無(wú)人機(jī)在無(wú)刷電機(jī)MOS管上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列，具有極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率，滿足不同方案需求的選型。
2024-03-21 10:47:53
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無(wú)人機(jī)在無(wú)刷電機(jī)MOS管上的應(yīng)用，推薦瑞森半導(dǎo)體低壓MOS-SGT系列，具有極低導(dǎo)通電阻，低損耗，高雪崩耐量，高效率，滿足不同方案需求的選型。
2024-03-21 10:20:5845 
JW7109是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)，且支持較快的上升斜率，以滿足快速時(shí)序的要求。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在
2024-03-18 14:39:12
JW7107S是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低導(dǎo)通電阻雙通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含兩個(gè)N溝道MOSFET，每個(gè)溝道可以提供6A的最大連續(xù)電流。每個(gè)通道可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 每個(gè)
2024-03-18 14:36:43
JW7106是一款具有可編程導(dǎo)通上升時(shí)間的低25毫歐電阻單通道負(fù)載開(kāi)關(guān)。它包含n溝道MOSFET，可以提供6A的最大連續(xù)電流。JW7106可以在0.8V到5.5V的輸入電壓范圍內(nèi)工作。 在
2024-03-18 14:30:27
，根據(jù)(2-27)式可繪制關(guān)系曲線，如圖2-14所示。
可見(jiàn)，當(dāng)fCR.≤0,1時(shí)，R;IR與頻率無(wú)關(guān)，并日R，R.;當(dāng)/GRD0,1時(shí)，R;將隨頻率的增高而逐漸減小。
2.低阻值情況
低阻值電阻器，R
2024-03-15 07:46:12
。這些電阻器體積小，成本低，而且數(shù)量大，在混合電路和集成電路中尤為重要，因?yàn)?b class="flag-6" style="color: red">電阻器可以印刷在基板上，省去了電路板加載和焊接步驟，同時(shí)也很大程度上提高了散熱，提升了功率和性能。
標(biāo)準(zhǔn)元件使用鎳/錫端接
2024-03-15 07:17:56
和安裝片分開(kāi)。
EAK模壓TO-247厚膜功率電阻器
這種結(jié)構(gòu)提供了非常低的熱阻，同時(shí)確保了端子和金屬背板之間的高絕緣電阻。因此，這些電阻器具有非常低的電感，使其成為高頻和高速脈沖應(yīng)用。
電阻
2024-03-15 07:11:45
物置的電阻溫度系數(shù)(a)的定義由下式表出:
a =(R,-R)/Rt。
式中R，R。分別為該物質(zhì)在:C和0℃時(shí)的阻值，0℃C創(chuàng)冰融化時(shí)的溫度。大多種金腐的a值為0.0038/C并且是正的。
如一物質(zhì)
2024-03-14 07:30:45
一個(gè)電阻器除了電阻值外，由于它精構(gòu)上的原因。必然存在一定的電容量和電威量。電阻器的里的等效電路如3.15所示。
R是電阻器的阻值，C是沿整個(gè)電阻體的分布電容量的總和。乙是導(dǎo)越電感，它包括電阻結(jié)構(gòu)所
2024-03-12 07:49:06
如何區(qū)別普通電阻和保險(xiǎn)電阻？如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻好壞？ 普通電阻和保險(xiǎn)電阻是兩種不同的電子元件，下面將詳細(xì)介紹如何區(qū)分普通電阻和保險(xiǎn)電阻，并說(shuō)明如何檢驗(yàn)保險(xiǎn)電阻的好壞。 1. 普通電阻和保險(xiǎn)電阻的定義
2024-03-05 15:48:06201 總體描述:CS25N50F A9R硅n通道增強(qiáng)型VDMOSFET是由平面自對(duì)準(zhǔn)技術(shù)獲得的降低導(dǎo)通損耗，提高開(kāi)關(guān)性能性能和增強(qiáng)雪崩能量。晶體管可用于各種功率開(kāi)關(guān)電路的系統(tǒng)小型化，效率更高。包裹表格
2024-03-01 10:49:29
羅德與施瓦茨 NRX 功率計(jì)的規(guī)格包括： 羅德與施瓦茨R&S NRX 功率計(jì)是一款高性能的功率測(cè)量?jī)x器，廣泛應(yīng)用于通信、雷達(dá)、電子戰(zhàn)和射頻微波等領(lǐng)域。這款功率計(jì)采用了最先進(jìn)的技術(shù)
