MOS管有三個引腳，分別是，柵極G、源極S、漏極D，這三個腳，用于鏈接外部的電路。其中柵極G是控制引腳，通過改變引腳的電平，我們可以直接控制這個MOS管的開與關(guān)。漏極D和源極S這兩個引腳，就相當(dāng)于，開關(guān)電路的兩頭，一個腳連接電源，一個腳，連接電路的地。
2023-02-27 17:41:29
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首先說一下電源IC直接驅(qū)動，下圖是我們最常用的直接驅(qū)動方式，在這類方式中，我們由于驅(qū)動電路未做過多處理，因此我們進(jìn)行PCB LAYOUT時要盡量進(jìn)行優(yōu)化。如縮短IC至MOSFET的柵極走線長度，增加走線寬度，盡量將Rg放置在離MOSFET柵極較進(jìn)的位置，從而達(dá)到減少寄生電感，消除噪音的目的。
2023-04-28 12:23:386460 
柵極浮空，顧名思義，就是 MOS 管的柵極不與任何電極相連，處于懸浮狀態(tài)。
2024-02-25 16:32:13952 
柵極電阻RG對IGBT開關(guān)特性有什么影響？
2021-06-08 06:56:22
關(guān)于mos管的驅(qū)動知識點(diǎn)不看肯定后悔柵極電阻的作用是什么？
2021-09-18 09:17:37
了一種獨(dú)特但簡單的柵極脈沖驅(qū)動電路，為快速開關(guān)HPA提供了另一種方法，同時消除了與漏極開關(guān)有關(guān)的電路。實測切換時間小于200 ns，相對于1 s的目標(biāo)還有一些裕量。其他特性包括：解決器件間差異的偏置編程
2019-02-27 08:04:56
IGBT/功率MOSFET是一種電壓控制型器件，可用作電源電路、電機(jī)驅(qū)動器和其它系統(tǒng)中的開關(guān)元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET的另外兩端是源極和漏極，而對于IGBT，它們被稱為集電極
2021-01-27 07:59:24
為何需要柵極驅(qū)動器柵極驅(qū)動器的關(guān)鍵參數(shù)
2020-12-25 06:15:08
系統(tǒng)中各種功能電路之間的電氣分離，使得它們之間不存在直接導(dǎo)通路徑。這樣，不同電路可以擁有不同的地電位。利用電感、電容或光學(xué)方法，仍可讓信號和/或電源在隔離電路之間通過。對于采用柵極驅(qū)動器的系統(tǒng)，隔離
2021-07-09 07:00:00
負(fù)電壓柵極驅(qū)動器中的負(fù)電壓處理是指承受輸入和輸出端負(fù)電壓的能力。這些不必要的電壓可能是由于開關(guān)轉(zhuǎn)換、泄漏或布局不良引起的。柵極驅(qū)動器的負(fù)電壓承受能力對于穩(wěn)健可靠的解決方案至關(guān)重要。圖1顯示了TI柵極
2019-04-15 06:20:07
方波控制，三相上橋mos柵極波形都是這樣。有沒有遇到過這種情況的。
2022-11-10 14:56:56
隔離電源轉(zhuǎn)換器詳解柵極驅(qū)動器解決方案選項最優(yōu)隔離柵極驅(qū)動器解決方案
2021-03-08 07:53:35
MOSFET柵極電路常見的作用MOSFET常用的直接驅(qū)動方式
2021-03-29 07:29:27
MOSFET較小的柵極電阻可以減少開通損耗嗎？柵極電阻的值會在開通過程中影響與漏極相連的二極管嗎？
2023-05-16 14:33:51
由于MOS管柵極寄生電容以及寄生電感的存在使得MOS管驅(qū)動時柵極很容易發(fā)生諧振，常采用的辦法是在柵極串接一個小電阻，我想問為什么電阻可以抑制振蕩？請眾位大神解釋原因，呵呵，知其然不知其所以然！
2014-05-24 15:28:54
