高電源抑制的基準(zhǔn)源的設(shè)計(jì)方案

電子鎮(zhèn)流器的供電方式為半橋輸出接穩(wěn)壓管給芯片供電，其輸出電壓為高壓正弦波（50～100 kHz），加之芯片內(nèi)數(shù)字部分的干擾，這就給芯片的電源帶來(lái)較大的干擾。因此對(duì)芯片內(nèi)基準(zhǔn)的中頻PSR（Power Supply Rejection，電源抑制）有較大要求。本文從此角度在Brokaw帶隙基準(zhǔn)的基礎(chǔ)上進(jìn)行改進(jìn)，采用LDO與基準(zhǔn)的級(jí)聯(lián)設(shè)計(jì)來(lái)增加其PSR。

　　1 電路結(jié)構(gòu)

　　1.1 基準(zhǔn)核心

　　目前的基準(zhǔn)核心可以有多種實(shí)現(xiàn)方案：混合電阻，Buck voltage transfer cell，但是修調(diào)復(fù)雜，不宜工業(yè)化。本設(shè)計(jì)采用Brokaw基準(zhǔn)核心，其較易實(shí)現(xiàn)高壓基準(zhǔn)輸出，并且其溫漂、PSR及啟動(dòng)特性均較好。本文采用的改進(jìn)的Brokaw基準(zhǔn)核心的結(jié)構(gòu)如圖1所示。

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　　對(duì)此核心的分析：

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　　三極管的輸出電流公式：

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　　其中I是三極管射極電流，Is與射極面積成正比，n為一常數(shù)，取1。這里，取VQC2：VQC1=8：1，因此Is2=8xIs1，又I1=I2，分別代入（1）并相除，整理得：

　　其中Vbe1是負(fù)溫度系數(shù)，Vt是正溫度系數(shù)，RC2與RC1是同類(lèi)電阻，溫度系數(shù)相抵消，選擇合理的RC2／RC1，就可以得到一階補(bǔ)償為0的基準(zhǔn)電壓，可以很好的滿(mǎn)足本芯片的要求。

　　在電流鏡的選取上，采用威爾遜電流鏡，精度高，不需外加偏置電路，因此電源抑制比較高。輸出管采用mos管，對(duì)VQC5、VQC1支路電路影響小。通過(guò)增加MC1，使VQC2和VQC1的集電極電位相近，減小誤差。

　　產(chǎn)生的Vref為4.75 V，在放大電壓的同時(shí)，PSR、溫漂均放大了4倍，即PSR升高了12 dB（在隨后的仿真波形中可以看到）。

　　1.2 LDO

　　LDO在低頻時(shí)的PSR主要取決于運(yùn)放的增益，為此選擇折疊共源共柵電路。此LDO電路基于文獻(xiàn)中的電路修改，如圖2所示，并采用PSR高的偏置生成電路。

　　1. 3 啟動(dòng)電路

　　Brokaw核心本身存在0狀態(tài)，VQC5基極為高電平，VQC2、VQC1基極為低電平，因此引入如圖3的啟動(dòng)電路。

　　圖3中右下角即為啟動(dòng)電路。對(duì)于常規(guī)Brokaw基準(zhǔn)，當(dāng)VQC2基極電壓低于啟動(dòng)電壓時(shí)，VQCS2將VQC5基極電壓拉低VQC2基極電壓拉高，使電路啟動(dòng)，所以VQCS2僅需很小的基極電流就可以使電路啟動(dòng)。

　但是，由于本設(shè)計(jì)采用LDO供電，而LDO的參考電壓是bg，存在死循環(huán)，即bg低，則LDO低，所以基準(zhǔn)核心的VQC5無(wú)法給VQCS2提供電流，也就無(wú)法提高VQC2的電壓即bg，因此需要外界提供大電流bias-start，使得當(dāng)LDO無(wú)法啟動(dòng)基準(zhǔn)核心時(shí)，此電流可以足夠大，在RC4上產(chǎn)生的壓降使bg達(dá)到足夠大，繼而LDO達(dá)到使基準(zhǔn)核心啟動(dòng)所需的最低電壓，從而使電路進(jìn)入自動(dòng)修正狀態(tài)，最終使bg和ref達(dá)到指定電壓。

　　這樣雖然能啟動(dòng)，但是，正常工作時(shí)，此大啟動(dòng)電流bias-start將通過(guò)VQCS1和VQCS3流向地，增加了系統(tǒng)的負(fù)擔(dān)。因此，在電流輸出管MB3下加入控制管MBC，并使得在正常工作時(shí)，LDO的高電壓足以使MBC關(guān)斷，從而降低啟動(dòng)電路的損耗。