相較于傳統(tǒng)的照明技術(shù)，LED燈具有較高的效率，及更長的使用壽命。因而成為首選的燈泡類型，以期減少室內(nèi)/外照明的能耗。事實上，對于街燈而言，更高的效率和更長的壽命對于降低成本是不可或缺的。為LED燈供電而設(shè)計的開關(guān)電源也必須具有高效率和耐用性，以確保其具有與LED燈同樣長的免維護使用期。在這裡，諧振轉(zhuǎn)換器是最流行的電源拓?fù)渲?，這是因為相較于先前的電源拓?fù)?，它們的性能帶來了更高的電源效率，并可減少EMI。軟開關(guān)是諧振轉(zhuǎn)換器的一項重要特點。但諧振轉(zhuǎn)換器中使用寄生二極體（body diode）有時會導(dǎo)致系統(tǒng)失效。儲存在寄生二極體中的電荷必須被完全清除，以避免出現(xiàn)大電流和電壓突波，包括拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的高dv/dt和高di/dt。因此，功率MOSFET的關(guān)鍵參數(shù)如Qrr和反向恢復(fù)dv/dt，會直接對諧振轉(zhuǎn)換器的動態(tài)性能產(chǎn)生影響。本文將探討針對LED街燈照明的開關(guān)電源之整體解決方案。新的諧振控制器結(jié)合新的功率開關(guān)，可為LED照明電源提供高效解決方案，同時不會影響轉(zhuǎn)換器的耐用性和成本效率。
諧振轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)高效率
市場上已經(jīng)有多款DC-DC功率轉(zhuǎn)換拓?fù)淇捎脕頊p少功率轉(zhuǎn)換損耗、MOSFET元件應(yīng)力和射頻干擾（radio frequency interference， RFI），同時實現(xiàn)高功率密度。其中，採用MOSFET的寄生二極體來實現(xiàn)零電壓開關(guān)（zero voltage switching， ZVS）的諧振轉(zhuǎn)換器，已獲業(yè)界證實為可達到更高效率的有效元件。特別地，由于次級端沒有電感器，LLC諧振轉(zhuǎn)換器可在高輸入電壓下達到高效率，并且次級整流管上的電壓應(yīng)力較低。此外，即便空載條件下，LLC諧振轉(zhuǎn)換器也能確保零電壓開關(guān)的工作。ZVS技術(shù)能夠大幅地減少轉(zhuǎn)換損耗并大幅提高效率。零電壓開關(guān)也顯著地減少了開關(guān)雜訊，允許使用小型電磁干擾濾波器。鑒于這些獨特的特性，LLC諧振轉(zhuǎn)換器正成為一種廣為業(yè)界所採用的拓?fù)?，用于包括LED街燈的眾多應(yīng)用之中。FAN7621S提供了建構(gòu)可靠、穩(wěn)健LLC諧振轉(zhuǎn)換器所需的全部功能，包含高端閘極驅(qū)動電路、精確的電流受控振盪器、頻率限制電路、軟啟動和內(nèi)建的保護功能，能夠簡化設(shè)計和提高生產(chǎn)力。它所提供的多種保護功能包括了過壓和過流保護（OVP/OCP）、異常過流保護（AOCP）和內(nèi)部過熱關(guān)斷（TSD）功能。
鑒于LED街燈照明的特殊應(yīng)用要求，所有的保護功能可以自動重新啟動，高端閘極驅(qū)動電路具有共模消噪性能和優(yōu)良的抗噪性能，以確保工作時的穩(wěn)定性。即便使用最新的諧振控制器，在短路輸出狀況下，轉(zhuǎn)換器的工作點可以移入零電流開關(guān)（ZCS）區(qū)域。圖1所示為工作點的移動狀況。在此一狀況下，ZVS丟失而MOSFET上流過極大的電流。ZCS工作的最嚴(yán)重缺點是在啟動時發(fā)生硬開關(guān)，這會導(dǎo)致MOSFET寄生二極體產(chǎn)生反向恢復(fù)應(yīng)力。寄生二極體在很大的dv/dt下關(guān)斷，因而，在非常大的di/dt下，會產(chǎn)生很大的反向恢復(fù)電流突波，這些突波電流的幅度可以超過穩(wěn)態(tài)電流的十倍以上。大電流會帶來相當(dāng)大的損耗增加并使MOSFET發(fā)熱。而后，MOSFET的dv/dt性能由于結(jié)點溫度上升而下降，在極端狀況下，可能會毀掉MOSFET并導(dǎo)致系統(tǒng)失效。
最新的MOSFET技術(shù)
