ST擴大采用第六代STripFET?技術的高效功率晶體管的產(chǎn)品系列，為設計人員在提高各種應用的節(jié)能省電性能帶來更多選擇。
2011-06-20 09:02:43
900 飛兆半導體公司新推出了40V 的N溝道PowerTrench MOSFET FDB9403，該產(chǎn)品可幫助設計人員在汽車動力轉向系統(tǒng)的設計工程師需要能夠提供更高效率和更佳功率控制的解決方案。
2012-12-04 14:56:04970 ) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。 ? 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進技術，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導通損耗和低柵極電荷于一身，實現(xiàn)高效的開關性能。因此
2023-05-26 14:11:20701 
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統(tǒng))和EPB (電子駐車制動系統(tǒng)) 等汽車安全系統(tǒng)的機械、環(huán)境和電氣要求。 這些機電系統(tǒng)必須符合汽車AEC Q101規(guī)范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
，可控制電子電路中電子元件的器件。MOSFET是一種以極其低的特性電阻通過控制門電壓，來調節(jié)傳輸通道在正反兩端的電壓，從而傳輸電子電路的基本晶體管，是由于采用了金屬-氧化物-半導體工藝而開發(fā)出來的晶體管
2023-03-08 14:13:33
1.MOSFET的速度比晶體管或IGBT快。2.MOSFET的過電流適中；晶體管是一個流控流型的，要使集電極上的電流增大，基極上的電流就要增大，但是基極上的電流是無用的。IGBT一般使用在大電流的場景。...
2021-10-29 08:28:40
半導體二極管的伏安特性是什么？
2021-06-15 06:17:58
半導體基礎知識與晶體管工藝原理
2012-08-20 08:37:00
上次我們學習了無源元件，今天我們接著來復習一下半導體以及使用了半導體的有源元件-二極管、晶體管、FET。
2021-03-03 08:36:01
`意法半導體 STM32Nuleo 核心板感謝 意法半導體 提供大賽用開發(fā)板數(shù)據(jù)下載STM32 Nucleo 核心板是ST為用戶全新設計的開放式開發(fā)平臺，為用戶提供了經(jīng)濟、靈活的途徑，用于快速驗證
2015-05-04 16:04:16
請問圖片是意法的什么元件，上面的絲印具體信息是什么，有能替代的嗎，查了資料沒找到這個型號，謝謝
2022-05-16 23:20:58
提供內設端口控制器的雙芯片方案，已獲得完全認證為幫助工程師在新開發(fā)產(chǎn)品或在原有產(chǎn)品設計中引入最新的USBPower Delivery充電功能和多用途的USB Type-C?連接器，意法半導體新推出
2018-07-13 13:20:19
? 以Arm?TrustZone?硬件為基礎，為資源有限的物聯(lián)網(wǎng)設備構筑更強的安全防線? 意法半導體獨有超低功耗技術，打造同級領先的面向節(jié)能應用的MCU? 支持安全啟動、硬件完全隔離、硬件加密加速
2018-10-17 10:37:12
鼓勵其他大學的教授改編補充這套課程。 這套由8個自定進度的教程組成的入門課程圍繞意法半導體的SensorTile設計。SensorTile是一個獨一無二的具有物聯(lián)網(wǎng)功能的實時嵌入式系統(tǒng)，集成在一個只有
2018-02-09 14:08:48
提升功能集成度和設計靈活性，新增STM32F413/423兩個產(chǎn)品線意法半導體(ST)先進圖像防抖陀螺儀讓下一代智能手機拍照不抖動意法半導體傳感器通過阿里IoT驗證，助力設備廠商更快推出新產(chǎn)品
2018-05-22 11:20:41
