電力晶體管（Giant Transistor——GTR），是一種耐高電壓、大電流的雙極結(jié)型晶體管（Bipolar Junction Transistor—BJT），所以有時(shí)也稱(chēng)為Power BJT。但其驅(qū)動(dòng)電路復(fù)雜，驅(qū)動(dòng)功率大。
2024-03-07 17:06:38
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串接NPN型晶體管的情況。晶體管基極要求注入電流，產(chǎn)生電流的電壓必須高于（Vo+Vbe），約為（Vo+1）。若基極串接一個(gè)電阻，則電阻輸入端電壓必須高于（Vo+1）以使電流流過(guò)。而最經(jīng)濟(jì)易行的方法
2024-03-06 20:49:11
達(dá)林頓晶體管（Darlington Transistor）也稱(chēng)為達(dá)林頓對(duì)（Darlington Pair），是由兩個(gè)或更多個(gè)雙極性晶體管（或其他類(lèi)似的集成電路或分立元件）組成的復(fù)合結(jié)構(gòu)。通過(guò)這種結(jié)構(gòu)，第一個(gè)雙極性晶體管放大的電流可以進(jìn)一步被放大，從而提供比其中任意一個(gè)雙極性晶體管高得多的電流增益。
2024-02-27 15:50:53508 
智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè)安森美(onsemi，美國(guó)納斯達(dá)克股票代號(hào)：ON)，宣布推出采用了新的場(chǎng)截止第 7 代 (FS7) 絕緣柵雙極晶體管(IGBT) 技術(shù)的1200V SPM31智能功率模塊 (IPM)。
2024-02-27 11:38:59344 雙極性晶體管是利用兩種離子導(dǎo)電，空穴和自由電子，但是對(duì)于一個(gè)實(shí)際存在的系統(tǒng)，其整體上是呈現(xiàn)電中性的，當(dāng)其中的電子或者空穴移動(dòng)形成電流時(shí)，與之對(duì)應(yīng)的空穴或者電子為什么不會(huì)一起隨著移動(dòng)？
這個(gè)問(wèn)題困擾
2024-02-21 21:39:24
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《80 V，1 A PNP中等功率晶體管BC53xPAS系列數(shù)據(jù)手冊(cè).pdf》資料免費(fèi)下載
2024-02-19 10:24:04
0 晶體管偏置電阻的計(jì)算主要是為了確定適當(dāng)?shù)幕鶚O電流以確保晶體管正常工作和線性放大。
2024-02-05 15:06:28313 
晶體管的偏置是指為了使晶體管正常工作，需要給晶體管的基極或發(fā)射極加上適當(dāng)?shù)碾妷?，從而?b class="flag-6" style="color: red">晶體管的工作點(diǎn)處于穩(wěn)定的狀態(tài)。
2024-02-05 15:00:43368 
是，最大輸出電流時(shí)產(chǎn)生0.2 V壓降。功率場(chǎng)效應(yīng)管可以無(wú)需任何外接元件而直接并聯(lián)，因?yàn)槠渎O電流具有負(fù)溫度系數(shù)。
1、晶體管的Vbe擴(kuò)散現(xiàn)象是什么原理，在此基礎(chǔ)上為什么要加電阻？
2、場(chǎng)效應(yīng)管無(wú)需任何外接
2024-01-26 23:07:21
我在切換晶體管時(shí)遇到了一個(gè)問(wèn)題。我正在嘗試讓 LED 通過(guò)晶體管閃爍。當(dāng)我從評(píng)估板（即 MSP-EXP430G2ET）獲取電源 （3.3V） 時(shí)，該程序有效。但是當(dāng)我使用外部電源 （8.33V） 為
2024-01-22 06:00:31
管子多用于集成放大電路中的電流源電路。
請(qǐng)問(wèn)對(duì)于這種多發(fā)射極或多集電極的晶體管時(shí)候該如何分析？按照我的理解，在含有多發(fā)射極或多集電極的晶體管電路時(shí)，如果多發(fā)射極或多集電極的每一極分別接到獨(dú)立的電源回路中
2024-01-21 13:47:56
常用的半導(dǎo)體元件還有利用一個(gè)PN結(jié)構(gòu)成的具有負(fù)阻特性的器件一單結(jié)晶體管，請(qǐng)問(wèn)這個(gè)單結(jié)晶體管是什么？能夠?qū)崿F(xiàn)負(fù)阻特性？
2024-01-21 13:25:27
晶體管在基極和集電極之間并聯(lián)電容有什么作用？是為了米勒電容嗎、？但是米勒電容對(duì)三極管的開(kāi)通有害的時(shí)候，為什么還要并聯(lián)電容？電容不是越并越大，加大了等效米勒電容？
2024-01-19 22:39:57
