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半導(dǎo)體行業(yè)之刻蝕工藝

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5年半導(dǎo)體工藝研發(fā)求職

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2014-04-09 22:42:37

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大家好!       附件是半導(dǎo)體引線鍵合清洗工藝方案,請參考,謝謝!有問題聯(lián)系我:***  szldqxy@163.com
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蘇州晶淼專業(yè)生產(chǎn)半導(dǎo)體、光伏、LED等行業(yè)清洗腐蝕設(shè)備,可根據(jù)要求定制濕法腐蝕設(shè)備。晶淼半導(dǎo)體為國內(nèi)專業(yè)微電子、半導(dǎo)體行業(yè)腐蝕清洗設(shè)備供應(yīng)商,歡迎來電咨詢。電話:***,13771786452王經(jīng)理
2016-09-05 10:40:27

半導(dǎo)體濕法腐蝕設(shè)備

蘇州晶淼半導(dǎo)體設(shè)備有限公司致力于向客戶提供濕法制程刻蝕設(shè)備、清洗設(shè)備、高端PP/PVC通風(fēng)柜/廚、CDS化學(xué)品集中供液系統(tǒng)等一站式解決方案。我們的產(chǎn)品廣泛應(yīng)用與微電子、半導(dǎo)體、光伏、光通信、LED等
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N型半導(dǎo)體也稱為電子型半導(dǎo)體。N型半導(dǎo)體即自由電子濃度遠大于空穴濃度的雜質(zhì)半導(dǎo)體?!?在純凈的電子發(fā)燒友體中摻入五價元素(如磷),使取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半導(dǎo)體。在N型半導(dǎo)體
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【新加坡】知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管!

新加坡知名半導(dǎo)體晶圓代工廠招聘資深刻蝕工藝工程師和刻蝕設(shè)備主管!此職位為內(nèi)部推薦,深刻蝕工藝工程師需要有LAM 8寸機臺poly刻蝕經(jīng)驗。刻蝕設(shè)備主管需要熟悉LAM8寸機臺。待遇優(yōu)厚。有興趣的朋友可以將簡歷發(fā)到我的郵箱sternice81@gmail.com,我會轉(zhuǎn)發(fā)給HR。
2017-04-29 14:23:25

一眼看透中國半導(dǎo)體行業(yè)的真實水平

”。目前中國中微半導(dǎo)體的5 nm等離子體刻蝕機已經(jīng)通過臺積電驗證,與國際刻蝕機巨頭泛林、應(yīng)用材料、東京電子、日立屬于國際第一梯隊,屬于技術(shù)領(lǐng)先陣列,但是光刻機就差多了??v觀全球市場,占據(jù)著絕大部分
2019-08-10 14:36:57

為什么說移動終端發(fā)展引領(lǐng)了半導(dǎo)體工藝新方向?

哪種半導(dǎo)體工藝最適合某一指定應(yīng)用?對此,業(yè)界存在著廣泛的爭論。雖然某種特殊工藝技術(shù)能更好地服務(wù)一些應(yīng)用,但其它工藝技術(shù)也有很大的應(yīng)用空間。像CMOS、BiCMOS、砷化鎵(GaAs)、磷化銦(InP
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主流的射頻半導(dǎo)體制造工藝介紹

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仿真技術(shù)在半導(dǎo)體和集成電路生產(chǎn)流程優(yōu)化中的應(yīng)用

of process time)之比(稱作實際-理論率)來衡量二者的差距,發(fā)現(xiàn)這個比率在2.5倍和10倍之間波動,遠遠高于其他制造行業(yè)[3]。比率越大,越說明工藝處理流程的復(fù)雜和不確定。導(dǎo)致半導(dǎo)體
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關(guān)于石墨烯會不會給電子行業(yè)、半導(dǎo)體行業(yè)帶來革命?