有源米勒鉗位選配，提升高速開關抗干擾能力中國，2018年8月3日——意法半導體的STGAP2S單路電氣隔離柵極驅動器提供26V的最大柵極驅動輸出電壓，準許用戶選擇獨立的導通/關斷輸出或內部有源米勒鉗
2018-08-06 14:37:25
(STEVAL-LDO001V1)搭載1個STLQ020和3個其它型號低壓差（LDO）穩(wěn)壓器，售價9.68美元。相關新聞意法半導體(ST)發(fā)布世界領先的防水壓力傳感器，首張訂單來自三星高性能穿戴式產(chǎn)品奇手(Qeexo
2018-04-10 15:13:05
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM） 推出汽車級六軸慣性傳感器ASM330LHH ，為先進的車載導航
2018-07-17 16:46:16
： BSI-DSZ-CC-1037-2018 中國，2018年6月1日—— 橫跨多重電子應用領域的全球領先半導體供貨商意法半導體（ STMicroelectronics ，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼： STM ）推出
2018-06-04 11:18:59
中國，2018年9月12日——意法半導體新推出的兩款STM8* Nucleo開發(fā)板，讓8位開發(fā)社區(qū)也能體驗到STM32 * Nucleo系列開發(fā)板久經(jīng)驗證的易用性和可擴展功能。STM8 Nucleo
2018-09-12 16:06:37
中國，2018年10月10日——意法半導體推出了STLINK-V3下一代STM8 和STM32微控制器代碼燒寫及調試探針，進一步改進代碼燒寫及調試靈活性，提高效率。STLINK-V3支持大容量存儲
2018-10-11 13:53:03
板的NUCLEO-F401RE和NUCLEO-L476RG開發(fā)板，以及意法半導體的SensorTile IoT模塊。SensorTile集成了STM32L476JG超低功耗微控制器、運動MEMS傳感器
2018-07-13 13:10:00
`中國，2018年6月22日——意法半導體的VIPer11離線轉換器內置800V耐雪崩MOSFET，可幫助設備制造商設計更耐用的輔助電源和電源適配器，其26Vdc漏極啟動電壓允許超寬的線路輸入電壓
2018-06-25 11:01:49
意法半導體的STM32 F0系列 MCU集實時性能、低功耗運算和STM32平臺的先進架構及外設于一身。STM32F0x0超值系列微控制器在傳統(tǒng)8位和16位市場極具競爭力，并可使用戶免于不同架構平臺
2020-09-03 14:59:55
功能模塊因讓佐臻的的模塊能夠提供創(chuàng)新無線通信技術和強調節(jié)能的物聯(lián)網(wǎng)應用。 佐臻推出的Sigfox模塊內設意法半導體超低功耗Arm? Cortex?-M0 MCU 平臺，可獨立支持系統(tǒng)運行。低功耗藍牙（BLE
2018-05-09 15:45:36
中國，2018年2月26日 – 橫跨多重電子應用領域的全球領先的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）今天宣布與遠創(chuàng)達科技公司簽署一份
2018-02-28 11:44:56
13日 – 針對重要的醫(yī)療和工業(yè)應用領域，意法半導體采用其經(jīng)過驗證的支持單片集成模擬電路（雙極晶體管）、數(shù)字電路（CMOS）和電源（DMOS）電路的BCD8s-SOI制造工藝，推出一款新的尺寸緊湊、性能
2018-08-13 14:18:07
? 意法半導體嵌入式軟件包集成Sigfox網(wǎng)絡軟件，適用于各種產(chǎn)品，按照物聯(lián)網(wǎng)應用開發(fā)人員的需求專門設計 ? 使用STM32微控制器、超低功耗射頻收發(fā)器、安全單元、傳感器和功率管理器件，加快
2018-03-12 17:17:45
解決方案·低壓伺服驅動解決方案·基于SiC的光伏逆變器DC-AC解決方案·8通道IO-Link主站解決方案
▌峰會議程
▌參會福利
1、即日起-9月27日，深圳用戶報名預約【意法半導體工業(yè)峰會2023
2023-09-11 15:43:36
