硅上GaN LED 不必受應(yīng)力的影響，一定量的應(yīng)力阻礙了輸出功率。英國一個研究小組通過原位工具監(jiān)測溫度和晶片曲率，制備出低位錯密度的扁平型150mm外延片，并將這些芯片安裝到器件中
2011-11-02 10:18:39
1638 單來分，芯片制造過程有這么幾個階段：材料制備——單晶硅制造→晶圓片生成芯片前端——芯片構(gòu)建（Wafer Fabrication）。##單來分，芯片制造過程有這么幾個階段：材料制備——單晶硅制造
2016-05-12 10:30:2771296 國外廠商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實，除了國外的GaN控制芯片，國內(nèi)的GaN控制芯片這幾年發(fā)展得也不錯，特別是今年突如其來的芯片缺貨問題，更是加快了國產(chǎn)GaN控制芯片發(fā)展的步伐，不少之前使用國外控制芯片方案商和終端廠商開始切換到國內(nèi)企業(yè)的產(chǎn)品。
2021-09-03 08:03:006192 作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶問我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問題：“JEDEC（電子設(shè)備工程聯(lián)合委員會）似乎沒把應(yīng)用條件納入到開關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
芯片制造全工藝流程詳情
2020-12-28 06:20:25
芯片生產(chǎn)工藝流程是怎樣的？
2021-06-08 06:49:47
基于光機電技術(shù)和控制理論,以TMS320LF2407A 數(shù)字信號處理器為核心,建立了一種數(shù)字式的傳感器制備系統(tǒng)。根據(jù)傳感器制備系統(tǒng)的機械原理、總體結(jié)構(gòu)和各個組成部分的實現(xiàn)方式,提出了基于TMS320LF2407A 的控制系統(tǒng)的設(shè)計與實現(xiàn)。
2020-04-02 07:02:59
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉(zhuǎn)換器SiC/GaN具有的優(yōu)勢
2021-03-10 08:26:03
產(chǎn)品詳情:TGA2573寬帶在Qorvo生產(chǎn)0.25微米SiC工藝制備GaN高功率GaN HEMT放大器。工作從2到18 GHz，它達到40 dBm飽和輸出功率，20% PAE，和10分貝小信號增益在漏
2018-06-19 09:07:36
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 半導(dǎo)體材料與器件手冊編號：JFSJ-21-059III族氮化物半導(dǎo)體的光學(xué)特性介紹III 族氮化物材料的光學(xué)特性顯然與光電應(yīng)用直接相關(guān)，但測量光學(xué)特性
2021-07-08 13:08:32
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html關(guān)鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
`書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN 納米線制造和單光子發(fā)射器器件應(yīng)用的蝕刻工藝編號：JFSJ-21-045作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com
2021-07-08 13:11:24
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：GaN晶體蝕刻的幾何方面和光子應(yīng)用編號：JFSJ-21-044作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要：濕法
