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電子發(fā)燒友網(wǎng)>電源/新能源>碳化硅功率器件在OBC中的應(yīng)用

碳化硅功率器件在OBC中的應(yīng)用

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開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器充分利用碳化硅器件的性能優(yōu)勢

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2023-03-14 14:05:02

碳化硅(SiC)肖特基二極管的特點

,因此碳化硅功率器件有低的結(jié)到環(huán)境的熱阻。  (4)碳化硅器件可工作高溫,碳化硅器件已有工作600oC的報道,而硅器件的最大工作溫度僅為150oC.  (5)碳化硅具有很高的抗輻照能力。  (6
2019-01-11 13:42:03

碳化硅功率器件可靠性之芯片研發(fā)及封裝篇

作用下的界面完整性;此項目標(biāo)準(zhǔn)對碳化硅功率模塊而言很苛刻,尤其是應(yīng)用于汽車的模塊。AC/PCT(高溫蒸煮測試)  高溫蒸煮測試是把被測對象放進(jìn)高溫高濕高氣壓的環(huán)境,考驗晶片鈍化層的優(yōu)良程度及樹脂材料
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碳化硅器件是如何組成逆變器的?

進(jìn)一步了解碳化硅器件是如何組成逆變器的。
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2019-08-02 08:44:07

碳化硅SiC技術(shù)導(dǎo)入應(yīng)用的最大痛點

上?! 〔贿^,隨著碳化硅價格的下降、性能和可靠性的提高,其性能得到改善,可靠性得到了證明,列表的地位調(diào)高了,現(xiàn)在已被視為現(xiàn)有舊技術(shù)器件的替代品和新設(shè)計的起點。  碳化硅的采用取決于應(yīng)用,所以
2023-02-27 14:28:47

碳化硅二極管選型表

反向恢復(fù)電流,其關(guān)斷過程很快,開關(guān)損耗很小。由于碳化硅材料的臨界雪崩擊穿電場強(qiáng)度較高,可以制作出超過1000V的反向擊穿電壓。3kV以上的整流器應(yīng)用領(lǐng)域,由于SiC PiN二極管與Si器件相比具有更快
2019-10-24 14:21:23

碳化硅半導(dǎo)體器件有哪些?

  由于碳化硅具有不可比擬的優(yōu)良性能,碳化硅是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管
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和發(fā)電機(jī)繞組以及磁線圈的高關(guān)斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
2024-03-08 08:37:49

碳化硅基板——三代半導(dǎo)體的領(lǐng)軍者

超過40%,其中以碳化硅材料(SiC)為代表的第三代半導(dǎo)體大功率電力電子器件是目前電力電子領(lǐng)域發(fā)展最快的功率半導(dǎo)體器件之一。根據(jù)中國半導(dǎo)體行業(yè)協(xié)會統(tǒng)計,2019年國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)市場規(guī)模達(dá)7562億元
2021-01-12 11:48:45

碳化硅如何改進(jìn)開關(guān)電源轉(zhuǎn)換器設(shè)計?

  設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程的現(xiàn)實選擇?! ?b class="flag-6" style="color: red">在設(shè)計功率轉(zhuǎn)換器時,碳化硅(SiC)等寬帶隙(WBG)技術(shù)現(xiàn)在是組件選擇過程的現(xiàn)實選擇。650V
2023-02-23 17:11:32

碳化硅深層的特性

。強(qiáng)氧化氣體1000℃以上與SiC反應(yīng),并分解SiC.水蒸氣能促使碳化硅氧化在有50%的水蒸氣的氣氛,能促進(jìn)綠色碳化硅氧化從100℃開始,隨著溫度的提高,氧化程度愈為明顯,到1400℃時為最大
2019-07-04 04:20:22

碳化硅混合分立器件 IGBT

打造了一個兼顧品質(zhì)與性價比的完美方案,除支持雙向充電之外,還有助于實現(xiàn)很高的系統(tǒng)集成度。這使得該器件非常適合諸多快速開關(guān)汽車應(yīng)用,如車載充電器(OBC)、功率因數(shù)校正(PFC)、DC-DC
2021-03-29 11:00:47

碳化硅的歷史與應(yīng)用介紹

的化學(xué)惰性? 高導(dǎo)熱率? 低熱膨脹這些高強(qiáng)度、較持久耐用的陶瓷廣泛用于各類應(yīng)用,如汽車制動器和離合器,以及嵌入防彈背心的陶瓷板。碳化硅也用于高溫和/或高壓環(huán)境工作的半導(dǎo)體電子設(shè)備,如火焰點火器、電阻加熱元件以及惡劣環(huán)境下的電子元器件。
2019-07-02 07:14:52