新聞意法半導體推出直觀的固件開發(fā)工具，加快物聯(lián)網(wǎng)傳感器設計進程意法半導體推出新圖形用戶界面配置器，讓STM8微控制器設計變得更快捷意法半導體（ST）推出新款STM32微控制器，讓日用品具有像智能手機一樣的圖形用戶界面`
2018-07-13 15:52:39
和RAM）。例如，對于內存來說太大的單個層可以分為兩個步驟。之前的MLPerf Tiny結果顯示，與標準CMSIS-NN分數(shù)相比，意法半導體的推理引擎（Arm的CMSIS-NN的優(yōu)化版本）具有性能優(yōu)勢。STM32CubeAI開發(fā)云還將支持意法半導體即將推出的微控制器，包括內部開發(fā)的NPU，即STM32N6。
2023-02-14 11:55:49
及財務業(yè)績表現(xiàn)最好的年度之一。 圍繞智能駕駛和物聯(lián)網(wǎng)兩大應用領域，通過推出針對廣大終端市場的獨特的產(chǎn)品組合，我們實現(xiàn)了讓意法半導體進入可持續(xù)且盈利的成長軌道這一目標。 同時，我們也完善了可持續(xù)發(fā)展
2018-05-29 10:32:58
橫跨多重電子應用領域、全球領先的半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics，簡稱ST;)發(fā)布一款創(chuàng)新的顯示屏背光LED控制器芯片。新產(chǎn)品可簡化手機與其它便攜電子產(chǎn)品的電路設計，為
2011-11-24 14:57:16
晶體管分類 按半導體材料和極性分類 按晶體管使用的半導體材料可分為硅材料晶體管和鍺材料晶體管。按晶體管的極性可分為鍺NPN型晶體管、鍺PNP晶體管、硅NPN型晶體管和硅PNP型晶體管?！ “唇Y構
2010-08-12 13:59:33
晶體管圖示儀器是用來測量晶體管輸入、輸出特性曲線的儀器。在實驗、教學和工程中通過使用圖示儀，可以獲得晶體管的實際特性，能更好的發(fā)揮晶體管的作用。
2021-05-07 07:43:17
？
再者在場效應管這種單極性導電半導體中，為什么只是有一種離子導電，而非兩種離子，不像晶體管那種兩種離子導電，請問這是為什么？同樣對于場效應管也有上面的問題？
2024-02-21 21:39:24
? 01晶體管測量模塊在 淘寶購買到的晶體管測試顯示模塊 （￥：67.0）剛剛到貨?！?剛剛到貨的集體管測試線是模塊1.基本特性采用2015 V1.12版軟件。采用12864點陣液晶屏，顯示內容更加
2021-07-13 08:30:42
不同的是，用于放大或導通/關斷的偏置電流會流經(jīng)晶體管（基極）。 另外，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數(shù)。世界上最早的晶體管
2020-06-09 07:34:33
，MOSFET中有稱為“導通電阻”的參數(shù)，尤其是處理大功率時是重要的特性。但雙極晶體管中沒有“導通電阻”這個參數(shù)。世界上最早的晶體管是雙極晶體管，所以可能有人說表達順序反了，不過近年來，特別是電源電路中
2018-11-28 14:29:28
）用業(yè)收集電子。晶體管的發(fā)射極電流IE與基極電流IB、集電極電流IC之間的關系如下：IE=IB+IC3．晶體管的工作條件晶體管屬于電流控制型半導體器件，其放大特性主要是指電流放大能力。所謂放大，是指當
2013-08-17 14:24:32
1. 晶體管的結構及類型 晶體管有雙極型和單極型兩種，通常把雙極型晶體管簡稱為晶體管，而單極型晶體管簡稱為場效應管。 晶體管是半導體器件，它由摻雜類型和濃度不同的三個區(qū)（發(fā)射區(qū)、基區(qū)和集電區(qū)
2021-05-13 06:43:22
集中制造在一塊很小的硅片上，封裝成一個獨立的元件.晶體管是半導體三極管中應用最廣泛的器件之一，在電路中用“V”或“VT”（舊文字符號為“Q”、“GB”等）表示?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管被認為是現(xiàn)代歷史中最偉大的發(fā)明
2010-08-12 13:57:39
