MOSFET(MOS管)中的“開(kāi)關(guān)”時(shí)間可以改變電壓?jiǎn)幔?
2023-05-16 14:26:16
MOSFET在快速關(guān)短過(guò)程中，驅(qū)動(dòng)電壓VGS會(huì)在米勒電平處震蕩很厲害？請(qǐng)問(wèn)有解決措施嗎？
2018-04-19 21:17:29
前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性一般提供導(dǎo)通延遲時(shí)間：Td(on）、上升時(shí)間：tr
2018-11-28 14:29:57
如題。請(qǐng)問(wèn)一下，MOSFET的手冊(cè)里面哪個(gè)參數(shù)能看的出來(lái)，當(dāng)其作為開(kāi)關(guān)管，完全打開(kāi)的時(shí)候，Vgs的電壓？同事跟我講，默認(rèn)12V大多數(shù)都可以完全打開(kāi)(NMOS)。低于12V就有點(diǎn)懸，MOS打開(kāi)不完全
2020-11-11 21:37:41
實(shí)現(xiàn)了內(nèi)部二極管的反向恢復(fù)時(shí)間trr高速化的ROHM SJ-MOSFET。?內(nèi)部二極管的trr高速化有助于實(shí)現(xiàn)逆變器和電機(jī)驅(qū)動(dòng)器電路的高效化與小型化。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SJ-MOSFETIGBTFRD
2018-11-28 14:27:08
開(kāi)關(guān)MOSFET中的噪聲（STGF20NB60S）以上來(lái)自于谷歌翻譯以下為原文 NOISE IN SWITCHING MOSFET(STGF20NB60S)
2019-05-06 14:28:23
自1980年代中期以來(lái)，MOSFET一直是大多數(shù)開(kāi)關(guān)電源（SMPS）首選的晶體管技術(shù)。當(dāng)用作門(mén)控整流器時(shí)，MOSFET是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P
2021-04-09 09:20:10
開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器使用輸出級(jí)，重復(fù)切換“開(kāi)”和“關(guān)”狀態(tài)，與能量存貯部件（電容器和感應(yīng)器）一起產(chǎn)生輸出電壓。它的調(diào)整是通過(guò)根據(jù)輸出電壓的反饋樣本來(lái)調(diào)整切換定時(shí)來(lái)實(shí)現(xiàn)的。 在固定頻率的穩(wěn)壓器中，通過(guò)
2021-11-12 09:17:29
使用它，會(huì)讓它的性能保持更加長(zhǎng)久！以下就介紹下微型投影儀的正確使用方:www.szlkh.com 首先要注意的就是，微型投影機(jī)不同于一般的消費(fèi)類(lèi)電子，比如像多媒體播放器，想開(kāi)就開(kāi)，想關(guān)就關(guān)，投影機(jī)則不
2012-10-23 18:31:14
今天給大家介紹一款高效極低成本的一款芯片TM0726 ，集成了一個(gè)700V的功率MOSFET、振蕩器、高壓開(kāi)關(guān)電流源、電流限流及熱關(guān)斷電路。采用開(kāi)/關(guān)控制方式，提供一個(gè)靈活的設(shè)計(jì)方案，并且實(shí)現(xiàn)更低
2017-07-12 09:58:50
C語(yǔ)言怎么實(shí)現(xiàn)高效編程？
2021-04-28 06:14:33
DFP 防 偏 開(kāi) 關(guān)概述：●通用的安裝設(shè)計(jì)可使防偏開(kāi)關(guān)隨意安裝在輸送機(jī)縱梁頂部或底部?！駡?jiān)固的鑄鋁外殼，特殊的環(huán)境可選擇特殊的表面處理?！裾w式蓋板易于接線(xiàn)及調(diào)整，不需拆除動(dòng)作桿就的可拆卸蓋板
2012-07-26 11:46:04