CGHV96050F1是款碳化硅(SiC)基材上的氮化鎵(GaN)高電子遷移率晶體管(HEMT)。與其它同類(lèi)產(chǎn)品相比，這些GaN內(nèi)部搭配CGHV96050F1具有卓越的功率附帶效率。與硅或砷化鎵
2024-01-19 09:27:13
三極管功率會(huì)先上升后下降，因?yàn)殡妷航翟谙陆刀娏髟谏仙?b class="flag-6" style="color: red">功率最大點(diǎn)在中間位置。
3、當(dāng)基射極電流增大到一定水平，集射極電壓降低到不能再降的程度時(shí)，晶體管進(jìn)入飽和，此時(shí)無(wú)論基射極電流如何增大，集射極電流也
2024-01-18 16:34:45
傳統(tǒng)的雙極晶體管是一種電流驅(qū)動(dòng)型放大器，對(duì)其信號(hào)放大特性的分析以小注入電流為主，即在共發(fā)射極工作狀態(tài)時(shí)，輸入很小的基極電流就能控制輸出端的集電極電流而獲得很大的功率增益。
2024-01-15 10:35:03371 
如何去識(shí)別IGBT絕緣柵雙極型晶體管呢？ IGBT絕緣柵雙極型晶體管是一種功率半導(dǎo)體器件，結(jié)合了雙極型晶體管（BJT）和場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）的特點(diǎn)。IGBT通常用于高電壓和高電流應(yīng)用，例如工業(yè)
2024-01-12 11:18:10350 對(duì)于一個(gè)含有晶體管，場(chǎng)效應(yīng)管，運(yùn)放的電路，該如何求解他的輸入電阻和輸出電阻，舉例而言，在含有晶體管的電路射極跟隨器中，求解輸出電阻時(shí)，為什么要考慮基極的電阻和偏置電路的電阻，此時(shí)不應(yīng)該在基極是二極管
2024-01-10 17:17:56
絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)IGBT絕緣柵雙極型晶體管（Insulated Gate Bipolar Transistor，簡(jiǎn)稱(chēng)
2024-01-03 15:14:22268 
事通訊設(shè)備產(chǎn)品規(guī)格描述：180瓦；DC-2GHz；氮化鎵高電子遷移率晶體管最低頻率(MHz)：0最高頻率(MHz)：2000最高值輸出功率(W)：200增益值(分貝)：24.0效率（％）：70額定電壓(V)：27類(lèi)型：封裝分立晶體管封裝類(lèi)別：法蘭盤(pán)、丸狀技術(shù)應(yīng)用：GaN-on-SiC
2024-01-02 12:05:47
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《BSH201場(chǎng)效應(yīng)功率晶體管英文資料.pdf》資料免費(fèi)下載
2023-12-26 10:08:450 晶體管的問(wèn)世，是20世紀(jì)的一項(xiàng)重大發(fā)明，是微電子革命的先聲。晶體管出現(xiàn)后，人們就能用一個(gè)小巧的、消耗功率低的電子器件，來(lái)代替體積大、功率消耗大的電子管了。晶體管的發(fā)明又為后來(lái)集成電路的降生吹響了號(hào)角。
2023-12-13 16:42:31427 
晶體管作為現(xiàn)代電子技術(shù)的核心組件之一，尤其是雙極結(jié)型晶體管（BJT），在眾多應(yīng)用中扮演著開(kāi)關(guān)的重要角色。這篇文章將深入探討如何在共射極配置下使用NPN型BJT晶體管作為開(kāi)關(guān)，并闡明其在切斷區(qū)和飽和區(qū)的工作原理。
2023-11-28 11:15:58337 
來(lái)至網(wǎng)友的提問(wèn)：如何選擇分立晶體管？
2023-11-24 08:16:54
為什么要功率放大？ 當(dāng)一個(gè)放大電路比如說(shuō)晶體管放大電路當(dāng)電壓放大時(shí)，由歐姆定律負(fù)載上的電流不就變大了嗎？這個(gè)我不太理解在功率放大電路中。希望有人給我講一下 謝謝！
2023-11-23 07:36:14
我在進(jìn)行AD8138ARM的熱仿真，datasheet中只有結(jié)到環(huán)境的熱阻JA的數(shù)據(jù)，我需要結(jié)到外殼的熱阻Jc的數(shù)據(jù)，還有AD8138ARM放大器集成的晶體管數(shù)目是多少？
2023-11-21 06:54:43
如何避免晶體管損壞？ 晶體管是半導(dǎo)體器件的一種，應(yīng)用廣泛，可以在計(jì)算機(jī)、電視、手機(jī)等各種設(shè)備中使用。晶體管工作時(shí)非常穩(wěn)定，但是如果不注意使用、維護(hù)，很容易損壞。下面為您介紹幾種避免晶體管損壞的方法
2023-10-31 10:37:46382 在電源與充電樁等高功率應(yīng)用中，通常需要專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管？ 電源與充電樁等高功率應(yīng)用通常需要專(zhuān)用驅(qū)動(dòng)器來(lái)驅(qū)動(dòng)最后一級(jí)的功率晶體管，主要是出于以下幾個(gè)方面的考慮。 首先，最后一級(jí)