創(chuàng)新設備，例如，智能托盤。與區(qū)域無關特性還讓消費電子產(chǎn)品或商用物聯(lián)網(wǎng)設備等智能物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品廠商統(tǒng)一出口多個市場的產(chǎn)品標準，從而簡化制造過程和物流管理。意法半導體模擬器件、MEMS和傳感器部總裁
2018-10-23 16:55:31
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據(jù)其分別可支持的開關速度
2019-05-06 05:00:17
半導體元器件晶體管領域。功率半導體元器件的特點除了IGBT外，功率半導體元器件（晶體管領域）的代表產(chǎn)品還有MOSFET、BIPOLAR等，它們主要被用作半導體開關。根據(jù)其分別可支持的開關速度
2019-03-27 06:20:04
無法打開所有高端晶體管。 我使用的晶體管是IRFB4310ZPBF（hexfet功率mosfet，Vdss-100V，Ids -120 A，Rds-5mOhm，Qg-170nC） 與Eval 6480
2018-11-19 10:15:18
電子、汽車和無線基站項目意法半導體獲準使用MACOM的技術制造并提供硅上氮化鎵射頻率產(chǎn)品預計硅上氮化鎵具有突破性的成本結構和功率密度將會實現(xiàn)4G/LTE和大規(guī)模MIMO 5G天線中國，2018年2月12日
2018-02-12 15:11:38
兩個N型半導體和一個P型半導體組成。通常，NPN晶體管將一塊P型硅（基極）夾在兩塊N型（集電極和發(fā)射極）之間。排列如圖1所示。NPN晶體管如何工作？以下是說明NPN晶體管的基本原理和功能的主要描述。1
2023-02-08 15:19:23
一、引言PNP 晶體管是雙極結型晶體管（BJT）。PNP晶體管具有與NPN晶體管完全不同的結構。在PNP晶體管結構中，兩個PN結二極管相對于NPN晶體管反轉，使得兩個P型摻雜半導體材料被一層薄薄的N
2023-02-03 09:44:48
SC4810B是中廣芯源自主開發(fā)高壓40V工藝的的600mA降壓型同步整流芯片，是國內首家采用SOT23-6小型封裝大電流同步降壓芯片，。內部集成極低RDS內阻200豪歐金屬氧化物半導體場效應晶體管
2015-09-18 12:02:41
SiC-DMOS的特性現(xiàn)狀是用橢圓圍起來的范圍。通過未來的發(fā)展，性能有望進一步提升。從下一篇開始，將單獨介紹與SiC-MOSFET的比較。關鍵要點:?功率晶體管的特征因材料和結構而異。?在特性方面各有優(yōu)缺點，但SiC-MOSFET在整體上具有優(yōu)異的特性。＜ 相關產(chǎn)品信息 ＞MOSFETSiC-DMOS
2018-11-30 11:35:30
的半導體供應商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼：STM）與世界領先的獨立定位技術專家TomTom (TOM2)公司，宣布在意法半導體STM32* 開放式開發(fā)
2018-09-07 11:12:27
和Velankani的Prysm?智能電表特別展覽，請于3月6-8日印度2018年智能電網(wǎng)周參觀印度新德里Manekshaw Centre會展中心的L22 & L23號意法半導體展臺。編者注
2018-03-08 10:17:35
開發(fā)者在電腦上直接使用STM32和STM8設計資源意法半導體(ST)完整全橋系統(tǒng)封裝內置MOSFET、柵驅動器和保護技術以節(jié)省空間，簡化設計，精簡組裝意法半導體推出封裝小、性能強的低壓差穩(wěn)壓器創(chuàng)新產(chǎn)品`
2018-05-28 10:35:07
晶體管（transistor）是一種固體半導體器件，可以用于檢波、整流、放大、開關、穩(wěn)壓、信號調制和許多其它功能
2010-08-13 11:36:51
產(chǎn)品和解決方案，共同構建生態(tài)系統(tǒng)，幫助他們更好地應對各種挑戰(zhàn)和新機遇，滿足世界對可持續(xù)發(fā)展的更高需求。意法半導體的技術讓人們的出行更智能，電力和能源管理更高效，物聯(lián)網(wǎng)和互聯(lián)技術應用更廣泛。意法半導體承諾將于2027年實現(xiàn)碳中和。
