中囯三大存儲(chǔ)器廠(chǎng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)、晉華及合肥長(zhǎng)鑫都已進(jìn)入試產(chǎn)階段，并計(jì)劃2019年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。這是中囯半導(dǎo)體業(yè)的一場(chǎng)存儲(chǔ)器突圍戰(zhàn)，是零的突破。為了迎接專(zhuān)利戰(zhàn)，必須學(xué)習(xí)上海中微半導(dǎo)體，從公司成立起就聘用美國(guó)律師，準(zhǔn)備好一切材料準(zhǔn)備好打?qū)＠麘?zhàn)，并且不要抱有幻想，這一仗是不可避免的。
2018-06-19 09:27:03
3903 盡管受到來(lái)自美國(guó)方面的批評(píng)與制裁，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)仍受到大陸政府全力扶植，近日傳出，2016年在湖北武漢成立、總投資達(dá)240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)正加快建設(shè)步伐，有望在2018年年底投產(chǎn)，實(shí)現(xiàn)每月30萬(wàn)片晶
2018-11-14 09:34:071845 編者按：在存儲(chǔ)產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)中，三星已經(jīng)在制程和產(chǎn)能上領(lǐng)先，三星最新成立芯片專(zhuān)家組，以提高閃存芯片的生產(chǎn)良率。最新報(bào)道，中國(guó)長(zhǎng)江存儲(chǔ)二期正式開(kāi)建，國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目總投資達(dá)240億美元。其中，一期主要實(shí)現(xiàn)
2020-06-22 10:57:007923 據(jù)《華爾街日?qǐng)?bào)》報(bào)道，紫光集團(tuán)已經(jīng)收購(gòu)武漢新芯的部分股權(quán)，而后者也將改名為長(zhǎng)江存儲(chǔ)技術(shù)公司（Yangtze River Storage Technology Co.）。
2016-07-29 15:02:536776 中國(guó)2020年要實(shí)現(xiàn)芯片自給率40%的目標(biāo)，存儲(chǔ)器產(chǎn)品已經(jīng)是國(guó)內(nèi)建設(shè)的重點(diǎn)，上個(gè)月紫光集團(tuán)收購(gòu)了武漢新芯科技，成立了長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限公司，紫光董事長(zhǎng)趙偉國(guó)擔(dān)任長(zhǎng)江科技董事長(zhǎng)。日前在陪同政協(xié)副主席
2016-08-29 13:55:451147 正在參加互聯(lián)網(wǎng)大會(huì)的紫光集團(tuán)董事長(zhǎng)趙偉國(guó)表示，由紫光參與投資總額達(dá)240億美元的武漢存儲(chǔ)器芯片廠(chǎng)將于12月初動(dòng)工。這項(xiàng)投資將扭轉(zhuǎn)大陸當(dāng)前無(wú)力生產(chǎn)存儲(chǔ)器芯片的局面，完工后預(yù)計(jì)2020年月產(chǎn)能達(dá)30萬(wàn)片，2030年躍升至100萬(wàn)片，成世界級(jí)存儲(chǔ)器生產(chǎn)基地。
2016-11-16 11:37:59996 2016年，紫光集團(tuán)與武漢新芯攜手的傳聞落地。根據(jù)雙方發(fā)布的消息，由紫光集團(tuán)和武漢新芯聯(lián)手組建的長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司于7月26日注冊(cè)成立。這意味著中國(guó)最大的存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)基地初見(jiàn)雛形。
2017-01-10 20:13:243032 近日，由國(guó)家存儲(chǔ)器基地主要承擔(dān)單位長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”）與中國(guó)科學(xué)院微電子研究所聯(lián)合承擔(dān)的3D NAND存儲(chǔ)器研發(fā)項(xiàng)目取得新進(jìn)展。
