首款采用臺(tái)積電12nm的英偉達(dá)處理器今年量產(chǎn)

電子發(fā)燒友早八點(diǎn)訊： 根據(jù)國外科技網(wǎng)站 digitaltrends 的報(bào)導(dǎo)，顯示芯片大廠英偉達(dá)（NVIDIA）針對(duì)自動(dòng)駕駛及 AI 運(yùn)算市場(chǎng)所推出的 Xavier SoC 處理器，其當(dāng)中的新一代 Volta GPU，將是第一個(gè)采用臺(tái)積電的 12 納米先進(jìn)制程的產(chǎn)品，并且預(yù)計(jì)最快將在 2017 年下半年開始量產(chǎn)。

報(bào)導(dǎo)指出，雖然晶圓但工龍頭臺(tái)積電很早就將 10 納米先進(jìn)制程進(jìn)入量產(chǎn)。不過，現(xiàn)下還沒有一款基于臺(tái)積電 10 納米制程所生產(chǎn)的芯片，所搭備的終端產(chǎn)品正式發(fā)布。有消息表示，之前臺(tái)積電在 10 納米制程良率上遇到了一些問題。所以，很可能搭配的終端產(chǎn)品的問世還需要一段時(shí)間。因此，目前 16 納米制程仍然是臺(tái)積電的先進(jìn)制程主力。但是，很快傳聞中的臺(tái)積電 12 納米制程，將會(huì)搭配英偉達(dá)的產(chǎn)品在2017年問世。

英偉達(dá)（NVIDIA）為了自動(dòng)駕駛及 AI 運(yùn)算市場(chǎng)所開發(fā)的 Xavier SoC 處理器，當(dāng)中的新一代 Volta GPU，將會(huì)是首先采用臺(tái)積電的 12 納米先進(jìn)制程的產(chǎn)品。不過需要注意的是，臺(tái)積電的 12 納米制程跟格羅方德（GlobalFoundries）的 12 納米 FD-SOI 制程不同，實(shí)際上應(yīng)歸類為現(xiàn)有 16 納米制程的進(jìn)化版。

據(jù)了解，臺(tái)積電即將推出的 12 納米先進(jìn)制程，其實(shí)是現(xiàn)有 16 納米先進(jìn)制程的第四代縮微改良版本。具有更低的漏電性能及成本，并且線寬微縮能力已領(lǐng)先韓國三星的 14 納米制程。而稱為 12 納米制程，不是改良 16 納米制程的目的，應(yīng)該是要反擊三星、格羅方德等對(duì)手的 14 與 12 納米制程，牢牢控制 10 到 28 納米制程之間的代工市場(chǎng)。

過去，在半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)當(dāng)中一直有傳聞指出，三星與臺(tái)積電的 14 與 16 納米制程，其實(shí)與半導(dǎo)體龍頭英特爾的 20 納米制程相當(dāng)，只是為了區(qū)分各自的制程技術(shù)，所以各家晶圓代工廠開始出現(xiàn)這樣的數(shù)字游戲。不過，這樣一來格羅方德在 2016年所推出的 12 納米 FD-SOI 制程在市場(chǎng)上就顯得有些尷尬。

根據(jù)資料顯示，格羅方德的 12 納米 FD-SOI 制程能夠以低于 16 納米 FinFET 制程的功耗和成本，提供等同于 10 納米 FinFET 的性能，并且支持全節(jié)點(diǎn)縮放，使得性能比現(xiàn)有 FinFET 制程提升了 15%，功耗卻降低了 50%。而光罩的成本也比 10 納米 FinFET 制程減少 40%。

換句話說，格羅方德的 12 納米 FD-SOI 制程在號(hào)稱成本、功耗等方面都要優(yōu)于臺(tái)積電主力的 16 納米制程的情況下。但是現(xiàn)在，臺(tái)積電的第四代 16 納米制程改名為 12 納米制程后，或許在宣傳和行銷上會(huì)給人的感覺是二者在制程水準(zhǔn)上沒有什么特別的差異。而且。臺(tái)積電的名聲比格羅方德也要更響亮一些。再加上，格羅方德的 12 納米 FD-SOI 制程的量產(chǎn)時(shí)間可能要比臺(tái)積電的 12 納米制程更晚，這些都將使格羅方德的 12 納米 FD-SOI 制程在后續(xù)的市場(chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中，將處于劣勢(shì)的局面。

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