本文我們將根據(jù)使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結(jié)果，來探討MOSFET的反向恢復(fù)特性。該評估中的試驗(yàn)電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應(yīng)的確認(rèn)工作也基于上次內(nèi)容，因此請結(jié)合
2020-12-21 14:25:45
7583 
從轉(zhuǎn)移特性曲線可以看出：當(dāng)Vgs上升到Vth時(shí)，MOS管開始導(dǎo)通電流。
2022-08-29 14:21:4629872 MOSFET-MOS管特性參數(shù)的理解
2022-12-09 09:12:371868 MOSFET的漏伏安特性（輸出特性）：截止區(qū)（對應(yīng)GTR的截止區(qū)）;飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的放大區(qū)）;非飽和區(qū)（對應(yīng)于GTR的飽和區(qū)）。功率MOSFET在開關(guān)狀態(tài)下工作，即截止區(qū)域和不飽和區(qū)之間的轉(zhuǎn)換
2023-07-04 16:46:37978 
MOSFET的非理想特性對模擬集成電路設(shè)計(jì)具有重要影響。文章介紹了非理想特性的多個(gè)方面，包括電容、體效應(yīng)、溝道長度調(diào)制、亞閾值導(dǎo)通、遷移率下降以及飽和速度和壓敏降閾。同時(shí)，工藝、電壓和溫度變化也對晶體管性能產(chǎn)生影響。因此，在模擬IC設(shè)計(jì)過程中，需要考慮并解決這些非理想特性和外部條件的影響。
2023-11-16 16:15:55767 
輸出特性曲線：固定VGS值，且數(shù)值大于閾值電壓時(shí)，MOS晶體管的源漏電流IDS隨VDS的變化曲線。
2023-12-01 14:13:131564 
轉(zhuǎn)移特性曲線：固定VDS值，MOS晶體管的源漏電流IDS隨柵源電壓VGS的變化曲線。
2023-12-01 14:15:311528 
本文就MOSFET的開關(guān)過程進(jìn)行相關(guān)介紹與分析，幫助理解學(xué)習(xí)工作過程中的相關(guān)內(nèi)容。首先簡單介紹常規(guī)的基于柵極電荷的特性，理解MOSFET的開通和關(guān)斷的過程，然后從漏極導(dǎo)通特性、也就是放大特性曲線，來理解其開通關(guān)斷的過程，以及MOSFET在開關(guān)過程中所處的狀態(tài)。
2023-12-04 16:00:48549 
關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性關(guān)于MOSFET的開關(guān)及其溫度特性關(guān)于MOSFET的VGS(th) (界限値)ID-VGS特性和溫度特性關(guān)于MOSFET的寄生容量和溫度特性MOSFET的靜電
2019-04-10 06:20:15
本身的溫度（功耗、熱阻、Tc）。ZthJC同時(shí)也考慮了Cth無功功率帶來的溫度影響。這個(gè)參數(shù)通常用來計(jì)算由瞬態(tài)功耗帶來的溫度累加。5. 典型輸出特性MOSFET的典型輸出特性描繪了漏極電流Id在常溫下
2018-07-12 11:34:11
?！ ∮捎谶@種結(jié)構(gòu)在VGS=0時(shí)，ID=0，稱這種MOSFET為增強(qiáng)型。另一類MOSFET，在VGS=0時(shí)也有一定的ID（稱為IDSS），這種MOSFET稱為耗盡型。它的結(jié)構(gòu)如圖5所示，它的轉(zhuǎn)移特性
2020-07-06 11:28:15
MOSFET是指的什么？MOSFET的特性是什么？MOSFET有哪些應(yīng)用？
2021-07-09 07:45:34
繼上一篇MOSFET的開關(guān)特性之后，本篇介紹MOSFET的重要特性–柵極閾值電壓、ID-VGS特性、以及各自的溫度特性。MOSFET的VGS(th)：柵極閾值電壓MOSFET的VGS(th)：柵極
2018-11-28 14:28:20
