安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/

安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/NTB641x/NTD641x

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET系列，新增12款100伏(V)器件。安森美半導(dǎo)體經(jīng)過(guò)完備測(cè)試的N溝道功率MOSFET提供高達(dá)500毫焦(mJ)的業(yè)界領(lǐng)先雪崩額定值，非常適用于要顧慮因非鉗位電感型負(fù)載引致過(guò)渡電壓應(yīng)力的設(shè)計(jì)。

安森美半導(dǎo)體這些100 V功率MOSFET器件的典型應(yīng)用包括工業(yè)電機(jī)控制、電源、不間斷電源(UPS)中的電源逆變器，以及汽車中的直接燃?xì)鈬娚?DGI)。這些無(wú)鉛器件，符合RoHS指令，關(guān)鍵的規(guī)范特性包括：

* 導(dǎo)通阻抗(RDS(on))低至13毫歐(mΩ)

* 電流能力高達(dá)76安培(A)

* 經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試

* 通過(guò)AEC-Q101標(biāo)準(zhǔn)認(rèn)證

安森美半導(dǎo)體MOSFET產(chǎn)品部副總裁兼總經(jīng)理Paul Leonard說(shuō)：“為了應(yīng)對(duì)開(kāi)關(guān)電感型負(fù)載時(shí)潛在的大電壓尖峰，以及推動(dòng)更高能效，安森美半導(dǎo)體的N溝道功率MOSFET提供強(qiáng)固及可靠的方案。我們100 V產(chǎn)品系列新增的器件為客戶提供更多的選擇，幫助他們獲得適合他們特定應(yīng)用的最優(yōu)器件?！?

封裝及價(jià)格

NTP641x和NTB641x系列42到76 A器件包括NTB6410AN、NTP6410AN、NTB6411AN、NTP6411AN、NTB6412AN、NTP6412AN、NTB6413AN及NTP6413AN，采用無(wú)鉛及符合RoHS指令的TO-220及D2PAK封裝。NTD641x系列17到32 A器件包括NTD6414AN、NTD6415AN、NTD6416AN及NTD6416ANL，采用無(wú)鉛及符合RoHS指令的DPAK及IPAK封裝。所有這些器件的工作溫度范圍為-55℃至+175℃。這些MOSFET每10,000片批量的價(jià)格為0.92至1.90美元。現(xiàn)提供樣品。

更多信息請(qǐng)?jiān)L問(wèn)安森美半導(dǎo)體網(wǎng)站：http://www.onsemi.cn。

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2021-04-07 15:06:41

STH4618SP完美替代EFC4618R雙N溝道功率MOS，20V6A，內(nèi)阻15mΩ

℃STH4612SP完美替代安森美EFC4612R雙N溝道功率MOS，24V6A，內(nèi)阻45mΩSTH4618SP完美替代安森美EFC4618R雙N溝道功率MOS，20V6A，內(nèi)阻15mΩSTH1227SP完美替代松下FCAB21490L雙N溝道功率MOS，12V27A，內(nèi)阻2.5mΩ

2021-07-21 17:09:05

TA07N65 650V 7A N溝道 MOS管 7N65

溝道 MOS管HN50N06DA：60V50A TO-252N溝道 MOS管HN9940L 60V20ATO-251N溝道 MOS管【100V MOS 】 HN0501:100V 5A SOT-23

2021-03-24 10:35:56

兩個(gè)N溝道增強(qiáng)型MOSFET源極相接串聯(lián)使用，總是燒MOSFET，求教

MOSFET作為開(kāi)關(guān)使用串聯(lián)在電池負(fù)極和開(kāi)關(guān)電源負(fù)極之間，但總是燒壞MOSFET，MOSFET選用的是IXFN420N10T，Ids可達(dá)420A，Vds最大100V，而開(kāi)關(guān)電源是適配48V，電池是鉛酸電池

