德州儀器推出NexFET N溝道功率MOSFET實現(xiàn)業(yè)界最低電阻

　　2015年1月22日，北京訊。日前，德州儀器 （TI） 推出其NexFET? 產(chǎn)品線11款新型N溝道功率MOSFET，其中包括具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻并采用QFN 封裝的25-V CSD16570Q5B 和 30-V CSD17570Q5B，可應(yīng)用于熱插拔和ORing應(yīng)用。此外，TI面向低電壓電池供電型應(yīng)用的新型12-V FemtoFET? CSD13383F4在采用0.6 mm x 1mm纖巧型封裝的情況下實現(xiàn)了比同類競爭器件低84% 的極低電阻。

　　CSD16570Q5B和CSD17570Q5B NexFET MOSFET可在較高電流條件下提供較高的電源轉(zhuǎn)換效率，同時在計算機(jī)服務(wù)器和電信應(yīng)用中確保安全的運(yùn)作。例如：25-V CSD16570Q5B 支持0.59 mΩ的最大導(dǎo)通電阻，而30-V CSD17570Q5B 則實現(xiàn)了0.69 mΩ 的最大導(dǎo)通電阻。請下載閱讀一款采用 TI CSD17570Q5B NexFET的12V、60A熱插拔參考設(shè)計，來進(jìn)一步進(jìn)行了解。

　　TI 的新型 CSD17573Q5B和CSD17577Q5A可與面向DC/DC控制器應(yīng)用的LM27403配合使用，從而構(gòu)成一套完整的同步降壓型轉(zhuǎn)換器解決方案。CSD16570Q5B 和 CSD17570Q5B NexFET功率MOSFET則可與諸如TPS24720等TI熱插拔控制器配套使用。閱讀 《穩(wěn)健可靠的熱插拔設(shè)計》，可進(jìn)一步了解如何將一個晶體管選用為傳輸元件，以及怎樣在所有可能的情況下確保安全運(yùn)作。

　　如下是TI 推出具有業(yè)界最低導(dǎo)通電阻的NexFET? N溝道功率MOSFE。

　　新型 NexFET 產(chǎn)品及主要特點

　　供貨情況、封裝和價格

　　目前，F(xiàn)emtoFET CSD13383F4 以及 CSD17670Q5B 和 CSD17570Q5B 產(chǎn)品可通過 TI 及其授權(quán)分銷商批量采購。

　　關(guān)于 TI 的 NexFET 功率 MOSFET

　　TI 的 NexFET 功率 MOSFET提升了高功率計算、網(wǎng)絡(luò)、工業(yè)和電源應(yīng)用中的能量效率。此類高頻、高效率的模擬功率 MOSFET 使得系統(tǒng)設(shè)計人員能夠運(yùn)用現(xiàn)有的最先進(jìn)的DC/DC電源轉(zhuǎn)換解決方案。