。對應(yīng)ID＝0的VGS稱為夾斷電壓，用符號VGS(off)表示，有時(shí)也用VP表示。N溝道耗盡型MOSFET的轉(zhuǎn)移特性曲線如圖1.（b）所示?！ ?a) 結(jié)構(gòu)示意圖 (b) 轉(zhuǎn)移特性曲線 圖1. N溝道
2018-08-07 14:16:14
溫度依賴性。下面是實(shí)測例。下一篇計(jì)劃介紹ID-VGS特性。關(guān)鍵要點(diǎn):?MOSFET的開關(guān)特性參數(shù)提供導(dǎo)通延遲時(shí)間、上升時(shí)間、關(guān)斷延遲時(shí)間、下降時(shí)間。?開關(guān)特性受測量條件和測量電路的影響較大，因此一般確認(rèn)提供條件。?開關(guān)特性幾乎不受溫度變化的影響。＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞MOSFET
2018-11-28 14:29:57
如題。請問一下，MOSFET的手冊里面哪個(gè)參數(shù)能看的出來，當(dāng)其作為開關(guān)管，完全打開的時(shí)候，Vgs的電壓？同事跟我講，默認(rèn)12V大多數(shù)都可以完全打開(NMOS)。低于12V就有點(diǎn)懸，MOS打開不完全
2020-11-11 21:37:41
的電壓和電流的值稱為“閾值”。VGS(th)、ID-VGS與溫度特性首先從表示ID-VGS特性的圖表中，讀取這個(gè)MOSFET的VGS(th)。VDS=10V的條件是一致的。ID為1mA時(shí)的VGS為VGS
2019-05-02 09:41:04
的MOSFET從跨導(dǎo)的定義來說，由于ID不再增加，因此被定義為飽和區(qū)，但為什么又叫做放大區(qū)呢？問題分析：（1）可變電阻區(qū)表明MOSFET在一定的VGS電壓下溝道已經(jīng)完全導(dǎo)通，此時(shí)MOSFET的導(dǎo)通壓降
2016-12-21 11:39:07
時(shí)，客戶工程師發(fā)現(xiàn)：Vin=5V，ID=100mA，VGS=2.5V時(shí)，Q1的導(dǎo)通壓降只有0.06V，那么，這是不是表明：功率MOSFET在反向工作的時(shí)候，VTH比正向?qū)ǖ臅r(shí)候低？是不是二極管的分流
2017-04-06 14:57:20
第四部第四講講解mosfet的開關(guān)過程，當(dāng)Vgs大于開啟電壓時(shí)，Id與Vgs逐漸增大。當(dāng)Id增大至所需最大電流時(shí)，平臺電壓形成，Vgs與Id成比例(未完全導(dǎo)通)。當(dāng)mosfet完全導(dǎo)通時(shí)，Vgs
2018-10-24 14:55:15
溫度傳感器， 在熱敏電路、溫度補(bǔ)償應(yīng)用以及以替代傳統(tǒng)熱敏技術(shù)為目的的各種應(yīng)用中，溫度傳感器非常有用?？筛鶕?jù)不同輸出選擇合適的器件： 電壓輸出， 特性： 溫度轉(zhuǎn)換精度可達(dá)±0.5°C（典型值
2018-10-30 15:58:02
二極管的伏安特性是什么？溫度對二極管的伏安特性有何影響？
2021-10-08 08:55:17
的VGS（ON）閾值，源電壓開始跟隨柵極電壓向地面傾斜。即使實(shí)際上源電壓等于0V，柵極繼續(xù)斜坡到零，從而關(guān)閉電源設(shè)備。這個(gè)在某些應(yīng)用中，逐漸關(guān)斷特性（而不是柵極驅(qū)動(dòng)的突然復(fù)位）可以最小化MOSFET中
2020-07-14 14:53:05
和 管子 導(dǎo)通的關(guān)系 理解如下，不知 是否正確，還請前輩、大俠 指點(diǎn)（輕拍）：1. 當(dāng)VGS(th)≥4.1V時(shí)，所有的此規(guī)格的MOSFET均導(dǎo)通 ；2. 當(dāng)2.9V≤VGS(th)
2017-08-10 00:15:55
MOSFET自建模工具系統(tǒng)介紹從器件手冊中獲取MOSFET建模特性曲線Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓曲線（Id_Vgs)自建模一Saber軟件MOSFET直流特性中漏電流與柵源電壓
2017-04-12 20:43:49