2023-10-22 14:47:33409 無(wú)論是在太空還是在地面，這些基于GaN的晶體管都比硅具有新的優(yōu)勢(shì)。
2023-09-28 17:44:221864 
專(zhuān)業(yè)圖書(shū)47-《新概念模擬電路》t-I晶體管
2023-09-28 08:04:05
意法半導(dǎo)體新系列 IGBT晶體管將擊穿電壓提高到 1350V，最高工作溫度拓寬到175°C，更高的額定值確保晶體管在所有工作條件下具有更大的設(shè)計(jì)余量、耐變性能和更長(zhǎng)久的可靠性。
2023-09-12 10:38:00483 氮化鎵（GaN）- 寬帶隙（WBG）材料? GaN HEMT-高電子遷移率晶體管，代表著電力電子技術(shù)的重大進(jìn)步? 用于更高的工作頻率? 提高效率? 與硅基晶體管相比，功率密度更高
2023-09-07 07:43:51
晶體管的三種基本接法是什么 晶體管是一種半導(dǎo)體器件，是現(xiàn)代電子技術(shù)中的重要組成部分，可用于放大、開(kāi)關(guān)和穩(wěn)壓等電路。晶體管的三種基本接法是共射極、共集電極和共基極。下面將詳細(xì)介紹這三種接法
2023-08-25 15:35:173144 晶體管和芯片的關(guān)系介紹 晶體管和芯片是現(xiàn)代電子技術(shù)中最重要的兩個(gè)概念，二者有密不可分的關(guān)系。晶體管是一種半導(dǎo)體材料制造的電子器件，而芯片則是晶體管等電子器件及相關(guān)電路的集成體。 一、晶體管 晶體管
2023-08-25 15:29:372440 晶體管和電子管的區(qū)別 晶體管和電子管都是電子器件，它們分別代表了不同的技術(shù)水平。由于晶體管取代了電子管并成為了現(xiàn)代電子技術(shù)的基石，兩者之間的主要差異有助于我們了解晶體管的優(yōu)點(diǎn)。 一、結(jié)構(gòu)差異 晶體管
2023-08-25 15:21:016859 分立晶體管是電子設(shè)計(jì)中最常見(jiàn)的元器件之一。該產(chǎn)品適用于眾多應(yīng)用，從簡(jiǎn)單的小信號(hào)晶體管到大型高功率器件，以及高頻/高功率器件。
2023-08-16 17:08:45171 該晶體管功率放大器電路僅使用準(zhǔn)互補(bǔ)放大器配置中的四個(gè)晶體管，即可以低成本向 4 歐姆負(fù)載提供 90W 的功率。
2023-08-10 15:29:341000 
650V硅上GaN增強(qiáng)模式功率晶體管，英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無(wú)引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸，增強(qiáng)型晶體管-正常關(guān)閉電源開(kāi)關(guān)
2023-08-07 17:22:17964 
解決方案帶來(lái)了極高的附加值。采用GaN技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn)上述目標(biāo)，隨著該項(xiàng)技術(shù)商用步伐的加快，在功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中也獲得了廣泛運(yùn)用。 GaN晶體管與硅基晶體管相比的優(yōu)點(diǎn) 與硅基晶體管相比，GaN功率晶體管有什么優(yōu)點(diǎn)呢？GaN在品質(zhì)因數(shù)（
2023-08-03 14:43:28225 的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類(lèi)型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類(lèi)型的晶體管及其應(yīng)用。
2023-08-02 12:27:481044 
的制造商生產(chǎn)半導(dǎo)體（晶體管是該設(shè)備家族的成員），因此有數(shù)千種不同的類(lèi)型。有低功率、中功率和高功率晶體管，用于高頻和低頻工作，用于非常高電流和/或高電壓工作。本文概述了什么是晶體管、不同類(lèi)型的晶體管
2023-08-02 12:26:53
該2通道混音器電路基于2n3904晶體管，該晶體管形成2個(gè)前置放大器。2通道混音器電路的第一個(gè)前置放大器具有高增益，可用于麥克風(fēng)輸入，第二個(gè)前置放大器可用于控制音頻電平的輸入。
這種雙通道
2023-08-01 17:19:21
這是基于功率晶體管TIP33C和TIP34C為主要部分構(gòu)建的40W功率放大器的電路圖。它采用對(duì)稱(chēng)/雙電源供電。必須使用散熱器來(lái)防止晶體管過(guò)熱。
