D TLC NAND閃存的美光UFS 4.0模塊能效提升25% 此前美光推出了其首個(gè)UFS 4.0移動(dòng)存儲(chǔ)解決方案,采用了232層3D TLC NAND閃存;速度提升很大,可以達(dá)到最高
2023-07-19 19:02:21864

NAND閃存加速度,推動(dòng)Multi-Die驗(yàn)證新范式

NAND閃存,所有主要閃存制造商都在積極采用各種方法來(lái)降低閃存的每位成本,同時(shí)創(chuàng)造出適用于各種應(yīng)用的產(chǎn)品。閃存制造商還在積極展開研究,期望能夠擴(kuò)展3D NAND閃存的垂直層數(shù)。雖然15nm似乎是NAND閃存目前能夠達(dá)到的最小節(jié)點(diǎn),但開發(fā)者
2023-07-18 17:55:02486

各家3D NAND技術(shù)大比拼 被壟斷的NAND閃存技術(shù)

隨著密度和成本的飛速進(jìn)步,數(shù)字邏輯和 DRAM 的摩爾定律幾乎要失效。但是在NAND 閃存領(lǐng)域并非如此,與半導(dǎo)體行業(yè)的其他產(chǎn)品不同,NAND 的成本逐年大幅下降。
2023-07-18 10:13:351203

NAND閃存內(nèi)部結(jié)構(gòu)解析

NAND閃存是一種電壓原件,靠其內(nèi)存電壓來(lái)存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
2023-07-12 09:43:211444

NAND芯片是用于哪些領(lǐng)域 NAND和SSD的區(qū)別

閃存存儲(chǔ)設(shè)備:NAND芯片作為主要的閃存存儲(chǔ)媒介,被廣泛用于固態(tài)硬盤(SSD)、USB閃存驅(qū)動(dòng)器、內(nèi)存卡(如SD卡、MicroSD卡)和閃存盤等。
2023-06-28 16:25:495201

開放NAND閃存接口ONFI介紹

制造、設(shè)計(jì)或啟用NAND閃存的公司組成的行業(yè)工作組,主要是Intel和鎂光。致力于簡(jiǎn)化NAND閃存集成到消費(fèi)電子產(chǎn)品、計(jì)算平臺(tái)和任何其他需要固態(tài)大容量存儲(chǔ)的應(yīng)用程序中。為NAND閃存定義標(biāo)準(zhǔn)化的組件
2023-06-21 17:36:325865

淺談400層以上堆疊的3D NAND的技術(shù)

3D NAND閃存是一種把內(nèi)存顆粒堆疊在一起解決2D或平面NAND閃存限制的技術(shù)。這種技術(shù)垂直堆疊了多層數(shù)據(jù)存儲(chǔ)單元,具備卓越的精度,可支持在更小的空間內(nèi),容納更高的存儲(chǔ)容量,從而有效節(jié)約成本、降低能耗,以及大幅度地提升性能。
2023-06-15 09:37:561727

NAND閃存特點(diǎn)及決定因素

2Gb以下容量NAND閃存絕大多數(shù)是(512+16)字節(jié)的頁(yè)面容量,2Gb以上容量NAND閃存則將頁(yè)容量擴(kuò)大到(2048+64)字節(jié)。
2023-06-10 17:21:001982

無(wú)法將超過(guò)8K的數(shù)據(jù)寫入64k閃存扇區(qū)怎么辦?

任何人都可以幫助我面對(duì)像 lpc4337 閃存中的 sector13 一樣無(wú)法將超過(guò) 8K 的數(shù)據(jù)寫入 64k 的問(wèn)題嗎?即使是 64K 容量的扇區(qū)在閃存寫入期間也只允許 8k 數(shù)據(jù)。 如果我提供
2023-06-08 06:39:37

NAND閃存 – 多芯片系統(tǒng)驗(yàn)證的關(guān)鍵元件

NAND閃存上的位密度隨著時(shí)間的推移而變化。早期的NAND設(shè)備是單層單元(SLC)閃存。這表明每個(gè)閃存單元存儲(chǔ)一個(gè)位。使用多層單元(MLC),閃存可以為每個(gè)單元存儲(chǔ)兩個(gè)或更多位,因此位密度會(huì)增加
2023-05-25 15:36:031193

QB-64GB-NQ-01T圖紙

QB-64GB-NQ-01T圖紙
2023-04-28 19:58:280

使用LS1088A超過(guò)64GB可以嗎?