上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一
2018-12-03 14:29:26
電阻低，通道電阻高，因此具有驅(qū)動(dòng)電壓即柵極－源極間電壓Vgs越高導(dǎo)通電阻越低的特性。下圖表示SiC-MOSFET的導(dǎo)通電阻與Vgs的關(guān)系。導(dǎo)通電阻從Vgs為20V左右開始變化（下降）逐漸減少，接近
2018-11-30 11:34:24
MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結(jié)MOSFET所謂MOSFET－高耐壓超級結(jié)MOSFET的種類與特征所謂MOSFET－高速
2018-11-27 16:40:24
二極管的特征Si晶體管所謂晶體管－分類與特征所謂MOSFET－寄生電容及其溫度特性所謂MOSFET－開關(guān)特性及其溫度特性所謂MOSFET－閾值、ID-VGS特性及溫度特性所謂MOSFET－超級結(jié)
2018-11-27 16:38:39
;  MOSFET的規(guī)格書中，通常會(huì)給出MOSFET的特性參數(shù)，如輸出曲線、輸出電壓、通態(tài)電阻RDS(ON)、柵極閥值電壓VGS(TH)等。在選擇MOSFET時(shí)，需要根據(jù)電路
2010-08-10 11:46:47
晶體管組成的復(fù)合晶體管，它的轉(zhuǎn)移特性與MOSFET十分類似。為了便于理解，這里我們可通過分析MOSFET來理解IGBT的轉(zhuǎn)移特性。圖2.MOSFET截面示意圖當(dāng)MOSFET的柵極-源極電壓VGS=0V
2019-10-17 10:08:57
端的電位會(huì)從原來的200V在t1~t2期間內(nèi)會(huì)有略微的下降。同時(shí)，我們也知道，在Vgs電壓達(dá)到Vth時(shí)，Id開始有電流了。我們通過固有轉(zhuǎn)移特性知道，Vgs和Id成比例變化的，所以在米勒平臺區(qū)域Id電流
2021-06-02 10:37:35
是500V.VGS(th)：閾值電壓。測試條件：VDS=VGS，ID=250uA。不斷提高VGS電壓同時(shí)也提高VDS電壓，此時(shí)看ID電流的變化，如果ID達(dá)到250uA時(shí)，此時(shí)的VGS電壓就是MOSFET
2021-09-01 17:10:32
)DSS。它具有正溫度特性。故應(yīng)以此參數(shù)在低溫條件下的值作為安全考慮。5、RDS(on)：在特定的VGS（一般為10V）、結(jié)溫及漏極電流的條件下，MOSFET導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗。它是一個(gè)非常重要
2016-05-23 11:40:20
格，因?yàn)樗麄円诜浅Ｒ?guī)溫度下工作。那么受溫度影響晶振會(huì)發(fā)生什么變化呢？受外界的溫度影響,造成的晶振偏頻和不起振是很正常現(xiàn)象。 晶振的溫度特性漂移速度以及漂移量取決于晶振所處的環(huán)境溫度點(diǎn)、環(huán)境的溫變速
2017-06-13 15:13:45
，我們也知道，一個(gè)MOSFET的Id電流和Rdson是有一個(gè)條件的，就說Vgs電壓，達(dá)到這個(gè)Vgs閾值電壓時(shí)，才能滿足這個(gè)參數(shù)，所以在用這顆管子時(shí)，Vgs電壓至少要高于10V才可以，那么這里可以用12V
2021-08-11 16:34:04
時(shí)，此時(shí)的VGS電壓就是MOSFET的閾值開啟電壓了。最小值是3V，最大值是5V。離散性太大，可以不用太關(guān)心這個(gè)數(shù)據(jù)。IDSS：漏極漏電流。測試條件：VDS =500V，VGS=0V。泄露電流隨溫度增加而
2021-08-16 11:07:10
輸入端峰峰值最大10V正弦波信號。想通過分立的MOS管，實(shí)現(xiàn)讓Ids相對Vgs線性增加的。Ids可在2mA~20mA變化.通過觀察NMOS的 Id-Vgs關(guān)系圖,不可能實(shí)現(xiàn)線性變化的.請問有沒有什么管子可以實(shí)現(xiàn)線性變化?謝謝!
