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電子發(fā)燒友網(wǎng)>模擬技術(shù)>碳化硅在新型電力體系中的應(yīng)用

碳化硅在新型電力體系中的應(yīng)用

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碳化硅器件介紹與仿真

本推文主要介碳化硅器件,想要入門(mén)碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
2023-11-27 17:48:06720

600V碳化硅二極管SIC SBD選型

極快反向恢復(fù)速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè)技術(shù)600V碳化硅二極管現(xiàn)貨選型相比于Si半導(dǎo)體材料,SiC半導(dǎo)體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導(dǎo)率較高的特點(diǎn),SiC
2019-10-24 14:25:15

650V/1200V碳化硅肖特基二極管如何選型

不變。這是由于碳化硅肖特基二極管是單極器件,沒(méi)有少數(shù)載流子注入和自由電荷的存儲(chǔ)。恢復(fù)瞬態(tài),所涉及的電荷只有結(jié)耗盡區(qū)電荷,而且它比相同結(jié)構(gòu)的Si器件結(jié)耗盡區(qū)電荷至少小一個(gè)數(shù)量級(jí)。這對(duì)于要求工作于高阻斷
2020-09-24 16:22:14

開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢(shì)

MOSFET之所以有如此的大吸引力,在于與它們具有比硅器件更出眾的可靠性,持續(xù)使用內(nèi)部體二極管的連續(xù)導(dǎo)通模式(CCM)功率因數(shù)校正(PFC)設(shè)計(jì),例如圖騰功率因數(shù)校正器的硬開(kāi)關(guān)拓?fù)?b class="flag-6" style="color: red">中,碳化硅
2023-03-14 14:05:02

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝的散熱問(wèn)題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問(wèn)題,如果你有類(lèi)似的困惑,歡迎前來(lái)探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢(shì)它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問(wèn)題及時(shí)交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點(diǎn)

,因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。  (4)碳化硅器件可工作高溫,碳化硅器件已有工作600oC的報(bào)道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC.  (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力?! ?6
2019-01-11 13:42:03

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了

碳化硅MOSFET開(kāi)關(guān)頻率到100Hz為什么波形還變差了
2015-06-01 15:38:39

碳化硅MOSFET是如何制造的?如何驅(qū)動(dòng)碳化硅場(chǎng)效應(yīng)管?

充電器、電機(jī)和太陽(yáng)能逆變器,不僅可以從這些新器件受益匪淺,不僅在效率上,而且尺寸上,可實(shí)現(xiàn)高功率、高溫操作。但是,不僅器件的特性讓人對(duì)新設(shè)計(jì)充滿好奇,也是意法半導(dǎo)體的戰(zhàn)略。碳化硅(SiC)技術(shù)是意
2023-02-24 15:03:59

碳化硅MOSFET的SCT怎么樣?

本文的目的是分析碳化硅MOSFET的短路實(shí)驗(yàn)(SCT)表現(xiàn)。具體而言,該實(shí)驗(yàn)的重點(diǎn)是不同條件下進(jìn)行專(zhuān)門(mén)的實(shí)驗(yàn)室測(cè)量,并借助一個(gè)穩(wěn)健的有限元法物理模型來(lái)證實(shí)和比較測(cè)量值,對(duì)短路行為的動(dòng)態(tài)變化進(jìn)行深度評(píng)估。
2019-08-02 08:44:07

碳化硅MOS管650V-3300V,電流1A-200A(國(guó)產(chǎn)碳化硅MOS晶圓裸芯、全碳SiC模塊)

本帖最后由 ewaysqian 于 2024-2-21 14:26 編輯 碳化硅MOS具有寬帶隙、高擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度、高電流密度、快速開(kāi)關(guān)速度、低導(dǎo)通電阻和抗輻射性能等獨(dú)特特點(diǎn),電子器件領(lǐng)域有著
2022-02-17 14:36:16

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點(diǎn)

