摘要 本文主要研究了從接觸刻蝕、溝槽刻蝕到一體刻蝕的介質(zhì)刻蝕工藝中的刻蝕后處理。優(yōu)化正電子發(fā)射斷層掃描步驟，不僅可以有效地去除蝕刻過程中在接觸通孔的側(cè)壁底部形成的副產(chǎn)物，還可以消除包含特征的蝕刻金屬
2021-12-27 14:45:13
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引言 化學蝕刻是通過與強化學溶液接觸來控制工件材料的溶解。該過程可以應(yīng)用于任何材料。銅是利用化學腐蝕工藝制造微電子元件、微工程結(jié)構(gòu)和精密零件中廣泛使用的工程材料之一。在這項研究中，銅在50℃用兩種
2021-12-29 13:21:462088 
摘要 在印刷和蝕刻生產(chǎn)厚金屬膜中的精密圖案時，需要對化學蝕刻劑有基本的了解，以實現(xiàn)工藝優(yōu)化和工藝控制。 為了蝕刻純鋁電路，研究了正磷酸、多磷酸和氯化鐵的配方。 研究的目的是確定蝕刻速率和圖案定義對正
2022-01-07 15:07:481129 
摘要 我們?nèi)A林科納研究了正磷酸、聚磷酸、和鐵(III)氯化物蝕刻劑對工藝條件變化的敏感性，以確定該蝕刻劑系統(tǒng)在純鋁電路光刻制造中的潛在生產(chǎn)應(yīng)用。溫度變化、正磷酸濃度、多磷酸濃度的影響。檢測了酸濃度
2022-01-07 15:40:121194 
被劃分為與晶體表面的不同狀態(tài)和各種蝕刻機制相對應(yīng)的部分。蝕刻后的晶體表面的形狀與同一溶液中沿同一方向蝕刻的凹槽的輪廓密切相關(guān)。 介紹 本文研究（100）砷化鎵在硫酸、過氧化氫和水溶液中的化學蝕刻具有重要的技術(shù)和科學意義。該解決方案通常用于
2022-01-25 10:32:242215 
摘要 本文從晶體生長科學的角度回顧了單晶的濕化學蝕刻。起點是有光滑和粗糙的晶體表面。光滑面的動力學是由粗糙面上不存在的成核勢壘控制的。因此后者蝕刻速度更快數(shù)量級。對金剛石晶體結(jié)構(gòu)的分析表明，晶面
2022-01-25 13:51:111721 
在本研究中，我們設(shè)計了一個150mm晶片的濕蝕刻槽來防止硅片的背面蝕刻，并演示了優(yōu)化的工藝配方，使各向異性濕蝕刻的背面沒有任何損傷，我們還提出了300mm晶圓處理用濕浴槽的設(shè)計，作為一種很有前途的工藝發(fā)展。
2022-03-28 11:01:491943 
基本化學成分以Cl2為基礎(chǔ)，外加用于側(cè)壁鈍化的N2。優(yōu)化的ICP蝕刻工藝能夠產(chǎn)生具有光滑側(cè)壁的高縱橫比結(jié)構(gòu)。使用670nm波長的激光進行原位反射監(jiān)測，以高精度在材料界面停止蝕刻。考慮到在基于GaSb
2022-05-11 14:00:421025 
引言 本研究針對12英寸晶圓廠近期技術(shù)開發(fā)過程中后端一體化(AIO)蝕刻工藝導致的圖案失效缺陷。AIO蝕刻直接限定了溝槽和通孔的形狀，然而，包括層間介電膜的沉積、金屬硬掩模和濕法清洗的那些先前的工藝
2022-06-01 15:55:467809 
初始屏蔽檢查 對蝕刻工藝的良好理解始于理解初始掩模輪廓，無論是光致抗蝕劑還是硬掩模。掩模的重要參數(shù)是厚度和側(cè)壁角度。如果可能，對橫截面進行SEM檢查，以確定適用于您的蝕刻步驟的不同特征尺寸的側(cè)壁角度
2022-06-10 16:09:335071 
在半導體器件制造中，蝕刻指的是從襯底上的薄膜選擇性去除材料并通過這種去除在襯底上產(chǎn)生該材料的圖案的任何技術(shù)，該圖案由抗蝕刻工藝的掩模限定，其產(chǎn)生在光刻中有詳細描述，一旦掩模就位，可以通過濕法化學或“干法”物理方法對不受掩模保護的材料進行蝕刻，圖1顯示了這一過程的示意圖。
2022-07-06 17:23:522869 