從內(nèi)存映射來(lái)看,似乎有 512GByte 可用于 DDR。 然而,控制引腳似乎只能尋址 64GByte。是否真的可以從 DDR 控制器尋址 128 或 256GByte?
2023-04-28 07:26:35

如何啟動(dòng)IMX6ULL NAND閃存?

我正在嘗試啟動(dòng) IMX6ULL NAND 閃存。供您參考,我使用 buildroot 2018_11_4 成功啟動(dòng)了 IMX6ULL NAND 閃存。(uboot 4.15 和 linux 4.15
2023-04-20 07:55:17

【正點(diǎn)原子STM32精英V2開發(fā)板體驗(yàn)】CS SD NAND在本開發(fā)板上的測(cè)試-是時(shí)候?qū)F卡換為SD NAND了!

地址http://longsto.com/product/list-39.html,有1Gb,4Gb,32Gb,64Gb容量可選,我這里申請(qǐng)到的是兩片32Gb的芯片和測(cè)試板.焊接后如下 測(cè)試過(guò)程申請(qǐng)樣品
2023-04-18 23:03:42

全球首款RISC-V平板電腦——PineTab-V正式發(fā)布

USB 2.0協(xié)議使用pogo引腳連接),可作為手提箱使用。據(jù)了解,Pine64為用戶提供了兩種硬件配置:4GB LPDDR4 RAM / 64GB eMMC 5.1閃存和8GB LPDDR4 RAM
2023-04-14 13:56:10

MK 米客方德推出大容量SD NAND(Nano SD NAND

MK米客方德從推出業(yè)界第一顆基于SLC開發(fā)的SDNAND產(chǎn)品至今,出貨量已逾1000萬(wàn)顆,容量覆蓋128MB~8GByte(1Gbit~64Gbit),應(yīng)用范圍涉及消費(fèi)、車載、電力、醫(yī)療等行業(yè)。隨著
2023-03-31 10:34:17746

什么是3D NAND閃存

我們之前見過(guò)的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來(lái)了,理論上可以無(wú)線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

SFCA64GBH2BV4TO-C-NU-226-STD

MEMORY CARD CFAST 64GB SLC
2023-03-29 19:24:50

SFCA64GBH2BV4TO-I-NU-226-STD

MEMORY CARD CFAST 64GB SLC
2023-03-29 19:24:50

SFCF64GBH2BU4TO-C-NU-527-STD

MEM CARD COMPACTFLASH 64GB SLC
2023-03-29 19:24:50

AF64GSD3-WACXX

MEMORY CARD MICROSDHC 64GB MLC
2023-03-29 19:24:44

RP-SDMF64DA1

MF,SDCARD-CONSUMERTLC,64GB
2023-03-29 19:24:38

RP-SMLF64DA1

LF,MICROSD-CONSUMERTLC,64GB
2023-03-29 19:24:37

AP-MSD64GIA-1CTM

MEMORY CARD MICROSDHC 64GB MLC
2023-03-29 19:24:35

AP-MSD64GCA-1CTM

MEMORY CARD MICROSDHC 64GB MLC
2023-03-29 19:24:34

SFCF64GBH2BU4TO-I-NU-527-STD

MEM CARD COMPACTFLASH 64GB SLC
2023-03-29 19:24:29

SFSA64GBU1BR4MT-I-QT-236-STD

SSD 64GB MSATA SATA II
2023-03-29 19:23:59

AF64GSAEL-OEM

SSD 64GB SLIM-SATA MLC SATA II
2023-03-29 19:23:54

AF64GSAHI-OEM

SSD 64GB MSATA MLC SATA II
2023-03-29 19:23:54

AF64GSMEL-OEM

SSD 64GB SLIM-SATA MLC SATA III
2023-03-29 19:23:48

AF64GSSEL-OEM

SSD 64GB SLIM-SATA SLC SATA III
2023-03-29 19:23:37

AF64GSSHI-OEM

SSD 64GB MSATA SLC SATA III 3.3V
2023-03-29 19:23:37

AF64GSSIA-OEM

SSD 64GB M.2 SLC SATA III
2023-03-29 19:23:37

XIP是否通過(guò)QSPI支持NAND閃存?

大家好, 我正在研究 IMXRT1176,我對(duì)內(nèi)存使用有一些疑問(wèn): XIP 是否通過(guò) QSPI 支持 NAND 閃存?如果 IMXRT1170 從 NAND 閃存啟動(dòng),則加載程序必須將應(yīng)用程序復(fù)制到
2023-03-29 07:06:44

MKDN064GCL-AA

64GB 嵌入式納米SD NAND閃存
2023-03-28 13:04:38

已全部加載完成