對諧振轉(zhuǎn)換器的效益
二極體從導(dǎo)通狀態(tài)變化至反向阻斷狀態(tài)的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)。在二極體正向?qū)ㄆ陂g，電荷被儲存在二極體的P-N結(jié)中。當(dāng)施加反向電壓時，所儲存的電荷會被消除，從而返回到阻斷狀態(tài)?？赏ㄟ^兩種現(xiàn)象消除儲存的電荷：大反向電流的流過和重組（recombination）。在此過程中，二極體中產(chǎn)生大反向恢復(fù)電流。就MOSFET寄生二極體來說，某些反向恢復(fù)電流就在N+源極下流動。圖3顯示了在寄生二極體反向恢復(fù)期間MOSFET的失效波形。對于競爭產(chǎn)品A，失效就發(fā)生在電流水準(zhǔn)達(dá)到最大反向恢復(fù)電流后，即dv/dt為6.87V/ns。這意味著峰值電流觸發(fā)了寄生雙極結(jié)晶體管（BJT），但UniFET II MOSFET系列則能避免，直到dv/dt達(dá)到更高的14.32V/ns。
圖4顯示了UniFET II MOSFET系列堅固的寄生二極體如何在輸出短路下提高轉(zhuǎn)換器的可靠性。在輸出短路后，工作模式從ZVS轉(zhuǎn)變?yōu)閆CS。由于Qrr更小，UniFET II MOSFET系列的電流突波降低了很多，而最重要的是，元件并未失效。
轉(zhuǎn)換器的其它異常模式可能發(fā)生在啟動階段。圖5顯示了啟動階段的開關(guān)電流波形。電流突波的高峰值超過27A，是由大的反向恢復(fù)電流所引起的。它可以觸發(fā)控制IC的保護(hù)功能。相反地，UniFET II MOSFET系列則不會出現(xiàn)大的電流突波。
為了比較UniFET II MOSFET系列和競爭產(chǎn)品的功率轉(zhuǎn)換效率，我們設(shè)計了一款150W的LLC諧振半橋轉(zhuǎn)換器。效率測試結(jié)果請參見圖6在整個輸入電壓範(fàn)圍內(nèi)，系統(tǒng)的效率高于競爭的MOSFET系統(tǒng)。效率較高的主要塬因是具有更低的Qg和Eoss，從而減少了關(guān)斷損耗和輸出電容性損耗。
全新功率MOSFET系列結(jié)合了扎實的本質(zhì)寄生二極體之性能和快速開關(guān)特性，目的是在諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中達(dá)到更好的可靠性和效率。由于降低了閘極充電電荷和輸出電容的儲能，降低了驅(qū)動損耗，開關(guān)效率也因而提升。UniFET II MOSFET系列以最低成本為設(shè)計人員提供了更好的可靠性和效率。