2024-03-01 08:41:04
“功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個(gè)討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應(yīng)對(duì)高功率應(yīng)用而被設(shè)計(jì)出來(lái)的一種電感產(chǎn)品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來(lái)
2024-02-27 22:02:07
0 “功率電感和普通電感的區(qū)別”這是一個(gè)討論度非常高的話題。功率電感是一種專門為應(yīng)對(duì)高功率應(yīng)用而被設(shè)計(jì)出來(lái)的一種電感產(chǎn)品，而普通電感則是用于一般的普通電路中。那么，它們之間究竟有哪些區(qū)別呢？本篇我們就來(lái)
2024-02-19 10:30:52156 和限制。它們通常具有較小的尺寸和較低的功率容量。低功率電阻器通常以小型電阻器的形式存在，如普通電阻器、電位器、燒線等。 低功率電阻器的主要特點(diǎn)如下： 1. 高精度：低功率電阻器通常具有高精度的阻值，能夠提供穩(wěn)定的電阻
2024-02-19 09:25:13299 5050燈珠與5730燈珠區(qū)別? 5050燈珠與5730燈珠是兩種常見(jiàn)的LED燈珠規(guī)格，它們?cè)诔叽纭⒘炼?、功耗等方面有很多不同之處。本文將詳?xì)介紹5050燈珠與5730燈珠的區(qū)別。 首先，我們可以
2024-01-31 15:24:54728 MOS管導(dǎo)通電流能否反著流？MOS管體二極管能過(guò)多大的電流？ MOS管是一種主要用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。它是一種特殊的場(chǎng)效應(yīng)晶體管，具有晶體管的放大功能和二極管的保護(hù)功能。在正常工作狀態(tài)下
2024-01-23 13:52:55544 MOS 門控晶閘管 ( MOS Controlled Thyristor, MCT）是結(jié)合雙極功率晶體管和MOS 功率晶體管于一體的功率器件，主要利用兩個(gè) MOS 柵極來(lái)控制晶閘管的導(dǎo)通電流以獲得較好的關(guān)斷特性。
2024-01-22 14:02:42266 
碳膜電阻器是將炭在真空高溫條件下分解的結(jié)晶炭蒸鍍沉積在陶瓷骨架上制成的,。這種電阻器的電壓穩(wěn)定性好，造價(jià)低，在普通電子產(chǎn)品中應(yīng)用非常廣泛。
2024-01-21 09:58:07136 
抗浪涌電阻和普通電阻的區(qū)別? 抗浪涌電阻和普通電阻雖然都屬于電阻器件，但在功能、結(jié)構(gòu)和特性方面有很大的區(qū)別。本文將詳盡、詳實(shí)、細(xì)致地從多個(gè)方面對(duì)這兩種電阻進(jìn)行比較分析。 1. 功能區(qū)別: 抗浪涌電阻
2024-01-18 16:16:58559 舞臺(tái)燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結(jié)MOS系列，具有低導(dǎo)通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開(kāi)關(guān)損耗，提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率
2024-01-17 17:31:28126 
舞臺(tái)燈電源的PFC與LLC線路，推薦使用多層外延超結(jié)MOS系列，具有低導(dǎo)通電阻，提升功率密度，有效降低電源電路開(kāi)關(guān)損耗，提高整個(gè)電源系統(tǒng)的效率
2024-01-17 17:09:45150 
通，請(qǐng)教一下，為什么Q1會(huì)在上電瞬間導(dǎo)通一下？而且這樣接入一段時(shí)間后，也會(huì)突然導(dǎo)通一下，感覺(jué)是MOS管故障
2024-01-10 15:46:04
應(yīng)用領(lǐng)域具有很大的潛力。 以下是一些常見(jiàn)的氮化鎵MOS管型號(hào)： EPC2001：EPC2001是一種高性能非晶硅氮化鎵MOS管，具有低導(dǎo)通電阻、高開(kāi)關(guān)速度和優(yōu)秀的熱特性。它適用于電源轉(zhuǎn)換器、鋰電池充電器和無(wú)線充電應(yīng)用等領(lǐng)域。 EPC601：EPC601是一種低電阻非晶硅氮化鎵