一般說(shuō)明 LM9061是一種電荷泵裝置，它提供門(mén)驅(qū)動(dòng)到任何尺寸的外部功率MOSFET配置作為高壓側(cè)的駕駛員或開(kāi)關(guān)。CMOS邏輯兼容電路開(kāi)/關(guān)輸入控制輸出柵極驅(qū)動(dòng)電壓。在在ON狀態(tài)下，電荷泵電壓
2020-07-14 14:53:05
LTM4657是采用相同引腳配置的高效率微型封裝降壓器μModule器件系列中的一款產(chǎn)品。與LTM4626和LTM4638相比，它的開(kāi)關(guān)頻率更低, 因此LTM4657在8 A輸出電流范圍內(nèi)提供更高
2020-10-30 07:58:28
概述：MAX1554能夠以恒定電流驅(qū)動(dòng)串聯(lián)的白色LED，為蜂窩電話(huà)、PDA及其它手持設(shè)備提供高效的顯示器背光驅(qū)動(dòng)。這款升壓轉(zhuǎn)換器內(nèi)部包含一個(gè)40V、低RDSON的N溝道MOSFET開(kāi)關(guān)，可提高效
2021-05-18 06:06:09
，濾波，再變換成直流的過(guò)程，而MOSFET在整個(gè)過(guò)程中通過(guò)其不斷的開(kāi)與關(guān)，使高壓直流變換成高頻交流電的過(guò)程。轉(zhuǎn)載自http://cxtke.com/
2012-07-06 15:43:51
，濾波，再變換成直流的過(guò)程，而MOSFET在整個(gè)過(guò)程中通過(guò)其不斷的開(kāi)與關(guān)，使高壓直流變換成高頻交流電的過(guò)程。轉(zhuǎn)載自http://www.wggk.net/
2012-07-04 17:02:24
電流的待機(jī)狀態(tài)。主要特點(diǎn) 極少的外部元器件 高達(dá)1.5A的恒電流輸出 單一管腳實(shí)現(xiàn)開(kāi)/關(guān)、模擬調(diào)光和PWM調(diào)光 專(zhuān)利線(xiàn)補(bǔ)技術(shù)，可實(shí)現(xiàn)良好線(xiàn)性調(diào)整率 獨(dú)特的抖頻技術(shù)減少EMI 效率高達(dá)97
2019-08-27 09:15:03
是主開(kāi)關(guān)晶體管且兼具提高效率的作用。為選擇最適合電源應(yīng)用的開(kāi)關(guān)，本設(shè)計(jì)實(shí)例對(duì)P溝道和N溝道增強(qiáng)型MOSFET進(jìn)行了比較。對(duì)市場(chǎng)營(yíng)銷(xiāo)人員，MOSFET可能代表能源傳遞最佳方案（Most Optimal
2018-03-03 13:58:23
可以減小內(nèi)部源極布線(xiàn)的電感，從而允許MOSFET實(shí)現(xiàn)高開(kāi)關(guān)頻率。TO263-7L采用7引腳封裝，采用開(kāi)爾文連接，適合表面安裝。TO268-2L采用雙引腳封裝，中間沒(méi)有引腳，以確保最佳的爬電距離。碳化硅
2019-07-30 15:15:17
比Si器件低，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗?！ 《?b class="flag-6" style="color: red">MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件
2023-02-07 16:40:49
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-04-09 04:58:00
，不需要進(jìn)行電導(dǎo)率調(diào)制就能夠以MOSFET實(shí)現(xiàn)高耐壓和低阻抗。而且MOSFET原理上不產(chǎn)生尾電流，所以用SiC-MOSFET替代IGBT時(shí)，能夠明顯地減少開(kāi)關(guān)損耗，并且實(shí)現(xiàn)散熱部件的小型化。另外
2019-05-07 06:21:55
限流(用戶(hù)可選)及熱關(guān)斷電路。IC產(chǎn)品系列采用開(kāi)/關(guān)控制方式，提供一個(gè)靈活的設(shè)計(jì)方案，并且實(shí)現(xiàn)更低的系統(tǒng)成本及更大的輸出功率范圍。具有簡(jiǎn)單的開(kāi)/關(guān)控制，無(wú)需環(huán)路補(bǔ)償，通過(guò)BP/M引腳電容值可選擇不同的電...