2018-04-26 21:37:14
信號關(guān)斷，VGS電壓從VCC以指數(shù)關(guān)系下降，ID電流、VDS電壓維持不變,在t6時(shí)刻，VGS降為米勒平臺電壓，這個(gè)階段結(jié)束。在實(shí)際應(yīng)用中如連續(xù)模式CCM工作的BUCK變換器，電感電流在開通時(shí)刻和關(guān)斷
2017-03-06 15:19:01
ID≈0A。當(dāng)VGS電壓達(dá)到閾值電壓VTH后，此階段結(jié)束，對應(yīng)時(shí)刻為t1，如圖2(a)和圖3所示。當(dāng)ID的電流達(dá)到電流源的電流值Io、也就是系統(tǒng)的最大電流時(shí)，VGS電壓也上升到米勒平臺電壓VGP，此階段
2017-02-24 15:05:54
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個(gè)參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
，功率MOSFET很少接到純的阻性負(fù)載，大多數(shù)負(fù)載都為感性負(fù)載，如電源和電機(jī)控制；還有一部分的負(fù)載為容性負(fù)載，如負(fù)載開關(guān)。既然功率MOSFET所接的負(fù)載大多數(shù)為感性負(fù)載，那么上面基于阻性負(fù)載的開關(guān)特性
2016-12-16 16:53:16
二極管，多數(shù)情況下，因其特性很差，要避免使用。功率MOSFET的反向?qū)ǖ刃щ娐罚?）（1）：等效電路（門極加控制）（2）：說明功率 MOSFET 在門級控制下的反向?qū)?，也可用一電阻等效，該電阻與溫度
2018-10-25 16:11:27
出來的負(fù)電荷較少，它將被P型襯底中的空穴中和，因此在這種情況時(shí)，漏源之間仍然無電流ID。當(dāng)VGS增加到一定值時(shí)，其感應(yīng)的負(fù)電荷把兩個(gè)分離的N區(qū)溝通形成N溝道，這個(gè)臨界電壓稱為開啟電壓(或稱閾值電壓、門限
2011-12-19 16:52:35
示Hybrid MOS與SJ MOSFET的導(dǎo)通電阻Ron的詳細(xì)溫度特性。SJ MOSFET在高溫時(shí)，相對于ID的VDS、即Ron顯著增加。所以，當(dāng)周圍溫度高時(shí)不必言說，當(dāng)ID增加時(shí)可能會(huì)產(chǎn)生發(fā)熱增加、芯片溫度
2018-11-28 14:25:36
是否有白皮書明確規(guī)定了如何使用 MosFET 開啟特性來抑制浪涌電流？
設(shè)計(jì)類似于 TLE9853 評估板，H-bridge 具有更大的 Mosfet。
通過模擬感性負(fù)載，我們 CAN 控制電流
2024-01-29 07:41:55
混合SET/MOSFET 結(jié)構(gòu)與特性是什么？如何利用SET/MOSFET 混合結(jié)構(gòu)的傳輸特性去設(shè)計(jì)數(shù)值比較器？
2021-04-13 07:12:01
區(qū)。這個(gè)階段將一直持續(xù)至MOSFET漏源電壓Vds達(dá)到電路輸出電壓時(shí)為止。 階段3 [t=t3] ,Cgs將繼續(xù)放電。漏電流Id和Vgs開始線性下降，阻斷MOSFET導(dǎo)通通道。當(dāng)Vgs 與柵極閾值
2018-10-08 15:19:33
- 柵極-源極電壓: 10 V Vgs th-柵源極閾值電壓: 2.5 V Qg-柵極電荷: 82 nC -小工作溫度: - 55 C -大工作溫度: + 150 C Pd-功率耗散: 390 W
2020-03-11 18:06:07
用其作為放大區(qū)域使用（類比BJT的放大去）。MOSFET的變阻區(qū)相當(dāng)于一個(gè)受Vgs控制的變阻器，當(dāng)Vgs增大時(shí)溝道電阻變小。通常功率 MOSFET 的 Rds可以降到非常之小，以便流過較大的電流。利用 MOSFET截止區(qū)和變阻區(qū)的特性，就可以將 MOSFET 應(yīng)用于 邏輯或功率開關(guān)。`
2020-03-09 15:36:41