2023-07-31 16:19:101136 
MRF427 NPN硅射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)
2023-07-24 14:27:530 MRF422射頻功率晶體管規(guī)格書(shū)
2023-07-24 14:24:070 功率MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管電參數(shù)指標(biāo)中規(guī)定的電參數(shù)一般分為三大類(lèi)：直流參數(shù)、交流參數(shù)和極限參數(shù)。
2023-07-05 14:57:19336 
產(chǎn)品發(fā)射區(qū)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)為梳狀結(jié)構(gòu)。晶體管版圖中發(fā)射區(qū)半寬度選擇為30μm。
2023-07-05 11:23:34360 
TTL晶體管開(kāi)關(guān)電路按驅(qū)動(dòng)能力分為小信號(hào)開(kāi)關(guān)電路和功率開(kāi)關(guān)電路。按晶體管連接方式分為發(fā)射極接地（PNP晶體管發(fā)射極接電源）和射手跟隨開(kāi)關(guān)電路。
2023-07-03 10:12:181936 
高效的400-800V充電和轉(zhuǎn)換與GaNFast功率集成電路和GeneSiC溝槽輔助平面柵場(chǎng)效晶體管
2023-06-16 10:07:03
ZXTP25020CFF 產(chǎn)品簡(jiǎn)介DIODES 的 ZXTP25020CFF（PNP, 20V, 4.5A, SOT23F）先進(jìn)的工藝能力和封裝最大限度地提高了這種小外形晶體管的功率處理
2023-06-12 18:11:45
引言: 在當(dāng)今科技迅猛發(fā)展的時(shí)代，高效能的功率電子器件對(duì)于各個(gè)領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。潤(rùn)新微電子的RX65T125HS1B功率晶體管作為一款先進(jìn)的產(chǎn)品，憑借其出色的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，成為了眾多工程師
2023-06-12 16:48:161016 功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門(mén)極驅(qū)動(dòng)器兼容，方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。 優(yōu)秀的性能：具備出色的功率損耗特性，顯著降低能量損失，提高系統(tǒng)效率。 無(wú)需自由輪二極管：由于650V GaN功率晶體管的特性，無(wú)需額外添加自由輪二極管，簡(jiǎn)化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。 低開(kāi)關(guān)損耗：采用先進(jìn)的GaN技術(shù)，650V GaN功率晶體管具有較低
2023-06-12 16:38:34686 如果您認(rèn)為僅使用兩個(gè)小晶體管構(gòu)建一個(gè)像樣的功率放大器是不可能的，那么您可能錯(cuò)了。
2023-06-10 17:32:001407 
微波晶體管按功能分類(lèi)可分為微波低噪聲晶體管和微波大功率晶體管，低噪聲晶體管和大功率晶體管被用于設(shè)計(jì)低噪聲放大器和功率放大器。
2023-06-09 10:59:271639 
晶體管是什么控制型器件 晶體管屬于電流控制電流控制型器件。 晶體管是一種固體半導(dǎo)體器件（包括二極管、三極管、場(chǎng)效應(yīng)管、晶閘管等，有時(shí)特指雙極型器件），具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種
2023-05-30 15:32:362177 我正在尋找摩托羅拉收音機(jī) VHF 射頻末級(jí)中使用的這些舊射頻晶體管的數(shù)據(jù)表，有人可以幫我嗎？
2023-05-30 07:40:02
數(shù)字晶體管是帶有電阻的晶體管。 有的只在基極串聯(lián)一個(gè)電阻，一般稱(chēng)為R1，有的還在基極和發(fā)射極之間并聯(lián)一個(gè)電阻R2。 電阻R1有多種電阻，類(lèi)似于標(biāo)準(zhǔn)電阻系列。 電阻器 R2 類(lèi)似于 R1。 電阻R1和電阻R2可以有多種匹配方式，因此數(shù)字晶體管的種類(lèi)很多。
