中國科學(xué)家自主研制成功新型光刻機

　　記者２３日從中科院光電技術(shù)研究所獲悉，該所微電子專用設(shè)備研發(fā)團隊自主研制成功紫外納米壓印光刻機。

　　據(jù)中科院光電所微電子裝備總體研究室主任胡松介紹，該所自主研發(fā)的新型光刻機，將納米壓印這一新型高分辨力光刻技術(shù)，與具有低成本、高效率特點的紫外光刻技術(shù)有機結(jié)合。

　　記者了解到，這套設(shè)備采用新型納米對準(zhǔn)技術(shù)，將原光刻設(shè)備的對準(zhǔn)精度由亞微米量級提升至納米量級。對準(zhǔn)是光刻設(shè)備三大核心指標(biāo)之一，是實現(xiàn)功能化器件加工的關(guān)鍵。該所在國家自然基金的連續(xù)資助下，完成基于莫爾條紋的高精度對準(zhǔn)技術(shù)自主研發(fā)，取得專利２０余項。

　　“該技術(shù)在光刻機中的成功應(yīng)用突破了現(xiàn)有納米尺度結(jié)構(gòu)加工的瓶頸問題，為高精度納米器件的加工提供了技術(shù)保障?！焙烧f。

　　據(jù)悉，該設(shè)備可廣泛應(yīng)用于微納流控晶片加工、微納光學(xué)元件、微納光柵、ＮＭＥＭＳ器件等微納結(jié)構(gòu)器件的制備，具有廣闊的應(yīng)用前景，目前已完成初試和小批生產(chǎn)，并已在高校與企業(yè)用戶中推廣。

　　光刻機是什么

　　光刻機/紫外曝光機（Mask Aligner） 又名：掩模對準(zhǔn)曝光機，曝光系統(tǒng)，光刻系統(tǒng)等。常用的光刻機是掩膜對準(zhǔn)光刻，所以叫 Mask Alignment System.

　　一般的光刻工藝要經(jīng)歷硅片表面清洗烘干、涂底、旋涂光刻膠、軟烘、對準(zhǔn)曝光、后烘、顯影、硬烘、刻蝕等工序。

　　Photolithography（光刻） 意思是用光來制作一個圖形（工藝）；

　　在硅片表面勻膠，然后將掩模版上的圖形轉(zhuǎn)移光刻膠上的過程將器件或電路結(jié)構(gòu)臨時“復(fù)制”到硅片上的過程。

　　光刻機的分類

　　光刻機一般根據(jù)操作的簡便性分為三種，手動、半自動、全自動

　　A 手動：指的是對準(zhǔn)的調(diào)節(jié)方式，是通過手調(diào)旋鈕改變它的X軸，Y軸和thita角度來完成對準(zhǔn)，對準(zhǔn)精度可想而知不高了；

　　B 半自動：指的是對準(zhǔn)可以通過電動軸根據(jù)CCD的進行定位調(diào)諧；

　　C 自動： 指的是 從基板的上載下載，曝光時長和循環(huán)都是通過程序控制，自動光刻機主要是滿足工廠對于處理量的需要，恩科優(yōu)的NXQ8000系列可以一個小時處理幾百片wafer。

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