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電子發(fā)燒友網(wǎng)>制造/封裝>3種典型封裝+互連技術(shù)

3種典型封裝+互連技術(shù)

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BGA——一封裝技術(shù)

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LED封裝技術(shù)

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PCB互連的電磁兼容問(wèn)題

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【電子書(shū)】數(shù)字信號(hào)完整性:互連封裝的建模與仿真

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BGA封裝的安裝技術(shù)及評(píng)定

楊建生(天水華天微電子有限公司)摘 要:本丈主要敘述了兩BGA封裝(BGA—P 225個(gè)管腳和BGA—T 426個(gè)管腳)的安裝技術(shù)及可靠性方面的評(píng)定。關(guān)鍵詞:BGA—P封裝 BGA—T封裝 安裝
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優(yōu)化封裝之鍵合線封裝中的兩個(gè)主要不連續(xù)區(qū)

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互連技術(shù)

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互連技術(shù)發(fā)展面臨的難點(diǎn)

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互連技術(shù)的展望

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互連技術(shù)的研究進(jìn)展

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互連有什么優(yōu)勢(shì)?

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2018-09-12 15:15:28

新型芯片封裝技術(shù)

2新型的芯片封裝技術(shù)介紹在計(jì)算機(jī)內(nèi)存產(chǎn)品工藝中,內(nèi)存的封裝技術(shù)是內(nèi)存制造工藝中最關(guān)鍵一步,采用不同封裝技術(shù)的內(nèi)存條,在性能上存在較大差距。只有高品質(zhì)的封裝技術(shù)才能生產(chǎn)出完美的內(nèi)存產(chǎn)品。本文就主要
2009-04-07 17:14:08

新型銅互連方法—電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究進(jìn)展

新型銅互連方法—電化學(xué)機(jī)械拋光技術(shù)研究進(jìn)展多孔低介電常數(shù)的介質(zhì)引入硅半導(dǎo)體器件給傳統(tǒng)的化學(xué)機(jī)械拋光(CMP)技術(shù)帶來(lái)了巨大的挑戰(zhàn),低k 介質(zhì)的脆弱性難以承受傳統(tǒng)CMP 技術(shù)所施加的機(jī)械力。一結(jié)合了
2009-10-06 10:08:07

滿足供電需求的新型封裝技術(shù)和MOSFET

` 本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 09:50 編輯 在小尺寸器件中驅(qū)動(dòng)更高功率得益于半導(dǎo)體和封裝技術(shù)的進(jìn)步。一采用頂部散熱標(biāo)準(zhǔn)封裝形式的新型功率MOSFET就使用了新一代
2012-12-06 14:32:55

電力電子集成模塊封裝構(gòu)成與研究重點(diǎn)

真正將集成模塊的概念付諸實(shí)現(xiàn),在很大程度上取決于集成和封裝的工藝技術(shù)。1傳統(tǒng)封裝結(jié)構(gòu)與互連方式存在的主要問(wèn)題1 封裝技術(shù)是研究電力電子集成模塊的核心問(wèn)題電力電子集成的基本思路可以分成單片集成和多芯片
2018-08-28 11:58:28

電子封裝技術(shù)最新進(jìn)展

市場(chǎng)的不斷壯大,推動(dòng)著倒裝片封裝技術(shù)的發(fā)展,預(yù)計(jì)倒裝片封裝的數(shù)量將會(huì)增大,到2005年將會(huì)達(dá)到40-45億塊。 (3)多芯片模塊(MCM) MCM是90年代興起的一混合微電子組裝技術(shù),它是在高密度
2018-08-23 12:47:17

簡(jiǎn)述芯片封裝技術(shù)

表面安裝技術(shù)在PCB上安裝布線;  2.封裝外形尺寸小,寄生參數(shù)減小,適合高頻應(yīng)用;  3.操作方便;  4.可靠性高?! ≡谶@期間,Intel公司的CPU,如Intel 80386就采用塑料四邊引出
2018-09-03 09:28:18

納電子封裝的基本概念和發(fā)展現(xiàn)狀

超高的熱傳導(dǎo)率使納米管的溫度非常接近熱源的溫度,所以流過(guò)碳納米管的液體不需要很大的速度就可以帶走極大的熱量。對(duì)于納封裝來(lái)講,碳納米管是一極具前途的封裝材料(圖2 [8])。納芯片封裝中的互連技術(shù)更加
2018-08-28 15:49:18

芯片封裝

;第三是在2D封裝的基礎(chǔ)上,把多個(gè)裸芯片、封裝芯片、多芯片組件甚至圓片進(jìn)行疊層互連,構(gòu)成立體封裝,這種結(jié)構(gòu)稱作疊層型3D封裝。原因有兩個(gè)。一是巨大的手機(jī)和其它消費(fèi)類產(chǎn)品市場(chǎng)的驅(qū)動(dòng),要求在增加功能的同時(shí)減薄
2023-12-11 01:02:56