2024-01-10 09:32:15362 氮化鎵MOS管（GaN MOSFET）是一種基于氮化鎵材料的金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)管。它結(jié)合了氮化鎵的高電子遷移率和MOS管的優(yōu)良特性，具有高速開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻、高溫工作能力等優(yōu)點(diǎn)，廣泛應(yīng)用
2024-01-10 09:30:59366 氮化鎵（GaN）MOS管是一種新型的功率器件，它具有高電壓、高開(kāi)關(guān)速度和低導(dǎo)通電阻等優(yōu)點(diǎn)，逐漸被廣泛應(yīng)用于功率電子領(lǐng)域。為了充分發(fā)揮氮化鎵MOS管的優(yōu)勢(shì)，合理的驅(qū)動(dòng)方法是至關(guān)重要的。本文將介紹氮化
2024-01-10 09:29:02412 使用LTC4013充電，輸入24V，5A充電，沒(méi)有使用MPPT功能，輸出接12V鉛蓄電池。
目前現(xiàn)象是可以產(chǎn)生5A電流充電，但Vinfet比Vdcin小，導(dǎo)致MOS管沒(méi)有進(jìn)行低阻抗導(dǎo)通，比較熱，請(qǐng)問(wèn)有關(guān)INFET管腳正常工作的設(shè)置條件（電路按照應(yīng)用電路設(shè)計(jì)）
2024-01-05 07:24:28
近日，昕感科技在新能源領(lǐng)域取得重大突破，推出了一款具有業(yè)界領(lǐng)先超低導(dǎo)通電阻的SiC MOSFET器件新產(chǎn)品（N2M120007PP0）。該產(chǎn)品的導(dǎo)通電阻達(dá)到了驚人的7mΩ，電壓規(guī)格為1200V，將為新能源領(lǐng)域提供更為高效、可靠的功率半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)解決方案。
2024-01-04 14:37:57316 Field-Effect Transistor，金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）是一種常見(jiàn)的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。在實(shí)際應(yīng)用中，我們需要了解MOS管的型號(hào)和功率參數(shù)，以便選擇合適的MOS管。本文將介紹如何查看
2023-12-28 16:01:421919 用萬(wàn)用表如何檢測(cè)普通電阻器？ 萬(wàn)用表是一種多功能測(cè)量工具，用于測(cè)量電流、電壓和電阻。它可以用于檢測(cè)各種類型的電阻器，包括普通電阻器。在本文中，我們將介紹如何使用萬(wàn)用表來(lái)檢測(cè)普通電阻器的詳細(xì)步驟
2023-12-20 10:46:24669
ad7699評(píng)估板電路圖 ADC BUFFERS中 R46的作用是什么，R53與C58的作用是低通濾波嗎
ad7699評(píng)估板電路圖EXTERNAL REFERENCE OPTIONS中R26、C38、R28的作用是什么
2023-12-18 07:45:10
1.5V左右），在輸入通道接地的情況下，輸出高字節(jié)的最低位都會(huì)出現(xiàn)1，希望能夠提供幫助？！
圖紙如下：其中R20去掉，R19焊接0R，C39/C40焊接零歐電阻，C35/C36/C37/C38使用0R電阻
2023-12-18 06:32:01
惠斯通電橋測(cè)電阻的基本原理和方法 惠斯通電橋是一種常用的電阻測(cè)量工具，廣泛應(yīng)用于實(shí)驗(yàn)室和工業(yè)控制領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹惠斯通電橋的基本原理和方法，并說(shuō)明其測(cè)量電阻的優(yōu)勢(shì)和局限性。 一、基本原理
2023-12-15 10:55:392754 來(lái)滿足其特殊的要求。 GaN MOS管具有較大的開(kāi)關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻，使其能夠高效地工作于高頻和高功率條件下。這使得它們?cè)谠S多領(lǐng)域中得到廣泛應(yīng)用，例如電力轉(zhuǎn)換器、無(wú)線通信、雷達(dá)系統(tǒng)等。 然而，由于GaN MOS管的工作特性較為特殊，普通的驅(qū)動(dòng)芯片往
2023-11-22 16:27:58854 直流電源MOS管GS之間的電阻有什么用呢？ 直流電源MOS管的GS之間的電阻在電路中發(fā)揮著重要的作用。GS電阻可以被視為是MOS管的輸入阻抗，可以影響電路的整體性能。下面將詳細(xì)討論GS電阻的功能
2023-11-16 14:33:391023 這個(gè)MOS管在這里的作用是什么？是不是剛上電，MOS管是導(dǎo)通的，C115和R255是充電嘛？到上電穩(wěn)壓后MOS就不導(dǎo)通了嘛？
2023-11-11 11:32:45