2021-07-08 13:09:52
。這個蝕刻步驟可以產(chǎn)生光滑的晶體表面，并且可以通過改變第一步驟的方向、化學(xué)試劑和溫度來選擇特定的蝕刻平面。GaN晶體的濕化學(xué)蝕刻是一個非常重要的工藝。清洗效果的好壞極大地影響了芯片的特性。性能可靠、功能
2021-07-07 10:24:07
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：DI-O3水在晶圓表面制備中的應(yīng)用編號：JFSJ-21-034作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html摘要
2021-07-06 09:36:27
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：n-GaN的電化學(xué)和光刻編號：JFKJ-21-820作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要 本文利用
2021-10-13 14:43:35
，干法蝕刻制備的氮化鎵（GaN）側(cè)壁通常具有較大的粗糙度和蝕刻損傷，這會導(dǎo)致由于表面非輻射復(fù)合導(dǎo)致的光學(xué)散射和載流子注入損失引起的鏡面損失。詳細研究了干法蝕刻形成的GaN側(cè)壁面的濕化學(xué)拋光工藝，以去除蝕刻
2021-07-09 10:21:36
書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》文章：氮化鎵發(fā)展技術(shù)編號：JFSJ-21-041作者：炬豐科技網(wǎng)址：http://www.wetsemi.com/index.html 摘要：在單個芯片上集成多個
2021-07-06 09:38:20
申請理由：用于化學(xué)行業(yè)中的純化制備系統(tǒng)中，目前純化行業(yè)還沒有一個真正職能化的系統(tǒng)，都是通過工作站進行控制和監(jiān)測，想借用該開發(fā)版打造一個新的純化制備系統(tǒng)，改變傳統(tǒng)的設(shè)備定義項目描述：開發(fā)一套化學(xué)行業(yè)中
2015-08-03 20:57:18
`晶圓是如何生長的？又是如何制備的呢？本文的主要內(nèi)容有：沙子轉(zhuǎn)變?yōu)榘雽?dǎo)體級硅的制備，再將其轉(zhuǎn)變成晶體和晶圓，以及生產(chǎn)拋光晶圓要求的工藝步驟。這其中包括了用于制造操作晶圓的不同類型的描述。生長
2018-07-04 16:46:41
`一體成型電感粉材料對制備的影響分析？制備一體成型電感，我們不但要了解其工藝，材料的匹配，更要透過現(xiàn)象看本質(zhì)看材料對制備一體成型電感的影響。下面岑科小編以鐵粉材料為例簡要分析一下：1、絕緣層厚度鐵粉
2019-08-03 15:15:23
吳軍民a, 湯學(xué)華b （上海電機學(xué)院a.汽車學(xué)院； b.機械學(xué)院，上海200245） 摘 要：研究了一種電磁型射頻（RF）微機電系統(tǒng)（MEMS）開關(guān)的軟磁懸臂梁的制備工藝。為了得到適合MEMS器件
2019-07-04 08:14:01
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰(zhàn)？
2021-05-06 07:52:03
氮化鎵南征北戰(zhàn)縱橫半導(dǎo)體市場多年，無論是吊打碳化硅，還是PK砷化鎵。氮化鎵憑借其禁帶寬度大、擊穿電壓高、熱導(dǎo)率大、電子飽和漂移速度高、抗輻射能力強和良好的化學(xué)穩(wěn)定性等優(yōu)越性質(zhì)，確立了其在制備寬波譜
2019-07-31 06:53:03
帶來了一定的困難，這已成為當(dāng)前研究下填充技術(shù)的兩個重要方向。除上述的下填充技術(shù)以外，芯片上“重新布線層”的制備以及與現(xiàn)有SMT設(shè)備的兼容問題是影響FC推廣應(yīng)用的兩個關(guān)鍵。3焊料凸點倒裝芯片工藝典型的焊料