工程師習(xí)慣性的認(rèn)為：如果VGS尖峰電壓大于功率MOSFET的閾值電壓VTH，下管就會(huì)導(dǎo)通，那么上、下管就會(huì)產(chǎn)生直通，也就是所謂的Shoot Through，從而導(dǎo)致開關(guān)管的損壞。VTH，功率MOSFET
2016-11-08 17:14:57
MOSFET的導(dǎo)通電阻以及測量的條件，如AON6590，VDS=40V，分別列出了VGS=10V、VGS=4.5V的RDS(ON)，如下圖所示。測量的條件：ID = 20A。導(dǎo)通電阻的溫度系數(shù)用歸一化的圖表
2016-09-26 15:28:01
在其數(shù)據(jù)表中可以查到。D和S極加電壓為VDD，當(dāng)開通脈沖加到的G和S極時(shí)，輸入電容Ciss充電，G和S極電壓VGS線性上升到達(dá)閾值電壓VTH，VGS上升到VTH之前漏極電流非常小，ID ≈0A，幾乎沒有
2016-11-29 14:36:06
值的VGS1，在轉(zhuǎn)移工作特性或輸出特性的電流為ID1，器件不可能流過大于ID1的電流，轉(zhuǎn)移工作特性或輸出特性限制著功率MOSFET的最大電流值。功率MOSFET工作在線性區(qū)時(shí)，最大的電流受到VGS
2016-08-15 14:31:59
AOT460柵極電荷特性 MOSFET的D和S極加電壓為VDD，當(dāng)驅(qū)動(dòng)開通脈沖加到MOSFET的G和S極時(shí)，輸入電容Ciss充電，G和S極電壓Vgs線性上升并到達(dá)門檻電壓VGS(th)，Vgs上升到VGS(th
2018-10-09 10:33:56
型MOSFET的漏極特性N溝道耗盡型MOSFET的漏極特性如下所示，這些特性繪制在 VDS和IDSS之間。當(dāng)繼續(xù)增加VDS值時(shí)，漏極電流ID將增加。達(dá)到一定電壓后，漏極電流ID將變?yōu)槌?shù)。Vgs=0
2022-09-13 08:00:00
MOSFET的柵極電荷特性與開關(guān)過程MOSFET的漏極導(dǎo)通特性與開關(guān)過程
2021-04-14 06:52:09
，那么由于電感的續(xù)流，這個(gè)時(shí)間就和負(fù)載的特性相關(guān)。上升延時(shí) tr：上升延時(shí)的定義是在 MOSFET 的開通過程中，VGS 的電壓上升，從其 10%值開始，到 VDS 下降到為 10%VDS 值為止。在開通
2020-03-24 07:00:00
本文主要研究高頻功率MOSFET的驅(qū)動(dòng)電路和在動(dòng)態(tài)開關(guān)模式下的并聯(lián)均流特性。首先簡要介紹功率MOSFET的基本工作原理及靜態(tài)及動(dòng)態(tài)特性，然后根據(jù)功率MOSFET對驅(qū)動(dòng)電路的要求，
2010-11-11 15:34:22
201
電路的溫度-電壓特性
2009-07-08 11:41:24345 
了解PWM IC的溫度降額特性以獲得系統(tǒng)的最佳性能
摘要：為了獲得更高功率密度的DC-DC模塊，現(xiàn)代DC-DC轉(zhuǎn)換器大多采用內(nèi)置MOSFET的PWM控制器。由于功率MOSFET放置在PWM芯片內(nèi)
2009-07-18 08:38:311306 理解功率MOSFET的RDS(ON)溫度系數(shù)特性
通常，許多資料和教材都認(rèn)為，MOSFET的導(dǎo)通電阻具有正的溫度系數(shù)，因此可以并聯(lián)工作。當(dāng)其中一個(gè)并聯(lián)的MOSFET的溫度上升時(shí)，具有
2009-11-10 10:53:134381 
設(shè)計(jì)中，根據(jù)IXYS公司IXFN50N80Q2芯片手冊中提供的ID-VDS，ID-VGS和Cap-VDS等特性曲線及相關(guān)參數(shù)，利用saber提供的Model Architect菜單下Power MOSFET Tool建立IXFN50N80Q2仿真模型
2011-03-31 11:53:338428 
用電阻噪聲確定一個(gè)低噪聲放大器的特性，由SET 的周期振蕩特性和MOSFET 的閾值電壓特性可構(gòu)成雙柵極SET/MOSFET 通用方波電路[8]，它是構(gòu)成邏輯門電路的基本單元
2011-09-30 11:08:121469 