石墨烯好像很厲害啊,將來會不會給電子行業(yè)、半導(dǎo)體行業(yè)帶來革命哦?
2012-02-06 02:24:48

創(chuàng)新是半導(dǎo)體行業(yè)新一輪增長的關(guān)鍵

從娛樂產(chǎn)品、通信設(shè)備、交通系統(tǒng),到節(jié)能應(yīng)用和醫(yī)療保健設(shè)備,在這些徹底改變我們的日常生活方式的全新應(yīng)用領(lǐng)域中,半導(dǎo)體技術(shù)日益普及,并發(fā)揮著關(guān)鍵作用,這意味著半導(dǎo)體行業(yè)的成功較其它行業(yè)更依賴于半導(dǎo)體企業(yè)
2011-03-22 17:43:00

單片機晶圓制造工藝及設(shè)備詳解

今日分享晶圓制造過程中的工藝及運用到的半導(dǎo)體設(shè)備。晶圓制造過程中有幾大重要的步驟:氧化、沉積、光刻、刻蝕、離子注入/擴散等。這幾個主要步驟都需要若干種半導(dǎo)體設(shè)備,滿足不同的需要。設(shè)備中應(yīng)用較為廣泛
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國產(chǎn)設(shè)備如何立足半導(dǎo)體市場

。從產(chǎn)業(yè)政策方面講,國家對設(shè)備制造業(yè)的支持力度也不夠大,研發(fā)投入少得可憐。而且,國內(nèi)設(shè)備制造業(yè)與工藝生產(chǎn)相脫節(jié),缺乏工藝方面的支撐,其研發(fā)周期相對較長。更為重要的是,長期以來,我國半導(dǎo)體設(shè)備行業(yè)落后
2008-08-16 23:05:04

常見的射頻半導(dǎo)體工藝,你知道幾種?

變化。SiGeBiCMOS工藝技術(shù)幾乎與硅半導(dǎo)體超大規(guī)模集成電路(VLSI)行業(yè)中的所有新技術(shù)兼容,包括絕緣體硅(SOI)技術(shù)和溝道隔離技術(shù)。不過硅鍺要想取代砷化鎵的地位還需要繼續(xù)在擊穿電壓、截止頻率
2016-09-15 11:28:41

我國半導(dǎo)體業(yè)離世界強國尚有不短的路程

  中國集成電路行業(yè)發(fā)展自主創(chuàng)新,亟欲擺脫西方發(fā)達國家的制約,究竟距離世界強國還有多遠?半導(dǎo)體行業(yè)資深專家莫大康日前認為,中國半導(dǎo)體業(yè)離世界強國尚有不短的路程,至少還需10年以上時間?! ≈袊?b class="flag-6" style="color: red">半導(dǎo)體
2017-05-27 16:03:53

振奮!中微半導(dǎo)體國產(chǎn)5納米刻蝕機助力中國芯

,以及在下面緊貼著抗蝕膜的一層硅。刻蝕(英語:etching)是半導(dǎo)體器件制造中利用化學(xué)途徑選擇性地移除沉積層特定部分的工藝。刻蝕對于器件的電學(xué)性能十分重要。如果刻蝕過程中出現(xiàn)失誤,將造成難以恢復(fù)
2017-10-09 19:41:52

摩爾定律推動了整個半導(dǎo)體行業(yè)的變革

行業(yè)的“傳奇定律”——摩爾定律就此誕生,它不僅揭示了信息技術(shù)進步的速度,更在接下來的半個實際中,猶如一只無形大手般推動了整個半導(dǎo)體行業(yè)的變革。
2019-07-01 07:57:50

有關(guān)半導(dǎo)體工藝的問題

問個菜的問題:半導(dǎo)體(或集成電路)工藝   來個人講講 半導(dǎo)體工藝 集成電路工藝工藝 CMOS工藝的概念和區(qū)別以及聯(lián)系吧。查了一下:集成電路工藝(integrated
2009-09-16 11:51:34

標(biāo)題:群“芯”閃耀的半導(dǎo)體行業(yè)

發(fā)展水平還比較落后,低端產(chǎn)品大量出口,高端產(chǎn)品需大量進口; 三是行業(yè)結(jié)構(gòu)“頭輕腳重”,位于中上游的設(shè)計,制造業(yè)占比很低,下游的封裝業(yè)占比很高。預(yù)計未來幾年,半導(dǎo)體制造工藝的快速發(fā)展和技術(shù)進步是推動我們市場
2008-09-23 15:43:09

汽車半導(dǎo)體行業(yè)2012年或?qū)⒒緦崿F(xiàn)復(fù)蘇

半導(dǎo)體行業(yè)高管近期紛紛表態(tài),由于商家?guī)齑嬲霈F(xiàn)下降跡象,半導(dǎo)體行業(yè)或?qū)⒂瓉韽?fù)蘇的第一縷曙光。ARM CEO伊斯特說,他預(yù)計智能手機在2012年將有顯著的增長,但也承認半導(dǎo)體行業(yè)的復(fù)蘇將受到經(jīng)濟形勢
2012-01-15 10:07:58