。 而當(dāng)柵極開路的時候，這個電流只能給下方的Cgs電容充電，然后就會導(dǎo)致柵極電壓突然升高。當(dāng)超過MOS管的門線電壓VTH的時候，MOS管就會很容易誤導(dǎo)通?！ ∷晕覀冃枰Ｗo(hù)MOS管的柵極電壓來防止誤導(dǎo)
2023-03-15 16:55:58
嗎，為什么？2、導(dǎo)通之后，三極管基極和MOS管柵極的電流幾乎一樣，而且是pf級別的，非常小。所以具體過程是不是剛開始MOS柵極電流很大，等到MOS管完全導(dǎo)通后柵極電流就變小，但為什么這個電流會變小呢？
2021-04-27 12:03:09
PCB表面OSP的處理方法PCB化學(xué)鎳金的基礎(chǔ)步驟
2021-04-21 06:12:39
來源：互聯(lián)網(wǎng)本期圍繞著PCB設(shè)計內(nèi)容為主，主要是給大家總結(jié)了幾點(diǎn)關(guān)于失誤導(dǎo)致電路故障的原因，并給出了解決對策。本文以FR-4電介質(zhì)、厚度0.0625in的雙層PCB為例，電路板底層接地。工作頻率介于315MHz到915MHz之間的不同頻段，Tx和Rx功率介于-120dBm至+13dBm之間。
2020-10-23 07:13:16
STM32片內(nèi)FLASH燒寫錯誤導(dǎo)致ST-LINK燒錄不進(jìn)程序怎么解決？
2022-01-27 06:44:41
從本文開始將探討如何充分發(fā)揮全SiC功率模塊的優(yōu)異性能。此次作為柵極驅(qū)動的“其1”介紹柵極驅(qū)動的評估事項，在下次“其2”中介紹處理方法。柵極驅(qū)動的評估事項：柵極誤導(dǎo)通首先需要了解的是：接下來要介紹
2018-11-30 11:31:17
變的危險，這可能會影響甚至損壞處理器邏輯。因此，為IGBT提供合適柵極信號的柵極驅(qū)動器，還執(zhí)行提供短路保護(hù)并影響開關(guān)速度的功能。然而，在選擇柵極驅(qū)動器時，某些特性至關(guān)重要。
2020-10-29 08:23:33
分享一下十幾年我一直使用的按鍵處理方法看見大家發(fā)了那么多按鍵的處理方法，我也發(fā)一個。
2013-12-04 15:21:07
上一篇文章對全SiC模塊柵極驅(qū)動的評估事項之一“柵極誤導(dǎo)通”進(jìn)行了介紹。本文將作為“其2”介紹柵極誤導(dǎo)通的處理方法?！?b class="flag-6" style="color: red">柵極誤導(dǎo)通”的抑制方法柵極誤導(dǎo)通的對策方法有三種。①是通過將Vgs降至負(fù)電
2018-11-27 16:41:26
在功率MOSFET的數(shù)據(jù)表的開關(guān)特性中，列出了柵極電荷的參數(shù)，包括以下幾個參數(shù)，如下圖所示。Qg(10V)：VGS=10V的總柵極電荷。Qg(4.5V))：VGS=4.5V的總柵極電荷。Qgd：柵極
2017-01-13 15:14:07
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因。
2023-03-15 17:28:37
增大MOSFET柵極電阻可消除高平震蕩，是否柵極電阻越大越好，為什么？請你分析一下增大柵極電阻能消除高平震蕩的原因
2023-05-16 14:32:26
在設(shè)計電機(jī)驅(qū)動器時，保護(hù)操作重型機(jī)械的人員免受電擊是首要考慮因素，其次應(yīng)考慮效率、尺寸和成本因素。雖然IGBT可處理驅(qū)動電機(jī)所需的高電壓和電流，但它們不提供防止電擊的安全隔離。在系統(tǒng)中提供安全隔離
2022-11-10 06:40:24
"低邊誤導(dǎo)通"或 "dv/dt 引起的導(dǎo)通", 是同步降壓轉(zhuǎn)換器中一種常見的潛在危險。 本設(shè)計注釋深入探討如何防止這種情況的發(fā)生。
2018-08-27 13:51:13