的影響和相互作用。確定的最顯著的粘附性改進是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結(jié)合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性，這種預涂處理還改變了，使得與未經(jīng)表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更加各向同性；輪廓中都具有正錐度
2022-07-12 14:01:131365 
的最顯著的粘附性改進是在光致抗蝕劑涂覆之前立即結(jié)合了天然氧化物蝕刻。除了改善粘附性，這種預涂處理還改變了GaAs，使得與未經(jīng)表面處理的晶片相比，反應(yīng)限制蝕刻更加各向同性；輪廓在都具有正錐度方向
2022-07-13 16:55:042263 
他方向上的蝕刻速度快，而各向同性蝕刻(如HF)會向所有方向侵蝕。使用KOH工藝是因為其在制造中的可重復性和均勻性，同時保持了較低的生產(chǎn)成本。異丙醇(IPA)經(jīng)常添加到溶液中，以改變從{110}壁到{100}壁的選擇性，并提高表面光滑度。 氧化物和氮化物
2022-07-14 16:06:062775 
濕法蝕刻工藝的原理是利用化學溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為liquid化合物。由于采用了高選擇性化學物質(zhì)可以非常精確地適用于每一部電影。對于大多數(shù)解決方案選擇性大于100:1。
2022-07-27 15:50:252109 
濕蝕刻是光刻之后的微細加工過程，該過程中使用化學物質(zhì)去除晶圓層。晶圓，也稱為基板，通常是平面表面，其中添加了薄薄的材料層，以用作電子和微流體設(shè)備的基礎(chǔ)；最常見的晶圓是由硅或玻璃制成的。濕法刻蝕
2021-01-08 10:15:01
光澤浸漬處理 是一種對金屬表面輕微咬蝕，使呈現(xiàn)更平滑光亮者，其槽液濕式處理謂之。 7、Chemical Milling 化學研磨 是以化學濕式槽液方法，對金屬材料進行各種程度的腐蝕加工，如表面粗化
2018-08-29 16:29:01
、氫氟酸系、硫酸鹽系、硫酸系、堿性氯化銅和酸性氯化銅系。蝕刻開始時，金屬板表面被圖形保護，其余金屬面均和蝕刻液接觸，此時蝕刻垂直向深度進行。當金屬表面被蝕刻到一定深度后，裸露的兩側(cè)出現(xiàn)新的金屬面，這時蝕刻液
2017-02-21 17:44:26
能不能通過一些特殊工藝實現(xiàn)出來！
但是絕對不止這個想法，高速先生做出來是為了研究走線在不同表面處理下的高頻性能。在同一塊板上，保證了板材和走線長度一致，在這個前提下，就能夠很好的得到由不同表面處理工藝
2023-12-12 13:35:04
`請問PCB蝕刻工藝質(zhì)量要求有哪些？`
2020-03-03 15:31:05
就是在潔凈的裸銅表面上，以化學的方法長出一層有機皮膜。這層膜具有防氧化，耐熱沖擊，耐濕性，用以保護銅表面于常態(tài)環(huán)境中不再繼續(xù)生銹 (氧化或硫化等);但在后續(xù)的焊接高溫中，此種保護膜又必須很容易被助焊劑所
2018-11-28 11:08:52
其他表面處理工藝的應(yīng)用較少，下面來看應(yīng)用相對較多的電鍍鎳金和化學鍍鈀工藝?！ ‰婂冩嚱鹗荘CB表面處理工藝的鼻祖，自從PCB出現(xiàn)它就出現(xiàn)，以后慢慢演化為其他方式。它是在PCB表面導體先鍍上一層鎳后再
2018-09-17 17:17:11
) OSP是印刷電路板(PCB)銅箔表面處理的符合RoHS指令要求的一種工藝。 OSP是Organic Solderability Preservatives的簡稱， 中譯為有機保焊膜，又稱護銅劑，英文
2019-08-13 04:36:05
上，以化學的方法長出一層有機皮膜。這層膜具有防氧化，耐熱沖擊，耐濕性，用以保護銅表面于常態(tài)環(huán)境中不再繼續(xù)生銹 （氧化或硫化等）；但在后續(xù)的焊接高溫中，此種保護膜又必須很容易被助焊劑所迅速清除，如此方可
2017-02-08 13:05:30