2017-02-17 07:48:231529 長(zhǎng)江存儲(chǔ)2016年7月16日正式成立后，就購(gòu)并武漢新芯100%股權(quán)，現(xiàn)在的武漢新芯約1，200人，另外，長(zhǎng)江存儲(chǔ)成立至今也招募將近700人，當(dāng)中的研發(fā)人員占500人，臺(tái)灣人約50名。
2017-04-21 09:25:53981 近期，加快芯片國(guó)產(chǎn)化進(jìn)程已經(jīng)成為中國(guó)科技企業(yè)最重要的議題之一，中國(guó)存儲(chǔ)器芯片設(shè)計(jì)與制造公司——長(zhǎng)江存儲(chǔ)正在加速生產(chǎn)。長(zhǎng)江存儲(chǔ)將緩慢提高其N(xiāo)AND芯片產(chǎn)量，以爭(zhēng)取更多的市場(chǎng)份額。
2020-09-23 10:05:432655 存儲(chǔ)器ram的特點(diǎn)
2021-01-05 06:57:06
基礎(chǔ)知識(shí)梳理一、 存儲(chǔ)器與通用寄存器1. 存儲(chǔ)器每一天清晨，當(dāng)我們在夢(mèng)中醒來(lái)的時(shí)候，記憶就會(huì)填充大腦的空白，我們會(huì)想起最近做過(guò)的一些重要的事情，當(dāng)然也有些小的事情無(wú)法準(zhǔn)確的記憶起，但這并不影響我們能夠重新組織新一天的生活，保持生活的連續(xù)性。當(dāng)然由于我們不能過(guò)于信賴(lài)我們的記憶，所以我們發(fā)明了書(shū)寫(xiě)，前
2021-12-13 06:29:53
硬磁材料、環(huán)狀元件（4）光盤(pán)存儲(chǔ)器激光、磁光材料2.按存取方式分類(lèi)（1）存取時(shí)間與物理地址無(wú)關(guān)（隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)）隨機(jī)存儲(chǔ)器在程序的執(zhí)行過(guò)程中 可讀可寫(xiě)只讀存儲(chǔ)器 在程序的執(zhí)行過(guò)程中 只讀（2）存取時(shí)間與物理地址有關(guān)（串行訪(fǎng)問(wèn)）順序存取存儲(chǔ)器磁帶直
2021-07-29 07:40:10
存儲(chǔ)器擴(kuò)展方式是什么？IO擴(kuò)展方式是什么？
2022-01-17 08:24:15
以下均以STM32F429IGT6為例一、存儲(chǔ)器映射存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠(chǎng)商或用戶(hù)分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程就稱(chēng)為存儲(chǔ)器映射，具體見(jiàn)圖 5-5。如果給存儲(chǔ)器再分配一個(gè)地址就叫
2021-08-20 06:29:52
存儲(chǔ)器映射是什么意思？其映射過(guò)程是怎樣的？
2022-01-21 07:39:51
存儲(chǔ)器本身不具有地址信息，它的地址是由芯片廠(chǎng)商或用戶(hù)分配，給存儲(chǔ)器分配地址的過(guò)程稱(chēng)為存儲(chǔ)器映射，如果再分配一個(gè)地址就叫重映射存儲(chǔ)器映射ARM 將這 4GB 的存儲(chǔ)器空間，平均分成了 8 塊區(qū)域
2022-01-20 08:21:34
1. 存儲(chǔ)器理解存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)結(jié)構(gòu)的重要組成部分，存儲(chǔ)器是用來(lái)存儲(chǔ)程序代碼和數(shù)據(jù)的部件，有了存儲(chǔ)器計(jì)算機(jī)才具有記憶功能。按照存儲(chǔ)介質(zhì)的特性，可以分“易失性存儲(chǔ)器”和“非易失性存儲(chǔ)器”兩類(lèi)，易失和非易
2021-07-16 07:55:26
感謝Dryiceboy的投遞據(jù)市場(chǎng)分析數(shù)據(jù),DRAM和NAND存儲(chǔ)器價(jià)格近期正在不斷上揚(yáng).許多人認(rèn)為當(dāng)前存儲(chǔ)器市場(chǎng)的漲價(jià)只不過(guò)是暫時(shí)的供需不穩(wěn)所導(dǎo)致的;有些人則認(rèn)為隨著存儲(chǔ)器價(jià)格3D NAND制造
2019-07-16 08:50:19
存儲(chǔ)器的分類(lèi)存儲(chǔ)器是計(jì)算機(jī)系統(tǒng)中的記憶設(shè)備，用來(lái)存放程序和數(shù)據(jù)，從不同的角度對(duì)存儲(chǔ)器可以做不同的分類(lèi)。1、按存儲(chǔ)介質(zhì)分半導(dǎo)體存儲(chǔ)器（又稱(chēng)易失性存儲(chǔ)器）：體積小，功耗低，存取時(shí)間短，電源消失的時(shí)候，所存的信息也隨之消失。磁表面存儲(chǔ)器（...