和下橋臂驅(qū)動器需要高度匹配的時序特性，以實現(xiàn)精確高效開關(guān)操作。這減少了半橋關(guān)斷和開通之間的死區(qū)時間。實現(xiàn)隔離式半橋柵極驅(qū)動功能的典型方法是使用光耦合器進(jìn)行隔離，后跟高壓柵極驅(qū)動器IC，如圖1所示。該電路
2018-10-16 16:00:23
與專用柵極驅(qū)動器進(jìn)行特性對比。在電路構(gòu)成中，有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動器時，作為柵極誤導(dǎo)通對策，增加微法級的CGS，對VGS施加-5V作為負(fù)偏壓（搭載第二代
2018-11-27 16:36:43
總線延遲產(chǎn)生的原因是什么？延遲錯誤導(dǎo)致會什么結(jié)果？如何檢測傳輸延遲？消除延時誤差的方法有哪些？
2021-05-14 06:08:39
分享一下十幾年我一直使用的按鍵處理方法看見大家發(fā)了那么多按鍵的處理方法，我也發(fā)一個。
2013-12-04 15:20:05
防止由米勒電容引起的故障的另一種方法包括在IGBT的柵極發(fā)射極之間進(jìn)行短路。配置電路以從外部組件安全地鉗位柵極是復(fù)雜的并且需要額外的PWB空間。 TLP5214具有內(nèi)部功能，稱為有源米勒鉗位功能，可
2020-05-11 09:00:09
在labview中 波形
處理都有哪些
方法？謝謝?。。?/div>
2013-12-10 14:58:14
各位工程師大家好，初入電子領(lǐng)域，目前在研究高頻驅(qū)動電路，在高頻柵極驅(qū)動芯片的選型上遇到了難題，目前有沒有比TI的LMG1020，更適合小功率高頻驅(qū)動的柵極驅(qū)動芯片或者有沒有推薦的搜索網(wǎng)站，希望各位大佬指點(diǎn)一下
2023-02-21 11:10:50
【不懂就問】看到TI的一個三相逆變器設(shè)計資料中，關(guān)于有源米勒鉗位的設(shè)計這是一段原話“開關(guān)IGBT過程中，位移電流流經(jīng)IGBT的GE極電容，使其柵極電壓上升，可能讓器件誤導(dǎo)通原因是，當(dāng)逆變器的上管導(dǎo)
2017-12-21 09:01:45
若遇到有人發(fā)內(nèi)容與主題不符，誤導(dǎo)別人購買，花的積分要如何追回？
2017-08-04 10:31:54
`如圖所示，在上電瞬間Q1（PMOS）為什么偶爾會出現(xiàn)誤導(dǎo)通情況，誤導(dǎo)通后就不受IO5控制了，請問各位前輩如何能解決這個誤導(dǎo)通問題，謝謝。`
2021-05-13 20:20:37
不同的地電位。利用電感、電容或光學(xué)方法，仍可讓信號和/或電源在隔離電路之間通過。對于采用柵極驅(qū)動器的系統(tǒng)，隔離對功能的執(zhí)行可能是必要的，并且也可能是安全要求。圖6中，VBUS可能有幾百伏，在給定時間可能有
2018-10-25 10:22:56
：隔離是指系統(tǒng)中各種功能電路之間的電氣分離，使得它們之間不存在直接導(dǎo)通路徑。這樣，不同電路可以擁有不同的地電位。利用電感、電容或光學(xué)方法，仍可讓信號和/或電源在隔離電路之間通過。對于采用柵極驅(qū)動器的系統(tǒng)
2018-11-01 11:35:35
：高速公路布局。中心：VSW布局。右：CSW 布局 區(qū)段布局實驗 外環(huán)柵極如何影響非對稱器件的電流可控性和柵極金屬化魯棒性的不確定性導(dǎo)致了對此類器件中柵極金屬化的阻抗特性的廣泛仿真（仿真方法在［2］中
2023-02-24 15:37:38
小功率電子管電性能測試方法對陰極具有負(fù)電位的柵極電流的測試方法 GB 3306.3-82
本標(biāo)準(zhǔn)適用于陽極耗散功率不大于25W的電子管。并規(guī)定了以下的測試方法：直
2010-04-26 14:31:30