2016-09-06 12:51:58

低壓100V貼片MOS管100V4A 4N10 SOT23-3封裝

````低壓100V貼片MOS管100V4A 4N10 SOT23-3封裝MOS管型號(hào)：HC510中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封裝MOS，實(shí)際電壓可以達(dá)到100V，可以滿足LED電源

2020-07-25 14:36:55

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

`惠海原廠直銷LED汽車大燈電源、電動(dòng)車燈電源、摩托車燈電源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V

2020-09-23 11:38:52

低壓貼片MOS管30V 60V 100V 150V 耐壓N溝道場(chǎng)效應(yīng)管

`惠海原廠直銷LED汽車大燈電源、電動(dòng)車燈電源、摩托車燈電源MOS管，30V 60V 100V 150V系列100V10A 100V17A100V40A 150V8A 60V30A60V

2020-10-14 15:18:58

低開(kāi)啟40V 10A N溝道 MOS管原廠

溝道 MOS管60V 50A TO-252 N溝道 MOS管【100V MOS N溝道】 100V 5A SOT-23 N溝道 MOS管100V 8A SOT-89 N溝道MOS管100V 3A

2020-11-02 16:02:10

關(guān)于MOSFET不同溝道和類型的問(wèn)題

N溝道和P溝道MOSFET哪個(gè)常用?增強(qiáng)型和耗盡型的哪個(gè)常用?

2019-05-13 09:00:00

加濕器100V耐壓MOS管TO-252 100V低結(jié)電容5A

`霧化器、美容儀、加濕器、香薰機(jī)MOS 100V 調(diào)光LED燈MOS管 5N10【SOT23-3】，10N1012N10 15N10 TO-252HC510中壓MOS:100V，N溝道，大電流，小封

2020-09-23 09:42:17

開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)之：P溝道和N溝道MOSFET比較

，N溝道歐姆區(qū)的VGS是7V，而P溝道的是-4.5V。隨著柵極電壓增加，歐姆曲線的斜率變得更陡，表明器件導(dǎo)電能力更強(qiáng)。施加的柵極電壓越高，MOSFET的RDS(on)就越小。在某些應(yīng)用中

2021-04-09 09:20:10

惠海直銷30V 60V 100V mos管SOT23封裝 TO-252 SOP-8 DFN3*3封裝mos管【低開(kāi)啟低結(jié)電容】

型號(hào)如下：型號(hào)：HC160N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V10A(10N10)TO-252封裝，可用于霧化器、車燈電源等型號(hào)：HC080N10L N溝道場(chǎng)效應(yīng)管100V17A(17N10)TO-252封裝

2020-11-02 15:36:23

安森美ONSEMI 擴(kuò)充汽車驅(qū)動(dòng)器系列

安森美ONSEMI 擴(kuò)充汽車驅(qū)動(dòng)器系列安森美半導(dǎo)體，推出兩款為堅(jiān)固的汽車和工業(yè)應(yīng)用而特別設(shè)計(jì)的新型驅(qū)動(dòng)器。NCV7513是可編程六通道低端MOSFET預(yù)驅(qū)動(dòng)器，用于控制各種負(fù)載類型。NC

2010-02-06 10:41:39

全新高密度溝槽MOSFET（安森美）

全新高密度溝槽MOSFET（安森美） 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出24款新的30伏(V)、N溝道溝槽(Trench)金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管(MOSFET)。這些MOSFET采用DPAK、SO-8FL、µ

2009-11-02 09:16:32

947

安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC

安森美推出符合汽車標(biāo)準(zhǔn)的自保護(hù)低端MOSFET驅(qū)動(dòng)IC 　安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ONNN)推出高度集成保護(hù)的NCV840x系列低端自保護(hù)MOSFET。這系列

2010-01-13 11:32:40

548

安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列

安森美半導(dǎo)體推出12款新N溝道功率MOSFET系列經(jīng)過(guò)100%雪崩測(cè)試的MOSFET提供業(yè)界領(lǐng)先的雪崩額定值，能承受電源和電機(jī)控制應(yīng)用中的大電壓尖峰 2010年2月2日 – 應(yīng)用

2010-02-03 10:13:15

1095

安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列

安森美半導(dǎo)體推出高壓MOSFET系列　　應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能

2010-02-23 10:06:56

831

安森美推出帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET

帶集成肖特基二極管的30V N溝道功率MOSFET(ON) 應(yīng)用于綠色電子產(chǎn)品的首要高性能、高能效硅方案供應(yīng)商安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件

2010-04-10 10:32:52

519

安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSF

安森美推出帶集成肖特基二極管的30V 擴(kuò)充N溝道功率MOSFET 安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)擴(kuò)充N溝道功率MOSFET器件陣容，新推出帶集成肖特基二極管的30V產(chǎn)品。 NTMFS4897

2010-04-12 10:23:16

1107

安森美半導(dǎo)體推出新系列100V溝槽型LVFR

安森美半導(dǎo)體(ON Semiconductor)推出新系列的100伏(V)溝槽型低正向壓降肖特基整流器(LVFR)，用于筆記本適配器或平板顯示器的開(kāi)關(guān)電源等.

2011-12-15 09:24:20

819

安森美擴(kuò)充RHYTHM DSP系列專為助聽(tīng)器而設(shè)計(jì)

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）專門為助聽(tīng)器設(shè)備應(yīng)用而設(shè)計(jì)RHYTHM?系列預(yù)配置數(shù)字信號(hào)處理（DSP）系統(tǒng)，最新增加了兩款新器件。

2014-03-28 09:19:46

2323

安森美半導(dǎo)體推出能降低損耗的低壓功率MOSFET新系列

推動(dòng)高能效創(chuàng)新的安森美半導(dǎo)體（ON Semiconductor）推出新系列的6款N溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET），它們經(jīng)過(guò)設(shè)計(jì)及優(yōu)化，提供領(lǐng)先業(yè)界能效，優(yōu)于市場(chǎng)現(xiàn)有器件。

2014-05-21 11:36:44

909

LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作

LTC4444MP-5 - 100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -55°C 至 125°C 的溫度范圍內(nèi)工作

2021-03-18 22:10:11

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

100V 高速同步 N 溝道 MOSFET 驅(qū)動(dòng)器在 -40°C 至 150°C 的溫度范圍內(nèi)工作

2021-03-19 06:51:08

NP30P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFE)

NP30P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFE)

2022-07-14 09:53:46

855

NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

NP16P10G(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

2022-07-18 09:06:00

1414

NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

NP2P10MR(100V P溝道增強(qiáng)模式MOSFET)

2022-07-18 09:14:57

946