淺析化合物半導(dǎo)體技術(shù)

美元增長到2022年25億美元1。此外,隨著通信行業(yè)對器件性能的要求逐漸提高,GaN、GaAs等化合物半導(dǎo)體器件的優(yōu)勢逐漸顯現(xiàn),傳統(tǒng)硅工藝器件逐漸被取代,預(yù)計到2025年,化合物半導(dǎo)體將占據(jù)射頻器件市場份額的80%以上。
2019-06-13 04:20:24

芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實用教程

芯片制造-半導(dǎo)體工藝制程實用教程學(xué)習(xí)筆記[/hide]
2009-11-18 11:44:51

蘇州華林科納半導(dǎo)體設(shè)備技術(shù)有限公司招賢納士

;2、具體半導(dǎo)體光刻、鍍膜、化學(xué)清洗、刻蝕工藝經(jīng)歷,具有相關(guān)半導(dǎo)體設(shè)備使用經(jīng)歷。任職條件: 1、大學(xué)本科學(xué)歷(含)以上, 理工科專業(yè);2、微電子學(xué)和固體電子學(xué)、物理、化學(xué)、半導(dǎo)體器件專業(yè)優(yōu)先考慮3
2016-10-26 17:05:04

請教碳化硅刻蝕工藝

最近需要用到干法刻蝕技術(shù)去刻蝕碳化硅,采用的是ICP系列設(shè)備,刻蝕氣體使用的是SF6+O2,碳化硅上面沒有做任何掩膜,就是為了去除SiC表面損傷層達到表面改性的效果。但是實際刻蝕過程中總是會在碳化硅
2022-08-31 16:29:50

賽普拉斯半導(dǎo)體Hassane

By Dylan McGrath, 05.03.19作者:Dylan McGrath時間:2019年5月3日編者按:《EE Times》推出了“半導(dǎo)體行業(yè)領(lǐng)軍企業(yè)CEO及高管人物”系列文章,將著重介紹行業(yè)領(lǐng)袖們的前行動力及其加入電子行業(yè)的初衷所在。本文是該系列文章的開篇之作。
2019-07-29 08:28:41

適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況介紹

,元素半導(dǎo)體指硅、鍺單一元素形成的半導(dǎo)體,化合物指砷化鎵、磷化銦等化合物形成的半導(dǎo)體。隨著無線通信的發(fā)展,高頻電路應(yīng)用越來越廣,今天我們來介紹適合用于射頻、微波等高頻電路的半導(dǎo)體材料及工藝情況。
2019-06-27 06:18:41

半導(dǎo)體制造刻蝕設(shè)備調(diào)度算法的研究_賈小恒

半導(dǎo)體制造刻蝕設(shè)備調(diào)度算法的研究_賈小恒
2017-03-19 11:28:162

泛林集團自維護設(shè)備創(chuàng)半導(dǎo)體行業(yè)工藝流程生產(chǎn)率新紀(jì)錄

全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造設(shè)備及服務(wù)供應(yīng)商泛林集團宣布其自維護設(shè)備創(chuàng)下半導(dǎo)體行業(yè)工藝流程生產(chǎn)率的新標(biāo)桿。通過與領(lǐng)先半導(dǎo)體制造商合作,泛林集團成功實現(xiàn)了刻蝕工藝平臺全年無間斷運行。
2019-05-15 17:49:27998

中微半導(dǎo)體獲長江存儲9臺刻蝕設(shè)備訂單

據(jù)浦東時報報道,2020年開年,中微半導(dǎo)體成功中標(biāo)長江存儲9臺刻蝕設(shè)備訂單。
2020-01-08 10:49:094292

中微半導(dǎo)體5nm刻蝕機成功打入臺積電生產(chǎn)線

刻蝕半導(dǎo)體制造中十分關(guān)鍵的一環(huán),刻蝕通過物理或化學(xué)方法將硅片表面不需要的材料去除,從而將掩膜圖形正確的復(fù)制到涂膠硅片上。
2021-02-23 16:41:573382

半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理

半導(dǎo)體工藝化學(xué)原理。
2021-03-19 17:07:23111

干法刻蝕工藝介紹

刻蝕半導(dǎo)體IC制造中的至關(guān)重要的一道工藝,一般有干法刻蝕和濕法刻蝕兩種,干法刻蝕和濕法刻蝕一個顯著的區(qū)別是各向異性,更適合用于對形貌要求較高的工藝步驟。
2022-06-13 14:43:316