芯片封裝技術(shù)介紹

、半導(dǎo)體集成電路技術(shù)于一體,是典型的垂直集成技術(shù),對(duì)半導(dǎo)體器件來(lái)說(shuō),它是典型的柔型封裝技術(shù),是一電路的集成。MCM的出現(xiàn)使電子系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)小型化、模塊化、低功耗、高可靠性提供了更有效的技術(shù)保障[5]。 MCM
2018-11-23 16:59:52

芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡(jiǎn)介教程

芯片封裝鍵合技術(shù)各種微互連方式簡(jiǎn)介微互連技術(shù)簡(jiǎn)介定義:將芯片凸點(diǎn)電極與載帶的引線連接,經(jīng)過(guò)切斷、沖壓等工藝封裝而成。載帶:即帶狀載體,是指帶狀絕緣薄膜上載有由覆 銅箔經(jīng)蝕刻而形成的引線框架,而且芯片
2012-01-13 14:58:34

解決背板互連中信號(hào)完整性問(wèn)題的兩方案

  隨著高帶寬業(yè)務(wù)需求的快速增加,以及滿足高速度和性能的新系統(tǒng)開(kāi)發(fā)的增多,在這些互連中的信號(hào)完整性變成了在部署高速通信鏈路和業(yè)務(wù)時(shí)的基本要求,也是工程師面臨的主要挑戰(zhàn)之一。本文介紹兩簡(jiǎn)單的信號(hào)
2015-03-10 10:59:12

請(qǐng)問(wèn)Ultrascale FPGA中單片和下一代堆疊硅互連技術(shù)是什么意思?

大家好, 在Ultrascale FPGA中,使用單片和下一代堆疊硅互連(SSI)技術(shù)編寫(xiě)。 “單片和下一代堆疊硅互連(SSI)技術(shù)”是什么意思?謝謝娜文G K.
2020-04-27 09:29:55

降低PCB互連設(shè)計(jì)RF效應(yīng)的技巧和方法

成為限制互連密度增長(zhǎng)的因素。會(huì)議上提出了一個(gè)創(chuàng)新的解決方案,即采用芯片內(nèi)部的本地?zé)o線發(fā)射器將數(shù)據(jù)傳送到鄰近的電路板上。無(wú)論此方案是否有效,與會(huì)人員都非常清楚:就高頻應(yīng)用而言,IC設(shè)計(jì)技術(shù)已遠(yuǎn)遠(yuǎn)領(lǐng)先于
2018-09-13 15:53:21

集成電路芯片封裝與測(cè)試技術(shù)考試題【發(fā)燒友獨(dú)家奉獻(xiàn)】

與電路板互連方式,封裝可分為引腳插入型(PTH)和兩大類。 3、芯片封裝所使用的材料有許多,其中金屬主要為材料。4、技術(shù)的出現(xiàn)解決了芯片小而封裝大的矛盾。 5、在芯片貼裝工藝中要求:己切割下來(lái)的芯片要貼裝到
2012-01-13 11:23:00

高速PCB互連設(shè)計(jì)中的測(cè)試技術(shù)

珠)的建模已經(jīng)在業(yè)界推廣,其方法已經(jīng)較為完善。 3互連設(shè)計(jì)的重點(diǎn)向封裝移動(dòng),板級(jí)分析已經(jīng)較為成熟,同步開(kāi)關(guān)噪聲的仿真與測(cè)試逐漸成為業(yè)界關(guān)注的問(wèn)題。 4. 抖動(dòng)(Jitter)的測(cè)試方法及標(biāo)準(zhǔn)逐漸
2009-10-13 17:45:09

高速PCB互連設(shè)計(jì)中的測(cè)試技術(shù)知多少

界已經(jīng)有很多應(yīng)用,不再是分析工作中的難點(diǎn)?! ?. 電容和電感(磁珠)的建模已經(jīng)在業(yè)界推廣,其方法已經(jīng)較為完善?! ?b class="flag-6" style="color: red">3. PCB互連設(shè)計(jì)的重點(diǎn)向封裝移動(dòng),板級(jí)分析已經(jīng)較為成熟,同步開(kāi)關(guān)噪聲的仿真與測(cè)試逐漸
2015-01-07 14:27:49

基于TIT MS32 0 C64x的多DSP芯片互連技術(shù)

提出了以TI TMS320C64x DSP為核心處理器的多DSP芯片間的幾種互連方式及其優(yōu)缺點(diǎn)。同時(shí)詳細(xì)討論三種典型互連方式,這些互連技術(shù)可以廣泛應(yīng)用于3G無(wú)線通信的基帶處理中。這幾種
2009-05-09 14:46:3813