上。  不過(guò),隨著碳化硅價(jià)格的下降、性能和可靠性的提高,其性能得到改善,可靠性得到了證明,列表的地位調(diào)高了,現(xiàn)在已被視為現(xiàn)有舊技術(shù)器件的替代品和新設(shè)計(jì)的起點(diǎn)。  碳化硅的采用取決于應(yīng)用,所以
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過(guò)程很快,開(kāi)關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度較高,可以制作出超過(guò)1000V的反向擊穿電壓。3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

200V,但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復(fù)時(shí)間實(shí)踐,同時(shí)正向電壓也減少,耐壓也大大超過(guò)200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。
2020-06-28 17:30:27

碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

碳化硅壓敏電阻由約90%的不同晶粒尺寸的碳化硅和10%的陶瓷粘合劑和添加劑制成。將原材料制成各種幾何尺寸的壓敏電阻,然后特定的大氣和環(huán)境條件下在高溫下燒結(jié)。然后將一層黃銅作為電觸點(diǎn)噴上火焰。其他標(biāo)準(zhǔn)
2024-03-08 08:37:49

碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
2021-03-16 07:22:13

碳化硅器件的特點(diǎn)是什么

今天我們來(lái)聊聊碳化硅器件的特點(diǎn)
2021-03-16 08:00:04

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過(guò)40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

碳化硅基板——汽車(chē)電子發(fā)展新動(dòng)力

大量采用持續(xù)穩(wěn)定的線路板;引擎室,由于高溫環(huán)境和LED 燈源的散熱要求,現(xiàn)有的以樹(shù)脂、金屬為基材的電路板不符合使用要求,需要散熱性能更好碳化硅電路板,例如斯利通碳化硅基板;高頻傳輸與無(wú)線雷達(dá)偵測(cè)
2020-12-16 11:31:13

碳化硅如何改進(jìn)開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)?

  設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程的現(xiàn)實(shí)選擇。  設(shè)計(jì)功率轉(zhuǎn)換器時(shí),碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過(guò)程的現(xiàn)實(shí)選擇。650V
2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

。強(qiáng)氧化氣體1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開(kāi)始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時(shí)為最大
2019-07-04 04:20:22

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

硅與碳的唯一合成物就是碳化硅(SiC),俗稱(chēng)金剛砂。SiC 自然界以礦物碳硅石的形式存在,但十分稀少。不過(guò),自1893 年以來(lái),粉狀碳化硅已被大量生產(chǎn)用作研磨劑。碳化硅用作研磨劑已有一百多年
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會(huì)受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場(chǎng)強(qiáng)更是硅的10倍。材料特性對(duì)比如圖(1)所示?! D(1) 4H型碳化硅與硅基材料特性對(duì)比  硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期時(shí),碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

,能夠有效降低產(chǎn)品成本、體積及重量?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅具有載流子飽和速度高和熱導(dǎo)率大的特點(diǎn),應(yīng)用開(kāi)關(guān)頻率可達(dá)到1MHz,高頻應(yīng)用優(yōu)勢(shì)明顯,其中碳化硅肖特基二極管(SiC JBS)耐壓可以達(dá)到6000V以上
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會(huì)統(tǒng)計(jì),2019年國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場(chǎng)規(guī)模達(dá)7562億元,同比增長(zhǎng)15.77%。2020年H1,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)銷(xiāo)售額為3539億元,同比增長(zhǎng)16.1%。每一次材料的更新?lián)Q代,都是產(chǎn)業(yè)的一次革命。碳化硅陶瓷基板高鐵、太陽(yáng)能光伏、風(fēng)能、電力輸送、UPS不間斷電源等電力電子領(lǐng)域均有不小單的作用。
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動(dòng)芯片有幾款,型號(hào)是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11

TGF2023-2-10碳化硅晶體管

科技有限公司TGF2023-2-10對(duì)碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。最大功率附加效率為
2018-06-12 10:22:42

TGF2023-2-10碳化硅晶體管銷(xiāo)售

TGF2023-2-10對(duì)碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%,這使
2018-11-15 11:59:01

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

產(chǎn)品尺寸,從而提升系統(tǒng)效率。而在實(shí)際應(yīng)用,我們發(fā)現(xiàn):帶輔助源極管腳的TO-247-4封裝更適合于碳化硅MOSFET這種新型的高頻器件,它可以進(jìn)一步降低器件的開(kāi)關(guān)損耗,也更有利于分立器件的驅(qū)動(dòng)
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗(yàn)連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動(dòng)技術(shù)研究