2021-10-29 09:11:36
本帖最后由 張飛電子學(xué)院魯肅 于 2021-1-30 13:21 編輯
本文詳細(xì)分析計(jì)算功率MOSFET開(kāi)關(guān)損耗，并論述實(shí)際狀態(tài)下功率MOSFET的開(kāi)通過(guò)程和自然零電壓關(guān)斷的過(guò)程，從而使電子
2021-01-30 13:20:31
MOSFET開(kāi)時(shí)米勒平臺(tái)的形成過(guò)程的詳細(xì)解析！純手工畫(huà)圖解析，這資料還是可以的回帖直接下載原文檔 [hide]https://pan.baidu.com/s/1gf0A2pt[/hide]
2017-10-25 16:14:46
有人可以向我解釋以下MOSFET差分放大器電路的定性和定量分析，以解釋為什么Vs = -0.5 V且右手MOSFET“導(dǎo)通”？該電路的目標(biāo)是使M2（左側(cè)）MOSFET在Vg = ~0.25V時(shí)導(dǎo)通，而不是Vg = ~0.7V，其中S點(diǎn)接地。目前的來(lái)源是我能想到實(shí)現(xiàn)這一目標(biāo)的唯一方法。
2018-09-14 11:42:58
分立電阻器與電容器（以及用于控制功率MOSFET的雙極結(jié)型晶體管（BJT）/第二個(gè)場(chǎng)效應(yīng)晶體管）圍繞的功率MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)在哪里一
2018-09-03 15:17:57
50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。高頻開(kāi)關(guān)電源工作原理及特點(diǎn)有哪些？開(kāi)瑞小編為你介紹：開(kāi)關(guān)K以必定的時(shí)刻間隔重復(fù)地接通和斷開(kāi)，在開(kāi)關(guān)K接通時(shí)，輸進(jìn)電源E經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)K和濾波電路供給給負(fù)載RL
2022-07-05 10:35:15
生活中有各種各樣的電源，其中就有一款叫高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)，什么是高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)？它有什么作用？高頻開(kāi)關(guān)電源（也稱(chēng)為開(kāi)關(guān)型整流器SMR）是通過(guò)MOSFET或IGBT的高頻工作的電源，開(kāi)關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2020-11-25 06:00:00
光敏電阻光控開(kāi)關(guān)開(kāi)和關(guān)時(shí)輸入光強(qiáng)值為什么要不一樣呢？
2023-03-24 17:45:11
內(nèi)置高壓MOSFET的原邊控制開(kāi)關(guān)電源SD4851介紹
2021-04-02 06:39:56
利 用 計(jì) 算 機(jī) 設(shè) 計(jì) 單 片 開(kāi) 關(guān) 電 源 講 座
2012-08-20 17:17:19
功率MOSFET的高效熱管理
2019-02-03 21:16:30
[size=13.63636302948px]BUCK電路里面如果用MOSFET做開(kāi)關(guān)管，TL494做脈沖寬度調(diào)制 (Pwm) 控制電路，請(qǐng)問(wèn)怎么驅(qū)動(dòng)MOSFET，，，加在柵極上的電壓好像要很高。。 求大神解答！
2014-11-15 16:35:11
進(jìn)一步減小死區(qū)提高效率，本方案最高效率達(dá)到98.4%；碳化硅MOSFET驅(qū)動(dòng)電荷Qg只有硅650VMOSFET的10%，減小了開(kāi)關(guān)驅(qū)動(dòng)損耗，能實(shí)現(xiàn)更高頻率工作，該方案最高工作頻率為400KHZ（圖15、16）
2016-08-05 14:32:43
如何實(shí)現(xiàn)PCB高的布通率以及縮短設(shè)計(jì)時(shí)間呢？如何實(shí)現(xiàn)PCB高效自動(dòng)布線(xiàn)的設(shè)計(jì)？
2021-04-23 06:39:20
如何實(shí)現(xiàn)PCB高效自動(dòng)布線(xiàn)
2021-03-17 06:56:08
JPEG2000標(biāo)準(zhǔn)基本原理是什么？如何實(shí)現(xiàn)對(duì)圖像的高效壓縮？
2021-06-03 06:24:15