碳化硅的應(yīng)用

碳化硅作為現(xiàn)在比較好的材料,為什么應(yīng)用的領(lǐng)域會受到部分限制呢?
2021-08-19 17:39:39

碳化硅肖特基二極管技術(shù)演進(jìn)解析

,熱導(dǎo)率是硅材料的3倍,電子飽和漂移速率是硅的2倍,臨界擊穿場強(qiáng)更是硅的10倍。材料特性對比如圖(1)所示?! D(1) 4H型碳化硅與硅基材料特性對比  硅基半導(dǎo)體器件性能已經(jīng)進(jìn)入瓶頸期時,碳化硅材料
2023-02-28 16:55:45

碳化硅肖特基二極管的基本特征分析

?! ∠鄬?yīng)的,硅材料的禁帶寬度較低,較低的溫度下硅器件本征載流子濃度較高,而高的漏電流會造成熱擊穿,這限制了器件高溫環(huán)境和大功率耗散條件下工作?! ?b class="flag-6" style="color: red">碳化硅肖特基二極管與硅快速恢復(fù)二極管  耐壓
2023-02-28 16:34:16

碳化硅陶瓷線路板,半導(dǎo)體功率器件的好幫手

的2倍,所以S使用碳化硅(SiC)陶瓷線路板的功率器件能在更高的頻率下工作。綜合以上優(yōu)點,相同的功率等級下,設(shè)備功率器件的數(shù)量、散熱器的體積、濾波元件體積都能大大減小,同時效率也有大幅度的提升。我國
2021-03-25 14:09:37

CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片

哪位大神知道CISSOID碳化硅驅(qū)動芯片有幾款,型號是什么
2020-03-05 09:30:32

SIC碳化硅二極管

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2016-11-04 15:50:11

TGF2023-2-10碳化硅晶體管

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2018-06-12 10:22:42

TGF2023-2-10碳化硅晶體管銷售

TGF2023-2-10對碳化硅器件由DC至14 GHz的離散10毫米甘。3 GHz的tgf2023-2-10通常提供47.4 dBm的功率增益為19.8 dB的飽和輸出功率。功率附加效率為69.5%,這使
2018-11-15 11:59:01

TO-247封裝碳化硅MOSFET引入輔助源極管腳的必要性

校準(zhǔn)  對傳統(tǒng)的硅基分立器件(硅IGBT和硅MOSFET),通常是用柔性電流探頭(羅氏線圈)去測試集電極電流或漏極電流。但對于開關(guān)速度更快的碳化硅MOSFET,實際測試過程,由于柔性電流探頭測試
2023-02-27 16:14:19

【羅姆BD7682FJ-EVK-402試用體驗連載】基于碳化硅功率器件的永磁同步電機(jī)先進(jìn)驅(qū)動技術(shù)研究

用于電機(jī)驅(qū)動領(lǐng)域的優(yōu)勢,尋找出適合碳化硅功率器件的電機(jī)驅(qū)動場合,開發(fā)工程應(yīng)用技術(shù)?,F(xiàn)已有Sct3017AL實驗室初步用于無感控制驅(qū)動技術(shù),為了進(jìn)一步測試功率器件性能,為元器件選型和實驗驗證做調(diào)研
2020-04-21 16:04:04

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?

什么是碳化硅(SiC)?它有哪些用途?碳化硅(SiC)的結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的?
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傳統(tǒng)的硅組件、碳化硅(Sic)和氮化鎵(GaN)

效率方面,相較于硅晶體管單極(Unipolar)操作下無法支持高電壓,碳化硅即便是高電壓條件下,一樣可以支持單極操作,因此其功率損失、轉(zhuǎn)換效率等指針性能的表現(xiàn),也顯著優(yōu)于硅組件。目前大功率電力設(shè)備
2021-09-23 15:02:11

創(chuàng)能動力推出碳化硅二極管ACD06PS065G

能動力碳化硅二極管ACD06PS065G已經(jīng)倍思120W氮化鎵快充商用,與納微GaNFast高頻優(yōu)勢組合,高頻開關(guān)減小磁性元件體積,提高適配器功率密度。創(chuàng)能動力是香港華智科技有限公司孵化出來的公司
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國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù)