用于電機(jī)驅(qū)動(dòng)領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì),尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動(dòng)場(chǎng)合,開(kāi)發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)。現(xiàn)已有Sct3017AL實(shí)驗(yàn)室初步用于無(wú)感控制驅(qū)動(dòng)技術(shù),為了進(jìn)一步測(cè)試功率器件性能,為元器件選型和實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04

為何碳化硅比氮化鎵更早用于耐高壓應(yīng)用呢?

目前,以碳化硅(SiC)、氮化鎵(GaN)等“WBG(Wide Band Gap,寬禁帶,以下簡(jiǎn)稱(chēng)為:WBG)”以及基于新型材料的電力半導(dǎo)體,其研究開(kāi)發(fā)技術(shù)備受矚目。根據(jù)日本環(huán)保部提出的“加快
2023-02-23 15:46:22

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
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傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)伴隨著第三代半導(dǎo)體電力電子器件的誕生,以碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)為代表的新型半導(dǎo)體材料走入了我們的視野。SiC和GaN電力電子器件由于本身
2021-09-23 15:02:11

你知道為飛機(jī)電源管理提供解決方案的碳化硅嗎?

,航空業(yè)最近經(jīng)歷了快速增長(zhǎng),新的航空航天世界在用于電源和電機(jī)控制的SiC器件中找到了新的電源管理解決方案。碳化硅有望航空工業(yè)降低重量和減少燃料消耗和排放,例如,碳化硅 MOSFET更高工作溫度下
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創(chuàng)能動(dòng)力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

能動(dòng)力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)倍思120W氮化鎵快充商用,與納微GaNFast高頻優(yōu)勢(shì)組合,高頻開(kāi)關(guān)減小磁性元件體積,提高適配器功率密度。創(chuàng)能動(dòng)力是香港華智科技有限公司孵化出來(lái)的公司
2023-02-22 15:27:51

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  本文重點(diǎn)介紹賽米控碳化硅功率模塊的性能,特別是SEMITRANS 3模塊和SEMITOP E2無(wú)基板模塊?! 》至⑵骷ㄈ?TO-247)是將碳化硅集成到各種應(yīng)用的第一步,但對(duì)于更強(qiáng)大和更
2023-02-20 16:29:54

嘉和半導(dǎo)體(GaN)氮化鎵&碳化硅元器件

附件:嘉和半導(dǎo)體- 氮化鎵/碳化硅元件+解決方案介紹
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圖騰柱無(wú)橋PFC混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,部分應(yīng)用可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開(kāi)關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
2023-02-28 16:48:24

基于碳化硅MOSFET的20KW高效LLC諧振隔離DC/DC變換器方案研究

的難點(diǎn),碳化硅方案采用了下面措施降低諧振電感溫升的問(wèn)題:采用分段氣隙設(shè)計(jì)方法,降低氣隙漏磁與線包耦合帶來(lái)的高頻集膚效應(yīng)問(wèn)題,降低內(nèi)層線包溫度。同時(shí)可以減小過(guò)大高頻漏磁帶來(lái)的EMI問(wèn)題;電感和變壓器都
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對(duì)于高壓開(kāi)關(guān)電源應(yīng)用,碳化硅或SiC MOSFET帶來(lái)比傳統(tǒng)硅MOSFET和IGBT明顯的優(yōu)勢(shì)。在這里我們看看在設(shè)計(jì)高性能門(mén)極驅(qū)動(dòng)電路時(shí)使用SiC MOSFET的好處。
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如何用碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器?