功率半導(dǎo)體分立器件工藝流程

功率半導(dǎo)體分立器件的主要工藝流程包括:在硅圓片上加工芯片(主要流程為薄膜制造、曝光和刻蝕),進行芯片封裝,對加工完畢的芯片進行技術(shù)性能指標(biāo)測試,其中主要生產(chǎn)工藝有外延工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、離子注入工藝和擴散工藝等。
2023-02-24 15:34:133185

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(1)

等離子體最初用來刻蝕含碳物質(zhì),例如用氧等離子體剝除光刻膠,這就是所謂的等離子體剝除或等離子體灰化。等離子體中因高速電子分解碰撞產(chǎn)生的氧原子自由基會很快與含碳物質(zhì)中的碳和氫反應(yīng),形成易揮發(fā)的co,co2和h2o并且將含碳物質(zhì)有效地從表面移除。這個過程是在帶有刻蝕隧道的桶狀系統(tǒng)中進行的(見下圖)。
2023-03-06 13:50:481074

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(2)

嚴(yán)重的離子轟擊將產(chǎn)生大量的熱量,所以如果沒有適當(dāng)?shù)睦鋮s系統(tǒng),晶圓溫度就會提高。對于圖形化刻蝕,晶圓上涂有一層光刻膠薄膜作為圖形屏蔽層,如果晶圓溫度超過150攝氏度,屏蔽層就會被燒焦,而且化學(xué)刻蝕速率
2023-03-06 13:52:33827

半導(dǎo)體刻蝕工藝簡述(3)

對于濕法刻蝕,大部分刻蝕的終點都取決于時間,而時間又取決于預(yù)先設(shè)定的刻蝕速率和所需的刻蝕厚度。由于缺少自動監(jiān)測終點的方法,所以通常由操作員目測終點。濕法刻蝕速率很容易受刻蝕劑溫度與濃度的影響,這種影響對不同工作站和不同批量均有差異,因此單獨用時間決定刻蝕終點很困難,一般釆用操作員目測的方式。
2023-03-06 13:56:031773

半導(dǎo)體行業(yè)刻蝕工藝技術(shù)

DRAM柵工藝中,在多晶硅上使用鈣金屬硅化物以減少局部連線的電阻。這種金屬硅化物和多晶硅的堆疊薄膜刻蝕需要增加一道工藝刻蝕W或WSi2,一般先使用氟元素刻蝕鈞金屬硅化合物層,然后再使用氯元素刻蝕多晶硅。
2023-04-07 09:48:162200

半導(dǎo)體行業(yè)刻蝕工藝介紹

金屬刻蝕具有良好的輪廓控制、殘余物控制,防止金屬腐蝕很重要。金屬刻蝕時鋁中如果 有少量銅就會引起殘余物問題,因為Cu Cl2的揮發(fā)性極低且會停留在晶圓表面。
2023-04-10 09:40:542330

半導(dǎo)體行業(yè)刻蝕工藝介紹

壓力主要控制刻蝕均勻性和刻蝕輪廓,同時也能影響刻蝕速率和選擇性。改變壓力會改變電子和離子的平均自由程(MFP),進而影響等離子體和刻蝕速率的均勻性。
2023-04-17 10:36:431922

半導(dǎo)體工藝之金屬布線工藝介紹

本篇要講的金屬布線工藝,與前面提到的光刻、刻蝕、沉積等獨立的工藝不同。在半導(dǎo)體制程中,光刻、刻蝕工藝,其實是為了金屬布線才進行的。在金屬布線過程中,會采用很多與之前的電子元器件層性質(zhì)不同的配線材料(金屬)。
2023-04-25 10:38:49986

金屬布線的工藝半導(dǎo)體注入生命的連接

經(jīng)過氧化、光刻、刻蝕、沉積等工藝,晶圓表面會形成各種半導(dǎo)體元件。半導(dǎo)體制造商會讓晶圓表面布滿晶體管和電容(Capacitor);
2023-04-28 10:04:52532

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕簡析

圖案化工藝包括曝光(Exposure)、顯影(Develope)、刻蝕(Etching)和離子注入等流程。
2023-04-28 11:24:271074

半導(dǎo)體前端工藝刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

半導(dǎo)體制程工藝中,有很多不同名稱的用于移除多余材料的工藝,如“清洗”、“刻蝕”等。如果說“清洗”工藝是把整張晶圓上多余的不純物去除掉,“刻蝕工藝則是在光刻膠的幫助下有選擇性地移除不需要的材料,從而創(chuàng)建所需的微細圖案。半導(dǎo)體刻蝕工藝所采用的氣體和設(shè)備,在其他類似工藝中也很常見。
2023-06-15 17:51:571181