當(dāng)使用分立的JFET時(shí)，設(shè)計(jì)者可能需要將大量可變的器件參數(shù)與某個(gè)給定的晶體管型號相適應(yīng)。一般會(huì)使用平方律方程，作為JFET漏極電流特性的一個(gè)近似模型：ID=β（VGS-VP）2，其中，ID是
2012-07-25 14:53:414269 
超微晶材料的鐵損溫度特性研究
2016-03-23 17:47:590 功率MOS場效應(yīng)晶體管技術(shù)講座_功率MOSFET特性參數(shù)的理解。
2016-03-24 17:59:0847 本文詳細(xì)的對MOSFET的每個(gè)特性參數(shù)進(jìn)行分析
2018-03-01 09:14:544661 
MOSFET是電子系統(tǒng)中的重要部件，需要深入了解它的關(guān)鍵特性及指標(biāo)才能做出正確選擇。這些關(guān)鍵指標(biāo)中，以靜態(tài)特性和動(dòng)態(tài)特性更為重要，本文主要討論靜態(tài)特性。
2018-06-29 11:10:4811150 
產(chǎn)品特點(diǎn)
1、優(yōu)異的開關(guān)特性和導(dǎo)通特性；
2、更好的導(dǎo)通電阻溫度特性，顯著增強(qiáng)器件高溫下的電流能力和抗沖擊特性；
3、配合先進(jìn)的封裝技術(shù)，SGT MOSFET器件有助于提升系統(tǒng)效率和功率密度；
4、另有P-60/-80/-100V SGT MOSFET。
2020-11-26 14:54:432062 
MOSFET的開關(guān)特性解析|必看 MOS管最顯著的特點(diǎn)也是具有放大能力。不過它是通過柵極電壓uGS控制其工作狀態(tài)的，是一種具有放大特性的由電壓uGS控制的開關(guān)元件。 1、靜態(tài)特性 MOS管作為開關(guān)
2021-07-23 09:44:397320 
接下來討論低閾值管子的優(yōu)勢。那么，MOSFET的導(dǎo)通閾值低，它的好處就說對信號的幅值要求就小了。假設(shè)MOSFET的導(dǎo)通閾值是1V 或者2V，那么一個(gè)3.3V的單片機(jī)就可以搞定了。 那么，我們也知道
2021-08-13 17:09:574546 
樁、不間斷電源系統(tǒng)以及能源儲(chǔ)存等應(yīng)用場景中的需求不斷提升。 SiC MOSFET的特性 更好的耐高溫與耐高壓特性 基于SiC材料的器件擁有比傳統(tǒng)Si材料制品更好的耐高溫耐高壓特性，其能獲得更高的功率密度和能源效率。由于碳化硅（SiC）的介電擊穿強(qiáng)度大約是硅（Si）的
2021-08-13 18:16:276631 9、為什么在E-MOSFET的柵-漏轉(zhuǎn)移特性上，隨著柵-源電壓的增大，首先出現(xiàn)的是飽和區(qū)電流、然后才是線性區(qū)電流？
【答】E-MOSFET的柵-漏轉(zhuǎn)移特性如圖1所示。在柵-源電壓VGS小于閾值
2022-02-10 12:24:123 功率MOSFET特性參數(shù)的理解
2022-07-13 16:10:3924 關(guān)于SiC MOSFET的并聯(lián)問題，英飛凌已陸續(xù)推出了很多技術(shù)資料，幫助大家更好的理解與應(yīng)用。此文章將借助器件SPICE模型與Simetrix仿真環(huán)境，分析SiC MOSFET單管在并聯(lián)條件下的均流特性。
2022-08-01 09:51:151687 
MOSFET特性參數(shù)說明
2022-08-22 09:54:471705 上一章針對與Si-MOSFET的區(qū)別，介紹了關(guān)于SiC-MOSFET驅(qū)動(dòng)方法的兩個(gè)關(guān)鍵要點(diǎn)。本章將針對與IGBT的區(qū)別進(jìn)行介紹。與IGBT的區(qū)別：Vd-Id特性，Vd-Id特性是晶體管最基本的特性之一。
2023-02-08 13:43:201722 
上一章介紹了與IGBT的區(qū)別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復(fù)特性進(jìn)行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