國產(chǎn)碳化硅MOS基于車載OBC與充電樁新技術(shù):1 車載電源OBC與最新發(fā)展2 雙向OBC關(guān)鍵技術(shù)3 11kW全SiC雙向OBC電路4 OBC與車載DC/DC集成二合一5 車載DC/DC轉(zhuǎn)換電源電路比較6 充電樁電源電路
2022-06-20 16:31:07

圖騰柱無橋PFC混合碳化硅分立器件的應(yīng)用

的硅基IGBT和碳化硅肖特基二極管合封,部分應(yīng)用可以替代傳統(tǒng)的IGBT (硅基IGBT與硅基快恢復(fù)二極管合封),使得IGBT的開關(guān)損耗大幅降低。這款混合碳化硅分立器件的性能介于超結(jié)MOSFET
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應(yīng)用于新能源汽車的碳化硅半橋MOSFET模塊

  采用溝槽型、低導(dǎo)通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列  產(chǎn)品型號  BMF600R12MCC4  BMF400R12MCC4  汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
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歸納碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)

,導(dǎo)通電阻更低;碳化硅具有高電子飽和速度的特性,使器件可工作更高的開關(guān)頻率;同時,碳化硅材料更高的熱導(dǎo)率也有助于提升系統(tǒng)的整體功率密度。碳化硅器件的高頻、高壓、耐高溫、開關(guān)速度快、損耗低等特性,使電力
2023-02-22 16:06:08

新型電子封裝熱管理材料鋁碳化硅

新型材料鋁碳化硅解決了封裝的散熱問題,解決各行業(yè)遇到的各種芯片散熱問題,如果你有類似的困惑,歡迎前來探討,鋁碳化硅做封裝材料的優(yōu)勢它有高導(dǎo)熱,高剛度,高耐磨,低膨脹,低密度,低成本,適合各種產(chǎn)品的IGBT。我西安明科微電子材料有限公司的趙昕。歡迎大家有問題及時交流,謝謝各位!
2016-10-19 10:45:41

求一個主流功率等級的高能效OBC方案?

碳化硅(SiC) MOSFET、超級結(jié)MOSFET、IGBT和汽車功率模塊(APM)等廣泛的產(chǎn)品陣容乃至完整的系統(tǒng)方案,以專知和經(jīng)驗支持設(shè)計人員優(yōu)化性能,加快開發(fā)周期。本文將主要介紹針對主流功率等級的高能效OBC方案。
2020-11-23 11:10:00

淺析碳化硅器件在車載充電機(jī)OBC上的應(yīng)用

功率器件產(chǎn)業(yè)化的倡導(dǎo)者之一,國內(nèi)首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商,國內(nèi)碳化硅功率器件制造商率先完成了質(zhì)量管理體系---汽車行業(yè)生產(chǎn)件與相關(guān)服務(wù)件的組織實施ISO9007的要求
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淺談硅IGBT與碳化硅MOSFET驅(qū)動的區(qū)別

風(fēng)險,配置合適的短路保護(hù)電路,可以有效減少開關(guān)器件使用過程因短路而造成的損壞。與硅IGBT相比,碳化硅MOSFET短路耐受時間更短?! ?)硅IGBT:  硅IGBT的承受退保和短路的時間一般小于
2023-02-27 16:03:36

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面向電動汽車的全新碳化硅功率模塊 碳化硅電動汽車應(yīng)用中代表著更高的效率、更高的功率密度和更優(yōu)的性能,特別是800 V 電池系統(tǒng)和大電池容量,它可提高逆變器的效率,從而延長續(xù)航里程或降低電池成本
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被稱為第三代半導(dǎo)體材料的碳化硅有著哪些特點

是寬禁帶半導(dǎo)體材料的一種,主要特點是高熱導(dǎo)率、高飽和以及電子漂移速率和高擊場強(qiáng)等,因此被應(yīng)用于各種半導(dǎo)體材料當(dāng)中,碳化硅器件主要包括功率二極管和功率開關(guān)管。功率二極管包括結(jié)勢壘肖特基(JBS)二極管
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請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達(dá)到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

降低碳化硅牽引逆變器的功率損耗和散熱

IGBT 的三相電機(jī)半橋的高側(cè)和低側(cè)功率級,并能夠監(jiān)控和保護(hù)各種故障情況。圖1:電動汽車牽引逆變器框圖碳化硅 MOSFET 米勒平臺和高強(qiáng)度柵極驅(qū)動器的優(yōu)勢特別是對于SiC MOSFET,柵極驅(qū)動器IC
2022-11-02 12:02:05

107 應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!應(yīng)用如此廣泛的碳化硅廠商名單來咯!