如何實(shí)現(xiàn)高壓MOSFET控制器簡(jiǎn)化非隔離開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)？
2021-10-12 11:44:30
50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。 高頻開(kāi)關(guān)電源工作原理及特點(diǎn)有哪些？開(kāi)瑞小編為你介紹：開(kāi)關(guān)K以必定的時(shí)刻間隔重復(fù)地接通和斷開(kāi)，在開(kāi)關(guān)K接通時(shí)，輸進(jìn)電源E經(jīng)過(guò)開(kāi)關(guān)K和濾波電路供給給負(fù)載RL
2022-04-27 15:30:09
如何使用LebVIEW寫(xiě)一個(gè)控制SWITCH板 開(kāi)50ms之后關(guān)，使用板卡內(nèi)部時(shí)鐘？
2019-09-25 11:36:46
MOSFET）。但在多數(shù)情況下，使用全面集成的負(fù)載開(kāi)關(guān)具有更顯著的優(yōu)點(diǎn)。系統(tǒng)中的負(fù)載開(kāi)關(guān)在哪里一個(gè)典型系統(tǒng)包括一個(gè)電源和多個(gè)負(fù)載，需要各種不同的負(fù)載電流，如Bluetooth?、Wi-Fi或處理器軌。多數(shù)
2022-11-17 08:05:25
如何更加深入理解MOSFET開(kāi)關(guān)損耗？Coss產(chǎn)生開(kāi)關(guān)損耗與對(duì)開(kāi)關(guān)過(guò)程有什么影響？
2021-04-07 06:01:07
請(qǐng)問(wèn)如何通過(guò)MOSFET上的導(dǎo)通時(shí)間tdon，上升沿時(shí)間tr，關(guān)斷時(shí)間toff，下降沿時(shí)間tf 來(lái)確定 MOSFET 的開(kāi)關(guān)頻率大概是多少？
2019-01-09 18:29:44
現(xiàn)在有個(gè)項(xiàng)目要該多種語(yǔ)言顯示，界面上用了很多布爾控件，開(kāi)關(guān)文本顯示不一樣。如何通過(guò)屬性節(jié)點(diǎn)來(lái)設(shè)置布爾控件的“開(kāi)時(shí)文本”和“關(guān)時(shí)文本”的值。
2019-10-25 15:24:25
的元件中，難于實(shí)現(xiàn)低導(dǎo)通電阻及將開(kāi)關(guān)應(yīng)用的能耗降至最低。為了實(shí)現(xiàn)這些參數(shù)的高質(zhì)量組合，元件必須擁有小裸片尺寸，并帶有高單元密度及低電容和低閘極電荷?！ ∫苿?dòng)設(shè)備用MOSFET的微型化 通常情況下，有多種
2018-09-29 16:50:56
、試驗(yàn)器件IPZ65R019C7 最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET切換時(shí)間，比傳統(tǒng)的TO247封裝短。得益于開(kāi)關(guān)損耗降低，最新推出的TO247 4引腳封裝MOSFET實(shí)現(xiàn)了更高效率，如圖
2018-10-08 15:19:33
怎么實(shí)現(xiàn)MOSFET的半橋驅(qū)動(dòng)電路的設(shè)計(jì)？
2021-10-11 07:18:56
我想開(kāi)發(fā)一款WIFI遠(yuǎn)程控制開(kāi)關(guān)。用手機(jī)上的APP軟件實(shí)現(xiàn)遠(yuǎn)程控制開(kāi)關(guān)的通斷，支持安卓，蘋(píng)果平臺(tái)的，在手機(jī)上顯示開(kāi)關(guān)的關(guān)和開(kāi)。想求助技術(shù)方面的問(wèn)題？？？
2017-02-09 13:58:44
怎樣控制兩個(gè)喇叭中某一個(gè)喇叭的開(kāi)與關(guān)，簡(jiǎn)單方式，不是控制電源那種方法。
2017-11-13 14:09:42
小白求大神幫忙改下程序順便保存?zhèn)€hex文件，控制繼電器開(kāi)關(guān)的一個(gè)小程序 ，現(xiàn)在是01開(kāi)02關(guān)需要加個(gè)03開(kāi)和關(guān)（先開(kāi)讓后過(guò)1.5秒關(guān)），本人學(xué)生剛剛學(xué)，大神見(jiàn)笑了，感謝
2020-09-17 16:11:40
時(shí)間繼電器怎么實(shí)現(xiàn) 5分鐘開(kāi)電源，5分鐘關(guān)電源；4分鐘開(kāi)電源，4分鐘關(guān)電源；3分鐘開(kāi)電源，3分鐘關(guān)電源；2分鐘開(kāi)電源，2分鐘關(guān)電源；1分鐘開(kāi)電源，1分鐘關(guān)電源；用5組繼電器實(shí)現(xiàn)
2017-03-29 13:46:29