禁止用鉛。于是SMOBC 工藝的表面涂覆變?yōu)榻裉斓?b class="flag-6" style="color: red">化學浸銀、沉錫、沉Ni/Au 、OSP來代替Pb-Sn 合金。萬變不離其宗，這些工藝歸根結(jié)底都屬于圖形電鍍蝕刻法SMOBC 工藝。
2018-09-21 16:45:08
一、蝕刻液的選擇 蝕刻液的選擇是非常重要的，它所以重要是因為它在印制電路板制造工藝中直接影響高密度細導線圖像的精度和質(zhì)量。當然蝕刻液的蝕刻特性要受到諸多因素的影響，有物理、化學及機械方面的?，F(xiàn)
2018-09-11 15:19:38
改善固體表面潤濕程度。所以，要獲得最隹的蝕刻質(zhì)量，就必須加強對基板銅箔表面的清潔處理，改善表面性質(zhì)使與蝕刻液更好的處在潤濕狀態(tài)。要改善液體的表面張力，還需提高作業(yè)溫度，溫度越高，液體的表面張力就越小，與固體
2013-10-31 10:52:34
）?化學沉銀?化學沉錫?無鉛噴錫（LFHASL）?有機保焊膜（OSP）?電解硬金?電解可鍵合軟金1、化學鎳金（ENIG）ENIG也稱為化學鎳金工藝，是廣泛用于PCB板導體的表面處理。這是一種相對簡單
2023-04-19 11:53:15
，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液，與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外
2018-11-26 16:58:50
與電路元件混合布設(shè)或是使電源和電路合用地線。因為這種布線不僅容易產(chǎn)生干擾，同時在維修時無法將負載斷開，到時只能切割部分印制導線，從而損傷印制板。 雖然目前來看，PCB的表面處理工藝方面的變化并不是很大
2018-09-19 15:36:04
方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠的事情，但是應(yīng)該注意到：長期的緩慢變化將會導致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來肯定會發(fā)生巨變。 表面處理最基本的目的是保證良好的可焊
2018-07-14 14:53:48
目前，印刷電路板（pcb）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”.即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。PCB蝕刻工藝
2018-09-13 15:46:18
使用化學溶液去除材料。在 CMOS 制造中，濕法工藝用于清潔晶片和去除薄膜。濕法清潔過程在整個工藝流程中重復多次。一些清潔過程旨在去除微粒，而另一些則是去除有機和/或無機表面污染物。濕蝕刻劑可以是各向同性
2021-07-06 09:32:40
、CMP、ICP 干蝕刻、亞表面損傷、等離子體誘導損傷 直接比較了 GaN 襯底的表面處理方法，即使用膠體二氧化硅漿料的化學機械拋光 (CMP) 和使用 SiCl4 氣體的電感耦合等離子體 (ICP) 干
2021-07-07 10:26:01
的自頂向下 GaN 納米線制造工藝得到改進，以實現(xiàn)直徑低于 50nm 的特征。提出了 SPE 制造的初始工藝，并引入了電化學蝕刻設(shè)置以擴大處理能力和應(yīng)用。這些新工藝的初步實驗顯示出有希望的結(jié)果。如有侵權(quán)，請聯(lián)系作者刪除`
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN、ZnO和SiC的濕法化學蝕刻編號：JFKJ-21-830作者：炬豐科技摘要寬帶隙半導體具有許多特性，使其對高功率、高溫器件應(yīng)用具有吸引力。本文綜述了三種
2021-10-14 11:48:31
各向異性（晶體）化學蝕刻是半導體器件的基礎(chǔ)工藝技術(shù)，其中小平面和小平面定義的幾何形狀決定了器件的特性。例子是：（1）具有原子級光滑面的光學設(shè)備（波導、激光器）減少損失（2）MEMS，其中幾何形狀可以通過