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共柵極電路圖
2009-05-06 16:15:174398 
三端光控晶閘管抗誤導(dǎo)通電路圖
2009-06-06 09:37:48495 
FET柵極的驅(qū)動方法電路圖
2009-08-15 17:31:21719 
一般水處理方法及原理
常用的水處理方法有：(一)沉淀物過濾法、(二)硬水軟化法、(三)活性炭吸附法、(四)去離子法、(五)逆滲透法、(六)超過濾法、(七)
2009-11-19 10:40:252517 柵極/浮置柵,柵極/浮置柵是什么意思
多極電子管中最靠近陰極的一個電極，具有細(xì)絲網(wǎng)或螺旋線的形狀，有控制板極電流的強(qiáng)度﹑改變電子管的
2010-03-04 16:14:532013 IGBT的柵極出現(xiàn)過壓的原因: 1.靜電聚積在柵極電容上引起過壓.
2011-01-29 19:18:352679 
昨天，蘋果再次就與深圳唯冠（微博）之間的iPad商標(biāo)權(quán)糾紛發(fā)布聲明稱，唯冠蓄意誤導(dǎo)法院和公眾，并試圖從商標(biāo)權(quán)案中獲取超額利益。深圳唯冠代理律師則回應(yīng)稱其“維權(quán)行為”沒有
2012-03-14 08:46:29672 了關(guān)鍵的柵極驅(qū)動器參數(shù)。涉及的主題包括負(fù)電壓處理、延遲匹配、寬VDD和工作溫度范圍等。這篇博文將更全面地解釋這些主題。
2017-04-26 15:18:383420 
由式(5)和式(6)可知，反饋電流IL值為正。IL不能直接加在柵極，以免對柵極電流造成沖擊，因此需要引入一個由Q5、Q6組成的鏡像電路，將流過Q6的電流鏡像到流過Q5的電路上反饋到柵極。這樣，實現(xiàn)了對IGBT開通時柵極電流的調(diào)控，IGBT開通時di/dt得到控制，如式(7)所示。
2018-04-17 08:48:5012138 
蘋果CEO蒂姆·庫克（Tim Cook）此前在專訪中稱，高通和蘋果之間近期沒有展開任何和解談判。而高通周二表示，這是“誤導(dǎo)”的說法。
2019-01-10 10:42:58818 當(dāng)驅(qū)動中/高功率MOSFET和IGBT時，一旦功率器件上的電壓變化速率較高，就會存在密勒效應(yīng)導(dǎo)通風(fēng)險。電流通過柵極-漏極電容或柵極-集電極電容注入到功率器件的柵極。如果電流注入足夠大，使柵極電壓高于器件的閾值電壓，則可以觀察到寄生導(dǎo)通效應(yīng)，從而導(dǎo)致效率降低，甚至出現(xiàn)器件故障。
2019-04-10 10:38:414735 
的值，但柵極對漏電容實際上更重要，也更難處理，因為它是受電壓函數(shù)影響的非線性電容；柵極對源電容也受電壓函數(shù)影響，但影響程度要小得多。
2020-03-09 08:00:0024 )時MOSFET才開始導(dǎo)通。這就要求柵極驅(qū)動的柵極電流足夠大，能夠瞬時充滿MOSFET柵極電容。因此，柵極驅(qū)動就是起到驅(qū)動開關(guān)電源導(dǎo)通與關(guān)閉的作用。 柵極驅(qū)動器工作狀態(tài) 柵極驅(qū)動器工作輸出電壓使開關(guān)管導(dǎo)迢并運(yùn)行于開關(guān)狀態(tài)下。這種通過高壓穩(wěn)壓器自給供電的方法就是第節(jié)所介
2022-11-16 17:50:18987 深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)是一種使用數(shù)學(xué)模型處理圖像以及其他數(shù)據(jù)的多層系統(tǒng)，而且目前已經(jīng)發(fā)展為人工智能的重要基石。 深度神經(jīng)網(wǎng)絡(luò)得出的結(jié)果看似復(fù)雜，但同樣有可能受到誤導(dǎo)。而這樣的誤導(dǎo)輕則致使其將一種動物錯誤識別