將wifi智能開(kāi)關(guān)插座應(yīng)用在智能照明領(lǐng)域，可以實(shí)現(xiàn)用手機(jī)APP控制燈具開(kāi)/關(guān)的效果，不論是在家近距離控制、還是在公司遠(yuǎn)距離操控，愛(ài)普瑞wifi智能開(kāi)關(guān)都可以完美實(shí)現(xiàn)?！ ?、定時(shí)智能開(kāi)關(guān) 定時(shí)智能開(kāi)關(guān)
2016-09-05 17:19:35
問(wèn)題： 對(duì)于基于ARM Cortex M0內(nèi)核的STM32芯片各類(lèi)應(yīng)用開(kāi)發(fā)時(shí)，有的時(shí)候需要進(jìn)行總的中斷的開(kāi)、關(guān)處理。那就究竟有沒(méi)有開(kāi)、關(guān)總的中斷的函數(shù)或者指令呢？ 回答： 隨著Corte Mn各種
2021-08-13 06:58:27
嗨，有沒(méi)有人舉過(guò)閃爍LED并使用PWM模式輸出LED的開(kāi)和關(guān)的例子。
2020-04-02 10:53:14
求教：怎么用按鍵控制電源的開(kāi)與關(guān)，現(xiàn)在需要用按鍵去控制電源的開(kāi)關(guān)，按一下開(kāi)，再按一下，電源接斷開(kāi)了。。。最好有電路圖{:1:}PCB打樣找華強(qiáng) http://www.hqpcb.com 樣板2天出貨
2013-07-15 21:16:15
時(shí)，MOSFET關(guān)閉，完成一個(gè)24V的電路跨越線(xiàn)圈。為了更仔細(xì)地匹配開(kāi)關(guān)的跳閘輪廓，而不是僅僅在開(kāi)關(guān)上開(kāi)/關(guān)——我想在100毫秒的間隔內(nèi)使占空比從0到100%傾斜。我已經(jīng)能夠相當(dāng)容易地做到這一點(diǎn)，然而，當(dāng)
2019-04-18 09:45:08
美的電磁爐開(kāi)啟后不停的開(kāi)和關(guān)，只聽(tīng)見(jiàn)滋滋滋的聲音工作幾十秒然后又關(guān)閉然后又自動(dòng)開(kāi)啟，感覺(jué)就像高溫報(bào)警一樣，另外拆開(kāi)看到與玻璃面板相連接有一個(gè)白色的圓點(diǎn)像傳感器一樣的東西，貼合不是很緊密，請(qǐng)問(wèn)大神這個(gè)是什么原因造成的，另外電磁爐玻璃面板上面這個(gè)是什么東西？有沒(méi)有可能修好
2020-12-28 10:32:44
的具體值，投入式水泵遠(yuǎn)程控制器在水位達(dá)到上下限時(shí)自動(dòng)給手機(jī)短信報(bào)警。 控制方法：用手機(jī)發(fā)控制短信“1開(kāi)”、“1關(guān)”‘“2開(kāi)”、“2關(guān)”’“3開(kāi)”、“3關(guān)”、“全開(kāi)”、“全關(guān)”便可控制水泵開(kāi)關(guān)。水泵開(kāi)啟后會(huì)
2013-05-02 16:32:47
`想在前面板中不同選項(xiàng)卡里添加波動(dòng)開(kāi)關(guān)，但這幾個(gè)分步在不同選項(xiàng)卡里的開(kāi)關(guān)其實(shí)是同一個(gè)開(kāi)關(guān)，起到同一個(gè)開(kāi)關(guān)控制的效果，所以請(qǐng)教各位大蝦：怎樣在labview里編寫(xiě)聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)，使這幾個(gè)開(kāi)關(guān)同時(shí)開(kāi)和關(guān)，跟現(xiàn)實(shí)中聯(lián)動(dòng)開(kāi)關(guān)一樣。`
2011-08-18 17:55:27
MOSFET的柵極電荷特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開(kāi)關(guān)過(guò)程
2021-04-14 06:52:09
設(shè)計(jì)一個(gè)LED控制電路 實(shí)現(xiàn)利用2個(gè)按鈕控制LED的開(kāi)和關(guān) 畫(huà)出電路各出程序哪位大神會(huì)啊急急急！??！
2016-11-24 19:02:54
怎么通過(guò)條件結(jié)構(gòu)控制DAQ助手的開(kāi)和關(guān)，就是運(yùn)行程序之后點(diǎn)開(kāi)始按鈕才開(kāi)始采集數(shù)據(jù)
2019-11-04 20:12:15
通過(guò)遙控器發(fā)射紅外線(xiàn)，紅外線(xiàn)接受來(lái)控制電燈開(kāi)和關(guān)，要用單片機(jī)才能實(shí)現(xiàn)嗎？電路原理圖，求一張！
2016-05-03 21:20:17