功率MOS管為什么會(huì)燒？原因分析? 功率MOS管，作為半導(dǎo)體器件的一種，被廣泛應(yīng)用于電源、變頻器、馬達(dá)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。但在使用中，我們有時(shí)會(huì)發(fā)現(xiàn)功率MOS管會(huì)出現(xiàn)燒毀的情況。那么，功率MOS
2023-10-29 16:23:501018 精密電阻和普通電阻的區(qū)別 普通電阻能否代替精密電阻？ 電阻是電子工程中一個(gè)常見(jiàn)的元件，它被用來(lái)控制電流和電壓。精密電阻和普通電阻是電阻中的兩個(gè)主要類別，它們之間的區(qū)別在于精度和穩(wěn)定性。本文將詳細(xì)介紹
2023-10-29 11:21:55933 燒壞，所以要加一個(gè)上拉或者下拉電阻，就是給我們這個(gè)GS間的寄生電容提供一個(gè)放電的路徑。這樣MOS管斷電就會(huì)是一個(gè)穩(wěn)定的關(guān)閉狀態(tài)。
2023-10-21 10:38:16998 
AW35321QNR是艾為電子推出的雙通道單刀雙擲模擬開(kāi)關(guān)。0.5Ω（典型值）超低導(dǎo)通電阻以及只需要單電源供電即可支持負(fù)擺幅信號(hào)的特性使其非常適合應(yīng)用于音頻領(lǐng)域。
2023-10-18 09:21:40786 
穩(wěn)壓，不是本帖的討論范圍，我要探究的，是普通電阻與非線性電阻 對(duì)運(yùn)放狀態(tài)的影響。
2023-10-10 23:32:52
? 1、超級(jí)結(jié)構(gòu) 高壓功率MOSFET管早期主要為平面型結(jié)構(gòu)，采用厚低摻雜的N-外延層epi，保證器件具有足夠擊穿電壓，低摻雜N-外延層epi尺寸越厚，耐壓額定值越大，但是，導(dǎo)通電阻隨電壓
2023-10-07 09:57:362772 
為什么電阻、MOS管的單位cell要做成偶數(shù)個(gè)？ 電阻和MOS管是電子電路設(shè)計(jì)中經(jīng)常使用的基本元件之一，而它們的單位cell通常都需要設(shè)計(jì)成偶數(shù)個(gè)。這樣的設(shè)計(jì)并非是偶然的，而是有其合理的原因。在本文
2023-09-20 16:23:38336 DMT10H9M9LCT 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 DMT10H9M9LCT 這款新一代 MOSFET 具有低導(dǎo)通電阻和快速開(kāi)關(guān)的特點(diǎn)，非常適合高效電源管理應(yīng)用。 產(chǎn)品規(guī)格
2023-09-18 13:29:11
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:28:22
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 08:09:45
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:44:11
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 07:42:05
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-18 06:56:21
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-18 06:28:58
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 08:16:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據(jù)P&S的超結(jié)原理。報(bào)價(jià)設(shè)備提供了快速切換的所有好處并且導(dǎo)通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superp&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 08:12:36
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:08:54
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 07:55:12
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 07:17:57
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:12:49
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 07:06:08