器件碳化硅
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Ameya360:羅姆碳化硅功率器件介紹!#功率器件

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碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義,基本半導(dǎo)體從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件
2021-08-16 10:46:405266

國內(nèi)碳化硅“先鋒”,基本半導(dǎo)體的碳化硅新布局有哪些?

基本半導(dǎo)體是國內(nèi)比較早涉及第三代半導(dǎo)體碳化硅功率器件研發(fā)的企業(yè),率先推出了碳化硅肖特基二極管、碳化硅MOSFET等器件,為業(yè)界熟知,并得到廣泛應(yīng)用。在11月27日舉行的2021基本創(chuàng)新日活動
2021-11-29 14:54:087839

OBC企業(yè)要如何采用碳化硅器件

國產(chǎn)碳化硅上車首先是技術(shù)過硬,目前,多家國產(chǎn)企業(yè)的SiC MOSFET技術(shù)實力已經(jīng)是實現(xiàn)領(lǐng)先。以愛仕特為例,據(jù)李潤華介紹,愛仕特自主設(shè)計的第三代6英寸SiC MOSFET平面結(jié)構(gòu)芯片的導(dǎo)通電阻最低
2022-02-24 10:04:231673

國內(nèi)碳化硅情況介紹

和車載 OBC,碳化硅器件去年接近 2 個億。今年預(yù)測可能到接近 5 個億以上,甚至更大,因為今年芯片的資源非常緊張,所以導(dǎo)致目前還是處于瓶頸。
2022-08-26 09:15:131695

碳化硅功率器件技術(shù)可靠性!

碳化硅器件總成本的50%,外延、晶圓和封裝測試成本分別為25%、20%和5%。碳化硅材料的可靠性對最終器件的性能有著舉足輕重的意義,從產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)探究材料特性及缺陷產(chǎn)生的原因,與上下游企業(yè)協(xié)同合作提升碳化硅功率器件的可靠性。
2023-01-05 11:23:191191

SiC碳化硅功率器件測試哪些方面?碳化硅功率器件測試系統(tǒng)NSAT-2000

SiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件具有耐壓高、熱穩(wěn)定好、開關(guān)損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應(yīng)用在電動汽車、風(fēng)能發(fā)電、光伏發(fā)電等新能源領(lǐng)域。 近年來,全球半導(dǎo)體功率器件的制造環(huán)節(jié)以較快速度向我國轉(zhuǎn)移。目前
2023-01-13 11:16:441230

碳化硅功率器件在車載充電機(jī)OBC中的應(yīng)用1

隨著新能源汽車行業(yè)的發(fā)展與進(jìn)步,提升新能源汽車?yán)m(xù)航里程成為了行業(yè)發(fā)展的主要任務(wù)之一。 在動力電池能量密度不能持續(xù)增加的情況下,降低車用部件重量是提升續(xù)航里程的首選方案。 碳化硅功率器件替代硅器件OBC功率密度提升和重量降低有著顯著的效果。
2023-02-03 15:02:27319

SiC碳化硅二極管的特性和優(yōu)勢

什么是第三代半導(dǎo)體?我們把SiC碳化硅功率器件和氮化鎵功率器件統(tǒng)稱為第三代半導(dǎo)體,這個是相對以硅基為核心的第二代半導(dǎo)體功率器件的。今天我們著重介紹SiC碳化硅功率器件,也就是SiC碳化硅二極管
2023-02-21 10:16:472090

SiC碳化硅二極管功率器件有哪些封裝?

我們拿慧制敏造碳化硅半導(dǎo)體出品的KNSCHA碳化硅二極管封裝接下來我們來看一下碳化硅二極管的貼片封裝,常見的有有TO-263和TO-252封裝,隨著近些年電源對于功率密度要求不斷提高,碳化硅功率器件
2023-02-21 13:38:161795

什么是碳化硅器件

SiC器件是一種新型的硅基 MOSFET,特別是 SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由 MOSFET和 PN結(jié)組成。 在眾多半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱
2023-03-03 14:18:564073

碳化硅功率器件在充電樁中的應(yīng)用有哪些?

