PN結(jié)及其特性詳細介紹
1. PN結(jié)的形成
在一塊本征半導體在兩側(cè)通
2009-11-09 16:09:07
24377 
本文簡要比較了下SiC Mosfet管和Si IGBT管的部分電氣性能參數(shù)并分析了這些電氣參數(shù)對電路設計的影響，并且根據(jù)SiC Mosfet管開關(guān)特性和高壓高頻的應用環(huán)境特點，推薦了金升陽可簡化設計隔離驅(qū)動電路的SIC驅(qū)動電源模塊。
2015-06-12 09:51:234738 本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內(nèi)容，因此請結(jié)合
2020-12-21 14:25:457583 
MOSFET-MOS管特性參數(shù)的理解
2022-12-09 09:12:371868 MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37978 
MOSFET的非理想特性對模擬集成電路設計具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個方面，包括電容、體效應、溝道長度調(diào)制、亞閾值導通、遷移率下降以及飽和速度和壓敏降閾。同時，工藝、電壓和溫度變化也對晶體管性能產(chǎn)生影響。因此，在模擬IC設計過程中，需要考慮并解決這些非理想特性和外部條件的影響。
2023-11-16 16:15:55767 
本文就MOSFET的開關(guān)過程進行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學習工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過程，然后從漏極導通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應用？
2021-07-09 07:45:34
的。例如，導通時間可解釋為“VGS上升到10%后，到MOSFET導通10%的時間”。開關(guān)特性的溫度特性這些開關(guān)時間隨著溫度上升略有増加趨勢。由于溫度上升100℃約增加10%左右，因此可以認為幾乎沒有
2018-11-28 14:29:57
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中，讀取這個MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
溫度傳感器， 在熱敏電路、溫度補償應用以及以替代傳統(tǒng)熱敏技術(shù)為目的的各種應用中，溫度傳感器非常有用?？筛鶕?jù)不同輸出選擇合適的器件： 電壓輸出， 特性： 溫度轉(zhuǎn)換精度可達±0.5°C（典型值
2018-10-30 15:58:02
二極管的伏安特性是什么？溫度對二極管的伏安特性有何影響？
2021-10-08 08:55:17
CC6207開關(guān)參數(shù)特性是什么？
2022-02-23 06:07:32
FP8102特性：獨立的線性充電器，用于單節(jié)鋰離子電池無需外部MOSFET,檢測電阻或二極管所需的阻塞
2019-09-17 09:00:52
IIC通訊協(xié)議是什么？STM32的IIC特性有哪些？STM32的IIC架構(gòu)是由哪些部分組成的？
2021-10-14 09:34:26
，SiC-MOSFET在25℃時的變動很小，在25℃環(huán)境下特性相近的產(chǎn)品，差距變大，溫度增高時SiC MOSFET的導通電阻變化較小。與IGBT的區(qū)別：關(guān)斷損耗特性前面多次提到過，SiC功率元器件的開關(guān)特性優(yōu)異，可處理
2018-12-03 14:29:26
MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結(jié)MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結(jié)MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
二極管的特征Si晶體管所謂晶體管－分類與特征所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性所謂MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結(jié)
2018-11-27 16:38:39
;font face="Verdana">在MOSFET開關(guān)期間，由于殘存電荷的存在，MOSFET會消耗很大的能量。這個開關(guān)損耗，會使器件的溫度升高
2010-08-10 11:46:47
不同開關(guān)穩(wěn)壓器拓撲的噪聲特性有哪些
2021-03-11 06:52:31
格，因為他們要在非常規(guī)溫度下工作。那么受溫度影響晶振會發(fā)生什么變化呢？受外界的溫度影響,造成的晶振偏頻和不起振是很正常現(xiàn)象。 晶振的溫度特性漂移速度以及漂移量取決于晶振所處的環(huán)境溫度點、環(huán)境的溫變速
2017-06-13 15:13:45
什么是堆疊式共源共柵？低阻抗功率半導體開關(guān)有哪些關(guān)鍵特性？低阻抗功率半導體開關(guān)有哪些應用優(yōu)勢？
2021-06-26 06:14:32
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