半導(dǎo)體圖案化工藝流程之刻蝕(一)

Dimension, CD)小型化(2D視角),刻蝕工藝從濕法刻蝕轉(zhuǎn)為干法刻蝕,因此所需的設(shè)備和工藝更加復(fù)雜。由于積極采用3D單元堆疊方法,刻蝕工藝的核心性能指數(shù)出現(xiàn)波動,從而刻蝕工藝與光刻工藝成為半導(dǎo)體制造的重要工藝流程之一。
2023-06-26 09:20:10816

半導(dǎo)體前端工藝之沉積工藝

在前幾篇文章(點擊查看),我們一直在借用餅干烘焙過程來形象地說明半導(dǎo)體制程 。在上一篇我們說到,為制作巧克力夾心,需通過“刻蝕工藝”挖出餅干的中間部分,然后倒入巧克力糖漿,再蓋上一層餅干層?!暗谷肭煽肆μ菨{”和“蓋上餅干層”的過程在半導(dǎo)體制程中就相當(dāng)于“沉積工藝”。
2023-06-29 16:56:17830

半導(dǎo)體工藝之金屬互連工藝

半導(dǎo)體同時具有“導(dǎo)體”的特性,因此允許電流通過,而絕緣體則不允許電流通過。離子注入工藝將雜質(zhì)添加到純硅中,使其具有導(dǎo)電性能。我們可以根據(jù)實際需要使半導(dǎo)體導(dǎo)電或絕緣。 重復(fù)光刻、刻蝕和離子注入步驟會在
2023-07-03 10:21:572170

干法刻蝕工藝介紹 硅的深溝槽干法刻蝕工藝方法

第一種是間歇式刻蝕方法(BOSCH),即多次交替循環(huán)刻蝕和淀積工藝,刻蝕工藝使用的是SF6氣體,淀積工藝使用的是C4F8氣體
2023-07-14 09:54:463214

半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形

半導(dǎo)體前端工藝(第四篇):刻蝕——有選擇性地刻蝕材料,以創(chuàng)建所需圖形
2023-11-27 16:54:26256

半導(dǎo)體制造技術(shù)之刻蝕工藝

W刻蝕工藝中使用SF6作為主刻步氣體,并通過加入N2以增加對光刻膠的選擇比,加入O2減少碳沉積。在W回刻工藝中分為兩步,第一步是快速均勻地刻掉大部分W,第二步則降低刻蝕速率減弱負載效應(yīng),避免產(chǎn)生凹坑,并使用對TiN有高選擇比的化學(xué)氣體進行刻蝕。
2023-12-06 09:38:531538

北方華創(chuàng)公開“刻蝕方法和半導(dǎo)體工藝設(shè)備”相關(guān)專利

該專利詳細闡述了一種針對含硅有機介電層的高效刻蝕方法及相應(yīng)的半導(dǎo)體工藝設(shè)備。它主要涉及到通過交替運用至少兩個刻蝕步驟來刻蝕含硅有機介電層。這兩個步驟分別為第一刻蝕步驟和第二刻蝕步驟。
2023-12-06 11:58:16370

智程半導(dǎo)體完成股權(quán)融資,專注半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研發(fā)

智程半導(dǎo)體自2009年起致力于半導(dǎo)體濕法工藝設(shè)備研究、生產(chǎn)與銷售事業(yè),10余載研發(fā)歷程,使得其已成為全球頂尖的半導(dǎo)體濕法設(shè)備供應(yīng)商。業(yè)務(wù)范圍包括清洗、去膠、濕法刻蝕、電鍍、涂膠顯影、金屬剝離等多種設(shè)備,廣泛應(yīng)用于各種高尖端產(chǎn)品領(lǐng)域。
2024-01-12 14:55:23637

刻蝕終點探測進行原位測量

使用SEMulator3D?工藝步驟進行刻蝕終點探測 作者:泛林集團 Semiverse Solutions 部門軟件應(yīng)用工程師 Pradeep Nanja 介紹 半導(dǎo)體行業(yè)一直專注于使用先進的刻蝕
2024-01-19 16:02:42130

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