碳化硅MOSFET設(shè)計(jì)一個(gè)雙向降壓-升壓轉(zhuǎn)換器
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歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

,導(dǎo)通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性,使器件可工作更高的開(kāi)關(guān)頻率;同時(shí),碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開(kāi)關(guān)速度快、損耗低等特性,使電力
2023-02-22 16:06:08

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概要:本文將討論諧振LLC和移相(Phase Shift)兩種隔離DC/DC拓?fù)涞男阅芴攸c(diǎn)以及新能源汽車(chē)電源的應(yīng)用,然后針對(duì)寬禁帶碳化硅MOSFET對(duì)兩種隔離DC/DC拓?fù)涞膽?yīng)用進(jìn)行了比較,并
2016-08-25 14:39:53

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2023-02-27 16:03:36

電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊

面向電動(dòng)汽車(chē)的全新碳化硅功率模塊 碳化硅電動(dòng)汽車(chē)應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量,它可提高逆變器的效率,從而延長(zhǎng)續(xù)航里程或降低電池成本
2021-03-27 19:40:16

被稱(chēng)為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點(diǎn)

,同時(shí)正向電壓也減少,耐壓也大大超過(guò)200V,典型的電壓有650V、1200V等,另外在反向恢復(fù)造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢(shì)。開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現(xiàn)
2023-02-20 15:15:50

請(qǐng)教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒(méi)有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實(shí)際刻蝕過(guò)程總是會(huì)在碳化硅
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降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

使用絕緣柵雙極晶體管(IGBT)。但隨著半導(dǎo)體技術(shù)的進(jìn)步,碳化硅 (SiC) 金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (MOSFET) 能夠以比 IGBT 更高的頻率進(jìn)行開(kāi)關(guān),通過(guò)降低電阻和開(kāi)關(guān)損耗來(lái)提高效率
2022-11-02 12:02:05

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來(lái)咯!

元器件碳化硅
車(chē)同軌,書(shū)同文,行同倫發(fā)布于 2022-08-04 15:48:57

碳化硅基礎(chǔ)知識(shí)

碳化硅基礎(chǔ)知識(shí) 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成 黑碳化硅是以石英砂,石油焦為主要原料,通過(guò)電阻
2009-11-17 09:37:27769

碳化硅(SiC)基地知識(shí)

碳化硅(SiC)基地知識(shí) 碳化硅又稱(chēng)金鋼砂或耐火砂。碳化硅是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料
2009-11-17 09:41:491248

科銳推出新型碳化硅肖特基二極管

碳化硅功率器件市場(chǎng)領(lǐng)先者科銳公司 (Nasdaq: CREE) 繼續(xù)其在碳化硅功率器件向主流功率應(yīng)用的推廣。與硅功率器件相比,科銳先進(jìn)的碳化硅技術(shù)可降低系統(tǒng)成本、提高可靠性,并為能源效
2011-10-12 09:30:281122

碳化硅 SiC 可持續(xù)發(fā)展的未來(lái) #碳化硅 #SiC #MCU #電子愛(ài)好者

工業(yè)控制碳化硅
Asd666發(fā)布于 2023-08-10 22:08:03

蒙脫土_碳化硅微納米復(fù)合體系防電暈漆的研究_胡春秀

蒙脫土_碳化硅微納米復(fù)合體系防電暈漆的研究_胡春秀
2017-01-08 13:15:480

詳解碳化硅材料的作用和發(fā)展

金剛砂又名碳化硅(SiC)是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。 碳化硅又稱(chēng)碳硅石。在當(dāng)
2018-01-03 09:48:4819934

上海大革全球首發(fā)新型碳化硅模塊快速充電樁

上海大革使用自行研發(fā)成功的全碳化硅模塊成功研發(fā)50kw,100kw,350kw新能源汽車(chē)中壓快速充電樁。使用新型碳化硅模塊快速充電樁,不僅體積小巧,投入資金少,還能有效提高電力轉(zhuǎn)換效率,減少充電時(shí)間。
2018-04-26 09:05:437343

國(guó)內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國(guó)內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動(dòng)
2021-11-29 14:54:087876

從硅到碳化硅(SiC) 有哪些好處和應(yīng)用?