2021-07-26 08:30:22
存儲(chǔ)器：用來(lái)存放計(jì)算機(jī)中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等?！ ≈蛔x存儲(chǔ)器（ROM）：只讀存儲(chǔ)器在使用時(shí)，只能讀出而不能寫(xiě)入，斷電后ROM中的信息不會(huì)丟失。因此一般用來(lái)存放
2017-10-24 14:31:49
`存儲(chǔ)器：用來(lái)存放計(jì)算機(jī)中的所有信息：包括程序、原始數(shù)據(jù)、運(yùn)算的中間結(jié)果及最終結(jié)果等。 只讀存儲(chǔ)器（ROM）：只讀存儲(chǔ)器在使用時(shí)，只能讀出而不能寫(xiě)入，斷電后ROM中的信息不會(huì)丟失。因此一般用來(lái)存放
2017-12-21 17:10:53
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-04 07:46:15
單片機(jī)內(nèi)部結(jié)構(gòu)分析存儲(chǔ)器的工作原理
2021-02-04 07:51:10
存儲(chǔ)器的理解存儲(chǔ)器是由簡(jiǎn)單的電子器件例如PMOS管、NMOS管進(jìn)行組合形成邏輯上的與非或門(mén)，之后在此基礎(chǔ)上，形成組合邏輯用于存儲(chǔ)信息，例如R-S鎖存器和門(mén)控D鎖存器，進(jìn)而進(jìn)一步組合復(fù)雜化，形成我們
2021-12-10 06:54:11
操作時(shí)機(jī)；若存儲(chǔ)器的類(lèi)型為機(jī)械硬盤(pán)HHD，選擇第二操作時(shí)機(jī)作為操作時(shí)機(jī)；其中，第二操作時(shí)機(jī)優(yōu)先于第一操作時(shí)機(jī)。在選擇第二操作時(shí)機(jī)作為操作時(shí)機(jī)的情況下，在到達(dá)操作時(shí)機(jī)時(shí)，檢測(cè)針對(duì)第一存儲(chǔ)體的訪(fǎng)問(wèn)的數(shù)量
2019-11-15 15:44:06
存儲(chǔ)器可劃分為哪幾類(lèi)？存儲(chǔ)器的層次結(jié)構(gòu)是如何構(gòu)成的？存儲(chǔ)器芯片與CPU芯片是怎樣進(jìn)行連接的？
2021-09-16 07:12:10
固化在片子里的BOOTBLOCK，這是判斷運(yùn)行哪個(gè)存儲(chǔ)器上的程序，檢查用戶(hù)代碼是否有效，判斷芯片是否加密，芯片是否IAP（在應(yīng)用編程），芯片是否ISP（在系統(tǒng)編程），所以這個(gè)BOOTBLOCK要首先執(zhí)行
2014-03-24 11:57:18
本章教程講解DMA存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式。存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器模式可以實(shí)現(xiàn)數(shù)據(jù)在兩個(gè)內(nèi)存的快速拷貝。程序中，首先定義一個(gè)靜態(tài)的源數(shù)據(jù)，存放在內(nèi)部 FLASH，然后使用DMA傳輸把源數(shù)據(jù)拷貝到目標(biāo)地址上（內(nèi)部SRAM），最后對(duì)比源數(shù)據(jù)和目標(biāo)地址的數(shù)據(jù)，判斷傳輸是否準(zhǔn)確。
2023-04-17 15:28:08
DMA實(shí)驗(yàn)設(shè)置存儲(chǔ)器地址時(shí)，文中說(shuō)假如要把數(shù)組Sendbuff作為存儲(chǔ)器，那么在該寄存器寫(xiě)入&SendBuff就可以了 但是MYDMA_Config(DMA1_Channel4,(u32
2020-06-03 04:35:03
問(wèn)題一：位圖都存儲(chǔ)在哪了？都在程序存儲(chǔ)器里嗎問(wèn)題二：能不能將位圖存儲(chǔ)到外部?jī)?nèi)存中？問(wèn)題三：F429的程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器有多大？
2020-05-20 04:37:13
Flash存儲(chǔ)器分為哪幾類(lèi)？Flash存儲(chǔ)器有什么特點(diǎn)？Flash與DRAM有什么區(qū)別？
2021-06-18 07:03:45
嵌入式系統(tǒng)的海量存儲(chǔ)器多采用Flash存儲(chǔ)器實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展，由于Flash存儲(chǔ)器具有有限寫(xiě)入次數(shù)的壽命限制，因此對(duì)于Flash存儲(chǔ)器局部的頻繁操作會(huì)縮短Flash存儲(chǔ)器的使用壽命。如何設(shè)計(jì)出一個(gè)合理
2019-08-16 07:06:12