2021-07-08 13:09:52
。這個蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面，并且可以通過改變第一步驟的方向、化學試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學蝕刻是一個非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
kJ/摩爾)。這是一個相對較高的值，這是蝕刻工藝的典型值，其速率受化學反應(yīng)本身的限制，而不是受反應(yīng)產(chǎn)物的溶解或反應(yīng)物質(zhì)向蝕刻表面擴散的限制。類似地，使用光學顯微鏡觀察到的蝕刻表面的光滑度表明蝕刻
2021-07-09 10:23:37
陽極偏壓光照下，在氫氧化鉀、硫酸和鹽酸溶液中的腐蝕速率測量結(jié)果。這項研究的目的是了解在這些不同的環(huán)境下，氮化鎵蝕刻的動力學和機制。蝕刻后半導體表面的表面分析提供了關(guān)于蝕刻過程的附加信息。 實驗 蝕刻
2021-10-13 14:43:35
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：光刻前 GaAs 表面處理以改善濕化學蝕刻過程中的光刻膠附著力和改善濕蝕刻輪廓[/td][td]編號：JFSJ-21-0作者：炬豐科技網(wǎng)址：http
2021-07-06 09:39:22
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：半導體行業(yè)的濕化學分析——總覽編號：JFSJ-21-075作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html對液體和溶液進行
2021-07-09 11:30:18
，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側(cè)壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會導致由于表面非輻射復合導致的光學散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細研究了干法蝕刻形成的GaN側(cè)壁面的濕化學拋光工藝，以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
鏡面硅結(jié)構(gòu)時，表面的平滑度和蝕刻速率是關(guān)鍵參數(shù)。我們展示了一種從單晶硅創(chuàng)建 45° 和 90° 蝕刻平面的方法，用作微流體裝置中的逆反射側(cè)壁。該技術(shù)使用相同的光刻圖案方向，但使用兩種不同的蝕刻劑。用
2021-07-19 11:03:23
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：硅納米柱與金屬輔助化學蝕刻的比較編號：JFSJ-21-015作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:33:58
中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝中.氨性蝕刻劑是普遍使用的化工藥液，與錫或鉛錫不發(fā)生任何化學反應(yīng)。氨性蝕刻劑主要是指氨水/氯化氨蝕刻液。此外，在市場上還可以買到氨水
2018-04-05 19:27:39
分的噴射力就會降低而不能有效地將蝕刻表面上的舊溶液沖掉使新溶液與其接觸。在噴淋面的邊緣處,這種情況尤為突出,其噴射力比垂直噴射要小得多。這項研究發(fā)現(xiàn)﹐最新的設(shè)計參數(shù)是65磅/平方英寸(即4+Bar
2017-06-23 16:01:38
