Microsemi發(fā)布新一代超高效非穿通型IGBT

　　致力于提供幫助功率管理、安全、可靠與高性能半導體技術產品的領先供應商美高森美公司（Microsemi Corporation，紐約納斯達克交易所代號：MSCC） 推出新一代1200V非穿通型（non-punch through，NPT） IGBT系列中的首款產品。新的IGBT系列采用美高森美的尖端Power MOS 8?技術，與競爭解決方案相比，總體開關和導通損耗顯著降低20%或更多。這些IGBT器件瞄準電焊機、太陽能逆變器和不間斷與開關電源等應用。

　　美高森美新的分立元件產品包括APT40GR120B、APT40GR120S和APT40GR120B2D30。這些器件可以單獨提供，或者與任一美高森美的FRED或碳化硅肖特基（Schottky） 二極管組合封裝提供，以便簡化產品開發(fā)和制造。其它特性包括：

　　·相比競爭產品，柵極電荷（Qg）顯著減少，具有更快的開關性能；

　　·硬開關運行頻率大于80 KHz，實現更高效的功率轉換；

　　·易于并聯（Vcesat的正溫度系數），提升大功率應用的可靠性；以及

　　·額定短路耐受時間（Short Circuit Withstand Time，SCWT），在需要短路能力的應用中實現可靠運作

　　APT40GR120B晶體管采用TO-247封裝，APT40GR120S采用表面安裝D3 PAK封裝，APT40GR120B2D30則是T-MAX? 封裝器件，包含了一個30A反并聯超快恢復二極管，采用美高森美的專有“DQ”系列低開關損耗、額定雪崩能量二極管技術制造。

　　供貨

　　美高森美新型NPT IGBT中的最初兩款產品已具有以上全部待征并已量產，可通過當地分銷商或美高森美銷售代表獲取樣品。要了解更多的信息，請通過電子郵件sales.support@microsemi.com聯系當地美高森美銷售代表或美高森美授權經銷商。