和幾乎所有的 GPD,GED 故障。其算法復(fù)雜度可以表示為11xP+4xR ,其中P和R分別表示一次編程和讀取操作,N表示存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)容量(字?jǐn)?shù))。宇芯有限公司自成立以來(lái)，我們專(zhuān)注于代理國(guó)內(nèi)外各大
2020-11-16 14:33:15
，與芯片系統(tǒng)實(shí)現(xiàn)互通互連。外部存儲(chǔ)器始終被看作是 SL3 存儲(chǔ)器，并可在 L1 和 L2 中緩存。接下來(lái)的我們將探討在KeyStone 架構(gòu)中實(shí)現(xiàn)的各種性能增強(qiáng)?！ ?b class="flag-6" style="color: red">存儲(chǔ)性能增強(qiáng) C66x
2011-08-13 15:45:42
本來(lái)想用一多維數(shù)組來(lái)發(fā)揮存儲(chǔ)的作用（周期控制算法需要），可是在幾層的While循環(huán)中，會(huì)多次的初始化數(shù)組；后來(lái)采用存儲(chǔ)器模塊（如圖），實(shí)際運(yùn)行時(shí)達(dá)不到理想的控制效果，存儲(chǔ)器模塊的help講的也太簡(jiǎn)略
2020-05-14 13:39:49
MCS-51的存儲(chǔ)器不僅有ROM和RAM之分，還有片內(nèi)和片外之分。MCS-51的內(nèi)存儲(chǔ)器集成在芯片內(nèi)部，是MCS-51的一個(gè)組成部分；而片外存儲(chǔ)器是外接的專(zhuān)用存儲(chǔ)器芯片，MCS-51只提供地址和控制
2021-12-07 08:49:14
當(dāng)系統(tǒng)運(yùn)行了一個(gè)嵌入式實(shí)時(shí)操作系統(tǒng)時(shí)（RTOS），操作系統(tǒng)通常都是使用非易失的存儲(chǔ)器來(lái)運(yùn)行軟件以及采集數(shù)據(jù)。存儲(chǔ)器的選擇面很廣闊，其中包括電池供電的SRAM（靜態(tài)隨機(jī)訪(fǎng)問(wèn)儲(chǔ)存器），各種各樣的閃存以及串口EEPROM（電可擦的，可編程的只讀存儲(chǔ)器）。
2019-06-28 08:29:29
從三個(gè)層面認(rèn)識(shí)SRAM存儲(chǔ)器
2021-01-05 07:09:10
SRAM是什么存儲(chǔ)器
2020-12-28 07:02:32
512KB FLASH，64KB SRAM可是在看到手冊(cè)上的存儲(chǔ)器映像時(shí)，系統(tǒng)存儲(chǔ)器并沒(méi)有包括在512KB的FLASH中，那這BOOTLOADER存在哪了呢？沒(méi)有接觸過(guò)BOOTLOADER，十分不解，還請(qǐng)大家給解答。
2014-11-26 21:05:35
STM32 存儲(chǔ)器一 存儲(chǔ)器組織1. FLASH2. SRAM3. 啟動(dòng)一 存儲(chǔ)器組織程序存儲(chǔ)器、數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、寄存器和輸入輸出端口被組織在同一個(gè)4GB的線(xiàn)性地址空間內(nèi)。數(shù)據(jù)字節(jié)以小端格式存放在存儲(chǔ)器
2021-08-02 06:06:32
為什么有的電子設(shè)備用eMMC存儲(chǔ)器 ？而有的用DDR存儲(chǔ)器呢？這兩者有什么區(qū)別嗎？
2021-06-18 06:13:25
題目是一個(gè)停車(chē)場(chǎng)計(jì)時(shí)系統(tǒng)，用74系列之類(lèi)的芯片。我們用6116存儲(chǔ)器來(lái)存地址信號(hào)，通過(guò)刷卡產(chǎn)生脈沖，經(jīng)過(guò)延時(shí)出現(xiàn)兩個(gè)相鄰的脈沖分別代表讀和寫(xiě)信號(hào)，用來(lái)讀取存儲(chǔ)器中對(duì)應(yīng)車(chē)的狀態(tài)（在不在車(chē)庫(kù)內(nèi)），再將
2016-07-23 00:01:59
什么是EEPROM存儲(chǔ)器？
2021-11-01 07:24:44
半導(dǎo)體存儲(chǔ)器是指通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體電路加以電氣控制，使其具備數(shù)據(jù)存儲(chǔ)保持功能的半導(dǎo)體電路裝置。與磁盤(pán)和光盤(pán)裝置等相比，具有數(shù)據(jù)讀寫(xiě)快存儲(chǔ)密度高耗電量少耐震等特點(diǎn)。關(guān)閉電源后存儲(chǔ)內(nèi)容會(huì)丟失的存儲(chǔ)器稱(chēng)作易失
2019-04-21 22:57:08
單片機(jī)的存儲(chǔ)器從物理上可劃分為4個(gè)存儲(chǔ)空間，其存儲(chǔ)器的空間范圍是多少？
2023-11-01 06:20:34
各位大哥問(wèn)一下，就是單片機(jī)用外部存儲(chǔ)器讀取數(shù)據(jù)的時(shí)候，還需要關(guān)系地址的問(wèn)題嗎？？
2012-11-04 21:35:47