的PCB，而且通過多次回流焊、清洗和存儲后表面層還可以焊接。對于ICT而言，HASL也提供了焊料自動覆蓋測試焊盤和過孔的工藝。然而，與現(xiàn)有的替代方法相比，HASL表面的平整性或者同面性很差。現(xiàn)在出現(xiàn)了一些無
2008-06-18 10:01:53
連接點上形成一層與基體的機械、物理和化學性能不同的表層的工藝方法，表面處理的目的是保證PCB良好的可焊性和電氣性能。通俗來說就是，我們知道PCB本身的導體是銅，但是銅這個金屬如果長期暴露在空氣中的話
2022-04-26 10:10:27
現(xiàn)在有許多PCB表面處理工藝，常見的是熱風整平、有機涂覆、化學鍍鎳/浸金、浸銀和浸錫這五種工藝，下面將逐一介紹。
2021-04-23 06:26:30
改善。是絕佳高CP值選擇的MOSFET正面金屬化工藝。接下來，將深入介紹化學鍍工藝如何進行。 一、化學鍍工藝最重要的起始點-前處理(一)鋁墊的清洗和蝕刻 前處理主要是在進行鋁墊的清洗和蝕刻，將鋁墊表面的
2021-06-26 13:45:06
濕法蝕刻工藝的原理是使用化學溶液將固體材料轉(zhuǎn)化為液體化合物。選擇性非常高，因為所用化學藥品可以非常精確地適應(yīng)各個薄膜。對于大多數(shù)解決方案，選擇性大于100：1。
2021-01-08 10:12:57
方面的變化并不是很大，好像還是比較遙遠的事情，但是應(yīng)該注意到：長期的緩慢變化將會導致巨大的變化。在環(huán)保呼聲愈來愈高的情況下，PCB的表面處理工藝未來肯定會發(fā)生巨變。 表面處理最基本的目的是保證良好的可焊
2018-08-18 21:48:12
：銅表面無氧化、銅表面被均勻粗化、銅表面具有嚴格的平整性，還要銅表面無水跡。這種效果增強了濕膜與銅箔表面的結(jié)合力，以滿足后續(xù)工序工藝的要求。刷板后的銅箔表面狀態(tài)直接影響PCB的成品率。 2．絲網(wǎng)印刷
2018-08-29 10:20:48
先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。 一.蝕刻的種類 要注意的是，蝕刻時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有
2018-09-19 15:39:21
`求助鋁合金表面鍍化學鎳處理焊接不良問題:1. 焊接后表面發(fā)黑2. 焊接潤濕性不良化學鎳厚度25um, 該產(chǎn)品焊接兩次,一次在孔內(nèi)焊接PIN, 發(fā)現(xiàn)表明發(fā)黑; 二次焊接一個感應(yīng)器及鋁合金基座, 潤濕不良, 請各位幫忙指導!`
2014-10-14 13:13:22
超細線蝕刻工藝技術(shù)介紹
目前，集成度呈越來越高的趨勢，許多公司紛紛開始SOC技術(shù)，但SOC并不能解決所有系統(tǒng)集成的問題，因
2010-03-30 16:43:081181 焊墊表面處理(OSP,化學鎳金)
2017-01-28 21:32:49
0 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉,稱為蝕刻。
2017-12-26 08:57:1628238 本文首先介紹了PCB蝕刻工藝原理和蝕刻工藝品質(zhì)要求及控制要點，其次介紹了PCB蝕刻工藝制程管控參數(shù)及蝕刻工藝品質(zhì)確認，最后闡述了PCB蝕刻工藝流程詳解，具體的跟隨小編一起來了解一下吧。
2018-05-07 09:09:0940479 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前，印刷電路板（PCB）加工的典型工藝采用“圖形電鍍法”。即先在板子外層需保留的銅箔部分上，也就是電路的圖形部分上預鍍一層鉛錫抗蝕層，然后用化學方式將其余的銅箔腐蝕掉，稱為蝕刻。
2019-08-16 11:31:004647 在印制板外層電路的加工工藝中，還有另外一種方法，就是用感光膜代替金屬鍍層做抗蝕層。這種方法非常近似于內(nèi)層蝕刻工藝，可以參閱內(nèi)層制作工藝中的蝕刻。目前，錫或鉛錫是最常用的抗蝕層,用在氨性蝕刻劑的蝕刻工藝