2022-12-12 10:02:34
晶閘管）、IGCT（集成門極換流晶閘管）、IEGT（電子注入增強柵晶體管）、IPEM（集成電力電子模塊）、PEBB（電力電子積木）等。圖表2 功率半導體器件分類方式及代表類型（來源：電力電子技術
2019-02-26 17:04:37
本帖最后由 o_dream 于 2020-9-4 08:45 編輯
今天給大家?guī)淼氖?b class="flag-6" style="color: red">意法半導體STM32系列以及STM8系列MCU的一些介紹和相關的資料手冊，希望大家在這里能找到自己想要
2020-09-03 22:34:17
??所謂晶體管是指用硅和鍺材料做成的半導體元器件，研制人員在為這種器件命名時，想到它的電阻變換特性，于是取名為trans-resister(轉換電阻)，后來縮寫為transistor，中文譯名就是
2019-12-16 13:33:31
溝道和 N 溝道類型。
場效應管
MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）是所有類型晶體管中最常用的。顧名思義，它包括金屬柵極的端子。該晶體管包括四個端子，如源極、漏極、柵極和襯底或主體
2023-08-02 12:26:53
用于高頻電路。砷化鎵組件在高頻、高功率、高效率、低噪聲指數(shù)的電氣特性均遠超過硅組件，空乏型砷化鎵場效晶體管(MESFET)或高電子遷移率晶體管(HEMT/PHEMT)，在3 V 電壓操作下可以有80
2019-07-29 07:16:49
晶體管是通常用于放大器或電控開關的半導體器件。晶體管是調節(jié)計算機、移動電話和所有其他現(xiàn)代電子電路運行的基本構件。由于其高響應和高精度，晶體管可用于各種數(shù)字和模擬功能，包括放大器、開關、穩(wěn)壓器、信號
2023-02-03 09:36:05
物聯(lián)網(wǎng)（ IoT ）市場的成長需求。 光寶的新模塊集成了來自橫跨多重電子應用領域、全球領先半導體供貨商意法半導體（STMicroelectronics，簡稱 ST ；紐約證券交易所代碼
2018-07-13 11:59:12
的電流。2.晶體管的主要功能是什么？晶體管是一種半導體器件，用于放大或切換電子信號和電力。晶體管是現(xiàn)代電子產(chǎn)品的基本組成部分之一。它由半導體材料組成，通常具有至少三個用于連接到外部電路的端子。3.晶體管
2023-02-03 09:32:55
的規(guī)則，則可以互換使用NPN和PNP晶體管。雙極晶體管實際上是兩個背靠背連接的二極管，基極用作公共連接。PNP 結點如何工作？PNP晶體管是由夾在兩個P型半導體之間的N型半導體組成的雙極結型晶體管
2023-02-03 09:45:56
功率半導體器件以功率金屬氧化物半導體場效應晶體管(功率MOSFET，常簡寫為功率MOS)、絕緣柵雙極晶體管(IGBT)以及功率集成電路(power IC，常簡寫為PIC)為主。
2020-04-07 09:00:54
常用的半導體元件還有利用一個PN結構成的具有負阻特性的器件一單結晶體管，請問這個單結晶體管是什么？能夠實現(xiàn)負阻特性？
2024-01-21 13:25:27
`吉時利——半導體分立器件I-V特性測試方案半導體分立器件包含大量的雙端口或三端口器件，如二極管，晶體管，場效應管等，是組成集成電路的基礎。 直流I-V測試則是表征微電子器件、工藝及材料特性的基石
2019-10-08 15:41:37
的MOSFET。下圖是在空調的PFC電路中評估Hybrid MOS、SJ MOSFET、IGBT效率的例子。效率曲線表示前面介紹的各晶體管的特征。Hybrid MOS在低負載時實現(xiàn)了遠超IGBT的效率，而且
2018-11-28 14:25:36
MOSFET(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor)，金屬氧化物半導體場效應晶體管，簡稱金氧半場效晶體管。是一種可以廣泛使用在模擬
2017-10-18 16:43:32