1) 允許一個(gè)物理內(nèi)存（即 XRAM) 可同時(shí)作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器進(jìn)行訪(fǎng)問(wèn)
如何使用 SCR XRAM 作為程序存儲(chǔ)器和數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
1) 用于存儲(chǔ) scr 程序的程序存儲(chǔ)器
2) 用于在 tricore 和 scr 之間交換數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。
2024-01-30 08:18:12
如何利用Xilinx FPGA和存儲(chǔ)器接口生成器簡(jiǎn)化存儲(chǔ)器接口？
2021-05-06 07:23:59
Flash類(lèi)型與技術(shù)特點(diǎn)有哪些？如何去選擇uClinux的塊驅(qū)動(dòng)器？如何去設(shè)計(jì)Flash存儲(chǔ)器？
2021-04-27 06:20:01
基于傳統(tǒng)六晶體管(6T)存儲(chǔ)單元的靜態(tài)RAM存儲(chǔ)器塊一直是許多嵌入式設(shè)計(jì)中使用ASIC/SoC實(shí)現(xiàn)的開(kāi)發(fā)人員所采用的利器，因?yàn)檫@種存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)非常適合主流的CMOS工藝流程，不需要增添任何額外的工藝步驟。那么究竟怎么樣，才能實(shí)現(xiàn)嵌入式ASIC和SoC的存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)呢？
2019-08-02 06:49:22
如何實(shí)現(xiàn)擴(kuò)展存儲(chǔ)器的設(shè)計(jì)？
2021-10-28 08:08:51
擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)的目的是什么？怎樣去設(shè)計(jì)一種擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫(xiě)的電路？擴(kuò)展存儲(chǔ)器讀寫(xiě)實(shí)驗(yàn)的流程有哪些？
2021-07-14 07:04:49
富士通FRAM存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？富士通FRAM存儲(chǔ)器在智能電表中有什么應(yīng)用？
2021-07-11 06:09:49
隨著集成電路制造工藝水平的提高，半導(dǎo)體芯片上可以集成更多的功能，為了讓產(chǎn)品有別于競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手的產(chǎn)品特性，在ASIC上集成存儲(chǔ)器可以降低成本和功耗、改善性能、增加系統(tǒng)級(jí)芯片的可靠性。隨著對(duì)嵌入式存儲(chǔ)器需求的持續(xù)增長(zhǎng)，其復(fù)雜性、密度和速度也日益增加，從而需要提出一種專(zhuān)用存儲(chǔ)器設(shè)計(jì)方法。
2019-11-01 07:01:17
影響存儲(chǔ)器訪(fǎng)問(wèn)性能的因素有哪些？DSP核訪(fǎng)問(wèn)內(nèi)部存儲(chǔ)器和外部DDR存儲(chǔ)器的時(shí)延有什么不同？
2021-04-19 08:32:10
STM32的存儲(chǔ)器由哪些組成？怎樣去啟動(dòng)STM32存儲(chǔ)器？
2021-09-24 07:03:23
存儲(chǔ)器可分為哪幾類(lèi)？存儲(chǔ)器有哪些特點(diǎn)？存儲(chǔ)器有哪些功能？
2021-10-20 06:46:21
為什么要開(kāi)發(fā)和測(cè)試存儲(chǔ)器件？怎樣去測(cè)試存儲(chǔ)器的基本功能？如何去擴(kuò)展存儲(chǔ)器的測(cè)試能力？
2021-04-15 06:44:19
數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 FLASH程序存儲(chǔ)器 FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 片內(nèi)RAM數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器16M字節(jié)外部數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器各有什么區(qū)別？特點(diǎn)？小弟看到這段 很暈。ADuC812的用戶(hù)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器包含三部分，片內(nèi)640字節(jié)的FLASH數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器、256字節(jié)的RAM以及片外可擴(kuò)展到16M字節(jié)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器。求助高手。解釋一下不同。