碳化硅 (SiC) 具有提高電動(dòng)汽車(chē)整體系統(tǒng)效率的潛力。在太陽(yáng)能行業(yè),碳化硅逆變器優(yōu)化在成本節(jié)約方面也發(fā)揮著很大的作用。在這個(gè)與俄亥俄州立大學(xué)電氣與計(jì)算機(jī)工程系 IEEE 院士教授 Anant
2022-08-03 17:07:351412

碳化硅電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用挑戰(zhàn)

碳化硅是一種非常高效的材料,具有高功率和高溫特性。 碳化硅 (SiC) 半導(dǎo)體是提高系統(tǒng)效率、支持更高工作溫度和降低電力電子設(shè)計(jì)成本的創(chuàng)新選擇。碳化硅是硅和碳的化合物,是一種具有同素異形變體的半導(dǎo)體
2022-08-08 08:09:591373

碳化硅瞄準(zhǔn)新型電力電子產(chǎn)業(yè)

碳化硅技術(shù)有望為更智能的電源設(shè)計(jì)提供更高的效率、更小的外形尺寸、更低的成本和更低的冷卻要求。 寬帶隙 (WBG) 半導(dǎo)體技術(shù)在電力電子行業(yè)中的廣泛采用持續(xù)增長(zhǎng)。碳化硅 (SiC) 和氮化鎵 (GaN
2022-08-08 09:52:41270

有關(guān)電力應(yīng)用中碳化硅的知識(shí)

以下是有關(guān)用于電源應(yīng)用的碳化硅 (SiC) 的 10 個(gè)事實(shí),包括 SiC 如何實(shí)現(xiàn)比硅更好的熱管理。
2022-08-17 17:11:011581

碳化硅龍頭擴(kuò)產(chǎn)忙

來(lái)源:中國(guó)電子報(bào) 日前,國(guó)際碳化硅大廠安森美宣布,其在捷克Roznov擴(kuò)建的碳化硅工廠落成,未來(lái)兩年內(nèi)產(chǎn)能將逐步提升。另一家碳化硅大廠Wolfspeed也表示將在美國(guó)北卡羅來(lái)納州建造一座價(jià)值數(shù)十
2022-10-08 17:02:25892

碳化硅原理是什么

碳化硅原理是什么 碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物
2023-02-02 14:50:022083

汽車(chē)碳化硅技術(shù)原理圖

(SiC)技術(shù) Silicon Carbide Adoption Enters Next Phase 碳化硅(SiC)技術(shù)的需求繼續(xù)增長(zhǎng),這種技術(shù)可以最大限度地提高當(dāng)今電力系統(tǒng)的效率,同時(shí)降低其尺寸、重量和成本。但碳化硅溶液并不是硅的替代品,它們也并非都是一樣的。為了實(shí)現(xiàn)碳化硅
2023-02-02 15:10:00486

碳化硅原理用途及作用

碳化硅的電阻率。碳化硅的電阻率隨溫度的變化而改變,但在一定的溫度范圍內(nèi)與金屬的電阻溫度特性相反。碳化硅的電阻率與溫度的關(guān)系更為復(fù)雜。碳化硅的導(dǎo)電率隨溫度升高到一定值時(shí)出現(xiàn)峰值,繼續(xù)升高溫度,導(dǎo)電率又會(huì)下降。
2023-02-03 09:31:234494

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些

碳化硅技術(shù)壁壘分析:碳化硅技術(shù)壁壘是什么 碳化硅技術(shù)壁壘有哪些 碳化硅芯片不僅是一個(gè)新風(fēng)口,也是一個(gè)很大的挑戰(zhàn),那么我們來(lái)碳化硅技術(shù)壁壘分析下碳化硅技術(shù)壁壘是什么?碳化硅技術(shù)壁壘
2023-02-03 15:25:163705

碳化硅技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)_碳化硅工藝

碳化硅,是一種無(wú)機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過(guò)電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見(jiàn)的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物
2023-02-03 16:11:353131

碳化硅二極管的應(yīng)用

高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱(chēng)為金鋼砂或耐火砂。 碳化硅基于SiC的肖特基二極管具有高能效、高功率密度、小尺寸和高可靠性,可以在電力電子技術(shù)領(lǐng)域打破硅的極限,成為新能源及電力電子的首選器件。 碳
2023-02-05 16:34:591331

