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電子發(fā)燒友網(wǎng)>移動通信>東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

東芝推出采用19納米第二代工藝技術(shù)的新型嵌入式NAND閃存模塊

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2014-05-04 16:00:411264

第二代AMD嵌入式R系列APU和CPU提供智能化、交互式以及身臨其境的體驗

針對嵌入式應(yīng)用推出第二代AMD嵌入式R系列加速處理器(APU)和CPU產(chǎn)品家族(此前代號為“禿鷹(Bald Eagle)”)。新推出的解決方案的目標(biāo)領(lǐng)域為要求使用行業(yè)領(lǐng)先的計算和圖形處理技術(shù)的游戲機、醫(yī)療成像、數(shù)字標(biāo)牌、工業(yè)控制和自動化、通訊以及網(wǎng)絡(luò)基礎(chǔ)設(shè)施。
2014-05-21 09:27:491027

傳華為第二代MateBook明年發(fā)布 富士康代工

今年華為、小米紛紛推出了筆記本產(chǎn)品,甚至有人喊出“聯(lián)想”、“惠普”等傳統(tǒng)PC廠商危險了!最新消息顯示華為將推出第二代。
2016-11-23 10:03:172465

三星10nm工藝技術(shù)已經(jīng)在Galaxy S8上提供支持

三星10納米工藝技術(shù)公告:全球領(lǐng)先的三星電子先進(jìn)的半導(dǎo)體元器件技術(shù)正式宣布,其第二代10納米(nm)FinFET工藝技術(shù),10LPP(Low Power Plus)已經(jīng)合格并準(zhǔn)備就緒用于批量生產(chǎn)。
2017-05-03 01:00:11583

華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存開始量產(chǎn)

近日華虹半導(dǎo)體第二代90納米嵌入式閃存工藝平臺已經(jīng)宣布量產(chǎn),是在第一代的基礎(chǔ)上實現(xiàn)了多方面的技術(shù)提升。目前,90nm G2 eFlash已實現(xiàn)了高良率的穩(wěn)定量產(chǎn),標(biāo)志著華虹半導(dǎo)體在特色化嵌入式閃存技術(shù)上的又一次成功。
2017-12-28 17:49:461206

三星開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片

據(jù)韓聯(lián)社北京時間12月20日報道,三星電子今天宣布,已開始量產(chǎn)第二代10納米級制程工藝DRAM內(nèi)存芯片。
2017-12-29 11:15:416063

15/16納米閃存工藝特征

NAND , 閃存 作者: Kevin Gibb 過去的一年半以來,主要NAND閃存制造商已經(jīng)開始銷售1x納米等級的平面閃存;根據(jù)我們調(diào)查開放市場上所銷售組件的供應(yīng)來源,美光 (Micron
2018-06-06 14:26:003936

華力的55納米SONOS嵌入式閃存技術(shù)授權(quán)自Cypress的技術(shù)

華力55納米SONOS嵌入式閃存在55納米邏輯平臺上僅增加了4張光罩,與業(yè)界其它量產(chǎn)的55納米嵌入式閃存技術(shù)(需要額外加入9~12張光罩)有非常強的成本優(yōu)勢。但華力團(tuán)隊仍然通過系列技術(shù)創(chuàng)新進(jìn)一步提升質(zhì)量,降低成本。
2018-04-27 14:16:067398

美光第二代3D NAND閃存大規(guī)模量產(chǎn),容量更大成本更低

,第一代3D NAND閃存的成本也符合預(yù)期,堆棧層數(shù)達(dá)到64層的第二代3D NAND閃存也在路上了,今年底就要大規(guī)模量產(chǎn)了。
2018-08-03 16:15:031188

西數(shù)第二代3D QLC NAND開發(fā)成功,預(yù)計下半年量產(chǎn)出貨

7月20日,東芝/西部數(shù)據(jù)宣布成功開發(fā)采用96層BiCS4架構(gòu)的第二代3D QLC NAND(4bits/cell),單Die容量最高可達(dá)1.33Tb,預(yù)計將在2018下半年開始批量出貨,并優(yōu)先用于SanDisk品牌下銷售的消費級閃存產(chǎn)品。
2018-08-08 15:10:01724