2011-11-29 09:50:46
求助：數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器2817怎么搜，在altium designer。貌似不太會(huì)用搜索功能。我總是搜不出來(lái)不知道為什么，求解答。單片機(jī)存儲(chǔ)電路里的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器6116和程序存儲(chǔ)器
2014-07-22 23:10:03
、NAND 閃存、EEPROM（可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器）、FRAM（鐵電存儲(chǔ)器），MRAM（磁性 RAM）和 NVSRAM（非易失性靜態(tài)存儲(chǔ)器）等。每種類(lèi)型存儲(chǔ)器在不同性能指標(biāo)下具有各自的優(yōu)勢(shì)和劣勢(shì)：存儲(chǔ)器
2019-07-23 06:15:10
諸如密度，性能，封裝及接口在系統(tǒng)級(jí)性能方面均發(fā)揮重要作用。因?yàn)橄到y(tǒng)設(shè)計(jì)者現(xiàn)有的不同類(lèi)型存儲(chǔ)器，根據(jù)高水平的系統(tǒng)和應(yīng)用元件的不同需求而分割存儲(chǔ)器子系統(tǒng)是可行的。在某些情況下，超高速緩存可以合理的實(shí)現(xiàn)性能
2018-05-17 09:45:35
單片機(jī)中數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器片內(nèi)的地址是00--7FH，程序存儲(chǔ)器的片內(nèi)地址是0000H--0FFFH，請(qǐng)問(wèn)這兩部分是不是有重疊？請(qǐng)具體詳解！~{:1:}
2013-01-15 09:01:22
虛擬地址物理地址等眾多地址及MMU相關(guān)知識(shí)先聊聊存儲(chǔ)器STM32單片機(jī)存儲(chǔ)器關(guān)于編譯器生成的文件數(shù)據(jù)在存儲(chǔ)器上的存儲(chǔ)結(jié)構(gòu)物理地址、虛擬地址、線(xiàn)性地址和邏輯地址物理地址虛擬地址邏輯地址線(xiàn)性地址這些地址
2022-02-11 07:51:30
計(jì)算機(jī)硬件能直接執(zhí)行哪種語(yǔ)言？計(jì)算機(jī)的存儲(chǔ)器采用分級(jí)存儲(chǔ)體系的目的是什么？常用的虛擬存儲(chǔ)器由哪兩級(jí)存儲(chǔ)器組成？
2021-09-17 06:44:39
ADuCM360/1是否支持存儲(chǔ)器到存儲(chǔ)器DMA傳輸？
2024-01-15 07:43:09
存儲(chǔ)器芯片是什么？存儲(chǔ)器可分為哪幾類(lèi)？存儲(chǔ)器術(shù)語(yǔ)的定義有哪些？如何去測(cè)試存儲(chǔ)器芯片的功能？測(cè)試向量是什么？它的執(zhí)行方式以及測(cè)試目的分別是什么？
2021-04-15 06:18:54
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-19 11:53:09
而言，鐵電存儲(chǔ)器具有一些獨(dú)一無(wú)二的特性。傳統(tǒng)的主流半導(dǎo)體存儲(chǔ)器可以分為兩類(lèi)--易失性和非易失性。易失性的存儲(chǔ)器包括靜態(tài)存儲(chǔ)器SRAM和動(dòng)態(tài)存儲(chǔ)器DRAM。SRAM和DRAM在掉電的時(shí)候均會(huì)失去保存的數(shù)據(jù)
2011-11-21 10:49:57
靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器SRAM存儲(chǔ)數(shù)據(jù)原理
2021-02-26 06:36:26
存儲(chǔ)器相關(guān)的問(wèn)題是 DSP 應(yīng)用中非常普遍的問(wèn)題。本文介紹KeyStone I 系列 DSP 上一些存儲(chǔ)器測(cè)試的方法。{:4_95:}http://ttokpm.com/soft/3/2014/20140717348554.html
2014-10-30 13:57:57
MCP存儲(chǔ)器,MCP存儲(chǔ)器結(jié)構(gòu)原理
當(dāng)前給定的MCP的概念為：MCP是在一個(gè)塑料封裝外殼內(nèi)，垂直堆疊大小不同的各類(lèi)存儲(chǔ)器或非存儲(chǔ)器芯片，
2010-03-24 16:31:282241 存儲(chǔ)器卡,存儲(chǔ)器卡是什么意思
存儲(chǔ)器卡(Memory Card)是一種用電可擦除的可編程只讀存儲(chǔ)器(EEPROM)為核心的，能多次重復(fù)使用的IC卡。沒(méi)