2018-11-26 16:13:59
沒有塑封體，芯片背面可用散熱片等進行有效的冷卻，使電路的可靠性得到提高； ?。?）倒裝凸點等制備基本以圓片、芯片為單位，較單根引線為單位的引線鍵合互連來講，生產(chǎn)效率高，降低了批量封裝的成本。 3.倒裝
2020-07-06 17:53:32
可達每毫米10W?！?高頻應(yīng)用： 我們目前的GaN 工藝產(chǎn)品組合包括針對更高頻率的0.15 μm 或150 納米技術(shù)。0.25 μm 技術(shù)非常適合X 至Ku 頻段的應(yīng)用。0.25 μm 技術(shù)還可提供高效
2017-07-28 19:38:38
)藍寶石制作圖形藍寶石襯底(PSS);然后,在PSS上進行MOCVD制作GaN基發(fā)光二極管(LED)外延片;最終,進行芯片制造和測試。PSS的基本結(jié)構(gòu)為圓孔,直徑為3μm,間隔為2μm,深度為864 nm
2010-04-22 11:32:16
在過去的十多年里，行業(yè)專家和分析人士一直在預(yù)測，基于氮化鎵(GaN)功率開關(guān)器件的黃金時期即將到來。與應(yīng)用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
晶體管管芯的工藝流程？光刻的工藝流程？pcb制版工藝流程？薄膜制備工藝流程？求大佬解答
2019-05-26 21:16:27
有哪位同仁知道Motorola MPC755的詳細制備工藝嗎？是220nm的工藝，5層金屬如果知道的話，可以發(fā)到我的郵箱里mht_84@126.com多謝了啊
2011-02-24 16:11:17
電子器件制備工藝
2012-08-20 22:23:29
實驗名稱：基于電場誘導(dǎo)的白光LED結(jié)構(gòu)化涂層制備及其應(yīng)用研究 研究方向：電場誘導(dǎo)結(jié)構(gòu)制備工藝試驗研究 實驗內(nèi)容： 本文主要圍繞：平面電極和機構(gòu)化電極兩種電場誘導(dǎo)工藝進行試驗研究，在平面電極
2022-03-29 15:44:41
AB5型貯氫合金是目前國內(nèi)外MH/Ni電池生產(chǎn)中使用最為廣泛的負極材料，而貯氫合金的電化學(xué)性能是由合金的成分、微觀結(jié)構(gòu)和表面狀態(tài)決定的。本文綜述了ABs型貯氫合金制備工藝-熔煉、熱處理以及制粉工藝
2011-03-11 11:57:08
本文介紹了適用于5G毫米波頻段等應(yīng)用的新興SiC基GaN半導(dǎo)體技術(shù)。通過兩個例子展示了采用這種GaN工藝設(shè)計的MMIC的性能：Ka頻段（29.5至36GHz）10W的PA和面向5G應(yīng)用的24至
2020-12-21 07:09:34
提出了一種制備包覆雙金屬復(fù)合材料的新工藝．即充芯連鑄法制備包覆雙金屬復(fù)合材料的工藝。試驗研究了包鋁雙金屬棒制備的工藝， 分析了銅包鋁雙金屬棒的外觀、斷面和界面。
2009-07-07 08:41:39
18 硅原料
原料分檢
原料腐蝕
單晶制備
2010-10-11 16:25:060 鐵基顏料鐵黃制備工藝流程
鐵黃產(chǎn)
2009-03-30 20:08:211772 
硫酸渣制備鐵紅工藝流程
2009-03-30 20:09:321004 
低熱量化學(xué)氣相工藝制備氮化硅美國Aviza工藝公司開發(fā)出一種低溫化學(xué)氣相沉積工藝(LPCVD)，可在500℃左右進行氮化硅沉積。這個工藝使用一
2009-06-12 21:08:29729 GaN電源管理芯片市場將增長快速
據(jù)iSuppli公司，由于高端服務(wù)器、筆記本電腦、手機和有線通訊領(lǐng)域的快速增長，氮化鎵(GaN)電源管理半導(dǎo)體市場到2013年
2010-03-25 10:12:471143 
摘要：通過對貯氫合金的組分、熔煉、粉碎幾個方面的實驗研究，探討了貯氫合金的制備工藝過程，分析了不同的工藝參數(shù)對合金性能的影響。確定了合金制備的最佳工藝條件為：熔化溫度1400～1550℃；熔化保持時間10～15rain；冷卻方式為急冷。 關(guān)鍵詞：貯氫合金；