2019-07-10 15:11:352710 
要注意的是，這時的板子上面有兩層銅。在外層蝕刻工藝中僅僅有一層銅是必須被全部蝕刻掉的，其余的將形成最終所需要的電路。這種類型的圖形電鍍，其特點是鍍銅層僅存在于鉛錫抗蝕層的下面。另外一種工藝方法是整個
2019-07-08 14:51:342432 
PCB板蝕刻工藝用傳統(tǒng)的化學蝕刻過程腐蝕未被保護的區(qū)域。有點像是挖溝，是一種可行但低效的方法。在蝕刻過程中也分正片工藝和負片工藝之分，正片工藝使用固定的錫保護線路，負片工藝則是使用干膜或者濕膜來保護線路。用傳統(tǒng)的蝕刻方法到線或焊盤的邊緣是畸形的。
2020-07-12 10:26:563060 石英是振動陀螺儀的理想材料。我們研究了熱處理和化學后處理對熔融石英表面質(zhì)量改善的影響。我們的研究包括高頻蝕刻、氫氧化鉀蝕刻、RCA-1表面處理的影響，這些在熔融石英玻璃陀螺儀的制造中很常見，以及
2021-12-16 17:41:141211 
)、(TMAH)、NaOH等，但KOH與TMAH相比，平整度更好，并且只對硅的 100 表面做出反應(yīng)，因此Fig。如1所示，具有54.74的各向異性蝕刻特性，毒性小。使用KOH的硅各向異性濕式蝕刻在壓力傳感器、加速度計、光學傳感器等整體MEMS裝置結(jié)構(gòu)形成等中使用。 實驗 KOH硅濕法蝕刻工藝 工藝
2021-12-23 09:55:35484 
在含HF/HNO 3的溶液中進行酸性蝕刻來實現(xiàn)。酸性溶液各向同性地蝕刻多晶硅晶片，即在所有晶體取向上產(chǎn)生圓形紋理。然而，酸性蝕刻工藝難以控制，并且化學廢物的處理昂貴。 為了克服這種對環(huán)境有害的酸性蝕刻工藝，同時保持mc-Si晶片
2022-01-13 14:47:19624 
光增強電化學（PEC）濕蝕刻也被證明用于氮化鎵。PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低、表面損傷較低的優(yōu)點，但尚未找到一種生產(chǎn)光滑的垂直側(cè)壁的方法。氮化鎵的裂切面也有報道，在藍寶石基質(zhì)上生長的氮化
2022-01-17 15:38:05942 
引言 我們?nèi)A林科納研究了KOH基溶液中AIN的濕式化學蝕刻與蝕刻溫度和材料質(zhì)量的關(guān)系。這兩種材料的蝕刻速率都隨著蝕刻溫度的增加而增加，從20~80°C不等。通過在1100°C下快速熱退火，提高了反應(yīng)
2022-01-17 16:21:48324 
在薄膜硅太陽能電池中的光收集。AZO薄膜通過脈沖直流磁控濺射沉積在石灰玻璃片上。利用稀釋的鹽酸（鹽酸）和氫氟酸(HF)進行兩步蝕刻工藝，研究了幾種AZO紋理化方法。所開發(fā)的紋理程序結(jié)合了鹽酸鹽誘導的坑的優(yōu)點和高頻蝕刻產(chǎn)生的更小、鋸齒狀但橫向更均
2022-01-20 13:54:59289 
濕法蝕刻工藝已經(jīng)廣泛用于生產(chǎn)各種應(yīng)用的微元件。這些過程簡單易操作。選擇合適的化學溶液(即蝕刻劑)是濕法蝕刻工藝中最重要的因素。它影響蝕刻速率和表面光潔度。銅及其合金是各種工業(yè)，特別是電子工業(yè)的重要
2022-01-20 16:02:241862 
，表面的Ga-As鍵斷裂，元素砷留在砷化鎵表面。此外，用鹽酸+2-丙醇溶液蝕刻時可以觀察到吸附的2-丙醇分子，但用氨水溶液蝕刻時沒有檢測到吸附的水分子。 介紹 濕式化學蝕刻工藝在器件制造中已被廣泛應(yīng)用。半導體/電解質(zhì)界面上發(fā)生的過程
2022-01-24 15:07:301071 
基于HC1的蝕刻劑被廣泛應(yīng)用于InP半導體器件，HC1溶液中其他酸的存在對蝕刻速率有顯著影響，然而，InP并不溶在涉及簡單氧化劑的傳統(tǒng)蝕刻劑中，為了解決溶解機理的問題，我們江蘇華林科納研究了p-InP在不同HC1溶液中的刻蝕作用和電化學反應(yīng)。
2022-02-09 10:54:58727 