2010-04-01 17:44:073641 紫光國(guó)芯26日在互動(dòng)平臺(tái)表示，公司西安子公司從事DRAM存儲(chǔ)器晶元的設(shè)計(jì)，目前產(chǎn)品委托專(zhuān)業(yè)代工廠(chǎng)生產(chǎn)。 未來(lái)紫光集團(tuán)下屬長(zhǎng)江存儲(chǔ)如果具備DRAM存儲(chǔ)器晶元的制造能力，公司會(huì)考慮與其合作。
2017-11-27 11:05:411848 紫光南京半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)基地主要將生產(chǎn)3D NAND FLASH存儲(chǔ)芯片和DRAM存儲(chǔ)器芯片，一期占地約700畝，二期占地約800畝;這也是紫光擬在武漢投資控制長(zhǎng)江存儲(chǔ)、在成都打造晶圓廠(chǎng)，另一個(gè)紫光大型的存儲(chǔ)器生產(chǎn)南京基地也已經(jīng)實(shí)質(zhì)啟動(dòng)。
2017-11-28 12:54:401970 據(jù)報(bào)道，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的研發(fā)節(jié)奏正在逐步推進(jìn)，中國(guó)存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)開(kāi)始上演第二梯隊(duì)大逆襲的大劇目。武漢存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)隱現(xiàn)“國(guó)家隊(duì)效應(yīng)”，是“謀劃”良久的巧合，還是中國(guó)未來(lái)未來(lái)發(fā)展的新希望。
2018-01-18 16:08:301729 針對(duì)近期關(guān)于“紫光收購(gòu)武漢新芯”的市場(chǎng)傳聞，記者采訪(fǎng)武漢新芯獲悉，3月28日國(guó)家存儲(chǔ)器基地在武漢啟動(dòng)的四個(gè)月后，今年7月26日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司(下稱(chēng)“長(zhǎng)江存儲(chǔ)”)正式成立，武漢新芯將成為長(zhǎng)江存儲(chǔ)的全資子公司，而紫光集團(tuán)則是參與長(zhǎng)江存儲(chǔ)的二期出資。
2018-06-07 18:45:0022852 
位于武漢“中國(guó)光谷”的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目芯片生產(chǎn)機(jī)臺(tái)11日正式進(jìn)場(chǎng)安裝，這標(biāo)志著國(guó)家存儲(chǔ)器基地從廠(chǎng)房建設(shè)階段進(jìn)入量產(chǎn)準(zhǔn)備階段，我國(guó)首批擁有完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的32層三維NAND閃存芯片將于年內(nèi)量產(chǎn)，從而填補(bǔ)我國(guó)主流存儲(chǔ)器領(lǐng)域空白。
2018-06-20 10:26:001857 萬(wàn)勇透露，武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地計(jì)產(chǎn)能10萬(wàn)片/月的一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房，首個(gè)芯片會(huì)在2018年點(diǎn)亮，明年實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。而獲得國(guó)務(wù)院批復(fù)的武漢國(guó)家存儲(chǔ)器基地，規(guī)劃建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大
2018-04-12 16:20:003563 長(zhǎng)江存儲(chǔ)科技有限責(zé)任公司于2016年7月26日在武漢東湖新技術(shù)開(kāi)發(fā)區(qū)登記成立。法定代表人趙偉國(guó)，公司經(jīng)營(yíng)范圍包括半導(dǎo)體集成電路科技領(lǐng)域內(nèi)的技術(shù)開(kāi)發(fā)、集成電路及相關(guān)產(chǎn)品的設(shè)計(jì)、研發(fā)、測(cè)試、封裝、制造與銷(xiāo)售；貨物進(jìn)出口、技術(shù)進(jìn)出口、代理進(jìn)出口（不含國(guó)家禁止或限制進(jìn)出口的貨物或技術(shù)）。
2018-03-14 15:17:22120579 在春節(jié)長(zhǎng)假期，國(guó)人歡慶佳節(jié)的時(shí)候，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的工廠(chǎng)依然在加緊建設(shè)，以確保今年三季度投產(chǎn)NAND flash，隨著長(zhǎng)江存儲(chǔ)投產(chǎn)，中國(guó)可望打破當(dāng)前三星在NAND flash行業(yè)獨(dú)大的局面。