2011-02-21 22:14:5750 科銳公司（CREE）宣布推出兩項新型GaN工藝：0.25微米、漏極電壓最高為40V的G40V4和0.4微米、漏極電壓最高為50VG50V3。新的工藝技術(shù)增加了工作電壓和無線射頻功率密度，與傳統(tǒng)的技術(shù)相比
2012-07-18 14:30:561306 硅基高通量單細胞陣列芯片制備與研究_孟祥
2017-03-19 11:41:390 ABI研究公司一位研究人員表示，對于那些通過氮化鎵(GaN)工藝技術(shù)來開發(fā)并生產(chǎn)設(shè)備的廠商來說，無線基礎(chǔ)設(shè)施領(lǐng)域所需的RF功率半導(dǎo)體可能并不是他們最好的機會。 除了一些軍事應(yīng)用和微波通信，GaN主要
2017-12-13 16:02:01523 微孔制備技術(shù)是鋰離子電池隔膜制備工藝的核心，其分為干法單向拉伸、干法雙向拉伸和濕法工藝。
2018-03-20 13:50:427466 
壓敏電阻的制備關(guān)鍵在于摻雜濃度的把控及后續(xù)刻蝕成型工藝的優(yōu)化；金屬引線層則主要起到惠斯通電橋的聯(lián)通；壓力敏感膜的制備主要依托深硅刻蝕工藝；壓力腔的封裝通常會因壓力傳感器的用途不同而有所變化，本文給出的兩種可能的封裝形式如圖3所示。
2018-05-21 09:37:208574 鋰電池硅基負極極片該如何制備呢？KarkarZ等人研究了硅電極的制備工藝。
2018-08-07 15:52:144331 產(chǎn)品包括SBD、常關(guān)型FET、常開型FET、級聯(lián)FET等產(chǎn)品，面向無線充電、電源開關(guān)、包絡(luò)跟蹤、逆變器、變流器等市場。而按工藝分，GaN器件則分為HEMT、HBT射頻工藝和SBD、Power FET電力電子器件工藝兩大類。
2019-02-03 12:54:0011330 目前射頻前端元器件基本均由半導(dǎo)體工藝制備，如手機端的功率放大器（PA）和低噪聲放大器（LNA）主要基于GaN、GaAs、SOI、SiGe、Si，射頻（RF）開關(guān)主要基于CMOS、Si、GaAs
2019-02-14 10:49:381650 傳統(tǒng)法是在磷酸鹽燃料電池的基礎(chǔ)上發(fā)展起來的。該方法具體制備工藝是：將Pt/C電催化劑與經(jīng)稀釋的PTFE溶液（或粉末）混合，制得分散均勻的催化劑漿料，采用噴涂的方法在擴散層的表面制備催化層，然后在80°C的真空烘箱中烘干，以便除去催化層中的有機溶劑。
2019-06-04 09:45:358470 近期，加州大學(xué)圣巴巴拉分校的研發(fā)人員基于傳統(tǒng)制備工藝，實現(xiàn)了多層可拉伸電路的制備，并成功制備了LED陣列的可拉伸化。這種工藝不但可以實現(xiàn)高達260%的最大拉伸效率，同時基于傳統(tǒng)工藝結(jié)合制備的方式也有非常大的商業(yè)化潛力。
2020-01-31 16:11:001998 科技半導(dǎo)體公司提出的GaN基復(fù)合襯底技術(shù)，結(jié)合企業(yè)自身的LED芯片技術(shù)，在大大提高LED出光效率的同時，還能大幅降低高端LED芯片的生產(chǎn)成本，改進現(xiàn)有LED的產(chǎn)業(yè)鏈結(jié)構(gòu)，同時該技術(shù)還可擴展應(yīng)用到GaN功率器件和MicroLED領(lǐng)域。
2020-04-17 16:37:573363 
企查查APP顯示，近日，華為技術(shù)有限公司公開一種“芯片及其制備方法、電子設(shè)備”專利，用于解決裸芯片上出現(xiàn)裂紋，導(dǎo)致裸芯片失效的問題。
2021-02-04 09:16:341975 
本章將介紹基本芯片生產(chǎn)工藝的概況，主要闡述4中最基本的平面制造工藝，分別是：薄膜制備工藝摻雜工藝光刻工藝熱處理工藝薄膜制備是在晶體表面形成薄膜的加工工藝。