東芝推出基于單層存儲單元NAND閃存的BENAND產(chǎn)品

進(jìn)的32納米工藝的SLC NAND閃存中,嵌入了一個具有4位/512字節(jié)糾錯能力的ECC。BENAND具有與通用的SLC NAND閃存兼容的封裝和引腳定義,這一點保證其在現(xiàn)有產(chǎn)品中可以輕松地與SLC NAND實現(xiàn)替換。
2018-10-08 17:11:001941

東芝開始交付業(yè)界首款嵌入式NAND閃存模塊的樣品

關(guān)鍵詞:NAND , 閃存 這款嵌入式存儲器符合JEDEC UFS[2] 1.1版本標(biāo)準(zhǔn),將64GB NAND和一個控制器整合在一個封裝中 東芝公司今天宣布,業(yè)界首款配備UFS I/F的64千兆字節(jié)
2018-11-09 17:36:01215

三星采用第二代10nm工藝級別的DRAM芯片量產(chǎn)

三星電子今天宣布,開始量產(chǎn)業(yè)界首款、采用第二代10nm工藝(1y-nm)級別的DRAM芯片。
2018-12-11 09:40:55763

比特大陸發(fā)第二代7納米芯片BM1397 云麥智能訓(xùn)練手表上架

據(jù)消息稱,中國第二大無晶圓廠芯片公司比特大陸在昨日推出第二代采用7納米技術(shù)芯片BM1397。
2019-02-19 16:46:306769

蘋果A13芯片將采用臺積電第二代7nm工藝 并率先采用EUV光刻技術(shù)

彭博報道稱,臺積電已于4月份就開始了蘋果A13芯片的早期測試生產(chǎn)階段,并且計劃在本月進(jìn)行量產(chǎn)。預(yù)計A13芯片將采用臺積電的第二代7nm工藝,并且率先采用EUV光刻技術(shù)。
2019-05-13 16:39:514527

東芝推出第二代工藝技術(shù) 采用新型嵌入式NAND閃存模塊

東京日前宣布推出新型嵌入式NAND閃存模塊(e·MMC),該模塊整合了采用19納米第二代工藝技術(shù)制造的NAND芯片。
2019-06-12 17:13:58660

紫光展銳正式推出第二代5G平臺馬卡魯2.0 首發(fā)臺積電6nm工藝

2月26日,紫光展銳舉行了“5G所向 價值所在”的線上發(fā)布會,正式推出第二代5G平臺——馬卡魯2.0,第二代5G芯片虎賁T7520由原定的7nm升級到了6nm EUV,這是首款用上臺積電6nm工藝的5G芯片。
2020-02-26 16:04:362752

臺積電第二代 5nm 工藝性能提升水平有望高于預(yù)期

為臺積電帶來了近 10 億美元的營收。 同此前的 7nm 工藝一樣,臺積電的 5nm 工藝也不只一代,他們還將推出第二代的 5nm 工藝,也就是他們所說的 N5P。 在 8 月底的全球技術(shù)論壇期間,臺積電曾披露,同第一代 5nm 工藝相比,第二代 5nm 工藝所制造的芯片,理論上性能將提升
2020-11-06 16:19:021626

美光發(fā)布第五代3D NAND閃存

據(jù)美媒Anandtech報道,美光日前宣布了其第五代3D NAND閃存,新一代產(chǎn)品擁有破紀(jì)錄的176層構(gòu)造。報道指出,新型176L閃存是自美光與英特爾的存儲器合作解散以來推出第二代產(chǎn)品,此后美光從浮柵( floating-gate)存儲單元設(shè)計轉(zhuǎn)變?yōu)殡姾上葳澹╟harge-trap)單元。
2020-11-10 14:56:592809

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù)

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術(shù),達(dá)到了創(chuàng)紀(jì)錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發(fā)的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081

美光發(fā)布176層3D NAND閃存

的應(yīng)用效能。 據(jù)了解,176層3D NAND閃存是美光第二代替換閘(Replacement Gate)架構(gòu),是目前全球技術(shù)最為先進(jìn)的NAND節(jié)點,相較于前代3D NAND相比,美光176層3D NAND閃存
2020-11-12 16:02:552599

蘋果A15處理器將采用臺積電第二代5nm工藝制造

據(jù)國外媒體報道,研究機構(gòu)預(yù)計,蘋果明后兩年iPhone新品將搭載的兩款A(yù)系列處理器,將由芯片代工商臺積電采用第二代5nm工藝和4nm工藝制造。 蘋果今年推出的iPhone 12系列智能手機,搭載
2020-11-20 11:27:031767