2018-07-02 12:49:005365 4月11日，長(zhǎng)江存儲(chǔ)以芯存長(zhǎng)江，智儲(chǔ)未來(lái)為主題，慶賀存儲(chǔ)器基地正式移入生產(chǎn)設(shè)備。 2017年9月長(zhǎng)江存儲(chǔ)新建的國(guó)家存儲(chǔ)器基地項(xiàng)目（一期）一號(hào)生產(chǎn)及動(dòng)力廠(chǎng)房實(shí)現(xiàn)提前封頂，2018年2月份進(jìn)行廠(chǎng)內(nèi)潔凈室裝修和空調(diào)、消防等系統(tǒng)安裝，正是為4月搬入機(jī)臺(tái)設(shè)備而準(zhǔn)備，預(yù)計(jì)很快就可以實(shí)現(xiàn) 3D NAND 量產(chǎn)。
2018-04-15 10:08:009280 再投240億美元，紫光成都存儲(chǔ)器制造基地成又一個(gè)長(zhǎng)江存儲(chǔ)！ 繼2016年12月30日，紫光集團(tuán)聯(lián)合國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)基金、湖北省地方基金、湖北省科投共同投資建設(shè)，項(xiàng)目總投資為240億美元的長(zhǎng)江存儲(chǔ)國(guó)家
2018-10-15 17:07:02783 目前世界上存儲(chǔ)器芯片市場(chǎng)主要由美、日、韓主導(dǎo)，是高度壟斷的寡頭市場(chǎng)格局，長(zhǎng)江存儲(chǔ)的成立就是希望打破這一行業(yè)壟斷。
2018-11-21 17:40:027293 
根據(jù)官網(wǎng)資料，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。長(zhǎng)江存儲(chǔ)為全球工商業(yè)客戶(hù)提供存儲(chǔ)器產(chǎn)品，廣泛應(yīng)用于移動(dòng)設(shè)備、計(jì)算機(jī)、數(shù)據(jù)中心和消費(fèi)電子產(chǎn)品等領(lǐng)域。
2019-08-29 14:28:002164 據(jù)悉，長(zhǎng)江存儲(chǔ)是紫光集團(tuán)收購(gòu)武漢新芯科技之后成立的，于2016年7月在中國(guó)武漢成立，是一家專(zhuān)注于3D NAND閃存芯片設(shè)計(jì)、生產(chǎn)和銷(xiāo)售的IDM存儲(chǔ)器公司。
2019-10-01 17:23:002612 長(zhǎng)江存儲(chǔ)打破全球3D NAND技術(shù)壟斷，作為國(guó)家重點(diǎn)打造的存儲(chǔ)器大項(xiàng)目，經(jīng)歷多年的研發(fā)，終于走向市場(chǎng)正式向存儲(chǔ)巨頭們挑戰(zhàn)。
2019-11-29 15:39:052849 3月25日，湖北省委書(shū)記應(yīng)勇前往武漢長(zhǎng)江存儲(chǔ)、武漢華星光電等部分高新技術(shù)企業(yè)和大型工業(yè)企業(yè)，調(diào)研企業(yè)復(fù)工復(fù)產(chǎn)等情況。
2020-03-26 16:30:013136 4月8日零時(shí)，武漢市正式解除離漢離鄂通道管控措施，而位于武漢的國(guó)家存儲(chǔ)器基地長(zhǎng)江存儲(chǔ)的研發(fā)進(jìn)展以及受疫情影響情況受到業(yè)內(nèi)的高度關(guān)注。
2020-04-08 16:20:413255 NAND Flash作為全球最為重要的存儲(chǔ)芯片之一，目前被全球六大廠(chǎng)商進(jìn)行壟斷競(jìng)爭(zhēng)，中國(guó)NAND Flash廠(chǎng)商長(zhǎng)江存儲(chǔ)（YMTC）已在2020年第一季將128層3D NAND樣品送交存儲(chǔ)控制器廠(chǎng)商，目標(biāo)第三季進(jìn)入投片量產(chǎn)，未來(lái)中國(guó)的長(zhǎng)江存儲(chǔ)有望打破國(guó)外在NAND FLASH的壟斷競(jìng)爭(zhēng)格局。
2021-01-11 14:18:333386 外國(guó)芯片專(zhuān)家表示，長(zhǎng)江存儲(chǔ)實(shí)現(xiàn)技術(shù)進(jìn)步和批量生產(chǎn)的能力將受到其無(wú)法免費(fèi)獲得美國(guó)芯片制造工具和服務(wù)的阻礙。
2023-02-03 11:38:561669 長(zhǎng)江存儲(chǔ)在以上起訴書(shū)中稱(chēng)，長(zhǎng)江存儲(chǔ)不再是新秀（upstart），而已成為全球3D NAND市場(chǎng)的重要參與者。長(zhǎng)江存儲(chǔ)表示，去年11月，分析和跟蹤閃存市場(chǎng)的TechInsights公司得出結(jié)論：長(zhǎng)江存儲(chǔ)是3D NAND閃存領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者，超過(guò)了美光。
2023-11-13 16:53:04531 
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