2021-04-08 15:51:30140 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術(shù)，分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關(guān)鍵技術(shù)，提供了
2021-04-21 09:55:203870 
常規(guī)光纖的制備工藝稱為兩步法，即：預(yù)制棒制備和光纖拉制。保偏光纖的工藝過程要復(fù)雜一些，但是也需要從制備常規(guī)光纖的預(yù)制棒開始。 01 保偏光纖 預(yù)制棒的制備 兩步法的第一步是預(yù)制棒的制備，這一步采用
2021-04-27 09:11:402996 ），并在藍寶石襯底上制備了該器件結(jié)構(gòu)。 技術(shù)團隊對所制備的器件進行了電流-電壓測試，通過在器件側(cè)壁及臺面邊緣處制備場板結(jié)構(gòu)，有效降低了臺面邊緣處的電勢及電流密度［圖1（b）和（c）］，從而抑制了因刻蝕工藝導(dǎo)致的側(cè)壁缺陷對載流子的復(fù)合效應(yīng)
2021-07-14 16:46:55959 書籍：《炬豐科技-半導(dǎo)體工藝》 文章：III-V集成光子的制備 編號：JFKJ-21-212 作者：炬豐科技 摘要 ? 本文主要研究集成光子的制備工藝?；贗II-V半導(dǎo)體的器件，?這項工作涵蓋
2023-04-19 10:04:00130 
電子發(fā)燒友網(wǎng)報道（文/李誠）上一期文章講述了國外廠商主流的GaN快充主控芯片，其中安森美NCP1342解決方案被眾多廠商使用。其實，除了國外的GaN控制芯片，國內(nèi)的GaN控制芯片這幾年發(fā)展得也不錯
2021-09-18 09:49:533663 
光伏電池制備工藝-擴散(開關(guān)電源技術(shù)的節(jié)能意義)-光伏電池制備工藝-擴散? ? ? ? ? ? ? ? ??
2021-09-23 14:11:4919 該方法采用光刻技術(shù)在壓電襯底表面制備SU-8微流道。結(jié)合二氧化硅包覆工藝和PDMS（聚二甲基硅氧烷）工藝制備封閉的微流控通道，提供藥物的連續(xù)霧化，以提高微流控藥物霧化的沉積效率。
2022-07-10 15:05:48806 磁性微液滴是基于微流控技術(shù)制備的，微流道結(jié)構(gòu)尺寸設(shè)計采用L-Edit畫圖軟件完成，設(shè)計的微液滴生成區(qū)域的十字型流道結(jié)構(gòu)及尺寸示意圖如圖1所示，圖中D1為分散相入口微流道寬度，D2為流體出口微流道寬度，D3為連續(xù)相入口微流道寬度，d為制備的磁性微液滴的粒徑。
2022-08-17 10:20:054111 本文聊一下GaN芯片的制備工藝。
GaN-般都是用外延技術(shù)制備出來。GaN的外延工藝大家可以看看中村修二的書。
2022-10-19 11:53:401459 蒸鍍工藝通過高溫融化金屬材料，蒸發(fā)到基膜上實現(xiàn)鍍銅/鋁，相比于磁控濺射速度更快，效率更高，但由于高溫易使基膜變形，在鍍銅過程中較少使用；鋁的熔點遠低于銅，因此蒸鍍的溫度可以控制在相對更低的水平，可減少高溫使基膜變形等問題的發(fā)生，因此蒸鍍更適合復(fù)合鋁箔的制備。
2023-01-07 14:13:321119 二極管），并在藍寶石襯底上制備了該器件結(jié)構(gòu)。技術(shù)團隊對所制備的器件進行了電流-電壓測試[圖1(a)]，通過在器件側(cè)壁及臺面邊緣處制備場板結(jié)構(gòu)，有效降
低了臺面邊緣處的電勢及電流密度[圖1(b)和(c)]，從而抑制了因刻蝕工藝導(dǎo)致的側(cè)壁缺陷對載流子的復(fù)合效應(yīng)。
2023-02-27 15:50:380 傳統(tǒng)GaN-on-Si功率器件歐姆接觸主要采用Ti/Al/X/Au多層金屬體系，其中X金屬可為Ni，Mo，PT，Ti等。這種傳統(tǒng)有Au歐姆接觸通常采用高溫退火工藝（＞800℃），第1層Ti在常溫下
2023-04-29 16:46:00735 