在半導(dǎo)體材料領(lǐng)域,碳化硅與氮化鎵無疑是當(dāng)前最炙手可熱的明星。其中,碳化硅擁有高壓、高頻和高效率等特性,其耐高頻耐高溫的性能,是同等硅器件耐壓的10倍。
2023-04-06 11:06:53465

碳化硅:第三代半導(dǎo)體之星

按照電學(xué)性能的不同,碳化硅材料制成的器件分為導(dǎo)電型碳化硅功率器件和半絕緣型碳化硅射頻器件,兩種類型碳化硅器件的終端應(yīng)用領(lǐng)域不同。導(dǎo)電型碳化硅功率器件是通過在低電阻率的導(dǎo)電型襯底上生長碳化硅外延層后進(jìn)一步加工制成
2023-04-21 14:14:372437

碳化硅功率器件的可靠性應(yīng)用

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面。
2023-04-27 14:05:52635

碳化硅功率器件在新能源汽車中的優(yōu)勢

碳化硅功率器件已應(yīng)用于電動汽車內(nèi)部的關(guān)鍵電力系統(tǒng),包括牽引逆變器、車載充電器(OBC)和DC-DC轉(zhuǎn)換器。
2023-05-24 09:15:52303

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業(yè)讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產(chǎn)業(yè)鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應(yīng)用市場,以及未來的發(fā)展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

11.6 碳化硅和硅功率器件的性能比較∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

11.6碳化硅和硅功率器件的性能比較第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》代理產(chǎn)品線:器件主控:1、國產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera
2022-04-24 11:34:51578

7.1.3 雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.3雙極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-09 09:25:05378

7.1.2 單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

7.1.2單極型功率器件優(yōu)值系數(shù)7.1SiC功率開關(guān)器件簡介第7章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長
2022-02-07 15:01:28396

8.1.6 功率JFET器件的實現(xiàn)∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》

8.1.6功率JFET器件的實現(xiàn)8.1結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)第8章單極型功率開關(guān)器件碳化硅技術(shù)基本原理——生長、表征、器件和應(yīng)用》往期內(nèi)容:8.1.5增強(qiáng)型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術(shù)
2022-02-21 09:29:28537

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優(yōu)勢

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導(dǎo)體器件,具有許多優(yōu)勢和廣泛的應(yīng)用前景。
2023-06-28 09:58:092317

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域有哪些應(yīng)用呢?

碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域的應(yīng)用主要有以下幾個方面
2023-07-30 15:50:14969

碳化硅功率器件封裝的關(guān)鍵技術(shù)有哪些呢?

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點。
2023-08-03 14:34:59347

碳化硅功率器件:革命性的封裝技術(shù)揭秘

碳化硅(SiC)作為一個新興的寬帶隙半導(dǎo)體材料,已經(jīng)吸引了大量的研究關(guān)注。其優(yōu)越的電氣性能、高溫穩(wěn)定性和高頻響應(yīng)使其在功率電子器件領(lǐng)域中具有巨大的應(yīng)用潛力。但要完全發(fā)揮SiC功率器件的潛力,封裝技術(shù)同樣至關(guān)重要。本文主要探討碳化硅功率器件封裝的三個關(guān)鍵技術(shù)。
2023-08-15 09:52:11701

不同類型的碳化硅功率器件

目前市場上出現(xiàn)的碳化硅半導(dǎo)體包括的類型相對較多,常見的主要有二極管、金屬氧化物、半導(dǎo)體場效應(yīng)、晶體管、晶閘管、結(jié)算場、效應(yīng)晶體管等等這些不同類型的碳化硅器件,單元結(jié)構(gòu)和漂移區(qū)參雜以及厚度之間存在較為明顯的差異。那么下文主要針對不同類型的碳化硅功率器件的相關(guān)內(nèi)容進(jìn)行分析。
2023-08-31 14:14:22285

碳化硅功率器件的基本原理及優(yōu)勢

? 隨著新能源汽車的快速發(fā)展,碳化硅功率器件在新能源汽車領(lǐng)域中的應(yīng)用也越來越多。碳化硅功率器件相比傳統(tǒng)的硅功率器件具有更高的工作溫度、更高的能耗效率、更高的開關(guān)速度和更小的尺寸等優(yōu)點,因此在新能源
2023-09-05 09:04:421880

第三代寬禁帶半導(dǎo)體碳化硅功率器件的應(yīng)用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關(guān)速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結(jié)組成。 在眾多的半導(dǎo)體器件中,碳化硅材料具有低熱導(dǎo)率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29342