狀態(tài)下工作：開(kāi)-電阻非常小;關(guān)-阻力很大。高頻開(kāi)關(guān)電源與線(xiàn)性電源相同點(diǎn)與不同點(diǎn) 高頻開(kāi)關(guān)電源的特點(diǎn)： 高頻開(kāi)關(guān)電源通常由(脈沖寬度調(diào)制)PWM控制IC和MOSFET組成。隨著電力電子技術(shù)的發(fā)展和創(chuàng)新，開(kāi)關(guān)電源主要應(yīng)用于體積小，重量輕，效率高等特點(diǎn)幾乎應(yīng)用到所有電子設(shè)備，其重要性是顯而易見(jiàn)
2021-10-28 09:07:56
微型、高速USB/音頻/視頻開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)單連接器設(shè)計(jì)業(yè)界具有最佳保護(hù)性能的高集成度開(kāi)關(guān)
優(yōu)異的性能指標(biāo)? USB 2.0兼容(480Mbps)? THD+N低至0.05% (音頻)? 高達(dá)
2008-09-06 00:12:14
50 特種微型微動(dòng)開(kāi)關(guān)
特種微型微動(dòng)開(kāi)關(guān)的主要特性參數(shù)見(jiàn)表9-13 ，它們的外形結(jié)構(gòu)如圖9-11 所示。
2009-09-19 15:06:31
1113 Linear推出完整的開(kāi)關(guān)模式 DC/DC 微型模塊 (µModule®) 負(fù)載點(diǎn)穩(wěn)壓器 LTM4611，該器件能產(chǎn)生自己的 5V N 溝道 MOSFET 柵極驅(qū)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)從 3.3VIN 或更低的輸入到 0.8V (
2010-07-01 18:09:52924 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程;然后介紹了一種更直觀(guān)明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程。開(kāi)關(guān)過(guò)程中，功率MOSFET動(dòng)態(tài)的經(jīng)過(guò)是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過(guò)程。在
2011-03-15 15:19:17557 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程；然后介紹了一種更直觀(guān)明析的理解功率MOSFET開(kāi)關(guān)過(guò)程的方法：基于功率MOSFET的導(dǎo)通區(qū)特性的開(kāi)關(guān)過(guò)程，并詳細(xì)闡述了其開(kāi)關(guān)過(guò)程
2011-09-14 17:39:1765 為了使MOSFET整個(gè)開(kāi)關(guān)周期都工作于ZVS，必須利用外部的條件和電路特性，實(shí)現(xiàn)其在開(kāi)通過(guò)程的ZVS。如同步BUCK電路下側(cè)續(xù)流管，由于其寄生的二極管或并聯(lián)的肖特基二極管先導(dǎo)通，然后續(xù)流的同步
2012-04-12 11:04:2359180 
MOSFET管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)MOSFET管開(kāi)關(guān)電路設(shè)計(jì)
2015-12-23 15:03:45204 為了有效解決金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）在通信設(shè)備直流-48 V緩啟動(dòng)應(yīng)用電路中出現(xiàn)的開(kāi)關(guān)損耗失效問(wèn)題，通過(guò)對(duì)MOSFET 柵極電荷、極間電容的闡述和導(dǎo)通過(guò)程的解剖，定位了MOSFET 開(kāi)關(guān)損耗的來(lái)源，進(jìn)而為緩啟動(dòng)電路設(shè)計(jì)優(yōu)化，減少MOSFET的開(kāi)關(guān)損耗提供了技術(shù)依據(jù)。
2016-01-04 14:59:0538 電力MOSFET開(kāi)關(guān)概述及工作原理
2019-04-19 06:33:005175 
生活中有各種各樣的電源，其中就有一款叫高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)，什么是高頻開(kāi)關(guān)電源系統(tǒng)？它有什么作用？高頻開(kāi)關(guān)電源（也稱(chēng)為開(kāi)關(guān)型整流器SMR）是通過(guò)MOSFET或IGBT的高頻工作的電源，開(kāi)關(guān)頻率一般控制在50-100kHz范圍內(nèi)，實(shí)現(xiàn)高效率和小型化。
