由以上分析認(rèn)為，圓片測(cè)試打火的主要原因在金屬場(chǎng)板和截止環(huán)金屬之間電勢(shì)較大，引起金屬間打火，下一步主要從考慮降低兩者之間的電勢(shì)，減小金屬場(chǎng)板處的表面電場(chǎng)出發(fā)，進(jìn)行了以下模擬。
4.3.1增加兩個(gè)環(huán)
考慮在金屬場(chǎng)板前再增加兩個(gè)場(chǎng)限環(huán)，使得前面的分壓增加，以減少金屬之間的電勢(shì)差，模擬結(jié)果如下，F(xiàn)RD擊穿電壓沒(méi)有改變，仍舊在1500V,金屬場(chǎng)板和截止環(huán)之間的電勢(shì)從800V降到約500V,表面電場(chǎng)從2.6E5V/cm降低到1.7E5V/cm。
圖10：FRD增加兩個(gè)環(huán)后結(jié)構(gòu)
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圖11 FRD增加兩個(gè)環(huán)后電勢(shì)分布圖
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圖12 FRD增加兩個(gè)環(huán)后表面電場(chǎng)分布圖
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4.3.2增加三個(gè)環(huán)
從增加兩個(gè)環(huán)的結(jié)果看，增加環(huán)后電勢(shì)和電場(chǎng)都有改善，于是考慮增加三個(gè)環(huán)，模擬結(jié)果如下，F(xiàn)RD擊穿電壓沒(méi)有改變，仍舊在1500V, 金屬場(chǎng)板和截止環(huán)之間的電勢(shì)降為約400V,表面電場(chǎng)由2.6E5V/cm降低到1.2E5V/cm。
圖13 增加3個(gè)環(huán)后結(jié)構(gòu)
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圖14 增加三個(gè)環(huán)后電勢(shì)分布圖
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圖15 增加三個(gè)環(huán)后表面電場(chǎng)分布圖
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4 結(jié)論分析
從以上模擬結(jié)果可以看到，通過(guò)優(yōu)化終端結(jié)構(gòu)，可以有效減少金屬之間電勢(shì)差，改善表面電場(chǎng)分布，從而改善圓片測(cè)試打火現(xiàn)象。同時(shí)，工藝上可考慮在增加環(huán)的同時(shí)增加金屬后鈍化層，以更好的改善產(chǎn)品性能。