法半導體的SLLIMM-nano產(chǎn)品家族新增兩種不同的功率開關技術： · IGBT: IGBT: 3/5/8 A、600 V內置超高速二極管的PowerMESH? 和溝槽場截止IGBT
2018-11-20 10:52:44
本帖最后由 godiszc 于 2012-8-3 21:54 編輯
場效應晶體管是一種改變電場來控制固體材料導電能力的有源器件，屬于電壓控制性半導體器件，具有輸入電阻高，噪聲小，功耗低，沒有
2012-08-03 21:44:34
晶體管開關對電子產(chǎn)品至關重要。了解晶體管開關，從其工作區(qū)域到更高級的特性和配置?！ ?b class="flag-6" style="color: red">晶體管開關對于低直流開/關開關的電子設備至關重要，其中晶體管在其截止或飽和狀態(tài)下工作。一些電子設備（如 LED
2023-02-20 16:35:09
，掌握它們的特性和參數(shù)。本章從討論半導體的導電特性和PN 結的單向導電性開始，分別介紹二極管、雙極型晶體管、絕緣柵場效應晶體管和半導體光電器件等常用的半導體元器件。喜歡的頂一頂，介紹的非常詳細哦。。。。[此貼子已經(jīng)被作者于2008-5-24 11:05:21編輯過]
2008-05-24 10:29:38
“晶體管”一詞是“傳輸”和“壓敏電阻”的組合。該術語描述了這些設備在早期的工作方式。晶體管是電子產(chǎn)品的主要組成部分，就像DNA是人類基因組的組成部分一樣。它們被歸類為半導體，有兩種一般類型：雙極
2023-02-17 18:07:22
的IO-Link，能更好地幫助設備互聯(lián)互通。 傳感與數(shù)據(jù)處理：作為MEMS和傳感器技術創(chuàng)新、生產(chǎn)及應用方面的領導者，意法半導體能夠提供多種產(chǎn)品和定制化解決方案，以滿足客戶的不同需求。本次展會意法半導體將
2018-06-28 10:59:23
抗飽和晶體管的作用 羅姆應用筆記 前些天我出差到杭州臨安節(jié)能燈市場，在銷售員的帶領下走了幾家節(jié)能燈制造廠，我發(fā)現(xiàn)市場上對深愛半導體公司生產(chǎn)的節(jié)能燈用晶體管比較歡迎。雖然客戶跟我說了原因，但我認為
2009-12-17 10:27:07
芯片燒錄行業(yè)領導者-昂科技術近日發(fā)布最新的燒錄軟件更新及新增支持的芯片型號列表，其中ST意法半導體的32位微控制器STM32F091CCT6的燒錄已經(jīng)被昂科的通用燒錄平臺AP8000所支持
2023-02-28 16:51:49
大家好，首次發(fā)帖。本人為意法半導體工程師，因為下面一個molding工程師要辭職，繼續(xù)補充新鮮血液。要求：一.熟悉molding制程，需特別熟悉molding compound的性能為佳。二.2年
2012-02-15 11:42:53
和頻率電子應用中實現(xiàn)更高的效率而制造的。ST’s vipergan50高電壓轉換器我們首先要宣布的是來自意法半導體的消息。最近，它推出了 VIPERGAN50，一種基于 GaN 晶體管的功率轉換器，為
2022-06-15 11:43:25
意法半導體擁有最先進的平面工藝，并且會隨著G4不斷改進：? 導通電阻約比G3低15%? 工作頻率接近1 MHz? 成熟且穩(wěn)健的工藝? 吞吐量、設計簡單性、可靠性、經(jīng)驗…? 適用于汽車的高生產(chǎn)率
2023-09-08 06:33:00
，硅的電阻率就大大減小，利用這種特性制成了各種不同的半導體器件，如二極管、雙極型晶體管、場效晶體管及晶閘管等。4、本征半導體就是完全純凈的、晶格完整的半導體。5、在本征半導體的晶體結構中，原子之間以
2016-10-07 22:07:14
絕緣柵雙極晶體管IGBT又叫絕緣柵雙極型晶體管。一．絕緣柵雙極晶體管IGBT的工作原理： 半導體結構分析略。本講義附加了相關資料，供感興趣
2009-05-12 20:44:23
，hFE20-200電壓 vGS 3-10VVoltage, vGE 4-8V輸入阻抗低高高輸出阻抗低中等低切換速度慢快速中等成本低中等高我們已經(jīng)看到，絕緣柵極雙極性晶體管是一種半導體開關器件，具有雙極性
2022-04-29 10:55:25