淺談碳化硅的應(yīng)用

碳化硅是目前應(yīng)用最為廣泛的第三代半導(dǎo)體材料,由于第三代半導(dǎo)體材料的禁帶寬度大于2eV,因此一般也會(huì)被稱(chēng)為寬禁帶半導(dǎo)體材料,除了寬禁帶的特點(diǎn)外,碳化硅半導(dǎo)體材料還具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、高飽和電子
2023-02-12 15:12:32951

SiC碳化硅二極管和SiC碳化硅MOSFET產(chǎn)業(yè)鏈介紹

我們拿慧制敏造出品的KNSCHA碳化硅功率器件:碳化硅二極管和碳化硅MOSFET展開(kāi)說(shuō)明。碳和硅進(jìn)過(guò)化合先合成碳化硅,然后碳化硅打磨成為粉末,碳化硅粉末經(jīng)過(guò)碳化硅單晶生長(zhǎng)成為碳化硅晶錠;碳化硅
2023-02-21 10:04:111748

碳化硅晶片的性質(zhì)及其用途

碳化硅晶片是一種新型的半導(dǎo)體材料,由碳和硅組成,具有高溫、高壓、高頻、高功率等特性。
2023-02-25 14:00:102373

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報(bào)深受眾多專(zhuān)業(yè)讀者喜愛(ài),本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場(chǎng),以及未來(lái)的發(fā)展趨勢(shì),感謝各位
2023-05-31 09:43:20409

碳化硅二極管是什么

碳化硅二極管是什么 碳化硅二極管是一種半導(dǎo)體器件,它由碳化硅材料制成。碳化硅具有高的耐壓能力和高的溫度耐受性,因此碳化硅二極管具有較低的反向漏電流、高溫下穩(wěn)定性良好、響應(yīng)速度快等特點(diǎn),廣泛用于高功率、高頻率、高溫、高壓等領(lǐng)域,如電源、變頻器、太陽(yáng)能、電動(dòng)汽車(chē)等。
2023-06-02 14:10:32794

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導(dǎo)體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151244

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅,也稱(chēng)為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基礎(chǔ)材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅僅在過(guò)去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451265

碳化硅新型功率器件的優(yōu)缺點(diǎn)

碳化硅(SiC)MOS管作為一種新型功率器件,與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,在某些特定條件下具有獨(dú)特的優(yōu)勢(shì),但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點(diǎn)和缺點(diǎn)。
2023-09-26 16:59:07525

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點(diǎn),被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識(shí)。
2023-09-28 18:19:571246

碳化硅電力電子器件中的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,由于其優(yōu)于傳統(tǒng)硅的性能,在電力電子行業(yè)中越來(lái)越受歡迎。
2023-11-08 09:30:28425

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

碳化硅,又稱(chēng)SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導(dǎo)體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導(dǎo)體,或?qū)⑵渑c鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導(dǎo)體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導(dǎo)體級(jí)質(zhì)量的碳化硅只是在過(guò)去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23593

碳化硅的5大優(yōu)勢(shì)

碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導(dǎo)通電阻。
2023-12-12 09:47:33578

碳化硅功率器件的特點(diǎn)和應(yīng)用現(xiàn)狀

  隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來(lái)越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點(diǎn)
2023-12-14 09:14:46285

碳化硅功率器件簡(jiǎn)介、優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49646

碳化硅逆變器是什么 功能介紹

等。這些特性使得碳化硅逆變器在電力電子領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景,特別是在新能源、電動(dòng)汽車(chē)、軌道交通等領(lǐng)域。碳化硅逆變器的工作原理是利用碳化硅半導(dǎo)體材料的高載流子遷移率和低導(dǎo)通電阻特性,實(shí)現(xiàn)對(duì)電能的高效轉(zhuǎn)換。具體
2024-01-10 13:55:54465

碳化硅特色工藝模塊簡(jiǎn)介

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高熱導(dǎo)率、高擊穿場(chǎng)強(qiáng)、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優(yōu)點(diǎn)。由于這些優(yōu)異的性能,碳化硅電力電子、微波射頻、光電子等領(lǐng)域具有廣泛的應(yīng)用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14355

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