繼前篇的Si晶體管的分類與特征、基本特性之后，本篇就作為功率開關(guān)被廣為應(yīng)用的Si-MOSFET的特性作補(bǔ)充說明。MOSFET的寄生電容：MOSFET在結(jié)構(gòu)上存在下圖所示的寄生電容。
2023-02-09 10:19:241996 
前篇對MOSFET的寄生電容進(jìn)行了介紹。本篇將介紹開關(guān)特性。MOSFET的開關(guān)特性：在功率轉(zhuǎn)換中，MOSFET基本上被用作開關(guān)。
2023-02-09 10:19:242519 
功率MOSFET在開通的過程中，當(dāng)VGS的驅(qū)動(dòng)電壓從VTH上升到米勒平臺VGP時(shí)間段t1-t2，漏極電流ID從0增加系統(tǒng)的最大的電流，VGS和ID保持由跨導(dǎo)GFS所限制的傳輸特性曲線的關(guān)系，而VDS
2023-02-16 10:45:04908 
本文論述了功率MOSFET管導(dǎo)通電阻的正溫度系數(shù)和負(fù)溫度系數(shù)的雙重特性以及相對應(yīng)的VGS的轉(zhuǎn)折電壓，功率MOSFET管在開通和關(guān)斷時(shí)要跨越這兩個(gè)區(qū)域的工作過程。
2023-02-16 11:22:59717 
VGS與電流ID曲線有一個(gè)溫度系數(shù)為0的電壓值5.5V，通常這個(gè)點(diǎn)就稱為零溫度系數(shù)點(diǎn)ZTC（Zero Temperature Coefficient）。VGS高于5.5V時(shí)，溫度越高電流越小，功率
2023-02-16 14:07:081362 
場效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 的溫度特性進(jìn)行了分析， 闡述了本征載流子濃度、 載流子遷移率等參 數(shù)受溫度的影響機(jī)理， 分析了器件阻斷特性、 輸出特性、 轉(zhuǎn)移特性等參量， 以便找到能夠表征結(jié) 溫特性
2023-04-15 10:03:061454 再次可以看到在關(guān)斷過程中也有類似的四個(gè)明顯不同的區(qū)間，但是它們都很大程度上受到柵極驅(qū)動(dòng)器電路特性的影響。在通常的應(yīng)用中，柵極驅(qū)動(dòng)電壓相對于柵極閾值會(huì)提高到較高水平，以便讓 MOSFET 充分導(dǎo)通得到最低的RDs(ON)。
2023-05-11 09:05:56389 
以上就是MOSFET的漏-源極處于正偏置狀態(tài)基本工作原理，還有必要關(guān)注MOSFET在通態(tài)時(shí)的特性，會(huì)出現(xiàn)與結(jié)型場效應(yīng)晶體管一樣的線性、過渡、飽和等區(qū)域。
2023-06-03 11:22:09836 
SiC MOSFET體二極管的關(guān)斷特性與IGBT電路中硅基PN二極管不同，這是因?yàn)镾iC MOSFET體二極管具有獨(dú)特的特性。對于1200V SiC MOSFET來說，輸出電容的影響較大，而PN
2023-01-04 10:02:071115 
MOSFET的漏極導(dǎo)通特性是指在特定的電壓和電流條件下，MOSFET允許電流從漏極流過的性質(zhì)。
2023-08-09 14:41:592247 
影響MOSFET閾值電壓的因素? MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管）是一種常用的半導(dǎo)體器件，具有高輸入阻抗、低輸出阻抗、高增益等特點(diǎn)。MOSFET的閾值電壓是決定其工作狀態(tài)的重要參數(shù)，影響著
2023-09-17 10:39:446679 如何選取SiC MOSFET的Vgs門極電壓及其影響
2023-12-05 16:46:29483 
【科普小貼士】MOSFET的性能：電容的特性
2023-11-23 09:09:05507 
【科普小貼士】按結(jié)構(gòu)分類的MOSFET特性摘要
2023-12-13 14:15:07127 
功率MOSFET雪崩特性分析
2023-12-04 14:12:36315 
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