當VGS>VTH時，MOSFET表現為一個壓控電阻；但是，能讓MOSFET成為現在集成電路中的翹楚，肯定不是只是壓控電阻這么簡單呢。
當漏極電壓逐夠大的時候，MOS管會表現為一個壓控電流源。這使得MOSFET可以成為一個放大器。 ?
那到底是什么讓MOSFET可以成為一個壓控電流源呢？ 我覺得是MOSFET的通道夾斷效應(channel Pinch-off)。 ?
那什么是通道夾斷效應呢？
（1）當柵極和P型襯底接觸面之間的電勢差大于VTH時，開始形成溝道。如果VD=VS=0時，雖然溝道形成，但是還是沒有電流，因此沿著溝道長度處的電勢相等。
（2）加大VD的電壓，使得VD>0&VG-VD>Vth，溝道中開始有電流形成，而由于溝道電阻的存在，所以沿著溝道長度處的電勢是不等的，靠近源極處為0，而靠近漏極處為VD。所以此時，柵極和P型襯底接觸面之間的電勢差也是不等的，靠近源極處為VG，而靠近漏極處為VG-VD。
（3）繼續(xù)加大VD的電壓，使得VG-VD=Vth，此時在x=L,即漏極處，溝道截止。即產生通道夾斷效應。
（4）在繼續(xù)加大VD的電壓，使得VG-VD<Vth，則溝道仍然截止，但截止點位于漏極和源極之間的某處，如L1<L處截止。而在L1與L處則沒有通道。
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那在L1和L之間沒有通道了，那是不是就沒有電流了呢？
答案當然不是啦，要不然MOSFET管就不會像今天這么流行了。
因為漏極是n型摻雜，襯底為P型摻雜，所以漏極和襯底之間有一個PN結，且VD>0, VSUB=0，即n區(qū)域的電勢高于P區(qū)域的電勢，即PN結處于反偏狀態(tài)，所以其存在耗盡區(qū)。而耗盡區(qū)內的電場，則會把到達溝道截止處的電子吸引過來，保證電子可以繼續(xù)通過。
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但是，此時，VD不會對電流的大小具有顯著影響了，這時MOSFET就表現為一個恒流源。 ? ?
審核編輯：劉清