本文對單晶石英局部等離子體化學刻蝕工藝的主要工藝參數(shù)進行了優(yōu)化。在射頻(射頻，13.56兆赫)放電激勵下，在CF4和H2的氣體混合物中進行蝕刻。采用田口矩陣法的科學實驗設(shè)計來檢驗腔室壓力、射頻發(fā)生器
2022-02-17 15:25:421804 
的氧化鎳未完全去除造成的。這項研究對這些多余金屬缺陷的成分進行了分類和確定，評估了推薦的去除氧化鎳的濕蝕刻方法，最后提出了一種濕蝕刻工藝，該工藝將快速去除缺陷，同時繼續(xù)保持所需的半各向異性蝕刻輪廓，這是大多數(shù)金屬
2022-02-28 14:59:351780 
摘要 綜述了半導體各向異性蝕刻的表面化學和電化學。描述了對堿性溶液中硅的各向異性化學蝕刻和 n 型半導體中各向異性孔的電化學蝕刻的最新見解。強調(diào)了電流效應(yīng)在開路蝕刻中的可能作用。 介紹 由于簡單
2022-03-03 14:16:37905 
我們開發(fā)了一種改進的各向異性濕法蝕刻工藝，通過在晶片上使用單個蝕刻掩模來制造各種硅微結(jié)構(gòu)，這些微結(jié)構(gòu)具有圓形凹角和尖銳凸角、用于芯片隔離的凹槽、蜿蜒的微流體通道、具有彎曲V形凹槽的臺面結(jié)構(gòu)以及具有
2022-03-14 10:51:42581 
硅是微電子學和微細力學中最常用的襯底材料。它不僅可用作無源襯底，也可用作電子或機械元件的有源材料。如本章所述，所需的圖案也可以通過濕化學蝕刻方法來實現(xiàn)。
2022-03-23 14:17:161812 
本文章將對表面組織工藝優(yōu)化進行研究，多晶硅晶片表面組織化工藝主要分為干法和濕法，其中利用酸或堿性溶液的濕法蝕刻工藝在時間和成本上都比較優(yōu)秀，主要適用于太陽能電池量產(chǎn)工藝。本研究在多晶晶片表面組織化工藝
2022-03-25 16:33:49516 
為了能夠使用基于 GaAs 的器件作為化學傳感器，它們的表面必須進行化學改性。GaAs 表面上液相中分子的可重復吸附需要受控的蝕刻程序。應(yīng)用了幾種分析方法，包括衰減全反射和多重內(nèi)反射模式 (ATR
2022-03-31 14:57:03729 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。 需要更薄的模具來適應(yīng)更薄的包裝。 使用最后的濕蝕刻工藝在背面變薄的晶圓與標準的機械背面磨削相比，應(yīng)力更小。 硅的各向同性濕蝕刻通常是用硝酸和氫氟酸的混合物
2022-04-07 14:46:33751 
旋轉(zhuǎn)軸的多片晶片在蝕刻溶液中旋轉(zhuǎn)，通過化學反應(yīng)進行蝕刻的表面處理。在化學處理之后，晶片的平坦度，因此為了控制作為旋轉(zhuǎn)圓板的晶圓周邊的蝕刻溶液的流動，實際上進行了各種改進。例如圖1所示的同軸旋轉(zhuǎn)的多個圓板的配置為基礎(chǔ)，旋轉(zhuǎn)圓板和靜止圓板交替配置等。
2022-04-12 15:28:16943 
的各向同性濕法蝕刻條件相比，由于非常高的各向異性，反應(yīng)離子蝕刻工藝能夠?qū)崿F(xiàn)更好的蝕刻尺寸控制。盡管如此，當使用敏感材料(即柵極氧化物[1])或當尺寸放寬時，使用光敏抗蝕劑的濕法圖案化仍然是參考工藝。本文研究了整個濕法腐蝕過程中抗蝕劑保護的完整性。給出了確保這種保護的一些提示，以及評估這種保護的相關(guān)新方法。
2022-04-22 14:04:19591 
拋光的硅片是通過各種機械和化學工藝制備的。首先，通過切片將單晶硅錠切成圓盤(晶片)，然后進行稱為研磨的平整過程，該過程包括使用研磨漿擦洗晶片。 在先前的成形過程中引起的機械損傷通過蝕刻是本文的重點。在準備用于器件制造之前，蝕刻之后是各種單元操作，例如拋光和清潔。
2022-04-28 16:32:37670 
金屬涂層，如銅膜，可以很容易地沉積在半導體材料上，如硅晶片，而無需使無電鍍工藝進行預先的表面預處理。然而，銅膜的粘附性可能非常弱，并且容易剝離。在本研究中，研究了在氫氟酸溶液中蝕刻作為硅晶片化學
2022-04-29 15:09:06464 