2020-10-31 12:18:385136 
微型高效單片穩(wěn)壓器為先進(jìn)的SoC和μ處理器供電，采用靜音開(kāi)關(guān)2技術(shù)實(shí)現(xiàn)低電磁干擾
2021-05-27 12:43:082 微型時(shí)控開(kāi)關(guān)：又稱(chēng)小型時(shí)控開(kāi)關(guān)、寬電壓時(shí)控開(kāi)關(guān)、交直流通用時(shí)控開(kāi)關(guān)，12-260V交直流電通用，體積小、模塊級(jí)，可直接嵌入設(shè)備內(nèi)部進(jìn)行使用。 目前市場(chǎng)上新型的微型時(shí)控開(kāi)關(guān)：通過(guò)藍(lán)牙和手機(jī)進(jìn)行連接
2022-08-05 16:12:082049 可對(duì)開(kāi)關(guān)進(jìn)行無(wú)線(xiàn)控制。可以手動(dòng)控制開(kāi)、關(guān)，也可以設(shè)置定時(shí)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)開(kāi)、關(guān)。 微型時(shí)控開(kāi)關(guān) 微型時(shí)控開(kāi)關(guān) 定時(shí)時(shí)間最短可以精確到1秒鐘，最長(zhǎng)可以控制168小時(shí)（一個(gè)星期），可以設(shè)置30組定時(shí)時(shí)間，內(nèi)置時(shí)間記憶芯片，具有斷電記憶功能，斷電
2022-09-03 10:53:341671 
微型時(shí)控開(kāi)關(guān)：又稱(chēng)小型時(shí)控開(kāi)關(guān)、12-260v交直流電通用時(shí)控開(kāi)關(guān)、微電腦時(shí)控開(kāi)關(guān)。 微型藍(lán)牙時(shí)控開(kāi)關(guān)：開(kāi)關(guān)具備藍(lán)牙功能，通過(guò)藍(lán)牙與手機(jī)進(jìn)行連接，15米范圍內(nèi)可使用手機(jī)小程序?qū)?b class="flag-6" style="color: red">開(kāi)關(guān)進(jìn)行無(wú)線(xiàn)控制。可以
2022-09-29 17:40:042004 MOSFET有兩大類(lèi)型：N溝道和P溝道。在功率系統(tǒng)中，MOSFET可被看成電氣開(kāi)關(guān)。例如N溝道MOSFET的柵極和源極間加上正電壓時(shí)，當(dāng)VGS電壓達(dá)到MOSFET的開(kāi)啟電壓時(shí)，MOSFET導(dǎo)通等同開(kāi)關(guān)導(dǎo)通，有IDS通過(guò)，實(shí)現(xiàn)功率轉(zhuǎn)換。
2022-11-28 15:53:05666 前篇對(duì)MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開(kāi)關(guān)特性。MOSFET的開(kāi)關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開(kāi)關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
借助 n 溝道和 p 溝道 MOSFET，您可以輕松地實(shí)現(xiàn)單刀雙擲 （SPDT） 開(kāi)關(guān)，以隔離電路的一部分，并在電路其余部分關(guān)閉時(shí)從次級(jí)電源為其供電，以便待機(jī)工作 （圖1 ）。通過(guò)使用互補(bǔ)對(duì)，您可
2023-05-31 17:49:243203 
為什么buck電路中開(kāi)關(guān)器多用mosfet而不用bjt？? Buck電路是一種常見(jiàn)的DC-DC轉(zhuǎn)換電路，可實(shí)現(xiàn)輸入電壓向輸出電壓的降壓轉(zhuǎn)換。在Buck電路中，開(kāi)關(guān)器是其中最重要的組件之一，它決定
2023-09-12 15:26:31686 MOSFET作為一種電子開(kāi)關(guān)，主要利用了其在柵源電壓控制下的導(dǎo)電能力，通過(guò)改變柵源電壓 VGS，使得元件在短路（ON）和開(kāi)路（OFF）狀態(tài)間轉(zhuǎn)變，從而實(shí)現(xiàn)高效的電壓控制和電源管理。MOSFET在開(kāi)關(guān)
2023-11-25 11:30:00406 
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