2023-05-29 16:18:48559 ) 比上一代同類(lèi)產(chǎn)品提高40%。 ? 新推出的MOSFET利用ST的STPOWER STripFET F8先進(jìn)技術(shù)，引入氧化物填充溝槽工藝，集極低的導(dǎo)通損耗和低柵極電荷于一身，實(shí)現(xiàn)高效的開(kāi)關(guān)性能。因此
2023-05-26 14:11:20701 
Nexperia | 為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-05-24 12:15:48341 
柵型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）組成的復(fù)合全控型電壓驅(qū)動(dòng)式功率半導(dǎo)體器件。
2023-05-20 15:19:12583 
這種音頻功率放大器電路由幾個(gè)晶體管組成，這些晶體管以這樣的方式排列以形成一個(gè)固體音頻放大器電路并合格。該放大器使用四個(gè)晶體管，每個(gè)晶體管都有自己的功能。
2023-05-16 17:39:491813 
晶體管是什么器件 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:12:59831 晶體管是什么 晶體管泛指一切以半導(dǎo)體材料為基礎(chǔ)的單一元件，晶體管具有檢波、整流、放大、開(kāi)關(guān)、穩(wěn)壓、信號(hào)調(diào)制等多種功能，晶體管可用于各種各樣的數(shù)字和模擬功能。 1947年12月16日,威廉·肖克利
2023-05-16 11:06:201131 單結(jié)晶體管隨著電容的充電放電是如何形成自激振蕩脈沖的？
2023-04-26 15:07:51
差分放大電路輸入共模信號(hào)時(shí)
為什么說(shuō)RE對(duì)每個(gè)晶體管的共模信號(hào)有2RE的負(fù)反饋效果
這里說(shuō)的每個(gè)晶體管的共模信號(hào)是指什么信號(hào) 是指輸入信號(hào) 還是指ie1 ie2 uoc ?
另外為什么是負(fù)的反饋
2023-04-25 16:15:31
為什么使用雙極性晶體管驅(qū)動(dòng)功率LED？
2023-04-24 09:09:55413 
雙極結(jié)晶體管電路輸入振幅變大為什么會(huì)導(dǎo)致失真呢？是什么原因呢？
2023-04-21 16:13:13
我正在尋找零件號(hào)“PCAL6408ABSHP”中有關(guān)工藝節(jié)點(diǎn)和晶體管數(shù)量的信息。NXP 網(wǎng)站上是否有一個(gè)位置可以找到 NXP 部件號(hào)的此類(lèi)信息？
2023-04-19 09:27:44
西門(mén)子S7-200電源怎么看是繼電器輸出還是晶體管輸出呢？
2023-04-18 10:08:03
西門(mén)子CPUSR30可以增加晶體管擴(kuò)展模塊控制步進(jìn)電機(jī)嗎？
2023-04-17 14:13:13
采用晶體管互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)輸出時(shí)，兩管基極之間有電容相連，為什么？c2有什么用？？
2023-03-31 14:02:55
請(qǐng)問(wèn)BJT工藝的線性穩(wěn)壓源為什么多是PNP型晶體管呢？
2023-03-31 11:56:49
有沒(méi)有負(fù)觸發(fā)導(dǎo)通正的晶體管呢？哪位大神知道請(qǐng)賜教。謝謝啦！
2023-03-31 11:47:46
對(duì) Ga2O3外延材料、功率二極管和功率晶體管的國(guó)內(nèi)外最新研究進(jìn)行了概括總結(jié)，展望了Ga2O3在未來(lái)的應(yīng)用與發(fā)展前景。
2023-03-30 11:49:16229 我在設(shè)計(jì) PCB 時(shí)犯了一個(gè)錯(cuò)誤，我的一些晶體管在原理圖上將集電極和發(fā)射極調(diào)換了?！罢！狈绞绞怯?1：基極，2：發(fā)射極，3：集電極，但我需要一個(gè)晶體管，1：基極，2：集電極，3：發(fā)射極。引腳號(hào)與此圖像相關(guān)：你知道有這種封裝的晶體管嗎？我知道我可以將它倒置并旋轉(zhuǎn)，但我想知道我是否可以正確使用一個(gè)。
2023-03-28 06:37:56
高壓快開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管
2023-03-24 10:10:47
高壓快開(kāi)關(guān)NPN功率晶體管
2023-03-24 10:10:45
例：開(kāi)關(guān)雙極晶體管2SD2673時(shí)的波形（100μs/div） ? ? 由于隨后要計(jì)算開(kāi)關(guān)時(shí)的功率損耗，所以要確認(rèn)OFF→ON時(shí)和
2023-03-23 16:52:27762 
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