飛兆半導體擴大P通道PowerTrench MOSFET產品線FDMA910PZ和FDME910PZT

　　幫助蜂窩手機及其他便攜式應用設計人員改善電池充電和負載開關，飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 經擴大了其 P 通道 PowerTrench? MOSFET 產品線 。

　　FDMA910PZ 和 FDME910PZT 具備 MicroFET? MOSFET 包裝，并按照它們的物理尺寸(2 X 2 mm 和 1.6 X 1.6 mm) 提供卓越熱性能，讓它們完全匹配開關和線性模式應用。 在 20V 的額定電壓下，設備提供低通路電阻。 為預防靜電放電 (ESD) 失敗，F(xiàn)DMA910PZ 和 FDME910PZT 裝有優(yōu)化穩(wěn)壓二極管保護設備，這也將使最大額定 IGSS 泄漏從 10μA 降至 1μA。

　　特色及優(yōu)勢：

　　FDMA910PZ

　　? 最大 RDS = 20 mΩ，需 VGS = -4.5V，ID = -9.4 A

　　? 最大 RDS = 24 mΩ，需 VGS = -2.5V，ID = -8.6 A

　　? 最大 RDS = 34 mΩ，需 VGS = -1.8V，ID = -7.2 A

　　? 低配置-配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 2 X 2 mm 包裝最大為 0.8 mm

　　級別 > 2.8kV 標準

　　PDME910PZT

　　? 最大 RDS= 24mΩ，需 VGS = -4.5 V，ID = -8A

　　? 最大 RDS= 31mΩ，需 VGS = -2.5 V，ID = -7A

　　? 最大 RDS= 45mΩ，需 VGS = -1.8 V，ID = -6A

　　? 低配置： 配備 HBM ESD 保護的 MicroFET 1.6 X 1.6 mm 薄包裝最大為 0.55 mm

　　級別 > 2kV 標準

　　FDMA910PZ 和 FDME910PZT均不含鹵化物和氧化銻，并且為 RoHS 兼容。 兩種設備都提供低電壓安全操作，并適用于手機和便攜式設備。

　　價格：訂購1,000個

　　FDMA910PZ： 每個0.36美元

　　FDME910PZT： 每個0.33美元