通過采用艾邁斯半導體主動降噪（ANC） 器件 AS3460，Bang & Olufsen的最新旗艦耳機H95可實現(xiàn)一流的聽覺享受 中國，2020年9月10日——全球領先的高性能傳感器
2020-11-23 15:52:05
，典型能效為55%,P1dB輸出功率為700瓦，增益為16dB,并具備低熱阻特性?！ ⌒?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的推出使得英飛凌如今可為1200 MHz~1400 MHz系統(tǒng)應用提供一系列射頻功率晶體管，額定輸出功率分別為
2018-11-29 11:38:26
40V的MOSFET的通態(tài)電阻降低了40%，而阻斷電壓為60V的MOSFET的通態(tài)電阻降幅甚至達到48%以上。 迄今為止，英飛凌是全球首家推出采用SuperSO8封裝、最大通態(tài)電阻不足1毫歐的40V
2018-12-06 09:46:29
意法半導體官方的庫怎么搞？求解答
2021-12-15 07:31:43
雙極性晶體管與MOSFET對比分析哪個好？
2021-04-20 06:36:55
STM32F103C8T6,中密度性能,2個ADC、9個通信接口,ST意法半導體處理器
2023-02-17 11:55:11
半導體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測量
一、實驗目的
1、了解半導體特性圖示儀的基本原理
2、學習使用半導體特性圖示儀測量晶體管的
2010-10-29 17:09:12
33 半導體管特性圖示儀的使用和晶體管參數(shù)測量一、實驗目的1、了解半導體特性圖示儀的基本原理2、學習使用半導體特性圖示儀測量晶體管的特性曲線和參
2009-03-09 09:12:099640 
意法半導體推出打破高壓功率MOSFET晶體管世界記錄的MDmesh V功率MOSFET晶體管，MDmesh V系列已是市場上性能最高的功率MOSFET晶體管，擁有最低的單位面積通態(tài)電阻
2011-12-27 17:29:101277 
汽車動力操控（Power Steering）系統(tǒng)設計工程師需要可提供更高效率和更好功率控制的解決方案?？旖?b class="flag-6" style="color: red">半導體公司（Fairchild Semiconductor） 的40V N 通道 PowerTrench MOSFET 產(chǎn)品可協(xié)助設計者應對這
2012-12-05 09:12:22929 意法半導體40V MOSFET晶體管STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG 降低導通電阻和開關損耗，同時優(yōu)化體寄生二極管特性，降低功率轉換、電機控制和配電電路的能耗和噪聲。
2022-06-24 16:40:431044 中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on)，優(yōu)值系數(shù) (FoM) 比上一代同類產(chǎn)品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330 安建半導體40V SGT MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)通過AEC-Q101車規(guī)認證的全部測試。
2023-09-06 17:48:45474
電子發(fā)燒友App
新型 40V N 溝道增強型 MOSFET 利用最新一代 STPOWER STripFET F8 氧化物填充溝槽技術實現(xiàn)卓越的品質因數(shù)。在柵源電壓 (VGS)為 10V 時，STL320N4LF8 和 STL325N4LF8AG的最大導通電阻 (Rds(on))分別為 0.8毫歐和和0.75毫歐。新MOSFET的裸片單位面積(Rds(on))電阻非常低，因此可以采用節(jié)省空間且熱效率高的 PowerFLAT 5x6 封裝。
工商網(wǎng)監(jiān)
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