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩN溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V、10.9mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN011-100YSF

2023-02-20 19:50:19

100V,N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E

100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-BUK6D385-100E

2023-02-20 19:57:31

100V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA

100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMN280ENEA

2023-02-20 20:01:43

100V,N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA

100 V、N 溝道溝槽 MOSFET-PMV280ENEA

2023-02-20 20:01:56

D2PAK中的N溝道 100V,3.95 mΩ、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE

D2PAK 中的 N 溝道 100 V、3.95 mΩ、標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN3R7-100BSE

2023-02-21 18:48:04

LFPAK56中的N溝道 100V,153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、153 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y153-100E

2023-02-21 19:38:26

雙N溝道 100V,33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E

雙 N 溝道 100 V、33 mΩ 邏輯電平 MOSFET-山毛櫸9K32-100E

2023-02-21 19:40:46

LFPAK56中的N溝道 100V,22mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y22-100E

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、22 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9Y22-100E

2023-02-21 19:45:12

LFPAK33中的N溝道 100V,156 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M156-100E

LFPAK33 中的 N 溝道 100 V、156 mΩ 邏輯電平 MOSFET-BUK9M156-100E

2023-02-21 19:49:29

雙N溝道 100V,27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E

雙 N 溝道 100 V、27.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K32-100E

2023-02-22 18:41:14

雙N溝道 100V,82.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E

雙 N 溝道 100 V、82.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-山毛櫸7K89-100E

2023-02-22 18:42:54

雙N溝道 100V,121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E

雙 N 溝道 100 V、121 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-BUK7K134-100E

2023-02-22 18:43:22

LFPAK56中的N溝道 100V,19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、19 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN019-100YL

2023-02-22 18:51:50

LFPAK56中的N溝道 100V,21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL

LFPAK56 中的 N 溝道 100 V、21 mΩ 邏輯電平 MOSFET-PSMN021-100YL

2023-02-22 18:52:06

N 溝道 100V,26.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS

N 溝道 100 V、26.8 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220-PSMN027-100PS

2023-02-22 19:03:50

采用 TO220 封裝的 NextPower 100V,18 mΩN溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

采用 TO220 封裝的 NextPower 100 V、18 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN018-100PSF

2023-02-23 18:45:23

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100V,7 mΩN溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF

采用 LFPAK56 封裝的 NextPower 100 V、7 mΩ N 溝道 MOSFET-PSMN6R9-100YSF

2023-02-23 18:52:29

D2PAK中的N溝道 100V 6.8mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 6.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN7R0-100BS

2023-03-03 18:53:30

D2PAK中的N溝道 100V 26.8mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 26.8 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET。-PSMN027-100BS

2023-03-03 19:00:21

D2PAK中的N溝道 100V 16mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS

D2PAK 中的 N 溝道 100V 16 mOhm 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET-PSMN016-100BS

2023-03-03 19:01:50

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F(SOT186A)-PSMN8R5-100XS

N 溝道 100V 8.5 mΩ 標(biāo)準(zhǔn)電平 MOSFET，采用 TO220F (SOT186A)-PSMN8R5-100XS

2023-03-03 20:12:57

安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國(guó)的？

安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國(guó)的？有人問(wèn)小編安森美半導(dǎo)體怎么樣？安森美是哪國(guó)的？其實(shí)行業(yè)內(nèi)人士都知道美國(guó)公司安森美半導(dǎo)體實(shí)力很強(qiáng)悍，安森美是美國(guó)公司；并且在納斯達(dá)克上市。 安森美是哪國(guó)

2023-03-28 18:37:26

5914

安森美被納入納斯達(dá)克100指數(shù)

點(diǎn)擊藍(lán)字?關(guān)注我們智能電源和智能感知技術(shù)的領(lǐng)先企業(yè) 安森美 （ onsemi ，美國(guó)納斯達(dá)克上市代號(hào)：ON），將于美國(guó)時(shí)間2023年6月20日星期二開(kāi)市前被納入納斯達(dá)克100指數(shù) 。安森美已連續(xù)

2023-06-13 10:35:02

262

安森美M1 1200 V SiC MOSFET動(dòng)態(tài)特性分析

之間的共性和差異，以便用戶充分利用每種器件。本系列文章將概述安森美 M 1 1200 V SiC MOSFET 的關(guān)鍵特性及驅(qū)動(dòng)條件對(duì)它的影響，作為安森美提供的全方位寬禁帶生態(tài)系統(tǒng)的一部分，還將提供

2023-06-16 14:39:39

538

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安森美新增100V N溝道MOSFET系列：NTP641x/

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