，功率MOSFET很少接到純的阻性負載，大多數(shù)負載都為感性負載，如電源和電機控制；還有一部分的負載為容性負載，如負載開關(guān)。既然功率MOSFET所接的負載大多數(shù)為感性負載，那么上面基于阻性負載的開關(guān)特性
2016-12-16 16:53:16
二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加控制）（2）：說明功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)ǎ部捎靡浑娮璧刃?，該電阻與溫度
2018-10-25 16:11:27
本帖最后由 977948242 于 2012-8-4 23:52 編輯
元器件的特性及其作用
2012-08-04 23:37:13
系列Hybrid MOS是同時具備超級結(jié)MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”）的高速開關(guān)和低電流時的低導通電阻、IGBT的高耐壓和大電流時的低導通電阻這些優(yōu)異特性的新結(jié)構(gòu)MOSFET。下面為
2018-11-28 14:25:36
是否有白皮書明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開啟特性來抑制浪涌電流？
設計類似于 TLE9853 評估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過模擬感性負載，我們 CAN 控制電流
2024-01-29 07:41:55
MOSFET的開關(guān)特性是什么D類MOSFET在射頻功放中的應用MOSFET器件的維護和存儲
2021-04-22 07:08:48
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設計數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
無鉛焊錫及其特性無鉛焊錫及其特性 和溫度、機械、蠕變、疲勞特性一樣，熔化溫度點是最重要的焊錫特性之一。表四提供了現(xiàn)時能買到的無鉛焊錫一覽表。 表四、無鉛焊錫及其特性 無鉛焊錫化學成份 熔點范圍 說明
2010-08-18 19:51:30
柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
您好，我想知道 NXP UCODE 7 芯片內(nèi)部使用的 MOSFET 的 IV 特性，該 MOSFET 開關(guān)用于數(shù)據(jù)輸出鏈中的反向散射。有人可以提供這些數(shù)據(jù)嗎？非常感謝~
2023-03-31 07:53:20
IIC總線系統(tǒng)結(jié)構(gòu)是怎樣組成的？IIC總線有哪些特點呢？STM32的IIC有哪些特性？是由哪些部分組成的呢？
2022-02-28 07:22:29
滿足什么特性的開關(guān)電源不需要環(huán)路補償？
2019-03-12 13:51:11
沒有問題。但是，當深入理解功率MOSFET的轉(zhuǎn)移特性和溫度對其轉(zhuǎn)移特性的影響，就會發(fā)現(xiàn)，功率MOSFET的正溫度系數(shù)只有在MOSFET進入穩(wěn)態(tài)完全導通后的狀態(tài)下才能成立，在開關(guān)瞬態(tài)的過程中，上述理論
2016-09-26 15:28:01
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
。但是隨著開關(guān)頻率的提高，會帶來EMI特性的惡化，必須采取有效的措施改善電路的EMI特性圖 1 MOSFET噪聲源1、降低MOSFET的dv/dt1-3中，Rg和Cgd越大，dv/dt越低。1-4中
2020-10-21 07:13:24
此文件描述一般開關(guān)電源供應器的測試儀器及其特性。
2010-06-08 08:55:06
36 開關(guān)電源磁芯特性摘要: 本文對高頻開關(guān)電源所用磁芯的特性進行了研究。將磁芯理論與開關(guān)電源相結(jié)合，簡明的闡述了功率磁芯的重要特性。文章解釋了溫度對磁性能的
2010-06-23 09:41:2359 本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動電路和在動態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動電路的要求，
2010-11-11 15:34:22201 摘要：從功率MOSFET內(nèi)部結(jié)構(gòu)和極間電容的電壓依賴關(guān)系出發(fā)，對功率MOSFET的開關(guān)現(xiàn)象及其原因進行了較深入分析。從實際應用的角度，對功率MOSFET開關(guān)過程的功率損耗和所需驅(qū)動
2010-11-11 15:36:3853 傳感器特性及其標定
靜態(tài)特性 傳感器的動態(tài)特性 靜、動態(tài)特性標定
傳感器標定是
2009-05-19 08:39:01965
電路的溫度-電壓特性
2009-07-08 11:41:24345 
了解PWM IC的溫度降額特性以獲得系統(tǒng)的最佳性能
摘要：為了獲得更高功率密度的DC-DC模塊，現(xiàn)代DC-DC轉(zhuǎn)換器大多采用內(nèi)置MOSFET的PWM控制器。由于功率MOSFET放置在PWM芯片內(nèi)
2009-07-18 08:38:311306 單向晶閘管的特性及其參數(shù)
單向晶閘管的伏安特性曲線如圖17-3 所示。從特性曲線上可以看出它分五個區(qū)，即反向擊穿區(qū)、反向阻斷區(qū)、正向阻斷區(qū)、負阻區(qū)和正向