通過濕法轉(zhuǎn)移二維材料與半導(dǎo)體襯底形成異質(zhì)結(jié)是一種常見的制備異質(zhì)結(jié)光電探測器的方法。在濕法轉(zhuǎn)移制備異質(zhì)結(jié)的過程中，不同的制備工藝細節(jié)對二維材料與半導(dǎo)體形成的異質(zhì)結(jié)的性能有顯著影響。
2023-05-26 10:57:21514 
隨著科技的不斷發(fā)展和進步，傳感器技術(shù)也在不斷創(chuàng)新和改進。其中，傳感器厚膜工藝術(shù)是一種比較新的工藝，具有廣泛的應(yīng)用前景和市場需求。本文將從傳感器厚膜工藝術(shù)的定義、原理、制備方法、特點、應(yīng)用等方面進行探討。
2023-06-07 09:20:14557 銅基復(fù)合材料的制備工藝與綜合性能，重點討論了各種制備工藝的特點、強化機制、構(gòu)型設(shè)計，總結(jié)了針對復(fù)合界面結(jié)合弱與石墨烯分散困難這2類主要技術(shù)難點的解決途徑，最后對石墨烯增強銅基復(fù)合材料的制備工藝進行了展望。
2023-06-14 16:23:483063 
光刻是制備碲鎘汞紅外探測器芯片過程中非常關(guān)鍵的工藝。
2023-06-18 09:04:49861 
寬禁帶半導(dǎo)體GaN能夠在更高電壓、更高頻率以及更高的溫度下工作，在高效功率轉(zhuǎn)換，射頻功放，以及極端環(huán)境電子應(yīng)用方面具有優(yōu)異的材料優(yōu)勢。
2023-08-09 16:10:10555 
半導(dǎo)體制造設(shè)備廠商DISCO Corporation（總部：東京都大田區(qū)；總裁：Kazuma Sekiya）采用了KABRA（一種使用激光加工的晶錠切片方法），并開發(fā)了一種針對GaN（氮化鎵）晶圓生產(chǎn)而優(yōu)化的工藝。通過該工藝，可以同時提高GaN晶圓片產(chǎn)量，并縮短生產(chǎn)時間。
2023-08-25 09:43:52435 
磷酸鐵鋰制備工藝多樣，主要分為固相法，液相法這兩大主流工藝。固相法是目前最成熟也是應(yīng)用最廣的磷酸鐵鋰合成方法，液相法工藝難度較大。今天小編給大家介紹幾種磷酸鐵鋰制備工藝方法：
2023-10-20 09:58:141339 
報告內(nèi)容包含：
微帶WBG MMIC工藝
GaN HEMT 結(jié)構(gòu)的生長
GaN HEMT 技術(shù)面臨的挑戰(zhàn)
2023-12-14 11:06:58178 
隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，垂直GaN功率器件逐漸憑借其優(yōu)勢逐漸應(yīng)用在更多的領(lǐng)域中。高質(zhì)量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎(chǔ)。
2023-12-27 09:32:54374 
氮化鎵芯片是一種新型的半導(dǎo)體材料，由于其優(yōu)良的電學(xué)性能，廣泛應(yīng)用于高頻電子器件和光電器件中。在氮化鎵芯片的生產(chǎn)工藝中，主要包括以下幾個方面：材料準備、芯片制備、工廠測試和封裝等。 首先，氮化鎵芯片
2024-01-10 10:09:41506 LED倒裝芯片的制備始于制備芯片的硅晶圓。晶圓通常是通過晶體生長技術(shù)，在高溫高壓的條件下生長出具有所需電特性的半導(dǎo)體材料，如氮化鎵（GaN）。
2024-02-06 16:36:432625 的 2.5D/3D 封裝技術(shù)可以實現(xiàn)芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復(fù)雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側(cè)壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質(zhì)量。在相對易于實現(xiàn)的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00119 
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