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:55:35
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于要求更高效、更緊湊、更輕、更高
2023-09-15 06:17:30
說(shuō)明
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高壓技術(shù)功率MOSFET，根據(jù)superP&S的結(jié)原理。提供的設(shè)備提供快速切換和低導(dǎo)通電阻的所有優(yōu)點(diǎn)，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明
2023-09-15 06:09:58
射頻電阻和普通電阻區(qū)別? 隨著科技的不斷進(jìn)步和應(yīng)用范圍的擴(kuò)大，射頻技術(shù)在越來(lái)越多領(lǐng)域被廣泛使用。在射頻電路中使用的電阻，被稱為射頻電阻，而普通電路中使用的電阻，被稱為普通電阻。射頻電阻和普通電阻之間
2023-09-02 10:25:431207 MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻
2023-08-26 08:12:55915 
管型號(hào)大全，供讀者參考。 1. IRF510: 這是一款N溝道MOS場(chǎng)效應(yīng)管，主要應(yīng)用于低電壓、低功率的開(kāi)關(guān)電源中。其最大漏極電壓為100V，最大漏電流為5.6A，可靠性高、性價(jià)比較高。 2. IRF540: 這也是一款N溝道MOS管，具有較高的開(kāi)關(guān)速度和較低的導(dǎo)通電阻，適用于
2023-08-18 14:35:337571 MOS管的三個(gè)管腳之間有寄生電容存在，這不是我們需要的，而是由于制造工藝限制產(chǎn)生的。MOS管導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。
2023-08-03 09:19:38344 
mos導(dǎo)通電壓不等于0，而是輸入電壓的二分之一，磁化電感電壓反而為0了，這是為啥？
2023-07-31 14:30:01
燈珠的一致性和可靠性。5050RGBW燈珠采用品牌芯片，陶瓷基板帶 lens 封裝結(jié)構(gòu)，具有低熱阻、高光效、高可靠性等特點(diǎn)。半功率角度達(dá)120° ，還可以無(wú)限調(diào)光，配色，光線更柔和，調(diào)光更均勻，使用時(shí)間更長(zhǎng)。 1. 高品質(zhì)： 采用高品質(zhì)氮化鋁陶瓷基板，熱阻低
2023-07-17 14:36:25567 
今天學(xué)習(xí)LED開(kāi)關(guān)電源里面一個(gè)細(xì)節(jié)：MOS管的驅(qū)動(dòng)電阻為啥要并聯(lián)一個(gè)二極管。
2023-07-04 11:03:515763 
點(diǎn)擊“東芝半導(dǎo)體”，馬上加入我們哦！ 東芝電子元件及存儲(chǔ)裝置株式會(huì)社（“東芝”）今日宣布， 推出采用東芝最新一代U-MOS X-H工藝制造而成的100V N溝道功率MOSFET“TPH3R10AQM
2023-06-29 17:40:01368 
管在導(dǎo)通狀態(tài)下消耗的功率為I*I*RDS（on）。比如MOS管的導(dǎo)通電阻是100毫歐，負(fù)載電流為10A，則MOS管消耗的功率高達(dá)10W。
2023-06-26 17:26:231579 
對(duì)于小功率電源（50W以內(nèi)）MOS管的驅(qū)動(dòng)電路設(shè)計(jì)相對(duì)簡(jiǎn)單，只需要一個(gè)驅(qū)動(dòng)電阻Rg即可對(duì)MOS管進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。此時(shí)的驅(qū)動(dòng)開(kāi)通電阻和關(guān)斷電阻阻值一致。
2023-06-19 10:41:332170 
MOS的參數(shù)選擇以及導(dǎo)通速度的計(jì)算
根據(jù)MOS的Td（on）+Td（off）推算出MOS的導(dǎo)通速度，這個(gè)方法對(duì)不對(duì)？
有沒(méi)有相近的NMOS推薦！VDS≥60V，ID≥15A，導(dǎo)通內(nèi)阻≤20m
2023-06-03 09:35:35
電壓，增加Cgs的充電時(shí)間，從而降低上MOS管導(dǎo)通時(shí)的電壓電流的變化率和SW波尖峰。
圖注：自舉電阻為0Ω時(shí)，SW的測(cè)試波形
將電阻增大到45Ω時(shí)，可以明顯看出自舉電阻越大，SW波上升斜率越小，同時(shí)SW的尖峰越小，驗(yàn)證了前面的結(jié)論。