2009-09-19 16:54:331448 電阻器的種類及其特性
問：我想了解現(xiàn)有電阻器各種類型之間的差別以及在具體應用中如何選
2009-11-09 14:53:041198 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
通常，許多資料和教材都認為，MOSFET的導通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當其中一個并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時，具有
2009-11-10 10:53:134381 
軟開關(guān)的基本特性和類型
基本特性 實現(xiàn)零電壓開通的諧振變換器在實際主開關(guān)零電壓開通的情況下也能實現(xiàn)軟關(guān)斷。實
2010-03-03 15:37:012683 
本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程;然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細闡述了其開關(guān)過程。開關(guān)過程中，功率MOSFET動態(tài)的經(jīng)過是關(guān)斷區(qū)、恒流區(qū)和可變電阻區(qū)的過程。在
2011-03-15 15:19:17557 本文先介紹了基于功率MOSFET的柵極電荷特性的開關(guān)過程；然后介紹了一種更直觀明析的理解功率MOSFET開關(guān)過程的方法：基于功率MOSFET的導通區(qū)特性的開關(guān)過程，并詳細闡述了其開關(guān)過程
2011-09-14 17:39:1765 用電阻噪聲確定一個低噪聲放大器的特性，由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET 通用方波電路[8]，它是構(gòu)成邏輯門電路的基本單元
2011-09-30 11:08:121469 
NMOS管的開關(guān)特性，基礎的模擬電路，很好的資料
2016-01-13 14:47:030 激光器電源的基本特性及其對電源的要求
2016-01-20 15:41:2110 超微晶材料的鐵損溫度特性研究
2016-03-23 17:47:590 功率MOS場效應晶體管技術(shù)講座_功率MOSFET特性參數(shù)的理解。
2016-03-24 17:59:0847 SiCBMFET開關(guān)特性的仿真研究_張林
2017-01-07 21:45:571 開關(guān)電源PCB電磁兼容特性的仿真分析及其改進_陳城
2017-01-08 10:47:213 切削溫度實時測量傳感器及其特性_于曉洋
2017-01-08 11:37:440 本文詳細的對MOSFET的每個特性參數(shù)進行分析
2018-03-01 09:14:544661 
基于漏極導通區(qū)特性理解mosfet開關(guān)過程資料
2018-05-10 10:53:114 MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件，需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標中，以靜態(tài)特性和動態(tài)特性更為重要，本文主要討論靜態(tài)特性。
2018-06-29 11:10:4811150 
1.2 軟磁材料磁特性及其參數(shù)
2019-04-28 06:00:007069 
電力MOSFET開關(guān)概述及工作原理
2019-04-19 06:33:005175 
此HEXFET功率MOSFET專門設計用于維持能量恢復和通過開關(guān)應用在等離子顯示面板中。此MOSFET利用最新處理技術(shù)實現(xiàn)對每個硅區(qū)域和低脈沖的電阻。此MOSFET的其他特性是175°共操作結(jié)溫度和高重復峰值電流能力。
2019-06-17 14:53:5510867 
IGBT ，中文名字為絕緣柵雙極型晶體管，它是由 MOSFET （輸入級）和 PNP 晶體管（輸出級）復合而成的一種器件，既有 MOSFET 器件驅(qū)動功 率小和開關(guān)速度快的特點（控制和響應），又有
2020-11-17 08:00:008 產(chǎn)品特點
1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導通特性；
2、更好的導通電阻溫度特性，顯著增強器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
在本文中，我們將討論與瞬態(tài)條件和開關(guān)模式操作有關(guān)的MOSFET特性。 在上一篇有關(guān)低頻MOSFET的文章中，我們研究了控制MOSFET穩(wěn)態(tài)工作的參數(shù)，例如閾值電壓，導通狀態(tài)電阻和最大漏極電流。這些
2021-03-09 09:49:242355 近幾年來，開關(guān)電源市場對高能效、大功率系統(tǒng)的需求不斷提高，在此拉動下，設計人員轉(zhuǎn)向?qū)ふ译娔軗p耗更低的轉(zhuǎn)換器拓撲。PWM移相控制全橋轉(zhuǎn)換器就是其中一個深受歡迎的軟硬結(jié)合的開關(guān)電源拓撲，能夠在大功率條件下達取得高能效。本文旨在于探討MOSFET開關(guān)管在零壓開關(guān)（ZVS）轉(zhuǎn)換器內(nèi)的工作特性。
2021-03-16 11:24:252358 