2020-11-25 14:39:561189 據(jù)外媒報道，意大利反壟斷機(jī)構(gòu)今天宣布，對蘋果公司處以1000萬歐元（約合7890萬元）的罰款，原因是蘋果在iPhone促銷中存在誤導(dǎo)性的商業(yè)行為。
2020-11-30 16:07:291425 FET柵極驅(qū)動器和電源的支持組件集成在柵極驅(qū)動器中，從而縮減了串聯(lián)柵極電阻器、柵極灌電流路徑二極管、柵源電壓(VGS)鉗位二極管、柵極無源下拉電阻器和電源等組件的物料清單(BOM)和組裝成本。
2021-01-13 14:06:282800 關(guān)于高壓柵極驅(qū)動器自舉電路設(shè)計方法介紹。
2021-06-19 10:14:0476 介紹了柵極電阻的作用。
2021-06-21 15:08:2826 介紹3種跨時鐘域處理的方法，這3種方法可以說是FPGA界最常用也最實用的方法，這三種方法包含了單bit和多bit數(shù)據(jù)的跨時鐘域處理，學(xué)會這3招之后，對于FPGA相關(guān)的跨時鐘域數(shù)據(jù)處理便可以手到擒來。 本文介紹的3種方法跨時鐘域處理方法如下：
2021-09-18 11:33:4921439 
STM32片內(nèi)FLASH燒寫錯誤導(dǎo)致ST-li
2021-12-02 18:06:077 根據(jù)實際測量的柵極電流計算柵極漏電流是一項挑戰(zhàn)。柵極電容器的充電和放電瞬態(tài)過程支配著柵極電流。電感器引入了二階振鈴，這使得計算過程更加復(fù)雜。上述挑戰(zhàn)的解決方案是引入一種用于測量柵極電荷的原位方法。
2022-08-03 09:34:412202 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)：通過采取措施防止柵極－源極間電壓的正電壓浪涌，來防止LS導(dǎo)通時的HS誤導(dǎo)通。如果柵極驅(qū)動IC沒有驅(qū)動米勒鉗位用MOSFET的控制功能，則很難通過米勒鉗位進(jìn)行抑制。作為米勒鉗位的替代方案，可以通過增加誤導(dǎo)通抑制電容器來處理。
2023-02-09 10:19:15515 
本文的關(guān)鍵要點(diǎn)?通過采取措施防止SiC MOSFET中柵極－源極間電壓的負(fù)電壓浪涌，來防止SiC MOSFET的LS導(dǎo)通時，SiC MOSFET的HS誤導(dǎo)通。?具體方法取決于各電路中所示的對策電路的負(fù)載。
2023-02-09 10:19:16589 
如果特定功率器件需要正極和負(fù)柵極驅(qū)動，電路設(shè)計人員無需尋找專門處理雙極性操作的特殊柵極驅(qū)動器。使用這個簡單的技巧使單極性柵極驅(qū)動器提供雙極性電壓！
2023-02-16 11:04:58518 
晶體管柵極的最簡單方法是利用 PWM 控制其直接控制柵極，如 圖 8 所示。 直接柵極驅(qū)動最艱巨的任務(wù)是優(yōu)化電路布局 。如 圖 8 中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動和接
2023-02-23 15:59:0017 的接地參考示例中，柵極驅(qū)動在 -VCL和 VDRV-VCL電平之間，而不是驅(qū)動
器的初始輸出電壓電平 0V和 VDRV 之間。
電壓 VCL由二極管鉗斷網(wǎng)絡(luò)決定，在耦合電容器上形成。此技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)是能夠以簡單的方法在開關(guān)關(guān)斷時和關(guān)斷狀態(tài)下為柵極提供負(fù)偏置，從而