圖注：電阻增大到45Ω時(shí)，SW的測(cè)試波形
2023-05-22 12:54:42
?！皩?dǎo)通電阻”和“Qgd”是引起MOSFET功率損耗的兩項(xiàng)主要參數(shù)，但對(duì)于普通的MOSFET而言，由于導(dǎo)通電阻與芯片尺寸成反比，
2023-05-17 13:35:02471 
在開(kāi)關(guān)電源里MOS導(dǎo)通時(shí)D—S之間的電壓為什么接近于0呢？
2023-05-16 14:29:20
9 至 16 dB，輸入功率為 1 至 10 W，幅度平衡為 ±0.25 至 ±1 dB。標(biāo)簽：帶連接器的模塊，Wilkinson 功率分配器。PD4-0R53
2023-05-15 17:22:57
Marki Microwave 的 PD-0R510 是一款功率分配器，頻率為 500 MHz 至 10 GHz，插入損耗為 0.9 至 1.8 dB
2023-05-15 17:16:33
Marki Microwave 的 C09-0R426 是一種定向耦合器，頻率為 450 MHz 至 26.5 GHz，耦合 9 dB，方向性 12
2023-05-12 11:47:38
Marki Microwave 的 C09-0R412 是一種定向耦合器，頻率為 450 MHz 至 12 GHz，耦合 9 dB，方向性 15 至
2023-05-12 11:45:58
Marki Microwave 的 C09-0R418 是一種定向耦合器，頻率為 450 MHz 至 18 GHz，耦合 9 dB，方向性 15 至
2023-05-11 17:42:52
Marki Microwave 的 C09-0R430 是一種定向耦合器，頻率為 450 MHz 至 30 GHz，耦合 9 dB，幅度
2023-05-11 16:52:27
新產(chǎn)品不僅利用微細(xì)化工藝提高了器件性能，還通過(guò)采用低阻值銅夾片連接的HSOP8封裝和HSMT8封裝，實(shí)現(xiàn)了僅2.1mΩ的業(yè)界超低導(dǎo)通電阻（Ron）*2，相比以往產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻降低了50%。
2023-05-10 14:20:06215 
保險(xiǎn)電阻在正常情況下具有普通電阻的功能，一旦電路出現(xiàn)故障，超過(guò)其額定功率時(shí)，它會(huì)在規(guī)定時(shí)間內(nèi)斷開(kāi)電路，從而達(dá)到保護(hù)其它元器件的作用。保險(xiǎn)電阻分為不可修復(fù)型和可修復(fù)型兩種。
2023-05-09 15:12:28405 MOS管具有三個(gè)內(nèi)在的寄生電容：Cgs、Cgd、Cds。這一點(diǎn)在MOS管的規(guī)格書(shū)中可以體現(xiàn)（規(guī)格書(shū)常用Ciss、Coss、Crss這三個(gè)參數(shù)代替）。MOS管之所以存在米勒效應(yīng)，以及ＧＳ之間要并電阻，其源頭都在于這三個(gè)寄生電容。
2023-05-08 09:08:543211 
額定功率是在額定環(huán)境溫度中可在連續(xù)工作狀態(tài)下使用的最大功率值。 當(dāng)貼片電阻器通電后將會(huì)發(fā)熱。此外，由于使用溫度的上限是確定的， 因此在高于額定環(huán)境溫度的條件下使用時(shí)，需要按照以下的功率降額曲線來(lái)降低
2023-04-30 15:29:001044 
輸出電阻rds和互導(dǎo)gm都會(huì)受到輸出電壓vgs的影響，那么在mos場(chǎng)效應(yīng)管的小信號(hào)模型中，輸出電阻和互導(dǎo)是否會(huì)受到交流信號(hào)的影響不斷變化？
2023-04-28 14:32:13
并提高可靠性。東芝實(shí)驗(yàn)證實(shí)，與現(xiàn)有SiC MOSFET相比，這種設(shè)計(jì)結(jié)構(gòu)在不影響可靠性的情況下[1]，可將導(dǎo)通電阻[2]（RonA）降低約20%。功率器件是管理各種電子設(shè)備電能，降低功耗以及實(shí)現(xiàn)碳中和
2023-04-11 15:29:18
os是電壓驅(qū)動(dòng)型器件，只要柵極和源級(jí)間給一個(gè)適當(dāng)電壓，源級(jí)和漏級(jí)間通路就形成。這個(gè)電流通路的電阻被成為mos內(nèi)阻，就是導(dǎo)通電阻<Rds(on)>。
2023-04-08 10:11:381348 硅二極管的死區(qū)電壓和導(dǎo)通電壓分別為多少？反向飽和電流為多少數(shù)量級(jí)？
2023-03-31 11:45:58
共射放大電路的輸出電阻R0為什么不算上負(fù)載電阻RL？要考試了 ，求大神幫個(gè)小忙！！感激不盡
2023-03-24 10:18:50
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