MOSFET的開關(guān)特性解析|必看 MOS管最顯著的特點也是具有放大能力。不過它是通過柵極電壓uGS控制其工作狀態(tài)的，是一種具有放大特性的由電壓uGS控制的開關(guān)元件。 1、靜態(tài)特性 MOS管作為開關(guān)
2021-07-23 09:44:397320 
電力電子產(chǎn)業(yè)未來的發(fā)展趨勢之一便是使用更高的開關(guān)頻率以獲得更緊密的系統(tǒng)設計，而在高開關(guān)頻率高功率的應用中，SiC器件優(yōu)勢明顯，這就使得SiC MOSFET在5G基站、工業(yè)電源、光伏、充電
2021-08-13 18:16:276631 電源EMI特性(開關(guān)電源技術(shù)與設計考試試題)-主要介紹電源EMI濾波器的技術(shù)特性及其選用
2021-09-29 16:31:0930 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
MOSFET特性參數(shù)說明
2022-08-22 09:54:471705 許多工程師第一次使用模擬開關(guān)，往往會把模擬開關(guān)完全等同于機械開關(guān)。其實模擬開關(guān)雖然具備開關(guān)性，但和機械開關(guān)有所不同，它本身還具有半導體特性：
2023-02-06 14:48:111488 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關(guān)被廣為應用的Si-MOSFET的特性作補充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性--柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。
2023-02-09 10:19:255046 
在SiC MOSFET的開發(fā)與應用方面，與相同功率等級的Si MOSFET相比，SiC MOSFET導通電阻、開關(guān)損耗大幅降低，適用于更高的工作頻率，另由于其高溫工作特性，大大提高了高溫穩(wěn)定性。
2023-02-12 16:13:002571 新一代的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET中有一些在關(guān)斷的過程中溝道具有提前關(guān)斷的特性，因此，它們的關(guān)斷的特性不受柵極驅(qū)動電阻的控制，但是，并不是所有的超結(jié)結(jié)構(gòu)的功率MOSFET都具有這樣的特性，和它們內(nèi)部結(jié)構(gòu)、單元尺寸以及電壓額定等多個因素相關(guān)。
2023-02-16 10:39:36581 
本文論述了功率MOSFET管導通電阻的正溫度系數(shù)和負溫度系數(shù)的雙重特性以及相對應的VGS的轉(zhuǎn)折電壓，功率MOSFET管在開通和關(guān)斷時要跨越這兩個區(qū)域的工作過程。
2023-02-16 11:22:59717 
半橋 MOSFET 開關(guān)及其對 EMC 的影響-AN90011
2023-02-20 18:58:306 關(guān)于IGBT、MOSFET、BJT的開關(guān)工作特性的基本思想 最近一直在弄實驗室一個金屬離子源的控制板，其中有一個模塊需要完成一個恒流源的可控輸出，其負載是金屬離子源的遠控電流輸入口，考慮到金屬離子源
2023-02-23 09:55:292 場效應晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數(shù)受溫度的影響機理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉(zhuǎn)移特性等參量， 以便找到能夠表征結(jié) 溫特性
2023-04-15 10:03:061454 Nexperia | 了解RET的開關(guān)特性
2023-05-24 12:16:30450 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時的特性，會出現(xiàn)與結(jié)型場效應晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。
2023-06-03 11:22:09836 
二極管的雙極電荷影響較小。本文探討了SiC MOSFET的獨有特性以及影響體二極管關(guān)斷特性的多個影響因素，并且闡明了快速開關(guān)應用中SiC MOSFET的反向恢復損耗概
2023-01-04 10:02:071115 
探究快速開關(guān)應用中SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性
2023-01-12 14:33:03991 MOSFET的漏極導通特性是指在特定的電壓和電流條件下，MOSFET允許電流從漏極流過的性質(zhì)。
2023-08-09 14:41:592247 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《開關(guān)電源的干擾特性及其抑制措施.doc》資料免費下載
2023-10-27 14:19:500 【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性
2023-11-23 09:09:05507 
【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要
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運算放大器的溫度特性
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