3D封裝技術(shù)能否成為國(guó)產(chǎn)芯片的希望?#芯片封裝

封裝技術(shù)芯片封裝3D封裝國(guó)產(chǎn)芯片
面包車發(fā)布于 2022-08-10 11:00:26

硅通孔互連技術(shù)的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用

硅通孔互連技術(shù)的開(kāi)發(fā)與應(yīng)用封國(guó)強(qiáng) 蔡堅(jiān) 王水弟(清華大學(xué)微電子學(xué)研究所,北京,100084,中國(guó))摘要:隨著三維疊層封裝、MEMS 封裝、垂直集成傳感器陣列以及臺(tái)面MOS 功
2009-12-14 11:35:449

MCM(MCP)封裝測(cè)試技術(shù)及產(chǎn)品

MCM(MCP)封裝測(cè)試技術(shù)及產(chǎn)品:南通富士通的MCM 封裝測(cè)試技術(shù)是利用陶瓷基板或硅基板作為芯片間的互連,將二片以上的超大規(guī)模集成電路芯片安裝在多層互連基板上,再用金絲與金屬
2009-12-17 14:47:0015

集成電路片內(nèi)銅互連技術(shù)的發(fā)展

摘要:論述了銅互連取代鋁互連的主要考慮,介紹了銅及其合金的淀積、銅圖形化方法、以及銅與低介電常教材料的集成等。綜述了ULSI片內(nèi)銅互連技術(shù)的發(fā)展現(xiàn)狀。關(guān)鍵詞;集成
2010-05-04 10:27:2814

高速PCB互連設(shè)計(jì)中的測(cè)試技術(shù)

高速PCB互連設(shè)計(jì)中的測(cè)試技術(shù) 互連設(shè)計(jì)技術(shù)包括測(cè)試、仿真以及各種相關(guān)標(biāo)準(zhǔn),其中測(cè)試是驗(yàn)證各種仿真分析結(jié)果的方法和手段。優(yōu)秀的測(cè)試方法和手段是保證互連設(shè)
2009-10-10 16:18:02566

基于高性能多DSP互連技術(shù)

基于高性能多DSP互連技術(shù)  由于現(xiàn)代數(shù)字信號(hào)處理器(dsp)設(shè)計(jì)、半導(dǎo)體工藝、并行處理和互連與傳輸技術(shù)的進(jìn)步,現(xiàn)代高性能dsp的處理能力得到極大發(fā)展。但在移動(dòng)通
2010-03-03 16:26:27890

電子封裝互連中的電遷移

隨著電子產(chǎn)品不斷向微型化和多功能化發(fā)展,電子封裝互連中的電遷移問(wèn)題日益突出,已成為影響產(chǎn)品可靠性和耐久性的重要因素.本文在回顧鋁、銅及其合金互連引線中電遷移問(wèn)題
2011-10-26 16:37:0333

3D IC集成與硅通孔TSV互連

重點(diǎn)討論了垂直互連的硅通孔(TSV)互連工藝的關(guān)鍵技術(shù)及其加工設(shè)備面臨的挑戰(zhàn).提出了工藝和設(shè)備開(kāi)發(fā)商的應(yīng)對(duì)措施并探討了3DTSV封裝技術(shù)的應(yīng)用前景。
2011-12-07 10:59:2388

WLCSP封裝是一非常小型的半導(dǎo)體芯片封裝方式

封裝
YS YYDS發(fā)布于 2023-06-19 18:57:55

詳解TSV(硅通孔技術(shù)封裝技術(shù)

硅通孔技術(shù)(Through Silicon Via, TSV)技術(shù)是一項(xiàng)高密度封裝技術(shù),正在逐漸取代目前工藝比較成熟的引線鍵合技術(shù),被認(rèn)為是第四代封裝技術(shù)。TSV技術(shù)通過(guò)銅、鎢、多晶硅等導(dǎo)電物質(zhì)
2016-10-12 18:30:2714721

并行光互連技術(shù)的全解析

并行光互連技術(shù) 伴隨著數(shù)字化的進(jìn)程,數(shù)據(jù)的處理、存儲(chǔ)和傳輸?shù)玫搅孙w速的發(fā)展。高帶寬的需求使得短距互聯(lián)成了系統(tǒng)發(fā)展的瓶頸。受損耗和串?dāng)_等因素的影響,基于銅線的電互聯(lián)的高帶寬情況下的傳輸距離受到了限制
2017-11-06 16:43:2110