典型狀況下，MOSFET寄生二極體具有很長的反向恢復(fù)時間和較大的反向恢復(fù)電荷。儘管性能不佳，在某些應(yīng)用如諧振轉(zhuǎn)換器中，寄生二極體仍被當(dāng)作續(xù)流（freewheeling）二極體使用，因為它能夠簡化電路，不會增加系統(tǒng)成本。由于越來越多的應(yīng)用使用本質(zhì)寄生二極體（intrinsic body diode）來當(dāng)作系統(tǒng)的關(guān)鍵元件，快捷半導(dǎo)體深入分析了MOSFET的失效機制，針對諧振轉(zhuǎn)換器設(shè)計了全新且高度優(yōu)化的功率MOSFET產(chǎn)品，提升了寄生二極體的穩(wěn)健性并減少了輸出電容的儲能。如表1所述，相較于其它方案，全新UniFET II MOSFET系列的反向恢復(fù)電荷（Qrr）明顯地少了50％和88％。
MOSFET的電容是非線性的并且依賴于漏源電壓，因為它的電容本質(zhì)上是一種結(jié)電容。對于軟開關(guān)應(yīng)用，MOSFET輸出電容可當(dāng)作諧振元件使用。當(dāng)MOSFET導(dǎo)通時，儲存在變壓器中的磁能轉(zhuǎn)化為電流流動，使得MOSFET的輸出電容放電，以便達到ZVS工作的條件。因此，若MOSFET輸出電容中儲能較少，則為達到軟開關(guān)而所需的諧振能量也較少，不需要增加循環(huán)能量（circulating energy）。相較于導(dǎo)通電阻相同的其它競爭對手的元件，在典型的開關(guān)電源大電容電壓下，UniFET II MOSFET系列在輸出電容中的儲能減少約35％。輸出電容中儲存能量的特性如圖2所示。
對諧振轉(zhuǎn)換器的效益
二極體從導(dǎo)通狀態(tài)變化至反向阻斷狀態(tài)的轉(zhuǎn)換過程稱為反向恢復(fù)。在二極體正向?qū)ㄆ陂g，電荷被儲存在二極體的P-N結(jié)中。當(dāng)施加反向電壓時，所儲存的電荷會被消除，從而返回到阻斷狀態(tài)?？赏ㄟ^兩種現(xiàn)象消除儲存的電荷：大反向電流的流過和重組（recombination）。在此過程中，二極體中產(chǎn)生大反向恢復(fù)電流。就MOSFET寄生二極體來說，某些反向恢復(fù)電流就在N+源極下流動。圖3顯示了在寄生二極體反向恢復(fù)期間MOSFET的失效波形。對于競爭產(chǎn)品A，失效就發(fā)生在電流水準(zhǔn)達到最大反向恢復(fù)電流后，即dv/dt為6.87V/ns。這意味著峰值電流觸發(fā)了寄生雙極結(jié)晶體管（BJT），但UniFET II MOSFET系列則能避免，直到dv/dt達到更高的14.32V/ns。
圖4顯示了UniFET II MOSFET系列堅固的寄生二極體如何在輸出短路下提高轉(zhuǎn)換器的可靠性。在輸出短路后，工作模式從ZVS轉(zhuǎn)變?yōu)閆CS。由于Qrr更小，UniFET II MOSFET系列的電流突波降低了很多，而最重要的是，元件并未失效。
轉(zhuǎn)換器的其它異常模式可能發(fā)生在啟動階段。圖5顯示了啟動階段的開關(guān)電流波形。電流突波的高峰值超過27A，是由大的反向恢復(fù)電流所引起的。它可以觸發(fā)控制IC的保護功能。相反地，UniFET II MOSFET系列則不會出現(xiàn)大的電流突波。
為了比較UniFET II MOSFET系列和競爭產(chǎn)品的功率轉(zhuǎn)換效率，我們設(shè)計了一款150W的LLC諧振半橋轉(zhuǎn)換器。效率測試結(jié)果請參見圖6在整個輸入電壓範(fàn)圍內(nèi)，系統(tǒng)的效率高于競爭的MOSFET系統(tǒng)。效率較高的主要塬因是具有更低的Qg和Eoss，從而減少了關(guān)斷損耗和輸出電容性損耗。
全新功率MOSFET系列結(jié)合了扎實的本質(zhì)寄生二極體之性能和快速開關(guān)特性，目的是在諧振轉(zhuǎn)換器應(yīng)用中達到更好的可靠性和效率。由于降低了閘極充電電荷和輸出電容的儲能，降低了驅(qū)動損耗，開關(guān)效率也因而提升。UniFET II MOSFET系列以最低成本為設(shè)計人員提供了更好的可靠性和效率。