2023-02-23 15:31:242 1.PWM直接驅(qū)動驅(qū)動主開關(guān)晶體管柵極的最簡單方法是利用 PWM 控制器的柵極驅(qū)動輸出，如圖（1）如 圖 8中所示，PWM 控制器和 MOSFET 之間可能有較大距離。由于柵極驅(qū)動和接地環(huán)路跡線
2023-02-24 10:45:172 這里會針對下述條件與電路結(jié)構(gòu)，使用緩沖電容器與專用柵極驅(qū)動器進(jìn)行特性對比。在電路構(gòu)成中，有上次介紹過的電解電容器和薄膜電容器。在不使用專用柵極驅(qū)動器時，作為柵極誤導(dǎo)通對策，增加微法級的CGS，對VGS施加-5V作為負(fù)偏壓（搭載第二代SiCMOSFET的全SiC模塊）。
2023-02-27 13:38:59221 
本文是“SiC MOSFET：柵極－源極電壓的浪涌抑制方法”系列文章的總結(jié)篇。介紹SiC MOSFET的柵極－源極電壓產(chǎn)生的浪涌、浪涌抑制電路、正電壓浪涌對策、負(fù)電壓浪涌對策和浪涌抑制電路的電路板
2023-04-13 12:20:02814 上一篇文章已經(jīng)講過了單bit跨時鐘域的處理方法，這次解說一下多bit的跨時鐘域方法。
2023-05-25 15:07:19584 
當(dāng)前柵極模型量子處理器的性能調(diào)查 演講ppt分享
2023-07-17 16:34:150 igbt的柵極驅(qū)動條件 igbt的柵極驅(qū)動條件對其特性有什么影響？ IGBT是晶體管的一種，它是一種高壓、高電流的開關(guān)器件，常用于高功率電子應(yīng)用中。IGBT是一種三極管，由一個PN結(jié)組成的集成電路
2023-10-19 17:08:14622 MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？MOSFET柵極電路電阻的作用？ MOSFET（金屬-氧化物-半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種廣泛應(yīng)用于電子設(shè)備中的半導(dǎo)體器件。在MOSFET中，柵極電路的電壓和電阻
2023-10-22 15:18:121369 什么是漏極？什么是源極？什么是柵極？柵極源極漏極怎么區(qū)分？漏極 源極 柵極相當(dāng)于三極管的哪極？ 漏極、源極和柵極都是指晶體管（如三極管）的不同極性。 首先，我們需要了解晶體管的基本結(jié)構(gòu)，它由兩個PN
2023-11-21 16:00:457831 橋式結(jié)構(gòu)中的柵極-源極間電壓的行為：導(dǎo)通時
2023-12-05 16:35:57129 
MOSFET柵極電路常見的作用有哪些？MOSFET柵極電路電壓對電流的影響？ MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是一種非常重要的電子器件，廣泛應(yīng)用于各種電子電路中。MOSFET的柵極電路
2023-11-29 17:46:40571 之一，它對FET的工作狀態(tài)和性能有著直接影響。本文將詳細(xì)介紹場效應(yīng)晶體管柵極電流的概念、計算方法以及其在不同工作狀況下的特點(diǎn)和影響。 一、場效應(yīng)晶體管柵極電流的概念 場效應(yīng)晶體管的結(jié)構(gòu)由源極、漏極和柵極組成。當(dāng)FET處于工作狀態(tài)時，柵極電流即為通過柵極電極
2023-12-08 10:27:08655 光耦3083是一種常用的光耦合器件，通常用于用于將輸入信號轉(zhuǎn)換為光信號并隔離輸出信號的電氣器件。然而，光耦3083在操作中存在誤導(dǎo)通問題，這可能是由于以下幾個原因造成的： 設(shè)計問題：光耦3083
2024-01-15 09:21:55220 
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