碳化硅新型功率器件的優(yōu)缺點

碳化硅(SiC)MOS管作為一種新型功率器件,與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,在某些特定條件下具有獨特的優(yōu)勢,但也存在一定的不足。KeepTops告訴你碳化硅MOS管的優(yōu)點和缺點。
2023-09-26 16:59:07474

碳化硅功率器件的封裝—三大主流技術(shù)

碳化硅(silicon carbide,SiC)功率器件作為一種寬禁帶器件,具有耐高壓、高溫,導(dǎo)通電阻低,開關(guān)速度快等優(yōu)點。
2023-09-27 10:08:55300

碳化硅功率器件的結(jié)構(gòu)和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導(dǎo)體器件,具有高溫、高頻、高效等優(yōu)點,被廣泛應(yīng)用于電力電子、新能源等領(lǐng)域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎(chǔ)知識。
2023-09-28 18:19:571219

碳化硅功率器件的產(chǎn)品定位

碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導(dǎo)體,用于制造電動汽車、電源、電機(jī)控制電路和逆變器等高壓應(yīng)用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169

碳化硅器件的生產(chǎn)流程,碳化硅有哪些優(yōu)劣勢?

中游器件制造環(huán)節(jié),不少功率器件制造廠商在硅基制造流程基礎(chǔ)上進(jìn)行產(chǎn)線升級便可滿足碳化硅器件的制造需求。當(dāng)然碳化硅材料的特殊性質(zhì)決定其器件制造中某些工藝需要依靠特定設(shè)備進(jìn)行特殊開發(fā),以促使碳化硅器件耐高壓、大電流功能的實現(xiàn)。
2023-10-27 12:45:361187

國內(nèi)碳化硅功率器件的發(fā)展現(xiàn)狀及未來趨勢

主驅(qū)采用碳化硅,綜合損耗比硅器件降低70%,行程里程提升約5%。在OBC上采用碳化硅器件數(shù)量減半,意味著被動器件直接減半,且配套的驅(qū)動電路也減少了,體積下降的同時成本也在下沉。這也是為什么OBC應(yīng)用碳化硅比驅(qū)動應(yīng)用早的原因。
2023-11-20 16:23:36415

碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究

碳化硅器件在UPS中的應(yīng)用研究
2023-11-29 16:39:00240

碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用現(xiàn)狀

  隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在電力電子領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高耐壓、高耐流等優(yōu)點
2023-12-14 09:14:46240

碳化硅功率器件的原理和應(yīng)用

隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、技術(shù)挑戰(zhàn)以及未來發(fā)展趨勢。
2023-12-16 10:29:20359

碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率器件具有高導(dǎo)熱率和高電子飽和遷移率,使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優(yōu)點。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域以及發(fā)展前景。
2023-12-21 09:43:38353

碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件

碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統(tǒng)的硅基功率器件具有許多優(yōu)勢,主要體現(xiàn)在以下幾個方面:材料特性、功率密度、溫度特性和開關(guān)速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰(zhàn)
2023-12-21 11:27:09286

碳化硅功率器件的優(yōu)勢應(yīng)及發(fā)展趨勢

隨著科技的不斷進(jìn)步,碳化硅(SiC)作為一種新型的半導(dǎo)體材料,在功率器件領(lǐng)域的應(yīng)用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發(fā)展?jié)摿?,將在多個領(lǐng)域展現(xiàn)出顯著的優(yōu)勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優(yōu)勢
2024-01-06 14:15:03353

碳化硅功率器件的優(yōu)勢及應(yīng)用

傳統(tǒng)的硅基功率器件在應(yīng)對這一挑戰(zhàn)時,其性能已經(jīng)接近極限。碳化硅(SiC)功率器件的出現(xiàn),為電力電子行業(yè)帶來了革新性的改變,成為了解決這一問題的關(guān)鍵所在。
2024-01-06 11:06:57130

碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應(yīng)用

碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49379

碳化硅功率器件的特點和應(yīng)用

隨著全球能源危機(jī)和環(huán)境問題的日益突出,高效、環(huán)保、節(jié)能的電力電子技術(shù)成為了當(dāng)今研究的熱點。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)功率器件憑借其出色的物理性能和電學(xué)特性,正在逐步取代傳統(tǒng)的硅基功率器件,引領(lǐng)著電力電子技術(shù)的發(fā)展方向。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的特點、優(yōu)勢、應(yīng)用以及面臨的挑戰(zhàn)和未來的發(fā)展趨勢。
2024-02-22 09:19:21170

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