Intel公開(kāi)三項(xiàng)全新封裝技術(shù) 靈活、高能集成多芯片

利用利用高密度的互連技術(shù),將EMIB(嵌入式多芯片互連橋接) 2D封裝和Foveros 3D封裝技術(shù)結(jié)合在一起,實(shí)現(xiàn)高帶寬、低功耗,以及相當(dāng)有競(jìng)爭(zhēng)力的I/O密度。
2019-07-12 09:47:332829

高速BGA封裝與PCB差分互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)與優(yōu)化

目前國(guó)內(nèi)外學(xué)者對(duì)于板級(jí)信號(hào)完整性問(wèn)題的研究仍多集中于水平傳輸線或者單個(gè)過(guò)孔的建模與仿真,頻率大多在20 GHz以內(nèi)。對(duì)于包括過(guò)孔、傳輸線的差分互連結(jié)構(gòu)的傳輸性能以及耦合問(wèn)題研究較少。并沒(méi)有多少技術(shù)去減少封裝與PCB互連區(qū)域垂直過(guò)孔間的串?dāng)_。
2020-09-02 13:40:232402

IGBT功率模塊封裝中先進(jìn)互連技術(shù)研究進(jìn)展

隨著新一代 IGBT 芯片結(jié)溫及功率密度的提高,對(duì)功率電子模塊及其封裝技術(shù)的要求也越來(lái)越高。文 章主要介紹了功率電子模塊先進(jìn)封裝互連技術(shù)的最新發(fā)展趨勢(shì),重點(diǎn)比較了芯片表面互連、貼片焊接互連、導(dǎo)電
2022-05-06 15:15:556

VLSI和ULSI的多層互連技術(shù)

件的技術(shù),并且在第3章中我們描述了互連材料和Si襯底間接觸孔的制造。本章將涉及 互連結(jié)構(gòu)本身的制造技術(shù)
2022-08-09 16:02:290

高速BGA封裝與PCB差分互連結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)

針對(duì)高速BGA封裝與PCB差分互連結(jié)構(gòu)進(jìn)行設(shè)計(jì)與優(yōu)化,著重分析封裝與PCB互連區(qū)域差分布線方式,信號(hào)布局方式,信號(hào)孔/地孔比,布線層與過(guò)孔殘樁這四個(gè)方面對(duì)高速差分信號(hào)傳輸性能和串?dāng)_的具體影響。
2022-08-26 16:32:04534

基于高溫共燒陶瓷基板的三維互連技術(shù)

三維集成電路是在二維 MMCM 的基礎(chǔ)上,將傳統(tǒng)二維組裝和互連技術(shù)向三維發(fā)展而實(shí)現(xiàn)的三維立體結(jié)構(gòu)的微波電路。在三維微波組件的研制中,許多新材料、新封裝和新互連工藝得到了廣泛應(yīng)用。
2022-11-16 16:02:581098

封裝工藝流程--芯片互連技術(shù)

封裝工藝流程--芯片互連技術(shù)
2022-12-05 13:53:521719

嵌入式互連技術(shù):RapidIO和傳統(tǒng)互連技術(shù)對(duì)比

邏輯層定義了操作協(xié)議;傳輸層定義了包交換、路由和尋址機(jī)制;物理層定義了電氣特性、鏈路控制和糾錯(cuò)重傳等。 象以太網(wǎng)一樣,RapidIO也是基于包交換的互連技術(shù)。
2022-12-08 10:36:45378

一文詳解封裝互連技術(shù)

封裝互連是指將芯片I/0端口通過(guò)金屬引線,金屬凸點(diǎn)等與封裝載體相互連接,實(shí)現(xiàn)芯片的功能引出。封裝互連主要包括引線鍵合( Wire Bonding, WB)載帶自動(dòng)鍵合(Tape Automated Bonding,TAB)和倒裝焊 (Flip Chip Bonding)。
2023-04-03 15:12:202881

基于HFSS的3D多芯片互連封裝MMIC仿真設(shè)計(jì)

相對(duì)于傳統(tǒng)平面型的金絲鍵合焊接的MMIC應(yīng)用,三維(3D)多芯片互連封裝MMIC以其高集成度、低損耗、高可靠性等性能優(yōu)勢(shì),正逐步在先進(jìn)電路與系統(tǒng)中得到應(yīng)用。而3D封裝引入的復(fù)雜電磁耦合效應(yīng),在傳統(tǒng)
2023-08-30 10:02:071408

先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展

先進(jìn)封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進(jìn)展
2023-09-06 11:16:42536

互連在先進(jìn)封裝中的重要性

互連技術(shù)封裝的關(guān)鍵和必要部分。芯片通過(guò)封裝互連,以接收功率、交換信號(hào)并最終進(jìn)行操作。由于半導(dǎo)體產(chǎn)品的速度、密度和功能隨互連方式的不同而不同,互連方法也在不斷變化和發(fā)展。
2023-11-23 15:13:58181

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