消息稱臺積電第二代3nm工藝計劃2023年推出

年下半年大規(guī)模量產(chǎn)。 從英文媒體最新的報道來看,同2018年量產(chǎn)的7nm和今年量產(chǎn)的5nm工藝一樣,臺積電正在研發(fā)的3nm工藝,也將會有第二代。 英文媒體是援引產(chǎn)業(yè)鏈人士透露的消息,報道臺積電會推出第二代3nm工藝的,這一消息人士表示臺積電計劃在2
2020-12-02 17:14:461572

中芯國際稱第二代FinFET已進(jìn)入小量試產(chǎn)

2019 年四季度進(jìn)入量產(chǎn),第二代 FinFET 已進(jìn)入小量試產(chǎn)。 IT之家了解到,中芯國際于 2019 年實現(xiàn)了國內(nèi)最先進(jìn)的 14nm 工藝制程量產(chǎn),并已為華為麒麟 710A 芯片等進(jìn)行代工。 今年9月份,投資者向中芯國際求證中芯關(guān)于下一代芯片量產(chǎn)消息,中芯國際回答表示:中芯國際第二代
2020-12-07 11:23:372570

vivo預(yù)熱X60系列:采用第二代微云臺

? ?vivo 方面上周正式公布了 vivo X60 系列新機并表示將于 12 月 29 日發(fā)布。vivo X60 系列主打第二代微云臺以及蔡司光學(xué)鏡頭,將全球首發(fā)三星 5nm 工藝 Exynos
2020-12-22 10:53:581565

傳Intel委托臺積電生產(chǎn)第二代獨立顯卡

據(jù)知情人士稱,英特爾計劃委托臺積電生產(chǎn)用于個人電腦的第二代獨立顯卡,希望借此對抗英偉達(dá)的崛起。 這款名為“DG2”的芯片將采用臺積電的一種新的芯片制造工藝,該工藝尚未正式命名,但是其7納米工藝的強化版。
2021-01-12 15:43:061462

中興重磅首發(fā)量產(chǎn)第二代屏下攝像技術(shù)

2月23日消息,中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術(shù)的樣機。
2021-02-24 09:08:251924

中興第二代屏下攝像技術(shù)使屏幕質(zhì)變

中興通訊呂錢浩展示了第二代屏下攝像技術(shù)的樣機。
2021-02-24 11:41:082095

Tower發(fā)布第二代最先進(jìn)65納米BCD

高價值模擬半導(dǎo)體代工解決方案的領(lǐng)先廠商Tower Semiconductor(NASDAQ/TASE:TSEM)今日宣布擴大其電源管理平臺,發(fā)布第二代最先進(jìn)的65納米BCD,將工作電壓擴大至24V,并將Rdson減少20%。
2022-05-10 15:36:581448

谷歌第二代Tensor將由三星以4nm制程工藝代工,本月開始量產(chǎn)

據(jù)媒體報道稱,谷歌第二代Tensor芯片將于這個月開始量產(chǎn),代工方為三星,將會采用4nm制程工藝大規(guī)模生產(chǎn)該芯片。 Tensor是谷歌公司為其智能手機自研的芯片,第一代在去年8月發(fā)布,而第二代
2022-06-02 14:52:451273

M2芯片采用了增強的第二代5納米制程技術(shù)

M2芯片采用增強的第二代5納米制程技術(shù),并封裝了超過200億個晶體管,比M1芯片多了25%。
2022-06-07 15:23:312949

Samsung研發(fā)第二代3納米工藝 SF3

據(jù)報道,韓國三星代工廠已經(jīng)開始試制其第二代 3 納米級別工藝技術(shù)的芯片,稱為 SF3。這一發(fā)展標(biāo)志著半導(dǎo)體行業(yè)的一個重要里程碑,因為三星與臺積電競爭下一代先進(jìn)工藝節(jié)點的量產(chǎn)主導(dǎo)權(quán)。韓國知名權(quán)威
2024-01-22 16:10:14456

三星半導(dǎo)體將其“第二代3納米工藝正式更名為“2納米”!

近期,科技巨頭三星半導(dǎo)體做出了一個引人注目的決策:將其“第二代3納米工藝正式更名為“2納米”。
2024-03-06 13:42:14322

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