硅微腔。由超聲波蝕刻引起的質(zhì)量提高可歸因于氫氣泡和其它蝕刻化學物質(zhì)從多孔硅柱表面逃逸的速率增加。該效應(yīng)歸因于自由空穴載流子濃度的有效變化。超聲波已導致表明可能在鍵合結(jié)構(gòu)的變化，并增加氧化。此外，在超聲波處理和微觀結(jié)構(gòu)之間建
2022-05-10 15:43:25941 
通過使用多級等離子體蝕刻實驗設(shè)計、用于蝕刻后光致抗蝕劑去除的替代方法，以及開發(fā)自動蝕刻后遮蓋物去除順序；一種可再現(xiàn)的基板通孔處理方法被集成到大批量GaAs制造中。對于等離子體蝕刻部分，使用光學顯微鏡
2022-06-23 14:26:57516 
50納米，4，5，盡管最近有報道稱rms粗糙度低至4–6納米的表面。6光增強電化學(PEC)濕法蝕刻也已被證明適用于氮化鎵(GaN)的蝕刻。7–10 PEC蝕刻具有設(shè)備成本相對較低和表面損傷較低的優(yōu)勢
2022-07-12 17:19:243454 
蝕刻工藝 蝕刻過程分類
2022-08-08 16:35:34736 
薄晶片已成為各種新型微電子產(chǎn)品的基本需求。更薄的模具需要裝進更薄的包裝中。與標準的機械背磨相比，在背面使用最終的濕法蝕刻工藝而變薄的晶片的應(yīng)力更小。
2022-08-26 09:21:362363 
金屬蝕刻是一種通過化學反應(yīng)或物理沖擊去除金屬材料的技術(shù)。金屬蝕刻技術(shù)可分為濕蝕刻和干蝕刻。金屬蝕刻由一系列化學過程組成。不同的蝕刻劑對不同的金屬材料具有不同的腐蝕特性和強度。
2023-03-20 12:23:433172 印刷線路板從光板到顯出線路圖形的過程是一個比較復雜的物理和化學反應(yīng)的過程，本文就對其最后的一步--蝕刻進行解析。目前,印刷電路板(PCB)加工的典型工藝采用"圖形電鍍法"。即先在
2023-03-29 10:04:07887 蝕刻可能是濕制程階段最復雜的工藝，因為有很多因素會影響蝕刻速率。如果不保持這些因素的穩(wěn)定，蝕刻率就會變化，因而影響產(chǎn)品質(zhì)量。如果希望利用一種自動化方法來維護蝕刻化學，以下是你需要理解的基本概念。
2023-05-19 10:27:31576 
納米片工藝流程中最關(guān)鍵的蝕刻步驟包括虛擬柵極蝕刻、各向異性柱蝕刻、各向同性間隔蝕刻和通道釋放步驟。通過硅和 SiGe 交替層的剖面蝕刻是各向異性的，并使用氟化化學。優(yōu)化內(nèi)部間隔蝕刻（壓痕）和通道釋放步驟，以極低的硅損失去除 SiGe。
2023-05-30 15:14:111071 
關(guān)鍵詞：氫能源技術(shù)材料，耐高溫耐酸堿耐濕膠帶，高分子材料，高端膠粘劑引言：蝕刻(etching)是將材料使用化學反應(yīng)或物理撞擊作用而移除的技術(shù)。蝕刻技術(shù)可以分為濕蝕刻(wetetching)和干蝕刻
2023-03-16 10:30:163505 
PCB蝕刻工藝中的“水池效應(yīng)”現(xiàn)象，通常發(fā)生在頂部，這種現(xiàn)象會導致大尺寸PCB整個板面具有不同的蝕刻質(zhì)量。
2023-08-10 18:25:431014 一站式PCBA智造廠家今天為大家講講pcb打樣蝕刻工藝注意事項有哪些?PCB打樣蝕刻工藝注意事項。PCB打樣中，在銅箔部分預鍍一層鉛錫防腐層，保留在板外層，即電路的圖形部分，然后是其余的銅箔被化學方法腐蝕，稱為蝕刻。
2023-09-18 11:06:30671 GaN及相關(guān)合金可用于制造藍色/綠色/紫外線發(fā)射器以及高溫、高功率電子器件。由于 III 族氮化物的濕法化學蝕刻結(jié)果有限，因此人們投入了大量精力來開發(fā)干法蝕刻工藝。干法蝕刻開發(fā)一開始集中于臺面結(jié)構(gòu)，其中需要高蝕刻速率、各向異性輪廓、光滑側(cè)壁和不同材料的同等蝕刻。
2023-10-07 15:43:56319 
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